JPS62216335A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPS62216335A JPS62216335A JP5823786A JP5823786A JPS62216335A JP S62216335 A JPS62216335 A JP S62216335A JP 5823786 A JP5823786 A JP 5823786A JP 5823786 A JP5823786 A JP 5823786A JP S62216335 A JPS62216335 A JP S62216335A
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- etching
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ＳｉＣ膜の選択的エツチングを行なうために、エツチン
グガスに酸素を添加してＳｉＣ膜のドライエツチングを
行なう。
グガスに酸素を添加してＳｉＣ膜のドライエツチングを
行なう。
本発明はＳｉＣ（炭化ケイ素）膜のドライエツチング方
法に関する。
法に関する。
ＳｉＣ，特に、β−５ｉＣ（立方晶炭化ケイ素ンのエピ
タキシャル成長膜を利用して半導体装置を製造する場合
には、シリコン半導体装置よりも高温動作特性が良い（
８００°Ｃでも動作する）耐環境デバイスとして期待さ
れている。所定の半導体素子を形成するためにＳｉＣ膜
の選択エツチングを行なうことが必要とされる。
タキシャル成長膜を利用して半導体装置を製造する場合
には、シリコン半導体装置よりも高温動作特性が良い（
８００°Ｃでも動作する）耐環境デバイスとして期待さ
れている。所定の半導体素子を形成するためにＳｉＣ膜
の選択エツチングを行なうことが必要とされる。
ＳｉＣ膜は高硬度で功・つ熱的、化学的に安定な膜であ
るために、エツチングすることがむずかしかった。例え
ば、沸硝酸さらには王水のエツチング液であってもほと
んどエツチングされなかった。
るために、エツチングすることがむずかしかった。例え
ば、沸硝酸さらには王水のエツチング液であってもほと
んどエツチングされなかった。
本発明の目的は、ＳｉＣ膜をエツチングする方法を提供
することである。
することである。
上述の目的が、酸素を添加したエツチングガスでもって
ＳｉＣ膜をドライエツチングすることを特徴とするドラ
イエツチング方法によって達成される。
ＳｉＣ膜をドライエツチングすることを特徴とするドラ
イエツチング方法によって達成される。
本発明に係るドライエツチング方法はプラズマエツチン
グであり、その使用するエツチングガスはＣＦｎ、ＣＨ
Ｆ３．ＣＮ ｚ、Ｃｉ ｊ！ ａ、ＣｌｌＣＮ ３＋
５ｉＣｊ！ ４． Ｎ Ｆ ３であるのが好ましい。
グであり、その使用するエツチングガスはＣＦｎ、ＣＨ
Ｆ３．ＣＮ ｚ、Ｃｉ ｊ！ ａ、ＣｌｌＣＮ ３＋
５ｉＣｊ！ ４． Ｎ Ｆ ３であるのが好ましい。
このエツチングガスに添加する酸素（０２）ガス量は５
体積％〜７０体積％が望ましく、エッチレートおよび他
の材料とＳｉＣとの選択性などを考慮して決められる。
体積％〜７０体積％が望ましく、エッチレートおよび他
の材料とＳｉＣとの選択性などを考慮して決められる。
プラズマエツチングは圧力が１０〜１０−’Ｔｏｒｒで
起こり、さらに圧力を下げて１０−１〜１０− ”Ｔｏ
ｒｒにすると反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）が起こ
り、ＩＩＩＩＥでもエツチングガス中に酸素があればＳ
ｉＣのエツチングは可能である。
起こり、さらに圧力を下げて１０−１〜１０− ”Ｔｏ
ｒｒにすると反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）が起こ
り、ＩＩＩＩＥでもエツチングガス中に酸素があればＳ
ｉＣのエツチングは可能である。
以下、本発明の好ましい実施態様例によって本発明をよ
り詳しく説明する。
り詳しく説明する。
■−上
シリコン単結晶基板上に化学的気相成長（ＣＶＤ）法に
よってβ−３ｉＣエピタキシヤル膜を形成したものを公
知の平行平板型プラズマエツチング装置内に入れる。装
置内を真空ポンプで１．０Ｘ１０−”Ｔｏｏｒまで排気
した後に、ＣＦ４ガスと０□ガス（１２体積％）とを流
し圧力をＱ ｌ、Ｔｏｒｒにし、高周波電力（１３，５
６に＆、３００ Ｗ）を印加してプラズマを発生させる
。ＳｉＣのプラズマエツチングが次式のような反応で起
こると思われる。
よってβ−３ｉＣエピタキシヤル膜を形成したものを公
知の平行平板型プラズマエツチング装置内に入れる。装
置内を真空ポンプで１．０Ｘ１０−”Ｔｏｏｒまで排気
した後に、ＣＦ４ガスと０□ガス（１２体積％）とを流
し圧力をＱ ｌ、Ｔｏｒｒにし、高周波電力（１３，５
６に＆、３００ Ｗ）を印加してプラズマを発生させる
。ＳｉＣのプラズマエツチングが次式のような反応で起
こると思われる。
ＳｉＣ＋ＣＦ４ ＋ ２０□→５ｉＦａ↑＋２ＣＯ２↑
このプラズマエツチングではそのエツチング速度は００
．１μｍ／分であった。
このプラズマエツチングではそのエツチング速度は００
．１μｍ／分であった。
エツチングガス（ＣＦ４）に酸素を添加しない条件でＳ
ｉＣのプラズマエツチングを試みたところＳｉＣ膜はほ
とんどエツチングされなかった。
ｉＣのプラズマエツチングを試みたところＳｉＣ膜はほ
とんどエツチングされなかった。
阻−１
例工と同じ条件でエツチングガスをＣＦ、ガスに代えて
塩素（ＣＡｚ）ガスを用いてＳｉＣ膜のプラズマエツチ
ングを行なう。
塩素（ＣＡｚ）ガスを用いてＳｉＣ膜のプラズマエツチ
ングを行なう。
ＳｉＣのプラズマエツチングが次式のような反応で起こ
ると思われる。
ると思われる。
ＳｉＣ＋Ｃｌ１ｚ ＋２０２ →５ｉＣｊ２２ ↑＋
２ＣＯｚＴこのプラズマエツチングではそのエツチング
速度は００．１ μｍ７分であった。
２ＣＯｚＴこのプラズマエツチングではそのエツチング
速度は００．１ μｍ７分であった。
Ｃ１２ガスに酸素を添加しないでプラズマエツチングを
試みたところＳｉＣ膜はほとんどエツチングされなかっ
た。
試みたところＳｉＣ膜はほとんどエツチングされなかっ
た。
化学的に安定なためにエツチングがむずかしかったＳｉ
Ｃ膜を本発明に係るドライエツチング法によってエツチ
ングすることが可能となり、ＳｉＣ膜を利用した半導体
装置の製造が容易となる。
Ｃ膜を本発明に係るドライエツチング法によってエツチ
ングすることが可能となり、ＳｉＣ膜を利用した半導体
装置の製造が容易となる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、酸素を添加したエッチングガスでもってＳｉＣ膜を
ドライエッチングすることを特徴とするドライエッチン
グ方法。 ２、前記ドライエッチングがプラズマエッチングである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、前記エッチングガスがＣＦ＿４、ＣＨＦ＿３、Ｃｌ
＿２、ＣＣｌ＿４、ＣＨＣｌ＿３、ＳｉＣｌ＿４、又は
ＮＦ＿３であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5823786A JPS62216335A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5823786A JPS62216335A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216335A true JPS62216335A (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=13078490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5823786A Pending JPS62216335A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216335A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04293234A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-16 | Shimadzu Corp | ＳｉＣのエッチング方法 |
| CN100426473C (zh) * | 2004-11-16 | 2008-10-15 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 |
| JP2013239757A (ja) * | 2010-07-12 | 2013-11-28 | Spp Technologies Co Ltd | エッチング方法 |
| JP2019087642A (ja) * | 2017-11-07 | 2019-06-06 | 株式会社ハイシック | 化合物半導体ウエハの加工方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4936120A (ja) * | 1972-08-06 | 1974-04-03 | ||
| JPS57124438A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Rikagaku Kenkyusho | Ion beam etching for silicon carbide |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP5823786A patent/JPS62216335A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4936120A (ja) * | 1972-08-06 | 1974-04-03 | ||
| JPS57124438A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Rikagaku Kenkyusho | Ion beam etching for silicon carbide |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04293234A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-16 | Shimadzu Corp | ＳｉＣのエッチング方法 |
| CN100426473C (zh) * | 2004-11-16 | 2008-10-15 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 |
| JP2013239757A (ja) * | 2010-07-12 | 2013-11-28 | Spp Technologies Co Ltd | エッチング方法 |
| JP2019087642A (ja) * | 2017-11-07 | 2019-06-06 | 株式会社ハイシック | 化合物半導体ウエハの加工方法 |
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