JPH07193044A - ＳｉＣのパターンエッチング方法 - Google Patents
ＳｉＣのパターンエッチング方法Info
- Publication number
- JPH07193044A JPH07193044A JP4355043A JP35504392A JPH07193044A JP H07193044 A JPH07193044 A JP H07193044A JP 4355043 A JP4355043 A JP 4355043A JP 35504392 A JP35504392 A JP 35504392A JP H07193044 A JPH07193044 A JP H07193044A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- substrate
- pattern
- etching
- resist
- Prior art date
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単純な工程で高速にＳｉＣ基板を所望の形状
にエッチングし、しかもスムーズな仕上がり面を得る。 【構成】 ＳｉＣ基板上にレジスト材料によりパターン
マスクを形成し、［Ａｒ／（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）］＝５
５〜８５％としたＣＣｌ2Ｆ2とＡｒとの混合ガスを用い
て反応性イオンビームエッチングを行なう。 【効果】 ＳｉＣ基板のエッチング速度がレジストのそ
れと同等程度となるため、リフトオフを行なうことな
く、レジスト上からの直接パターンエッチングが可能と
なる。
にエッチングし、しかもスムーズな仕上がり面を得る。 【構成】 ＳｉＣ基板上にレジスト材料によりパターン
マスクを形成し、［Ａｒ／（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）］＝５
５〜８５％としたＣＣｌ2Ｆ2とＡｒとの混合ガスを用い
て反応性イオンビームエッチングを行なう。 【効果】 ＳｉＣ基板のエッチング速度がレジストのそ
れと同等程度となるため、リフトオフを行なうことな
く、レジスト上からの直接パターンエッチングが可能と
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば青色半導体レー
ザ用材料や耐環境性半導体材料としてのＳｉＣやＳｉＣ
回折格子等を作成する際に用いることのできるＳｉＣ
（シリコンカーバイド）の高効率なエッチング方法に関
する。
ザ用材料や耐環境性半導体材料としてのＳｉＣやＳｉＣ
回折格子等を作成する際に用いることのできるＳｉＣ
（シリコンカーバイド）の高効率なエッチング方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】シンクロトロン放射光（ＳＲ光）や短波
長・高出力レーザ用の回折格子としては、これらの高エ
ネルギー放射による温度上昇に対して比較的高温まで安
定であり、かつ、熱伝導率が高いために冷却効率の良い
ＳｉＣ回折格子が理想的とされている。しかし、イオン
ビーム法等のドライエッチングによりＳｉＣ基板に直
接、回折格子パターンを刻線しようとしても、ＳｉＣ基
板よりもレジストの方がより速くエッチングされてしま
うため、ＳｉＣ基板に直接回折格子パターンを形成する
ことは困難であった。そこで、従来、次のような方法が
考案されていた。
長・高出力レーザ用の回折格子としては、これらの高エ
ネルギー放射による温度上昇に対して比較的高温まで安
定であり、かつ、熱伝導率が高いために冷却効率の良い
ＳｉＣ回折格子が理想的とされている。しかし、イオン
ビーム法等のドライエッチングによりＳｉＣ基板に直
接、回折格子パターンを刻線しようとしても、ＳｉＣ基
板よりもレジストの方がより速くエッチングされてしま
うため、ＳｉＣ基板に直接回折格子パターンを形成する
ことは困難であった。そこで、従来、次のような方法が
考案されていた。
【０００３】一つは図５に示すように、ＳｉＣ５１上に
一旦フォトマスク５４によりレジストパターン５５（５
３は原レジスト層）を形成した後、リフトオフによりＡ
ｌ逆パターン５６を形成するものである。このＡｌパタ
ーン５６をマスクとしてＣＦ4とＣＦ4＋Ｏ2イオンビー
ム５７による反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行な
うことにより、ＳｉＣ上に所望のパターン５８を得る
（J. W. Palmour et al.,"Dry Etching of β-SiC in C
F4 and CF4+O2 mixtures", J. Vac. Sci. Technol. A4
(3), May/Jun 1986, p.590-593）。別の方法では、図６
に示すように、ＳｉＣ基板６２上にＰＭＭＡ６３を塗布
し、回折格子パターンを形成するように電子ビーム６５
を照射することにより（電子ビームリソグラフィー）、
ＰＭＭＡの回折格子パターン６４を作成する。このレジ
ストパターン６４から同様にリフトオフによりＣｒの逆
パターン６６を形成し、ＣＦ4＋Ｏ2の反応性イオンビー
ム６７による反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢ
Ｅ）を行なってＳｉＣ６２上に回折格子パターンを得る
（Shinji Matsui et al.,"Reactive Ion-Beam Etchingo
f Silicon Carbide",Japanese Journal of Applied Phy
sics, Vol. 20, No. 1,January, 1981, pp.L38-L40）。
一旦フォトマスク５４によりレジストパターン５５（５
３は原レジスト層）を形成した後、リフトオフによりＡ
ｌ逆パターン５６を形成するものである。このＡｌパタ
ーン５６をマスクとしてＣＦ4とＣＦ4＋Ｏ2イオンビー
ム５７による反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行な
うことにより、ＳｉＣ上に所望のパターン５８を得る
（J. W. Palmour et al.,"Dry Etching of β-SiC in C
F4 and CF4+O2 mixtures", J. Vac. Sci. Technol. A4
(3), May/Jun 1986, p.590-593）。別の方法では、図６
に示すように、ＳｉＣ基板６２上にＰＭＭＡ６３を塗布
し、回折格子パターンを形成するように電子ビーム６５
を照射することにより（電子ビームリソグラフィー）、
ＰＭＭＡの回折格子パターン６４を作成する。このレジ
ストパターン６４から同様にリフトオフによりＣｒの逆
パターン６６を形成し、ＣＦ4＋Ｏ2の反応性イオンビー
ム６７による反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢ
Ｅ）を行なってＳｉＣ６２上に回折格子パターンを得る
（Shinji Matsui et al.,"Reactive Ion-Beam Etchingo
f Silicon Carbide",Japanese Journal of Applied Phy
sics, Vol. 20, No. 1,January, 1981, pp.L38-L40）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図５の方法では、Ｓｉ
ＣのエッチングをＲＩＥで行なっているため、エッチン
グ中にＳｉＣ５１がプラズマにさらされており、エッチ
ング表面が非常に荒れる。このため、回折格子として使
用した場合、高精度の分光を行なうことができないとい
う問題がある。また、図６の方法では、レジストパター
ン６４の形成を電子ビームリソグラフィーで行なってい
るため、パターンの描画に時間がかかるという欠点があ
る。特に、ＳＲ（放射光）用の回折格子は大面積のもの
が必要であるため、電子ビームリソグラフィーの使用は
生産能率の点から採用することが難しい。また、図５、
図６の両方法とも、マスクに対するＳｉＣ基板のエッチ
ング選択比（［ＳｉＣ基板のエッチング速度］／［マス
クのエッチング速度］）を上げるために、フォトレジス
ト５５、６４からリフトオフによりＡｌ或いはＣｒのマ
スク５６、６６を作成しており、このためのリフトオフ
工程が余分に必要であるという欠点を有する。
ＣのエッチングをＲＩＥで行なっているため、エッチン
グ中にＳｉＣ５１がプラズマにさらされており、エッチ
ング表面が非常に荒れる。このため、回折格子として使
用した場合、高精度の分光を行なうことができないとい
う問題がある。また、図６の方法では、レジストパター
ン６４の形成を電子ビームリソグラフィーで行なってい
るため、パターンの描画に時間がかかるという欠点があ
る。特に、ＳＲ（放射光）用の回折格子は大面積のもの
が必要であるため、電子ビームリソグラフィーの使用は
生産能率の点から採用することが難しい。また、図５、
図６の両方法とも、マスクに対するＳｉＣ基板のエッチ
ング選択比（［ＳｉＣ基板のエッチング速度］／［マス
クのエッチング速度］）を上げるために、フォトレジス
ト５５、６４からリフトオフによりＡｌ或いはＣｒのマ
スク５６、６６を作成しており、このためのリフトオフ
工程が余分に必要であるという欠点を有する。
【０００５】本発明はこのような課題を解決するために
成されたものであり、その目的とするところは、単純な
工程で迅速にＳｉＣ基板を所望のパターンにエッチング
することができるＳｉＣのパターンエッチング方法を提
供することにある。
成されたものであり、その目的とするところは、単純な
工程で迅速にＳｉＣ基板を所望のパターンにエッチング
することができるＳｉＣのパターンエッチング方法を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明に係るＳｉＣのパターンエッチング方
法は、ＳｉＣ基板上にレジスト材料によりパターンマス
クを形成し、（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）に対するＡｒの分圧
比を５５〜８５％としたＣＣｌ2Ｆ2とＡｒとの混合ガス
から生成される反応性イオンビームを該基板の垂直上方
から照射することによりＳｉＣ基板のエッチングを行な
うというものである。
に成された本発明に係るＳｉＣのパターンエッチング方
法は、ＳｉＣ基板上にレジスト材料によりパターンマス
クを形成し、（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）に対するＡｒの分圧
比を５５〜８５％としたＣＣｌ2Ｆ2とＡｒとの混合ガス
から生成される反応性イオンビームを該基板の垂直上方
から照射することによりＳｉＣ基板のエッチングを行な
うというものである。
【０００７】
【作用】図１に、各種組成比を有する（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａ
ｒ）混合ガスを用いて反応性イオンエッチングを行なっ
た場合の、混合ガス中のＡｒ含有量と、イオン電流密度
で規格化したフォトレジスト（ここでは、東京応化社製
ＯＦＰＲ５０００を用いた）及びＳｉＣのエッチング速
度との関係を示す。図１に示される通り、ＣＣｌ2Ｆ2の
みの場合（［Ａｒ／（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）］＝０％）、
或いはＡｒのみの場合（［Ａｒ／（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａ
ｒ）］＝１００％）には、レジストのエッチング速度は
ＳｉＣの倍以上となっている。すなわち、このような条
件の下では、エッチングの目的物であるＳｉＣはほとん
どエッチングされない一方、レジストの方がその倍以上
の速度でエッチングされてゆくという状態となる。この
ため従来は、上記の通り、リフトオフによりＡｌ又はＣ
ｒのマスクを形成するという余分な工程を入れていた。
このような現象は、ＳｉＣに対して反応性イオンエッチ
ングを行なう場合には、他のフォトレジスト材料を用い
ても同様に生じる。
ｒ）混合ガスを用いて反応性イオンエッチングを行なっ
た場合の、混合ガス中のＡｒ含有量と、イオン電流密度
で規格化したフォトレジスト（ここでは、東京応化社製
ＯＦＰＲ５０００を用いた）及びＳｉＣのエッチング速
度との関係を示す。図１に示される通り、ＣＣｌ2Ｆ2の
みの場合（［Ａｒ／（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）］＝０％）、
或いはＡｒのみの場合（［Ａｒ／（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａ
ｒ）］＝１００％）には、レジストのエッチング速度は
ＳｉＣの倍以上となっている。すなわち、このような条
件の下では、エッチングの目的物であるＳｉＣはほとん
どエッチングされない一方、レジストの方がその倍以上
の速度でエッチングされてゆくという状態となる。この
ため従来は、上記の通り、リフトオフによりＡｌ又はＣ
ｒのマスクを形成するという余分な工程を入れていた。
このような現象は、ＳｉＣに対して反応性イオンエッチ
ングを行なう場合には、他のフォトレジスト材料を用い
ても同様に生じる。
【０００８】それに対し、［Ａｒ／（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａ
ｒ）］が５５〜８５％の範囲にあるときには、ＳｉＣの
エッチング速度が特異的に大きくなり、レジストのエッ
チング速度とほぼ同等程度になる。従って、選択比
（［ＳｉＣのエッチング速度］／［レジストのエッチン
グ速度］）も図２に示すように、それ以外の範囲では
０．５以下であるのに対し、この範囲ではほぼ１に近い
値となる。そこで、このような条件の下で反応性イオン
エッチングを行なうことにより、リフトオフという余分
な工程を必要とすることなく、フォトレジストのみでＳ
ｉＣ基板のパターンエッチングを高速に行なうことがで
きる。
ｒ）］が５５〜８５％の範囲にあるときには、ＳｉＣの
エッチング速度が特異的に大きくなり、レジストのエッ
チング速度とほぼ同等程度になる。従って、選択比
（［ＳｉＣのエッチング速度］／［レジストのエッチン
グ速度］）も図２に示すように、それ以外の範囲では
０．５以下であるのに対し、この範囲ではほぼ１に近い
値となる。そこで、このような条件の下で反応性イオン
エッチングを行なうことにより、リフトオフという余分
な工程を必要とすることなく、フォトレジストのみでＳ
ｉＣ基板のパターンエッチングを高速に行なうことがで
きる。
【０００９】
【実施例】本発明の第１実施例として、ラミナー型Ｓｉ
Ｃ回折格子を製造する方法を図３により説明する。ま
ず、焼結体のＳｉＣ基板３１を用意し（ａ）、その表面
に、ＣＶＤによりβ−ＳｉＣ単結晶層３２をデポジット
する。この表面を光学研磨し、表面に（２，２，０）配
向面を現わす（ｂ）。更にこの表面に、スピンコーティ
ングにより３００ｎｍの厚さのフォトレジスト（ここで
は東京応化社製ＯＦＰＲ５０００を使用）層３３を形成
する（ｃ）。コーティング後、基板を９０℃のフレッシ
ュエアオーブンに入れ、３０分のベーキングを行なう。
なお、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３２はβ−ＳｉＣではなくα−
ＳｉＣとしてもよく、配向面も（２，２，０）には限定
されず、（１，１，１）或いは混合配向膜としてもよ
い。更には、非晶質ＳｉＣを用いてもよい。また、フォ
トレジストの材料は上記ＯＦＰＲ５０００に限定され
ず、その他のフォトレジストを用いても構わない。
Ｃ回折格子を製造する方法を図３により説明する。ま
ず、焼結体のＳｉＣ基板３１を用意し（ａ）、その表面
に、ＣＶＤによりβ−ＳｉＣ単結晶層３２をデポジット
する。この表面を光学研磨し、表面に（２，２，０）配
向面を現わす（ｂ）。更にこの表面に、スピンコーティ
ングにより３００ｎｍの厚さのフォトレジスト（ここで
は東京応化社製ＯＦＰＲ５０００を使用）層３３を形成
する（ｃ）。コーティング後、基板を９０℃のフレッシ
ュエアオーブンに入れ、３０分のベーキングを行なう。
なお、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３２はβ−ＳｉＣではなくα−
ＳｉＣとしてもよく、配向面も（２，２，０）には限定
されず、（１，１，１）或いは混合配向膜としてもよ
い。更には、非晶質ＳｉＣを用いてもよい。また、フォ
トレジストの材料は上記ＯＦＰＲ５０００に限定され
ず、その他のフォトレジストを用いても構わない。
【００１０】次に、ラミナー型回折格子のパターンを形
成するために、ホログラフィック露光を行なう。すなわ
ち、平面波３４を２方向から照射し、レジスト３３上で
干渉縞を形成することにより、レジスト層３３内に断面
の露光密度が正弦波状である平行線状の潜像を形成する
（ｄ）。ここでは、露光光として、Ｈｅ−Ｃｄレーザ光
（波長λ＝４４１．６ｎｍ）を使用し、１２００本／ｍ
ｍの平行線パターンを作成する。露光後、専用の現像液
で処理することにより、基板３２上には平行線状、断面
正弦半波状のレジストマスク３５が残される（ｅ）。こ
こで、露光時間及び現像時間を適当に調整することによ
り、基板３２上においてレジスト３５で覆われた部分と
覆われていない部分（すなわち、ＳｉＣ基板３２が露出
している部分）との比（Ｌ＆Ｓ比）を任意に設定するこ
とができる。ここでは、Ｌ＆Ｓ比を１：１とする。本実
施例の方法では、ホログラフィック露光により回折格子
パターンを作成するため、回折格子の最も重要な特性で
ある周期誤差が発生しにくく（図６の方法で行なわれる
電子ビームリソグラフィーではこれが生じやすい）、高
精度の回折格子を製造することができる。なお、ホログ
ラフィック露光法による露光波面は、収差補正形回折格
子を製造する際等には、球面波や非球面波とする。
成するために、ホログラフィック露光を行なう。すなわ
ち、平面波３４を２方向から照射し、レジスト３３上で
干渉縞を形成することにより、レジスト層３３内に断面
の露光密度が正弦波状である平行線状の潜像を形成する
（ｄ）。ここでは、露光光として、Ｈｅ−Ｃｄレーザ光
（波長λ＝４４１．６ｎｍ）を使用し、１２００本／ｍ
ｍの平行線パターンを作成する。露光後、専用の現像液
で処理することにより、基板３２上には平行線状、断面
正弦半波状のレジストマスク３５が残される（ｅ）。こ
こで、露光時間及び現像時間を適当に調整することによ
り、基板３２上においてレジスト３５で覆われた部分と
覆われていない部分（すなわち、ＳｉＣ基板３２が露出
している部分）との比（Ｌ＆Ｓ比）を任意に設定するこ
とができる。ここでは、Ｌ＆Ｓ比を１：１とする。本実
施例の方法では、ホログラフィック露光により回折格子
パターンを作成するため、回折格子の最も重要な特性で
ある周期誤差が発生しにくく（図６の方法で行なわれる
電子ビームリソグラフィーではこれが生じやすい）、高
精度の回折格子を製造することができる。なお、ホログ
ラフィック露光法による露光波面は、収差補正形回折格
子を製造する際等には、球面波や非球面波とする。
【００１１】このようにして作成した回折格子パターン
のレジスト３５をマスクとして、基板３２に垂直な方向
からＣＣｌ2Ｆ2とＡｒとの混合ガスを用いた反応性イオ
ンビーム３６を照射し、ドライエッチングを行なう
（ｆ）。この混合ガスの組成は、［Ａｒ／（ＣＣｌ2Ｆ2
＋Ａｒ）］＝７５％とする。このイオンビームエッチン
グは、エッチング溝が所定の深さ（１０ｎｍ）となるま
で（予め、エッチング時間と溝深さとの関係を実験によ
り求めておく）行なう。最後に、表面に残存するフォト
レジスト３５をＯ2プラズマで灰化除去し（レジスト剥
離液又は溶剤を用いてもよい）、目的とするラミナー型
回折格子３７を得る。
のレジスト３５をマスクとして、基板３２に垂直な方向
からＣＣｌ2Ｆ2とＡｒとの混合ガスを用いた反応性イオ
ンビーム３６を照射し、ドライエッチングを行なう
（ｆ）。この混合ガスの組成は、［Ａｒ／（ＣＣｌ2Ｆ2
＋Ａｒ）］＝７５％とする。このイオンビームエッチン
グは、エッチング溝が所定の深さ（１０ｎｍ）となるま
で（予め、エッチング時間と溝深さとの関係を実験によ
り求めておく）行なう。最後に、表面に残存するフォト
レジスト３５をＯ2プラズマで灰化除去し（レジスト剥
離液又は溶剤を用いてもよい）、目的とするラミナー型
回折格子３７を得る。
【００１２】こうして作成したラミナー型回折格子３７
は、ＳｉＣの反射率が十分高い波長領域ではそのままの
表面で用いることができる。また、ＳｉＣの反射率が低
い波長領域では、金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）等のコーテ
ィングを施すか、或いはＸ線多層膜をコーティングする
ことにより反射率を上げて使用する。
は、ＳｉＣの反射率が十分高い波長領域ではそのままの
表面で用いることができる。また、ＳｉＣの反射率が低
い波長領域では、金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）等のコーテ
ィングを施すか、或いはＸ線多層膜をコーティングする
ことにより反射率を上げて使用する。
【００１３】本発明に係る方法は、ラミナー型回折格子
を作成する場合に限らず、任意のパターンを作成するた
めに用いることができる。例えば、図４に示すように、
上記実施例の工程（ｃ）で作成したレジスト膜付のＳｉ
Ｃ基板３２（図４（ａ））に、任意のパターンのフォト
マスク４１によりパターン露光を行ない、所期のパター
ンのレジスト４４を形成する（ｃ）。そして、同様に、
（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）反応性イオンビーム４５（［Ａｒ
／（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）］＝５５〜８５％）でエッチン
グを行なうことにより、従来は困難であったＳｉＣ基板
３２上に、簡単かつ高能率にパターン４６を作成するこ
とができる。
を作成する場合に限らず、任意のパターンを作成するた
めに用いることができる。例えば、図４に示すように、
上記実施例の工程（ｃ）で作成したレジスト膜付のＳｉ
Ｃ基板３２（図４（ａ））に、任意のパターンのフォト
マスク４１によりパターン露光を行ない、所期のパター
ンのレジスト４４を形成する（ｃ）。そして、同様に、
（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）反応性イオンビーム４５（［Ａｒ
／（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）］＝５５〜８５％）でエッチン
グを行なうことにより、従来は困難であったＳｉＣ基板
３２上に、簡単かつ高能率にパターン４６を作成するこ
とができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明に係るＳｉＣのパターンエッチン
グ方法では、ＳｉＣのエッチング速度がレジストのエッ
チング速度と同等程度になるため、リフトオフという余
分な工程を含めることなく、レジストマスクによる直接
のＳｉＣ基板のパターンエッチングが可能となる。ま
た、ＳｉＣ基板がプラズマにさらされることがないた
め、スムーズな表面が得られる。このため、簡単かつ短
時間の工程によりＳｉＣ上に所望のパターンのエッチン
グを行なうことができ、例えば、耐熱性に優れ、かつ、
冷却効率の良いＳｉＣのみで形成されるラミナー型回折
格子を製作することができる。また、混合ガス中に含ま
れるＡｒは、エッチングの際にチャンバ内からスパッタ
される不純物を除去し、装置内をクリーニングする作用
も持っている。このため、エッチング装置のメンテナン
ス間隔が長くなり、メンテナンスも容易となる。
グ方法では、ＳｉＣのエッチング速度がレジストのエッ
チング速度と同等程度になるため、リフトオフという余
分な工程を含めることなく、レジストマスクによる直接
のＳｉＣ基板のパターンエッチングが可能となる。ま
た、ＳｉＣ基板がプラズマにさらされることがないた
め、スムーズな表面が得られる。このため、簡単かつ短
時間の工程によりＳｉＣ上に所望のパターンのエッチン
グを行なうことができ、例えば、耐熱性に優れ、かつ、
冷却効率の良いＳｉＣのみで形成されるラミナー型回折
格子を製作することができる。また、混合ガス中に含ま
れるＡｒは、エッチングの際にチャンバ内からスパッタ
される不純物を除去し、装置内をクリーニングする作用
も持っている。このため、エッチング装置のメンテナン
ス間隔が長くなり、メンテナンスも容易となる。
【図１】 （ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）混合ガスを用いた反応
性イオンエッチングにおける、混合ガス中のＡｒ含有量
と、イオン電流密度で規格化したフォトレジスト及びＳ
ｉＣのエッチング速度との関係のグラフ。
性イオンエッチングにおける、混合ガス中のＡｒ含有量
と、イオン電流密度で規格化したフォトレジスト及びＳ
ｉＣのエッチング速度との関係のグラフ。
【図２】 図１のデータを、選択比を縦軸にプロットし
直したグラフ。
直したグラフ。
【図３】 本発明の第１実施例である、ラミナー型Ｓｉ
Ｃ回折格子を作成する工程の説明図。
Ｃ回折格子を作成する工程の説明図。
【図４】 本発明の第２実施例である、ＳｉＣ基板上に
任意のパターンを作成する工程の説明図。
任意のパターンを作成する工程の説明図。
【図５】 従来の方法でＳｉＣ基板上にパターンエッチ
ングを行なう工程の説明図。
ングを行なう工程の説明図。
【図６】 別の従来の方法でＳｉＣ基板上にパターンエ
ッチングを行なう工程の説明図。
ッチングを行なう工程の説明図。
３１…ＳｉＣ基板 ３２…β−Ｓｉ
Ｃ単結晶層 ３３、３５…フォトレジスト ３４…ホログラ
フィック露光用平面波 ３６…（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）反応性イオンビーム ３７…ラミナー型回折格子 ４１…フォトマスク ４４…フォトレ
ジストパターン ４６…ＳｉＣ基板上のパターン
Ｃ単結晶層 ３３、３５…フォトレジスト ３４…ホログラ
フィック露光用平面波 ３６…（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）反応性イオンビーム ３７…ラミナー型回折格子 ４１…フォトマスク ４４…フォトレ
ジストパターン ４６…ＳｉＣ基板上のパターン
Claims (1)
- 【請求項１】 ＳｉＣ基板上にレジスト材料によりパタ
ーンマスクを形成し、（ＣＣｌ2Ｆ2＋Ａｒ）に対するＡ
ｒの分圧比を５５〜８５％としたＣＣｌ2Ｆ2とＡｒとの
混合ガスから生成される反応性イオンビームを該基板の
垂直上方から照射することによりＳｉＣ基板のエッチン
グを行なうことを特徴とするＳｉＣのパターンエッチン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355043A JP2992596B2 (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | ＳｉＣのパターンエッチング方法及びそれを用いたラミナー型ＳｉＣ回折格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355043A JP2992596B2 (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | ＳｉＣのパターンエッチング方法及びそれを用いたラミナー型ＳｉＣ回折格子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193044A true JPH07193044A (ja) | 1995-07-28 |
| JP2992596B2 JP2992596B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=18441601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4355043A Expired - Lifetime JP2992596B2 (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | ＳｉＣのパターンエッチング方法及びそれを用いたラミナー型ＳｉＣ回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2992596B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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