JPS6277485A - 酸化シリコン薄膜のエツチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は集積回路のＶＪ造方法に関する。

（従来の技術） 集積回路の製造においては、一般に、酸化シリコンのエ
ツチングは、最も頻緊に要求される処理工程の一つであ
る。化学量論上の二酸化シリ：Ｊンのみならず、わずか
に、又はかなり化学ＦＡＱからは異４Ｃる他の酸化シリ
コン、すなわち実７１的に一部の他の元素（例えば、フ
オスフオシリケ−１〜・ガラス、又はゲルマニウム・フ
ォスフオシリケード・ガラス、又はボロ・）Ａスフオシ
リケード・ガラスのようなシリケートガラス）を含む醇
化シリコンもまた同様なエツチング問題がある。

酸化シリコン薄膜をエツブーングするために（例えば、
集積回路の製造において層間接続路を設けるために）、
使用覆る通常のグロー放電処即では、主活性成分として
、飽和又は不飽和のフルオロカーボンを使用する。例え
ば、ＣＦ　、ＣＨＦ３、及びＣ３Ｆ８は、Ｓｉ基板に対
して選択的にＳ　ｉ　Ｏ２をエツチングづるための活性
エツチング剤ガスとして、すべて満足に使用されてきた
。フッ素化炭素水素の電子衝突による破壊及び光解離に
おいては、極めて反応的な原子フッ素と、分子ＣｘＦ、
ラジカル、ならびに多くのイオン化した種を生じる。

不幸にして、ＧｘＦ、分子ラジカルは、単が体単位に容
易に結合して、反応炉中に、また、一定の条件のもとで
は、エツチングするｕ板上にも、１合体物質を形成する
。重合は、主として破壊されるラジアルのフッ素と炭素
の比が２＝１に近いとぎ、特に容易にあって、この場合
、ＳｉＯ２とＳｉとの最適選択麿が通常観察される。重
合を汀意して制御しないと、エツチングされるＭ板−Ｆ
への沈積がデバイスの欠陥の原因となって、酸化物をエ
ツチングした層間接続路に高い接触抵抗を生じやづい。

まＩこ、反応炉ブＡ７ンバへの沈積は、内在的な微粒子
源となるので、この微粒子源を取り除くことが重要にな
る。クリーンルームの技杯Ｊでは、他の源による微粒子
のレベルを低減ηることができる。さらにまた、ＣＦ４
のようなフルオロカーボンを使用するプラズマ・エツチ
ング方法ではインターフェース（界面）状態の増加キャ
リＡ７の寿命を短縮さＬるような性負をもつシリコーン
に対し他のガスを使用する方法より多くの破損を与える
との研究報告がある。これについては、バング等（Ｐａ
ｎｇ　ｅｔ　ａｌ）がｒ５４　　Ｊ、Ａｌ１１１＋、Ｐ
ｈｙｓ、３２７２　（１９８３）Ｊに発表しているので
、ここに参照して本説明の一部とする。この問題は、耐
火金属又は耐火金属ケイ化物に対しては停止覆る酸化物
エツチングにおいては、極めて悪化する。

多くのこれら金属元素は、接触反応で重合体を形成し易
いので、重合は、通常のオーバーエツチング中に実際の
障害となることがあり、また、平面状のレベル間酸化物
を通してコンタントのエツチングを行なおうとする場合
のように、オーバーエツチングの昂がかなり必要なとき
にはさらに悪化Ｊる。

従って、重合とシリコン破壊の可能性にｌＩｌ連づ゛る
問題を生じない、別の酸化物プラズマ・エツチング方法
を開発することが極めて重要である。

フルオロカーボンを基礎にした化学的物質を用いるシリ
コン酸化物エツチングは、種々のグロー放電状態の下で
広く研究されて、多くの一般に適用可能な観察が行われ
た。ハイネツケ（ｔｌｃ　ｉ　ｎｅｃｋｅ　）［１８Ｓ
ｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｆｌｃｃｔｒｏｎｉｃｓ　１１
４６　（１９７５）Ｊ及び「２１　５ｏｌｉｄ　５ｔａ
ｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ１０４　（１９７８）Ｊを
参照し、ここに本説明の一部とする）は、フッ素の存在
しない放電では、ＣＦ　　プラズマよりも？いＳ　ｉ　
Ｏ２／Ｓ　ｉエツチング速庶が１１１られることを発表
した最初の人である。この選択性能は、ドープされたポ
リシリコンがしばしばエツチング停止２．ｔ　＆となる
ので、ず導体ＳｉＯ２エツチングプロセスにおいて重大
なことである。その後の多くの研究では、種々の方法で
フッ素欠乏状態をつくり、フッ素の存在しないプラズマ
を利用して良好な５ｉ０２と３ｉとのエツチング速度比
が得られたことが報告されている。

前記種々の方法には、（２）　ト１２を追加しＨＦを形
成することによって原子フッ素の反応性を抑止すること
、（ハ）　ＣＦ　　や０３Ｆ８のような化学伊論上低い
フッ素対炭素比をもつフルオロカーボンを利用すること
、及び（へ）　原子フッ素と反応してそれを消費づる炭
素、シリコン、又はデフロン（ＴＭ）のような電極を使
用するｈ払がある。フッ素の存在しないプラズマについ
て観察されたエツチング動作の理論的説明で広く受１ノ
入れられている模型では、炭素が中性及びイオン化Ｃｘ
Ｆ。

ラジカルの形でエツチング表面に連続的に衝突すること
によって、意味あるエツチングについては、衝突による
破壊又は解離的な化学吸着によって、Ｓｉには傷害をう
えるが５ｉ０２表面には傷害を与えないのだと説明して
いる。これについてはウインタ（ＷｉｎｔｃｒＳ　）の
発表ｒ　４９　Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、　５１６５　
（１９７８）Ｊならびにコバン（Ｃｏｂｕｒｎ）ウイン
タＮＪｉｎｔｃｒｓ　＞及びヂャン（Ｃｈｕａｎｇ　）
の発表ｒ　／Ｉ　８　　Ｊ、Ａｐｐｌ、ｐｈｙｓ、３５
３２　（１９７７）　Ｊがあるので、ここに参照して本
説明の一部とする。

Ｓｌと容易に反応してＳｉＦ　　の形で３＋を揮発× させるフッ素原子は、炭素による表面被覆があることで
炭素をＣＦｘの形で揮発させるために消費されるので、
この場合Ｓｉエツチングは抑止される。これに反して、
ＳｉＯ２面上の炭素は酸化物中の格子酸素と反応してｃ
ｏ、ｃｏ２及びＣＯＦ、、を形成するのでフッ素原子を
消耗しないで揮発される。また、多くの研究結果では、
ＣＦ３のようなＣｘＦ、ラジカルはＳｉＯ２の活性エツ
チング剤としては重要な役割を果すが、３ｉには作用し
ないのでＳ　ｉ　Ｏ２とＳｉとの１ツチング差をさらに
増大させると発表している。従って、シリコンはその酸
化物と比較して気化がフッ素の存在しないプラズマに対
しより敏感であるので、これににすＳ　ｉ　Ｏ，、とＳ
ｉとの大きなエツチング速度比がｊｑられるエツチング
方法が可能となる。

（発明がＭ決しようとづる問題点およびそのための手段
） 本発明は、グロー放雷用の供給ガス混合物としてフッ素
化無機物に水メ、を加えたものを使用して酸化物を選択
的にエツチングする新しい７Ｊ法を教示づるものである
。特に、ＮＦ　　、ＢＦ３、ＳｉＦ　　及びＳ［６のよ
うなガスと水素（又は水１ＡＴ１ｍ種）どのエツチング
剤混合物を含むプラズマ・エツチング方法では、１ぐれ
たＳｉｎ、、と３ｉとの選択的エツチング速度比を示す
。これらの化学物デー系形についは、本発明に一致する
エツチング傾向を示さなかったＳＦ６／Ｈ２の研究以外
は、実際な努力は払われていなかった。これについては
、トヨタ、（Ｔｏｙｏｄａ）　、トビセマ（Ｔｏｂ　ｉ
　ｙａｍａ　）及びコミャ（Ｋｏｍｉｙａ）の発表「２
０Ｊｐｎ、　Ｊ、＾ｐｐ１．ｐｈｙｓ、　６８１　（１
９８１）　Ｊをここに参照して本説明の一部とする。

本発明は、重合又はＳｉ破壊の可能性のない効果的な酸
化物エツチング方法を提供する。大部分の金属を含む多
くの材料は、活性フッ素によって容易に気化されるので
、非酸化物エツチング停止基板に対する選択性が容易に
実現できる。これは特に、フルオロカーボンを基礎にし
たエツチングに対して重合がより顕著となる金属上で酸
化物エツチングが停止するように要求される多レベル金
属化手法においては特に重要である。

（実施例） 税在までに実施した本発明のサンプル実施例では、ＢＦ
３／ト１２／Ａｒ気体混合物を使用してＳｉＯ，、に対
するＳｌのエツチング速度比を、全体のガス流ｆｉ１（
Ｂ　Ｆ　　十８２流か）中における水素の百分率の関数
として評価した。Ｈ２の源は３％の水素とＡｒとの８２
合物であったので、正規化したＳｉとＳ　ｉ　０２との
エツチング速度は、８Ｆ／）−１２／△ｒ混合物による
材料のエツヂング速度を、ＢＦ３／△ｒ混合物に対づる
エツチング速度で割って計９した。この場合各評価にお
いて全０、の流部は一定とした。これは観察された結果
について増加したＡｒガスの流ｈｙの影ν■を増加した
水県百分率の効宋とト別りるために必四であった。実験
はスライス１枚用のＲＩ　Ｅ　（反応性イＡンエツブン
グ）実験反応炉の温度を１５°Ｃ、１，−Ｅ力を５　Ｑ
　Ｑ　１ｌｌＴＯｒｒ　ｌ、：保ち試料の周囲に１５０
ワツトの無線周波放電を与えて行った。Ｂ「３の流部は
、５０　ｓｃｃｍ一定に維持した。第工表に（よＡｒ流
か及びΔｒ／３％ト１２流吊の関数として３ｉ及び５ｈ
ｏ２のエツチング速度及びエツチング速度比の牛のデー
タを示した。

、−→− ωへ づ 世 へ 第■表には、百分ヰ′ト１２の関数として正規化したＳ
ｌとＳ　：　Ｏ２どのエツヂング速瓜及σエツチング速
度比を示した。

第１図は第２表からのデータのプ「１ツ１〜である。

第１図は、水素の百分率が増加するにしたがってＳｉに
対する１ツヂング速瓜は、５ｉ０２に対するエツチング
速度よりも迅速に減少すること、すなわら、５ｉ０２対
Ｓｉの１ツブング速瓜比は水素の流化の増加に従って増
加することを示す。

第２図は水素５％付近でエツチング速度比は最大となっ
て、それ以上に水素百分率が増加すると減少することを
示す。これらのサンプル実施例で得られた最大エツチン
グ速度比（選択度）は、フルオロカーボンを使用づる通
常の高圧力醇化物エツチングで観察される選択度と同程
度の大きさである。

他の無機質のフッ素遊頗源ガス、又は他の水素遊１１１
１源ガスを用いて最適選択度を得るには、フッ素と水素
との好適原子比は１５：１と３０：１との間にある。し
かしながら、この範囲内に含まれない他のガス混合物は
、々７３８さは劣るものの、本発明の範囲内で使用でき
る。別の好適実施例の−ＰＩ’では、フッ素遊！ｉｌｌ
　ｉｌＱガスにＳＦ６　（又は比較的豊富なフッ素遊ｖ
ｉ源）を使用覆るが、この種の実施例ではフッ素対水素
の好適原子比は、１０：１と２０：１の範囲内にある。

現在における本発明の最良形態では、気相の無機フッ素
Ｔ１部源種として３フッ価小つ累を使用するが、他のも
のも代りに使用できる。最も好適な秤は、ＮＦ　　１Ｓ
Ｆ　　、ＳｉＦ　　及びＢＦ３であって、好適さの順序
はこの記載の順序である。しかしながら、仙の無機フッ
化物も代りに使用できる。Ｎ［及びＳＦ　　は、Ｓｉｏ
２の還元時に容易に気体酸化物を遊１１１するので、最
も好適なフッ化物である。プラズマ・エツチングのはげ
しい衝突状態にあっては、どちらの秤が揮発性であるか
、ないかを精密に定義することは少しく誤解を伴うが、
絶対的な定義よりもこの場合比較の方が容易である。Ｎ
Ｆ３とＳＦ６とは、ともにＢＦ３よりは好適と期待され
ている。ＮＦ　　とＳＦ６のＳｉＯ２との反応による生
成物はホウ素による生成物よりも揮発性が大きいからで
ある。

無機フッ素遊＃源ガスとしては、過フッ素化物が最ら便
利な秤では市るが、必ずしも過フッ素化物を必要としイ
ｊい。

しかしながら、］、ツヂング剤気体混合物は、エツチン
グされる醇化物を還元りることがでさる秤を含むことが
絶対必要である。例えば、肖ガスフッ化物は、エツチン
グ剤気体ｕ合・物中のなにか他の成分が、エツチングさ
れる酸化物を還元する能力のある十分な聞の種を提供で
きないときは、フッ素遊離源ガスとしてＦＪ換できない
。

同様に、水素Ｔ１ｆ！ｉｉ源ガスは必ずしもト１２であ
る必要はなく、当業者に周知のアンモニア、ボラン、メ
タン、又は他の水系遊Ｉｆを使用することができる。

さらにまた、フッＬＭｅＪＪ源ガスと水素遊頗源ガスと
は、２つの別個の種である必要はなく、１個の種に化合
されることも、３個又はそれ以」：の種（水素ドナでも
あり、またフッ素源でもある１個又は複数個の種を含む
ことは任意）の形体とすることもできる。そのような実
施例を実行するについての本発明の基本教示は、炭素の
原子百分率（不活性ガス成分を無視して、水素、疾累、
又はフッ素を含むすべての源ガス成分の種について原子
百分率を計算）が５％以内でなければならないことであ
る。また、炭素に対するフッ素の原子比は実質的に２：
１よりも大きくてもつと大きな偵（又は無限大）でなけ
ればならない。

本発明による第２の教示は、シリコン酸化物上に吸着さ
れてシリコン酸化物を還元させることのできる分子及び
ラジカルを形成する（グロー放電において）すべての原
子種（Ｂ、Ｃ，Ｓ又はＮのような）原子百分率は、エツ
チング剤ガス混合物（不活性ガスを無視し、水素、炭素
、又はフッ素を含むリベての源ガス成分科について原子
百分率を８１算）に対し５％から５０％の範囲でなけれ
ばならないことである。この教示は選択的エツチングを
可能にする。

プラズマ・エツチングの当Ｔ、省には周知のように、ア
ルゴン又はヘリウムのような不活性ガスをエツチング剤
ガス混合物に加えて、良好な温瓜制御を行い、または、
水素のような爆発性ガスの安全な取扱いを可能とづるこ
とができる。

本発明は、酸化シリコンの選択的エツチングを主として
狙ったものであるが、タンタル、アルミニウム、ジル′
：１ニウムなどの種を合む仙の酸化物及びその他の金属
酸化物に適用することしできる。

これらの酸化物をエツチングするときは、同じ１合の問
題はざけなければならず、また（少くともいくつかの酸
化物に対しでは）吸着される分子又はラジカルによって
酸化物を還元する同一の方法を選択的エツチングに使用
することができる。他の酸化物をエツチングする場合、
本発明の基本的教示は、１）炭素の原子百分率（不活性
ガス成分を無視して、水素、炭素、又はフッ素を含むη
べての源ガス成分秤についての原子百分率を：Ｉ　Ｃ”
ｉ　）は５％以下でな（すればなら４１いことである。

ｊ、た２）　フッ素対酸素の原子比は実質的に２：１以
、１−ぐもつと大きな顧（又は無限大）でなければなら
４Ｔい。３）本発明の他の教示は、エツチングされる酸
化物に吸名されて酸化物を還元させることがでさる分子
及びラジカルを（グロー放電中に）形成するＪべての原
了秤（Ｂ、Ｃ，Ｓ又はＮのような）原子百分率はエツチ
ング剤ガス混合物（不活竹ガス成分を無視して、水系、
炭素、又はフッ素を含むづべでの諒ガス成分秤について
原子百分率を：ｌｔ’ａ＞５％から５０％の範囲内にな
ければならない。この教示は選択的エツチングを提供（
る。

当業省には明かなように、本発明は広く変形でき、また
変化できるので、ここに示した特定の処理条イ１は甲な
る説明的のものであって、本弁明の範囲は特許請求の範
囲に示した以外には限定されるものではない。

以上の説明に関連して更に以下の項を開示する。

（１）基板上の仙の薄膜層に対して選択的にエツチング
されな（）ればならない酸化物の薄膜をイの表面に備え
る前記の基板を設けること、前記基板に近接してグロー
放電を発生させること、 及び、前記グロー放電を介してエツチング剤ガス混合物
を通過させること、 以上の工程を含む酸化シリコンの選択的エツチングの方
法において、 前記エツチング剤が２８２合物中にお（）る炭素の原子
百分率が１５％以下であり、 前記上ツヂング剤ガス混合物中の炭＾に対重るフッ素の
原子比が実賀」２：１以］−であり、酸化シリコン上に
吸名されて酸化シリコンを還元することのｅきる分子及
びラジカルを（グ１］−放電にＪ３いて）、形成覆る（
べての種類の原子の前記エツチング剤ガス混合物中にお
ける原子百分率は、５％／）ｓ　＋ろ５０％の範囲内に
あること、前記すべての原子１５分率は、不活竹ガス成
分を無視して水素、炭素、又はフッ素を含む前記エツチ
ング剤ガス混合物のすべての種類の成分について尉わさ
れる、 酸化シリコンの選択的エツチング方法。

（２）第１狛において、前記エツチング剤ガス混合物が
１００ミリＴｏｒｒから３　Ｔｏｒｒまでの範囲内の圧
力をもつ酸化シリコンの選択的エツチング方法。

（３）第１項において、前記無機フッ素Ｍ頗源ガスを３
フツ化窒素、６フツ化硫員、４フツ化シリコン及び３フ
ツ化ホウ素からなるグループから選択する酸化シリコン
の選択的エツチング方法。

（４）第１項において、 前記のシリコン酸化物は平面状でない基板の上に平面状
の層を形成し、前記平面状酸化物層が前記基板上に可変
厚さをもち、また 前記基板を前記グロー放電に露出する前記の■稈は、前
記平面状酸化物層の最も厚い部分を通して前記基板まで
エツチングするのに十分な長時間中継続する、 酸化シリコンの選択的エツチング方法。

（５）第１Ｂ′１において、前記第２薄ＦＡ層が金属ケ
イ化物である、酸化シリコンの選択的エツチング方法。

（６）第１項において、前記第２薄膜層の少くとも１部
に少くとも原子百分率１０％の耐火金属層を含む酸化シ
リコンの選択的エツチング７Ｊ　ｖＡ。

（７）第１１ｆｊにおいて、前記酸化物に７オスフオシ
リケード・ガラスを合む、酸化シリコンの選択的エツチ
ング方法。

（８）第１項において、前記酸化物に添加シリケート・
ガラスを含む、酸化シリコンの選択的１ツチング方法。

（９）第１項にＪ３いて、前記水ｉｉａ源ガスにＨ２を
含む、酸化シリ」ンの選択的エツチング方法。

（１０）第１項において、前記水素ｉｓ源ガスが基本的
にアンモニアからなる、酸化シリコンの選択的エツチン
グ方法。

（１１）第１項において、前記水素Ｔｉ＠Ｎガスをモノ
ハロゲン置換メタン化合物およびジハロゲン直換メタン
化合物からなるグループから選択する、酸化シリコンの
選択的エツチング方法。

（１２）第１項において、前記第２薄膜層にシリコンを
含む、酸化シリコンの選択的エツチング方法。

（１３）第１項において、前記第２薄膜層が多結晶質で
ある、酸化シリコンの選択的エツチング方法。

（１４）第１項において、前記エツチング剤ガス混合物
に不活性ガスも含む、酸化シリコンの選択的エツチング
方法。

（１５）第１項において、前記エツチング剤ガス混合物
のフッ素対水苑の原子比が１５：１から３０＝１の範囲
内にある、酸化シリコンの選択的エツチング方法。

（１６）第１項において、前記酸化シリコンのシリコン
対酸素の原子比が１：１．７から１：１．９８の範囲内
にある、酸化シリコンの選択的エツチング方法。

（１７）第１項において、前記エツチング剤ガス混合物
に、フッ素Ｍ１！源ガスでありまた水素Ｔｔ　ｌ１ｌｆ
　鯨ガスでもある少くとも１つの無機種を含む、酸化シ
リコンの選択的エツチング方法。

（１８）第１項において、前記エツチング剤ガス混合物
に、フッ素をｆ２離するか、水素を遊離するか、又は両
方を遊！ＩＩするかの少くとも３つの別個の種を含む、
酸化シリコンの選択的エツチング方法。

（１９）第１項において、前記エツチング剤ガス混合物
中における炭素の原子百分率（不活性ガス成分は無視し
て、水素、炭素又はフッ素を含む前記エツチング剤のす
べての成分種について原子百分子を；ｉｔ　ｔ”　）は
５％以下である、＾り化シリコンの選択的エツチングＩ
Ｊ′１１．。

（２０）第１　Ｉｎにおいて、前記エツチング剤ガス混
合物中にお番ノるフッ素対炭素の原子比は実ｔｌ的に２
：１より大きい、酸化シリコンの選択的エツチング方法
。

（２１）第１項において、（グロー放電中）酸化シリコ
ンに吸ｒＪされて酸化シリコンを３７元−４ることがで
きる分子及びラジカルを形成するすべての秤類の原子の
前記エツチング剤ガスｉＩシ合物中にお【ノる原子百分
率は、エツチング剤ガス混合物（不活性ガスを無視して
水素、炭素、又はフッ素を含むエツチング剤ガス成分科
についＣの原子百分率を計口）５％から５０％の範囲内
にある、酸化シリコンの選択的エツチング方法。

（２２）　　１３板上の他の薄膜層に対して選択的にエ
ツチングされな【ノればならない酸化物の薄膜なその表
面に備える基板を設けること、前記基板に近接してグロ
ー放電を発生さゼること、及び、無機のフッ素Ｍ　１ｌ
ｌｆｌ　Ｄガスと水素のＴｉｗｌ源ガスの両方を含む前
記エツチング剤ガス混合物を前記グロー放電を介して通
過させること、 以上の各工程を含む、酸化シリコンの選択的エツチング
方法。

（２３）基板上の他の薄膜層に対して選択的にエツチン
グされなければならない金ｍＷ化物の薄膜をその表面に
備える前記の基板を設けること、前記基板に近接してグ
ロー放電を発生させること、及び、 無機のフッ素Ｍｍ源ガスと水素遊１１１源ガスの両方を
含むエツチング剤ガス混合物を前記のグロー放電を介し
て通過させること 以上の各工程を含む金属酸化物の選択的エツチング方法
。

（２４）　　ｚｔ根板上他の薄膜層に対して選択的にエ
ツチングされなければならない酸化物の薄膜をその表面
に備える前記のＶ板を設けること、前記基板に近接して
グロー放電を発生させること、及び エツチング剤ガス混合物を前記グロー放電を介して通過
させること 以上の各工程を含む金Ｅｌ化物の選択的エツチング方法
において、 前２１ツヂング剤ガス混合物中の炭素の原子百分率は５
％以下であること、 前ｒｔ！１：ツヂング剤ガス混合物中のフッ素対炭素の
原子比は実質的に２：１以上であること、前記金属酸化
物に吸着されて前記金属酸化物を還元させることのでき
る分子及びラジカルを（グロー放電において）形成する
すべての秤類の原子の前記エツチング剤ガス混合物中の
原子百分子（Ｊ、前記エツチング剤ガス混合物の５％か
ら５０％の範囲内であること、 前記の原子百分率は、不活性ガス成分を無視して水素、
炭素、又はフッ素を含む前記エツチング剤ガス混合物の
ずべての秒類の成分についてＦ、１することをさらに含
む前記の金属酸化物の選択的エツチング方法。

（２５）第２３項において、前記金ｌｉＩｉｍ化物がタ
ンタル酸化物、アルミニウム酸化物、イットリウム酸化
物、ジルコニウム酸化物、及びチタン酸化物からなるグ
ループから選択される、金属酸化物の選択的エツチング
方法。

（２６）第２４項において、前記金属酸化物がタンタル
酸化物、アルミニウム酸化物、イソ１−リウム酸化物、
ジルコニウム酸化物及びチタン酸化物からなるグループ
から選択される、金属酸化物の選択的エツチング方法。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の多くの実魚例について水累淵可に対す
る正規化エツチング速度の関係を示す図、また、第２図
は水素濃度に対するＳｉ：５ｉ０２選択瓜の関係を示す
図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上の他の薄膜層に対して選択的にエッチング
   されなければならない酸化シリコンの薄膜をその表面に
   備える基板を設けること、 前記基板に近接してグロー放電を発生させること、及び
   、 前記グロー放電を介してエッチング剤ガス混合物を通過
   させること、 以上の工程を含む、酸化シリコンの選択的エッチング方
   法において、 前記エッチング剤ガス混合物中の炭素の原子百分率は５
   ％以下であり、 前記エッチング剤ガス混合物中におけるフッ素対炭素の
   原子比が実質上２：１以上であり、酸化シリコン上に吸
   着されて酸化シリコンを還元することのできる分子及び
   ラジカルを（グロー放電中に）形成するすべての種類の
   原子の、前記エッチング剤ガス混合物中における原子百
   分率は、前記エッチング剤ガス混合物の５％から５０％
   の範囲内にあり、 前記の原子百分率は、不活性ガス成分は無視して、水素
   、炭素、又はフッ素を含む前記エッチング剤気体混合物
   のすべての種類の成分について計算される、 前記酸化シリコンの選択的エッチング方法。