JPS62154627A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPS62154627A JPS62154627A JP60293789A JP29378985A JPS62154627A JP S62154627 A JPS62154627 A JP S62154627A JP 60293789 A JP60293789 A JP 60293789A JP 29378985 A JP29378985 A JP 29378985A JP S62154627 A JPS62154627 A JP S62154627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- dry etching
- gas
- chf3
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 35
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 10
- UNRFQJSWBQGLDR-UHFFFAOYSA-N methane trihydrofluoride Chemical compound C.F.F.F UNRFQJSWBQGLDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 47
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 abstract description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 abstract description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- -1 hydrocarbon fluoride Chemical class 0.000 abstract 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 101150054130 chfr gene Proteins 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体等の電子部品製造工程におけるドライエ
ツチング方法に係り、特にシリコン（以下ＳＬ とする
）系絶縁膜のエツチングに対し、エツチング速度やエツ
チング選択比を低下させずにプラズマ汚染を防止するド
ライエツチング方法に関するものである。
ツチング方法に係り、特にシリコン（以下ＳＬ とする
）系絶縁膜のエツチングに対し、エツチング速度やエツ
チング選択比を低下させずにプラズマ汚染を防止するド
ライエツチング方法に関するものである。
従来の技術
近年、Ｓｉ系絶縁膜のドライエツチング方法は平行平板
型のドライエツチング装置を用い、エツチングガスとし
て、ＣＦ４．Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．Ｃ４Ｆ８等のフロン
系ガスにＨ２，ＣＨＦ３等の水素原子を含むガスを添加
し、対レジストや対Ｓｔ とのエツチング選択比を向上
させている。以下図面を参照しながら、上述した従来の
Ｓｉ系絶縁膜のドライエツチング方法の一例について説
明する。第３図は従来のＳｉ系絶縁膜のドライエツチン
グ方法を説明するだめの平行平板型ドライエツチング装
置の概略図を示すものである。第３図において、１はエ
ツチング反応室である。２はフロン系ガス、３は水素原
子を含むガスでありエツチングガスとして供給する。４
は高周波電源であり、プラズマ発生に必要な高周波電力
を供給する。５は高周波電源電極であり、６は接地電極
である。７は被エツチング物である。８は真空排気口で
あり排気手段は図示していない。
型のドライエツチング装置を用い、エツチングガスとし
て、ＣＦ４．Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．Ｃ４Ｆ８等のフロン
系ガスにＨ２，ＣＨＦ３等の水素原子を含むガスを添加
し、対レジストや対Ｓｔ とのエツチング選択比を向上
させている。以下図面を参照しながら、上述した従来の
Ｓｉ系絶縁膜のドライエツチング方法の一例について説
明する。第３図は従来のＳｉ系絶縁膜のドライエツチン
グ方法を説明するだめの平行平板型ドライエツチング装
置の概略図を示すものである。第３図において、１はエ
ツチング反応室である。２はフロン系ガス、３は水素原
子を含むガスでありエツチングガスとして供給する。４
は高周波電源であり、プラズマ発生に必要な高周波電力
を供給する。５は高周波電源電極であり、６は接地電極
である。７は被エツチング物である。８は真空排気口で
あり排気手段は図示していない。
以上のように構成されたＳｉ系絶縁膜のドライエツチン
グ方法を説明するだめの平行平板ドライエツチング装置
について、以下その動作について説明する。
グ方法を説明するだめの平行平板ドライエツチング装置
について、以下その動作について説明する。
まずエツチング反応室１内を真空排気口８から図示して
いない排気手段により減圧状態にしながら、フロン系ガ
ス２と水素原子を含むガス３を導入し、それらのガス流
量と前記エツチング反応室１内の圧力を一定にする。次
に高周波電源４から高周波電力を供給し、高周波電源電
極６と接地電極６の間でプラズマを発生することにより
、被エツチング物７のＳｉ系絶縁膜をエツチングする。
いない排気手段により減圧状態にしながら、フロン系ガ
ス２と水素原子を含むガス３を導入し、それらのガス流
量と前記エツチング反応室１内の圧力を一定にする。次
に高周波電源４から高周波電力を供給し、高周波電源電
極６と接地電極６の間でプラズマを発生することにより
、被エツチング物７のＳｉ系絶縁膜をエツチングする。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のようなＳｉ系絶縁膜のドライエツチ
ング方法ではエツチングガスとしてフロン系ガスと水素
原子を含むガスの混合ガスを使用しているため、水素の
還元作用により弗化炭化水素系のポリマー（重合物）を
形成しやすく、エツチング表面に前記ポリマーが付着す
る。その結果として表面パーティクル数が増加したり、
接触抵抗が増大したりするという問題点を有していた。
ング方法ではエツチングガスとしてフロン系ガスと水素
原子を含むガスの混合ガスを使用しているため、水素の
還元作用により弗化炭化水素系のポリマー（重合物）を
形成しやすく、エツチング表面に前記ポリマーが付着す
る。その結果として表面パーティクル数が増加したり、
接触抵抗が増大したりするという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、Ｓｉ系絶縁膜のエツチング
においてエツチング速度やエツチング選択比を低下させ
ずにプラズマ汚染の少ない、すなわちエツチング表面に
ポリマーを付着させないドライエツチング方法を提供す
るものである。
においてエツチング速度やエツチング選択比を低下させ
ずにプラズマ汚染の少ない、すなわちエツチング表面に
ポリマーを付着させないドライエツチング方法を提供す
るものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のドライエツチング
方法はエツチングガスとして四弗化炭素（以下ＣＦ４と
する）と三弗化メタン（以下ＣＨＦ３とする）と酸素（
以下０２ とする）の混合ガスを用いるものである。
方法はエツチングガスとして四弗化炭素（以下ＣＦ４と
する）と三弗化メタン（以下ＣＨＦ３とする）と酸素（
以下０２ とする）の混合ガスを用いるものである。
作 用
本発明は上記の混合ガスを用いることにより、エツチン
グ表面にポリマーの付着を防止することができる。何故
ならば、フロン系ガスとしては炭素の最も少ないＣＦ４
を用い、水素原子を含むガスとしては炭素及び水素の最
も少ないＣＨＦ３を用い弗化水素ポリマーの形成しにく
い状態にしている。
グ表面にポリマーの付着を防止することができる。何故
ならば、フロン系ガスとしては炭素の最も少ないＣＦ４
を用い、水素原子を含むガスとしては炭素及び水素の最
も少ないＣＨＦ３を用い弗化水素ポリマーの形成しにく
い状態にしている。
水素原子を含むガスであるＣＩ（Ｆ３は従来例に示した
ように対レジスト、対Ｓｉエツチング選択比のうえから
必要である。さらに本発明は前記のＣＦ４とＣＨＦ３に
ｏ２を混合することにより、プラズマ状態及びエツチン
グ表面上において炭素は０２ と反応し一酸化炭素あ
るいは二酸化炭素になると考えられ、炭素を鎖とした弗
化炭化水素のポリマーは形成されにくいこととなる。
ように対レジスト、対Ｓｉエツチング選択比のうえから
必要である。さらに本発明は前記のＣＦ４とＣＨＦ３に
ｏ２を混合することにより、プラズマ状態及びエツチン
グ表面上において炭素は０２ と反応し一酸化炭素あ
るいは二酸化炭素になると考えられ、炭素を鎖とした弗
化炭化水素のポリマーは形成されにくいこととなる。
実施例
以下本発明の一実施例のドライエツチング方法について
図面を参照しながら説明する。第４図は本発明の一実施
例におけるドライエツチング方法のＣＦ４と１ｒｓ ｖ
ｏｌ％ ｏ。の混合ガスにＣＨＦ３を添加した場合５１
０２エツチング特性を示すものである。第４図において
、９はＳ １０２のエツチング速度である。又、１０は
Ｓ １０２の対レジストエツチング選択比（Ｓ１０２エ
ツチング速度／レジストエツチング速度）、１１はＳｉ
Ｏ２の対Ｓｉエツチング選択比（Ｓ １０２エツチング
速度／ Ｓ ｉエツチング速度）である。第４図かられ
かるようにＣＨＦ３添加量が３０ｖｏｌ％未満では対レ
ジストおよび対ＳＬ エツチング選択比が小さい。又、
ＣＨＦ３添加量が７０ｖｏｌ％を越える場合には、Ｓ
１０２のエツチング速度が小さくなる。
図面を参照しながら説明する。第４図は本発明の一実施
例におけるドライエツチング方法のＣＦ４と１ｒｓ ｖ
ｏｌ％ ｏ。の混合ガスにＣＨＦ３を添加した場合５１
０２エツチング特性を示すものである。第４図において
、９はＳ １０２のエツチング速度である。又、１０は
Ｓ １０２の対レジストエツチング選択比（Ｓ１０２エ
ツチング速度／レジストエツチング速度）、１１はＳｉ
Ｏ２の対Ｓｉエツチング選択比（Ｓ １０２エツチング
速度／ Ｓ ｉエツチング速度）である。第４図かられ
かるようにＣＨＦ３添加量が３０ｖｏｌ％未満では対レ
ジストおよび対ＳＬ エツチング選択比が小さい。又、
ＣＨＦ３添加量が７０ｖｏｌ％を越える場合には、Ｓ
１０２のエツチング速度が小さくなる。
第５図は本発明の一実施例におけるドライエツチング方
法のＣＦ４と６０ ｖｏｌ％ ＣＨＦ３の混合ガスに０
２ を添加した場合の３１０２エツチング特性を示すも
のである。第６図における９ａ、１０ａ。
法のＣＦ４と６０ ｖｏｌ％ ＣＨＦ３の混合ガスに０
２ を添加した場合の３１０２エツチング特性を示すも
のである。第６図における９ａ、１０ａ。
１１ａはそれぞれ第４図の９．１０．１１と対応する。
第６図かられかるように０２の添加量が５ｖｏｌ％未満
では５１０２のエツチング速度が小さい。
では５１０２のエツチング速度が小さい。
又、０２の添加量が２６ ｖｏｌ％を越える場合には対
レジストエツチング選択比が小さい。
レジストエツチング選択比が小さい。
第１図は本発明の一実施例におけるドライエッ図は前記
ポリマの付着状態を評価するために用いた実験試料を示
す。第６図において、１３はシリコン基板であり、１４
はＡ／＝である。１５はＳｉ系絶縁膜であり、本発明の
被エツチング物である。
ポリマの付着状態を評価するために用いた実験試料を示
す。第６図において、１３はシリコン基板であり、１４
はＡ／＝である。１５はＳｉ系絶縁膜であり、本発明の
被エツチング物である。
１６ばＡｔである。第１図はＳｉ系絶縁膜がＳ ｔ Ｏ
２であるときにエツチングした場合のオーバエツチング
時間と第６図（Ｃ）に示す構造のＡ／＝１４とＡ７ｊ６
間を測定した接触抵抗の関係を示す。
２であるときにエツチングした場合のオーバエツチング
時間と第６図（Ｃ）に示す構造のＡ／＝１４とＡ７ｊ６
間を測定した接触抵抗の関係を示す。
第１図におけるＳ １０２のエツチング条件のうちエツ
チング圧力は４００ ｍＴｏｒｒ 、混合ガス流量はｓ
ｏｓｃｃＭ、高周波電力は３００ Ｗ （１３，５６Ｍ
Ｈｚ ）であり、１７はＣＦ と５８ ｖｏ Ｘ ％
ＣＨＦａと１２ｖｏｌ％０□の混合ガスを用いた場合
、１８はＣＦ４と６８ ｖｏ ｌ ％ ＣＨＦ３の混合
ガスを用いた場合、１９はＣ２Ｆ６と５８ ｖｏｌ％
ＣＨＦ３の混合ガスを用いた場合の接触抵抗を示す。
チング圧力は４００ ｍＴｏｒｒ 、混合ガス流量はｓ
ｏｓｃｃＭ、高周波電力は３００ Ｗ （１３，５６Ｍ
Ｈｚ ）であり、１７はＣＦ と５８ ｖｏ Ｘ ％
ＣＨＦａと１２ｖｏｌ％０□の混合ガスを用いた場合
、１８はＣＦ４と６８ ｖｏ ｌ ％ ＣＨＦ３の混合
ガスを用いた場合、１９はＣ２Ｆ６と５８ ｖｏｌ％
ＣＨＦ３の混合ガスを用いた場合の接触抵抗を示す。
第２図は第６図に示すＳｔ系絶絶縁膜１５ＳｉＯ２から
ＳｆＮにおきかえてエツチングした場合のオーバーエツ
チング時間と第６図（Ｃ）に示す構造のＡｔ１４とＡ７
１６間を測定した接触抵抗を示す。第２図における１了
ａ、１８ａ、１９ａのエツチングガスはそれぞれ第１図
の場合の１７，１８．１９に対応し、エツチング条件も
同一である。
ＳｆＮにおきかえてエツチングした場合のオーバーエツ
チング時間と第６図（Ｃ）に示す構造のＡｔ１４とＡ７
１６間を測定した接触抵抗を示す。第２図における１了
ａ、１８ａ、１９ａのエツチングガスはそれぞれ第１図
の場合の１７，１８．１９に対応し、エツチング条件も
同一である。
以−トのように本実施例によれば、Ｓｌ系絶縁膜のドラ
イエツチング方法においてエツチングガスとしてＣＦ４
とＣＨＦ３と０２ の混合ガスを用いることにより、Ｓ
ｉ系絶縁膜のエツチング速度やエツチング選択比を低下
させずに、プラズマ汚染を防止することができ、Ｓｉ系
絶縁膜のコンタクトホール形成のドライエツチング方法
において、前記接触抵抗の増加を防ぐことができる。な
お、実施例において、第６図に示すシリコン絶縁膜１５
はＳ １０２ 、 Ｓ ！ Ｎとしたがシリコン絶縁膜
１５はリンを含んだＳ ｉ０２でも同じ効果が得られる
ことは言うまでもない。
イエツチング方法においてエツチングガスとしてＣＦ４
とＣＨＦ３と０２ の混合ガスを用いることにより、Ｓ
ｉ系絶縁膜のエツチング速度やエツチング選択比を低下
させずに、プラズマ汚染を防止することができ、Ｓｉ系
絶縁膜のコンタクトホール形成のドライエツチング方法
において、前記接触抵抗の増加を防ぐことができる。な
お、実施例において、第６図に示すシリコン絶縁膜１５
はＳ １０２ 、 Ｓ ！ Ｎとしたがシリコン絶縁膜
１５はリンを含んだＳ ｉ０２でも同じ効果が得られる
ことは言うまでもない。
さらにシリコン絶縁膜１６は５ｉｎ２．ＳｉＮ、リンを
含んだＳ １０２から選択した少なくとも二つ以上の多
層膜としても同じ効果が得られる。
含んだＳ １０２から選択した少なくとも二つ以上の多
層膜としても同じ効果が得られる。
発明の効果
以上のように本発明はＳｉ系絶縁膜のドライエツチング
方法において、エツチングガスとしてＣＦ４と３０〜７
０ ｖｏ １ ％ ＣＨＦ５と６〜２５ ｖｏｌ％の混
合ガスを用いることにより、Ｓｉ系絶縁膜のエツチング
速度やエツチング選択比を低下させることなく、弗化炭
化水素ポリマーの形成を抑制することができ、その結果
プラズマ汚染を防止するとともに接触抵抗の増加をも防
止することができる。
方法において、エツチングガスとしてＣＦ４と３０〜７
０ ｖｏ １ ％ ＣＨＦ５と６〜２５ ｖｏｌ％の混
合ガスを用いることにより、Ｓｉ系絶縁膜のエツチング
速度やエツチング選択比を低下させることなく、弗化炭
化水素ポリマーの形成を抑制することができ、その結果
プラズマ汚染を防止するとともに接触抵抗の増加をも防
止することができる。
第１図は本発明の一実施例においてＳ １０２をエツチ
ングした場合のオーバーエツチング時間を接触抵抗の関
係を示す図、第２図は本発明の一実施例においてＳｉＮ
をエツチングした場合のオーバーエツチング時間と接触
抵抗の関係を示す図、第３図は従来例及び本発明の一実
施例で使用した平行平板型ドライエツチング装置の概略
図、第４図は本発明の一実施例におけるドライエツチン
グ方法のＣＨＦ３添加に対するエツチング特性を示す図
、第５図は本発明の一実施例におけるドライエツチング
方法の０２添加に対するエツチング特性を示す図、第６
図は本発明の効果を示す第１図、第２図を得るために用
いた実験試料の断面図である。 １６・・・・・・シリコン系絶縁膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 γ−＋１’−工７ナシτ１〒八１ ｑシ）シＩｓ ４図 ＣＨＦｒ ｋ’ＪｒＪ量（ＣＦ４＋ １５ｎｌ”：Ｏｔ
＋ＣＨＦ５ ） ”ｌ”第５図 ＠ ６ 図
ングした場合のオーバーエツチング時間を接触抵抗の関
係を示す図、第２図は本発明の一実施例においてＳｉＮ
をエツチングした場合のオーバーエツチング時間と接触
抵抗の関係を示す図、第３図は従来例及び本発明の一実
施例で使用した平行平板型ドライエツチング装置の概略
図、第４図は本発明の一実施例におけるドライエツチン
グ方法のＣＨＦ３添加に対するエツチング特性を示す図
、第５図は本発明の一実施例におけるドライエツチング
方法の０２添加に対するエツチング特性を示す図、第６
図は本発明の効果を示す第１図、第２図を得るために用
いた実験試料の断面図である。 １６・・・・・・シリコン系絶縁膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 γ−＋１’−工７ナシτ１〒八１ ｑシ）シＩｓ ４図 ＣＨＦｒ ｋ’ＪｒＪ量（ＣＦ４＋ １５ｎｌ”：Ｏｔ
＋ＣＨＦ５ ） ”ｌ”第５図 ＠ ６ 図
Claims (4)
- （１）プラズマ反応を利用したドライエッチング装置を
用いて、四弗化炭素と三弗化メタンと酸素の混合ガスを
放電し、発生したイオンやラジカルによりシリコン系絶
縁膜をエッチングすることを特徴とするドライエッチン
グ方法。 - （２）シリコン系絶縁膜がＳｉＯ＿２やリンを含んだＳ
ｉＯ＿２、ＳｉＮであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のドライエッチング方法。 - （３）シリコン系絶縁膜がＳｉＯ＿２やリンを含んだＳ
ｉＯ＿２、ＳｉＮから選択した少なくとも二つ以上の多
層膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のドライエッチング方法。 - （４）四弗化炭素に３０〜７０ｖｏｌ％の三弗化メタン
と５〜２５ｖｏｌ％の酸素を混合したガスを用いること
を特徴とした特許請求の範囲第１項記載のドライエッチ
ング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60293789A JPS62154627A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | ドライエツチング方法 |
| KR860010991A KR870006638A (ko) | 1985-12-26 | 1986-12-20 | 드라이 에칭 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60293789A JPS62154627A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154627A true JPS62154627A (ja) | 1987-07-09 |
Family
ID=17799185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60293789A Pending JPS62154627A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | ドライエツチング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154627A (ja) |
| KR (1) | KR870006638A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298181A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH05160077A (ja) * | 1991-12-05 | 1993-06-25 | Sharp Corp | プラズマエッチング方法 |
| US5403436A (en) * | 1990-06-26 | 1995-04-04 | Fujitsu Limited | Plasma treating method using hydrogen gas |
| KR100446447B1 (ko) * | 1996-12-24 | 2004-11-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치제조방법 |
| JP2007258426A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法 |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP60293789A patent/JPS62154627A/ja active Pending
-
1986
- 1986-12-20 KR KR860010991A patent/KR870006638A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298181A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法 |
| US5403436A (en) * | 1990-06-26 | 1995-04-04 | Fujitsu Limited | Plasma treating method using hydrogen gas |
| JPH05160077A (ja) * | 1991-12-05 | 1993-06-25 | Sharp Corp | プラズマエッチング方法 |
| KR100446447B1 (ko) * | 1996-12-24 | 2004-11-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치제조방법 |
| JP2007258426A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR870006638A (ko) | 1987-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1132232C (zh) | 半导体器件制造工艺中的等离子体蚀刻法 | |
| JPS61142744A (ja) | エツチングガス及びこれを用いたエツチング方法 | |
| EP0122776A2 (en) | Dry etching aluminum or aluminum alloy layer | |
| JPS6277485A (ja) | 酸化シリコン薄膜のエツチング方法 | |
| EP0004285A1 (en) | A method of plasma etching silica at a faster rate than silicon in an article comprising both | |
| JPH0555181A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| WO2012124726A1 (ja) | エッチングガスおよびエッチング方法 | |
| JP2002319574A (ja) | 窒化シリコン膜の除去方法 | |
| WO2003077301A1 (fr) | Procede de gravure et appareil de gravure | |
| JPS62154627A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP2017050413A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| US12100601B2 (en) | Etching method with metal hard mask | |
| JPH0794483A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPH10177992A (ja) | 微細コンタクトホールのテーパエッチング方法 | |
| JPS6328995B2 (ja) | ||
| GB2333268A (en) | Selective anisotropic plasma etching of a silicon nitride film using CO and a CHF gas at reduced substrate temperature | |
| JPS61251138A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS61289634A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP2001217230A (ja) | 異方性ドライエッチング方法 | |
| JP2003151956A (ja) | 半導体装置製造工程における窒化シリコン膜のエッチング方法 | |
| JPS58132933A (ja) | 選択ドライエツチング方法 | |
| JPH05217965A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0251987B2 (ja) | ||
| KR100317310B1 (ko) | 반도체소자의콘택홀형성방법 | |
| JP2000349071A (ja) | ケミカルドライエッチング方法 |