JPH04293234A - SiCのエッチング方法 - Google Patents
SiCのエッチング方法Info
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- JPH04293234A JPH04293234A JP5752491A JP5752491A JPH04293234A JP H04293234 A JPH04293234 A JP H04293234A JP 5752491 A JP5752491 A JP 5752491A JP 5752491 A JP5752491 A JP 5752491A JP H04293234 A JPH04293234 A JP H04293234A
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、SiC(シリコンカー
バイド)の高効率なエッチング方法、及びその一つの応
用であるSiC回折格子の製造方法に関する。
バイド)の高効率なエッチング方法、及びその一つの応
用であるSiC回折格子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】シンクロトロン放射光(SOR光)や短
波長・高出力レーザ用の回折格子としては、これらの高
エネルギー放射による温度上昇に対して比較的高温まで
安定であり、かつ、熱伝導率が高いために冷却効率の良
いSiC回折格子が理想的とされている。しかし、イオ
ンビーム法等のドライエッチングによりSiC基板に直
接、回折格子パターンを刻線しようとしても、SiC基
板よりもレジストの方がより速くエッチングされてしま
うため、SiC基板に直接回折格子パターンを形成する
ことは困難であった。そこで、従来は、図5に示すよう
に、SiC基板上にAu(金)等の柔らかい金属をコー
ティングし、その金属層にルーリングエンジン等により
機械的にグレーティング溝を彫るという方法で回折格子
を製作していた。
波長・高出力レーザ用の回折格子としては、これらの高
エネルギー放射による温度上昇に対して比較的高温まで
安定であり、かつ、熱伝導率が高いために冷却効率の良
いSiC回折格子が理想的とされている。しかし、イオ
ンビーム法等のドライエッチングによりSiC基板に直
接、回折格子パターンを刻線しようとしても、SiC基
板よりもレジストの方がより速くエッチングされてしま
うため、SiC基板に直接回折格子パターンを形成する
ことは困難であった。そこで、従来は、図5に示すよう
に、SiC基板上にAu(金)等の柔らかい金属をコー
ティングし、その金属層にルーリングエンジン等により
機械的にグレーティング溝を彫るという方法で回折格子
を製作していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の回折格子は
SiCを基板としているとはいえ、回折を行うSOR光
やレーザの出力が非常に大きい場合には、温度上昇のた
めにSiC基板と金属層との熱膨張率の差による歪や基
板−金属層間の剥離が発生し、精度が出なくなったり使
用不能になるという問題があった。このような不都合を
避けるためにSiC基板のみで回折格子を構成しようと
すると、SiC基板に直接グレーティング溝を刻線する
必要があるが、SiCに対しては、機械的な刻線はもち
ろん、上記の通りパターンエッチングも困難であった。 これを詳しく述べると、一般にセラミック基板をドライ
エッチングする場合には、その基板物質に対して反応性
のガスを用いてRIE(反応性イオンエッチング)を行
うのが効果的であるが、SiCの場合には、CHF3等
のSiCに対する反応性のガスを用いても、SiCに対
するエッチング速度よりもパターンを形成するためのレ
ジストの方のエッチング速度の方が大きい。このため、
特にブレーズドタイプの回折格子ではグレーティング溝
の断面形状を理想的な鋸歯形状にすることが困難であっ
た。
SiCを基板としているとはいえ、回折を行うSOR光
やレーザの出力が非常に大きい場合には、温度上昇のた
めにSiC基板と金属層との熱膨張率の差による歪や基
板−金属層間の剥離が発生し、精度が出なくなったり使
用不能になるという問題があった。このような不都合を
避けるためにSiC基板のみで回折格子を構成しようと
すると、SiC基板に直接グレーティング溝を刻線する
必要があるが、SiCに対しては、機械的な刻線はもち
ろん、上記の通りパターンエッチングも困難であった。 これを詳しく述べると、一般にセラミック基板をドライ
エッチングする場合には、その基板物質に対して反応性
のガスを用いてRIE(反応性イオンエッチング)を行
うのが効果的であるが、SiCの場合には、CHF3等
のSiCに対する反応性のガスを用いても、SiCに対
するエッチング速度よりもパターンを形成するためのレ
ジストの方のエッチング速度の方が大きい。このため、
特にブレーズドタイプの回折格子ではグレーティング溝
の断面形状を理想的な鋸歯形状にすることが困難であっ
た。
【0004】なお、SiC基板に直接エッチングを行う
方法として、高出力のSOR光をガス雰囲気中で照射す
るという方法が提案されている(応用物理学会 平成
2年春季講演大会予稿集p.500)が、この方法を実
施することができるのは世界に数カ所しかないシンクロ
トロン施設のみであり、工業的に利用することは困難で
ある。このようなことより本発明は、工業的に実施可能
な方法でSiCに直接、回折格子等のエッチングを行う
ことのできる方法を提供することを目的とする。
方法として、高出力のSOR光をガス雰囲気中で照射す
るという方法が提案されている(応用物理学会 平成
2年春季講演大会予稿集p.500)が、この方法を実
施することができるのは世界に数カ所しかないシンクロ
トロン施設のみであり、工業的に利用することは困難で
ある。このようなことより本発明は、工業的に実施可能
な方法でSiCに直接、回折格子等のエッチングを行う
ことのできる方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係るSiCのエ
ッチング方法は、SiCに対して反応性を有するガスと
不活性ガスとを混合したガスを用いて、プラズマエッチ
ングによりSiC基板の表面をエッチングするというも
のである。SiCに対して反応性のガスとしては、例え
ばCHF3、CF4、SF6、CCl4、Cl2等があ
る。 また、不活性ガスとしてはArが代表的であるが、本発
明ではそれに限られることはなく、Ne、Kr等、周期
律表0族の単体ガスあるいはこれらの混合ガスをいずれ
も用いることができる。
ッチング方法は、SiCに対して反応性を有するガスと
不活性ガスとを混合したガスを用いて、プラズマエッチ
ングによりSiC基板の表面をエッチングするというも
のである。SiCに対して反応性のガスとしては、例え
ばCHF3、CF4、SF6、CCl4、Cl2等があ
る。 また、不活性ガスとしてはArが代表的であるが、本発
明ではそれに限られることはなく、Ne、Kr等、周期
律表0族の単体ガスあるいはこれらの混合ガスをいずれ
も用いることができる。
【0006】
【作用】プラズマエッチングプロセスにおいて、反応性
ガスはイオン化し、電界によって加速されてSiC基板
の表面に衝突する。このイオンの衝突による物理的なエ
ッチングに加え、反応性ガスのイオンとSiCとの化学
的な反応により、SiC表面のエッチングが促進される
。従来行われていた反応性ガスのみによるプラズマエッ
チングの場合には、反応性ガスイオンとSiCとの反応
により生成したC(炭素)がSiC基板表面に堆積し、
それ以上のエッチングを妨げる作用をしていた。このた
め、SiC基板部分よりもレジスト部分の方がエッチン
グ速度が大きいという上述の現象が生じていたのである
。それに対し、本発明に係る不活性ガスとの混合ガスに
よるプラズマエッチングでは、不活性ガスプラズマによ
るイオンビームが反応生成物であるC堆積層を除去する
ため、SiC基板部分におけるエッチング速度は低下せ
ず、レジスト部分と同等あるいはそれ以上の速度でエッ
チングされる。
ガスはイオン化し、電界によって加速されてSiC基板
の表面に衝突する。このイオンの衝突による物理的なエ
ッチングに加え、反応性ガスのイオンとSiCとの化学
的な反応により、SiC表面のエッチングが促進される
。従来行われていた反応性ガスのみによるプラズマエッ
チングの場合には、反応性ガスイオンとSiCとの反応
により生成したC(炭素)がSiC基板表面に堆積し、
それ以上のエッチングを妨げる作用をしていた。このた
め、SiC基板部分よりもレジスト部分の方がエッチン
グ速度が大きいという上述の現象が生じていたのである
。それに対し、本発明に係る不活性ガスとの混合ガスに
よるプラズマエッチングでは、不活性ガスプラズマによ
るイオンビームが反応生成物であるC堆積層を除去する
ため、SiC基板部分におけるエッチング速度は低下せ
ず、レジスト部分と同等あるいはそれ以上の速度でエッ
チングされる。
【0007】
【実施例】まず、SiC基板とレジストとのエッチング
速度の差を、本発明に係る方法と従来の方法とで測定し
た。なお、いずれもエッチングはイオンビーム法で行い
、SiC基板としては、焼結により作成したSiC基板
上にCVD(Chemical Vapor Depo
sition)によりさらにSiCをデポジットしたも
のを、また、レジストとしてはノボラック系のポジ型レ
ジストであるOFPR5000(東京応化社製)を使用
した。まず、反応性ガスとしてCF4のみ使用し、不活
性ガスを混合しない単体ガスによりエッチングを行った
。この場合、SiCのエッチング速度は72.1(オン
グストローム/min)/(mA/cm2)であるのに
対し、レジストの方のエッチング速度は261.3(オ
ングストローム/min)/(mA/cm2)とSiC
基板部分よりもはるかに大きく、レジストに対するSi
Cの選択比(エッチング速度の比)はわずかに0.27
6であった。次に、反応性ガスとしてCHF3を使用し
、同様に不活性ガスを混合しない単体ガスでエッチング
を行った。この場合のエッチング速度は、SiCが27
.6(オングストローム/min)/(mA/cm2)
、レジストが99.0(オングストローム/min)/
(mA/cm2)と、両者ともに上記CF4の場合より
もエッチング速度が低下しているが、SiCの選択比は
上記とほぼ同様の0.279であった。最後に、不活性
ガスであるArガスのみでエッチング速度の比較を行っ
た。この場合、SiCのエッチング速度は94.6(オ
ングストローム/min)/(mA/cm2)、レジス
トのエッチング速度は325.0(オングストローム/
min)/(mA/cm2)であり、SiCの選択比は
0.291と、上記2例と同様、レジストの方がはるか
にエッチングされやすいという結果であった。これに対
し、Ar:CHF3=67:33の割合で混合した混合
ガスを用いてイオンビームエッチングを行ったところ、
SiCのエッチング速度は164.2(オングストロー
ム/min)/(mA/cm2)、レジストのエッチン
グ速度は126.9(オングストローム/min)/(
mA/cm2)であり、SiCの選択比は1.29とな
った。すなわち、レジストよりもSiCの方がエッチン
グされやすいということであり、本発明に係る方法によ
りSiCのパターンエッチングを行うことが可能である
ことを示している。
速度の差を、本発明に係る方法と従来の方法とで測定し
た。なお、いずれもエッチングはイオンビーム法で行い
、SiC基板としては、焼結により作成したSiC基板
上にCVD(Chemical Vapor Depo
sition)によりさらにSiCをデポジットしたも
のを、また、レジストとしてはノボラック系のポジ型レ
ジストであるOFPR5000(東京応化社製)を使用
した。まず、反応性ガスとしてCF4のみ使用し、不活
性ガスを混合しない単体ガスによりエッチングを行った
。この場合、SiCのエッチング速度は72.1(オン
グストローム/min)/(mA/cm2)であるのに
対し、レジストの方のエッチング速度は261.3(オ
ングストローム/min)/(mA/cm2)とSiC
基板部分よりもはるかに大きく、レジストに対するSi
Cの選択比(エッチング速度の比)はわずかに0.27
6であった。次に、反応性ガスとしてCHF3を使用し
、同様に不活性ガスを混合しない単体ガスでエッチング
を行った。この場合のエッチング速度は、SiCが27
.6(オングストローム/min)/(mA/cm2)
、レジストが99.0(オングストローム/min)/
(mA/cm2)と、両者ともに上記CF4の場合より
もエッチング速度が低下しているが、SiCの選択比は
上記とほぼ同様の0.279であった。最後に、不活性
ガスであるArガスのみでエッチング速度の比較を行っ
た。この場合、SiCのエッチング速度は94.6(オ
ングストローム/min)/(mA/cm2)、レジス
トのエッチング速度は325.0(オングストローム/
min)/(mA/cm2)であり、SiCの選択比は
0.291と、上記2例と同様、レジストの方がはるか
にエッチングされやすいという結果であった。これに対
し、Ar:CHF3=67:33の割合で混合した混合
ガスを用いてイオンビームエッチングを行ったところ、
SiCのエッチング速度は164.2(オングストロー
ム/min)/(mA/cm2)、レジストのエッチン
グ速度は126.9(オングストローム/min)/(
mA/cm2)であり、SiCの選択比は1.29とな
った。すなわち、レジストよりもSiCの方がエッチン
グされやすいということであり、本発明に係る方法によ
りSiCのパターンエッチングを行うことが可能である
ことを示している。
【0008】次に、本発明によるエッチング法を用いて
SiCの表面に具体的なパターンを形成する工程を図1
により説明する。はじめに焼結SiCの表面にCVDに
よりSiCをデポジットしたSiC基板(CVD−Si
C)10を用意し、その表面に、図1(a)に示すよう
に、レジスト(例えば上記OFPR5000)11を3
000オングストローム程度の厚さに塗布する。この基
板をフレッシュエアオーブンで90℃×30分ベーキン
グすることによりレジスト11を固定した後、図1(b
)に示すように、Crでパターニング(図で記号12が
パターン層を示す)したハードマスク13を介して紫外
線14を照射する。その後、専用の現像液で露光部を除
去してSiC基板10上にレジストパターン11bを形
成し(図1(c))、ArとCHF3の混合ガス(混合
比はAr:CHF3=67:33)によるイオンビーム
15の直入射エッチングを行う(図1(d))。 最後に、O2プラズマでレジストパターン11bを灰化
除去し、SiCのエッチングを完成する(図1(e))
。本実施例の場合、上記条件によるSiC基板10のエ
ッチング深さは約1000オングストロームであった。
SiCの表面に具体的なパターンを形成する工程を図1
により説明する。はじめに焼結SiCの表面にCVDに
よりSiCをデポジットしたSiC基板(CVD−Si
C)10を用意し、その表面に、図1(a)に示すよう
に、レジスト(例えば上記OFPR5000)11を3
000オングストローム程度の厚さに塗布する。この基
板をフレッシュエアオーブンで90℃×30分ベーキン
グすることによりレジスト11を固定した後、図1(b
)に示すように、Crでパターニング(図で記号12が
パターン層を示す)したハードマスク13を介して紫外
線14を照射する。その後、専用の現像液で露光部を除
去してSiC基板10上にレジストパターン11bを形
成し(図1(c))、ArとCHF3の混合ガス(混合
比はAr:CHF3=67:33)によるイオンビーム
15の直入射エッチングを行う(図1(d))。 最後に、O2プラズマでレジストパターン11bを灰化
除去し、SiCのエッチングを完成する(図1(e))
。本実施例の場合、上記条件によるSiC基板10のエ
ッチング深さは約1000オングストロームであった。
【0009】次に、本発明に係る方法によりSiC回折
格子を製作する例を説明する。図2はラミナー型の回折
格子を製作する工程の説明図である。最初に、焼結で製
作したSiC上にCVDでさらにSiCをデポジットし
たSiC基板20を用意し、光学研磨を行なった後、表
面にポジ型レジスト(例えば上記OFPR5000)2
1をスピンコーティングする。ここで、レジスト21の
膜厚は例えば3000オングストローム程度としておく
。この基板をフレッシュエアオーブンに入れて90℃×
30分のベーキングを行ない、レジスト21を固定する
(図2(a))。次に、He−Cdレーザによる平面光
22(波長λ=4416 )を2方向から照射するこ
とにより、レジスト21表面にホログラフィック露光(
干渉縞露光)を行なう(図2(b))。このようにして
露光されたレジスト21を専用の現像液(例えばNMD
−3)により現像して、平面形状が等間隔の平行線状で
あり、断面形状が正弦波状であるフォトレジストパター
ン21bを形成する。このとき、露光時間と現像時間を
適切な値に設定することにより、正弦波の谷の部分でレ
ジスト21が完全に除去されてSiC基板20が露出し
、さらに、レジストパターン21bで覆われた部分と露
出したSiC基板20部分との比(L&S比)が所定の
値となるようにする。次に、このフォトレジストパター
ン21bをエッチングマスクとして、基板20に垂直な
方向からAr+CHF3の混合ガス(混合比はAr:C
HF3=67:33)のイオンビーム23によるエッチ
ングを行なう。これにより、図2(c)に示すように、
露出したSiC基板20の部分が選択的に強くエッチン
グされ、レジスト21bの方はエッチング速度が遅いた
めに多くがエッチングされずに残る。SiC基板20の
エッチング深さが所定の値に達したところでイオンビー
ム23の照射を停止し、残存レジスト21bをO2プラ
ズマにより灰化除去する。これにより、SiC基板20
に直接刻線を施したラミナー型回折格子が得られる(図
2(d))。なお、最後の残存レジスト除去工程におい
て、SiC基板20はO2プラズマによって侵されるこ
とはなく、エッチングにより形成された断面形状はその
まま保持される。
格子を製作する例を説明する。図2はラミナー型の回折
格子を製作する工程の説明図である。最初に、焼結で製
作したSiC上にCVDでさらにSiCをデポジットし
たSiC基板20を用意し、光学研磨を行なった後、表
面にポジ型レジスト(例えば上記OFPR5000)2
1をスピンコーティングする。ここで、レジスト21の
膜厚は例えば3000オングストローム程度としておく
。この基板をフレッシュエアオーブンに入れて90℃×
30分のベーキングを行ない、レジスト21を固定する
(図2(a))。次に、He−Cdレーザによる平面光
22(波長λ=4416 )を2方向から照射するこ
とにより、レジスト21表面にホログラフィック露光(
干渉縞露光)を行なう(図2(b))。このようにして
露光されたレジスト21を専用の現像液(例えばNMD
−3)により現像して、平面形状が等間隔の平行線状で
あり、断面形状が正弦波状であるフォトレジストパター
ン21bを形成する。このとき、露光時間と現像時間を
適切な値に設定することにより、正弦波の谷の部分でレ
ジスト21が完全に除去されてSiC基板20が露出し
、さらに、レジストパターン21bで覆われた部分と露
出したSiC基板20部分との比(L&S比)が所定の
値となるようにする。次に、このフォトレジストパター
ン21bをエッチングマスクとして、基板20に垂直な
方向からAr+CHF3の混合ガス(混合比はAr:C
HF3=67:33)のイオンビーム23によるエッチ
ングを行なう。これにより、図2(c)に示すように、
露出したSiC基板20の部分が選択的に強くエッチン
グされ、レジスト21bの方はエッチング速度が遅いた
めに多くがエッチングされずに残る。SiC基板20の
エッチング深さが所定の値に達したところでイオンビー
ム23の照射を停止し、残存レジスト21bをO2プラ
ズマにより灰化除去する。これにより、SiC基板20
に直接刻線を施したラミナー型回折格子が得られる(図
2(d))。なお、最後の残存レジスト除去工程におい
て、SiC基板20はO2プラズマによって侵されるこ
とはなく、エッチングにより形成された断面形状はその
まま保持される。
【0010】図3にブレーズド型のSiC回折格子を製
作する工程を簡単に示す。図2(b)の工程で製作した
フォトレジストパターン31bを有するSiC基板30
に、上記実施例と同じイオンビーム34を斜方から照射
し(図3(a))、SiC基板30の断面を鋸歯状にエ
ッチングする。ここで、レジスト31bの厚さを予め適
当に調節することにより、SiC基板30のエッチング
深さが所定の値となったときに丁度レジスト31bもす
べてイオンビーム照射により除去されるようにする。こ
れにより、イオンビーム照射が終了した時点で、図3(
b)に示す通り、SiC基板30に直接刻線を施したブ
レーズド型回折格子が直ちに得られる。
作する工程を簡単に示す。図2(b)の工程で製作した
フォトレジストパターン31bを有するSiC基板30
に、上記実施例と同じイオンビーム34を斜方から照射
し(図3(a))、SiC基板30の断面を鋸歯状にエ
ッチングする。ここで、レジスト31bの厚さを予め適
当に調節することにより、SiC基板30のエッチング
深さが所定の値となったときに丁度レジスト31bもす
べてイオンビーム照射により除去されるようにする。こ
れにより、イオンビーム照射が終了した時点で、図3(
b)に示す通り、SiC基板30に直接刻線を施したブ
レーズド型回折格子が直ちに得られる。
【0011】なお、上記実施例ではいずれも混合ガス中
の不活性ガスとしてAr、反応性ガスとしてCHF3を
使用したが、もちろん前述の他の不活性ガス及び反応性
ガスを用いることも可能である。また、不活性ガスと反
応性ガスとの混合比は上記実施例ではいずれも67:3
3(約2:1)としたが、この値はArとCHF3の混
合ガスの場合に最も効率の良い値として採用したもので
あり、単なる一例に過ぎない。実験によると、ArとC
HF3の混合ガスの場合、Arの方を多くする(すなわ
ち、Arを50%以上とする)ことにより、SiCのレ
ジストに対するエッチング選択比をAr単体又はCHF
3単体ガスでイオンビームエッチングする場合よりも高
くすることができる。もちろん、この範囲及び最適混合
比は混合するガスの種類やSiC基板の形成状態(例え
ば、焼結SiC基板そのままの状態、焼結SiC+CV
D−SiC、焼結C基板上にSiCをCVDしたもの等
)により変化する。さらに、本発明のエッチング方法は
実施例で使用したイオンビームエッチングに限られるこ
となく、プラズマエッチング一般に用いることができる
ことも、その原理よりして明かである。
の不活性ガスとしてAr、反応性ガスとしてCHF3を
使用したが、もちろん前述の他の不活性ガス及び反応性
ガスを用いることも可能である。また、不活性ガスと反
応性ガスとの混合比は上記実施例ではいずれも67:3
3(約2:1)としたが、この値はArとCHF3の混
合ガスの場合に最も効率の良い値として採用したもので
あり、単なる一例に過ぎない。実験によると、ArとC
HF3の混合ガスの場合、Arの方を多くする(すなわ
ち、Arを50%以上とする)ことにより、SiCのレ
ジストに対するエッチング選択比をAr単体又はCHF
3単体ガスでイオンビームエッチングする場合よりも高
くすることができる。もちろん、この範囲及び最適混合
比は混合するガスの種類やSiC基板の形成状態(例え
ば、焼結SiC基板そのままの状態、焼結SiC+CV
D−SiC、焼結C基板上にSiCをCVDしたもの等
)により変化する。さらに、本発明のエッチング方法は
実施例で使用したイオンビームエッチングに限られるこ
となく、プラズマエッチング一般に用いることができる
ことも、その原理よりして明かである。
【0012】
【発明の効果】本発明に係るSiCのエッチング方法に
より、上記の通り、プラズマエッチングの際のSiCの
エッチング速度がレジストのエッチング速度と同等ない
しはそれ以上の値となるため、レジストマスクによるS
iC基板のパターンエッチングが可能となる。このため
、本発明に係るエッチング法を用いてSiC基板に直接
回折格子パターンを刻線することにより、耐熱性に優れ
、かつ、冷却効率の良いSiCのみで形成される回折格
子を製作することができる。
より、上記の通り、プラズマエッチングの際のSiCの
エッチング速度がレジストのエッチング速度と同等ない
しはそれ以上の値となるため、レジストマスクによるS
iC基板のパターンエッチングが可能となる。このため
、本発明に係るエッチング法を用いてSiC基板に直接
回折格子パターンを刻線することにより、耐熱性に優れ
、かつ、冷却効率の良いSiCのみで形成される回折格
子を製作することができる。
【図1】 SiC基板にパターンエッチングを行なう
工程の説明図。
工程の説明図。
【図2】 CVD−SiC基板にラミナー型回折格子
を直接刻線する工程の説明図。
を直接刻線する工程の説明図。
【図3】 CVD−SiC基板にブレーズド型回折格
子を直接刻線する工程の説明図。
子を直接刻線する工程の説明図。
【図4】 従来の、SiC基板上のAu層に平行線を
刻線した回折格子の断面図。
刻線した回折格子の断面図。
10、20、30、40…SiC基板
11、21、31…レジスト層
11b、21b、31b…レジストパターン15、23
、34…イオンビーム
、34…イオンビーム
Claims (2)
- 【請求項1】 SiCに対して反応性を有するガスと
不活性ガスとを混合したガスを用いて、プラズマエッチ
ングによりSiC基板の表面をエッチングすることを特
徴とするSiCのエッチング方法。 - 【請求項2】 SiC基板の表面に、回折格子パター
ンを有するレジスト層を形成し、次いで、SiCに対し
て反応性を有するガスと不活性ガスとを混合したガスを
用いて、プラズマエッチングにより該SiC基板の表面
をエッチングすることを特徴とするSiC回折格子の製
造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3057524A JP2661390B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | SiCのエッチング方法 |
SG1996003773A SG49673A1 (en) | 1991-03-22 | 1992-03-20 | Dry etching method and its application |
DE69223534T DE69223534T2 (de) | 1991-03-22 | 1992-03-20 | Trockenätzverfahren und Anwendung davon |
EP92104852A EP0504912B1 (en) | 1991-03-22 | 1992-03-20 | Dry etching method and its application |
US07/854,684 US5234537A (en) | 1991-03-22 | 1992-03-20 | Dry etching method and its application |
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JPH04293234A true JPH04293234A (ja) | 1992-10-16 |
JP2661390B2 JP2661390B2 (ja) | 1997-10-08 |
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ID=13058131
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP3057524A Expired - Fee Related JP2661390B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | SiCのエッチング方法 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05150110A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Shimadzu Corp | SiC基板の回折格子製作方法 |
JPH07193044A (ja) * | 1992-12-16 | 1995-07-28 | Science & Tech Agency | SiCのパターンエッチング方法 |
EP0887854A1 (fr) * | 1997-06-25 | 1998-12-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Structure à composant microélectronique en matériau semi-conducteur difficile à graver et à trous métallisés |
JP2007328017A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Shimadzu Corp | 回折格子用基板及び回折格子基板の製造方法 |
CN102468372A (zh) * | 2010-11-09 | 2012-05-23 | 山东华光光电子有限公司 | GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法 |
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---|---|---|---|---|
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JPS58143528A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-26 | Hitachi Ltd | ドライエツチング法 |
JPS599173A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-18 | ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイシヨン | 材料を制御可能にエツチングする方法および装置 |
JPS62216335A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | ドライエツチング方法 |
JPS63152125A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Sanyo Electric Co Ltd | SiC単結晶のエツチング方法 |
JPS63232335A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH01274430A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-02 | Hitachi Ltd | 薄膜のパターニング方法 |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP3057524A patent/JP2661390B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
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EP0887854A1 (fr) * | 1997-06-25 | 1998-12-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Structure à composant microélectronique en matériau semi-conducteur difficile à graver et à trous métallisés |
FR2765398A1 (fr) * | 1997-06-25 | 1998-12-31 | Commissariat Energie Atomique | Structure a composant microelectronique en materiau semi-conducteur difficile a graver et a trous metallises |
JP2007328017A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Shimadzu Corp | 回折格子用基板及び回折格子基板の製造方法 |
CN102468372A (zh) * | 2010-11-09 | 2012-05-23 | 山东华光光电子有限公司 | GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法 |
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---|---|
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