JPS61289634A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPS61289634A JPS61289634A JP13224085A JP13224085A JPS61289634A JP S61289634 A JPS61289634 A JP S61289634A JP 13224085 A JP13224085 A JP 13224085A JP 13224085 A JP13224085 A JP 13224085A JP S61289634 A JPS61289634 A JP S61289634A
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- Japan
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- sample
- outer peripheral
- electrode
- lower electrode
- polymer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はプラズマを用いたドライエツチング方法に関す
る。
る。
従来の技術
従来シリコン酸化膜（Ｓ ｉ０２膜）やリンシリカガラ
ス膜（ＰＳＧ膜）はＣＦ４．Ｃ２Ｆ６．ＣＨＦ３等のガ
スを用いて平行平板型ドライエツチング装置でエツチン
グが行なわれていた。
ス膜（ＰＳＧ膜）はＣＦ４．Ｃ２Ｆ６．ＣＨＦ３等のガ
スを用いて平行平板型ドライエツチング装置でエツチン
グが行なわれていた。
発明が解決しようとする問題点
しかし、エツチング中に電極表面及び反応室内壁にポリ
マーが生成し、エツチング速度が徐々に低下するという
問題や、生成したポリマーが試料表面に落下して汚染の
原因になるという問題があった。さらに、生成したポリ
マーを除去するためのクリーニングに多くの時間を要し
生産性を低下させ、クリーニング後しばらくはダスト量
が多いという問題があった。
マーが生成し、エツチング速度が徐々に低下するという
問題や、生成したポリマーが試料表面に落下して汚染の
原因になるという問題があった。さらに、生成したポリ
マーを除去するためのクリーニングに多くの時間を要し
生産性を低下させ、クリーニング後しばらくはダスト量
が多いという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、ポリマーの
生成を極めて少なくしてエツチング速度の低下を防ぎ、
クリーニング頻度を少なくするドライエツチング方法を
提供するものである。
生成を極めて少なくしてエツチング速度の低下を防ぎ、
クリーニング頻度を少なくするドライエツチング方法を
提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のドライエツチング
方法は平行平板電極の一方に試料を載置し、電極上の試
料外周部あるいは外周部と反応室内壁をアルミナ材で被
覆し、エツチングガスを流しつつ両電極間にプラズマを
発生させて試料をドライエツチングするものである。
方法は平行平板電極の一方に試料を載置し、電極上の試
料外周部あるいは外周部と反応室内壁をアルミナ材で被
覆し、エツチングガスを流しつつ両電極間にプラズマを
発生させて試料をドライエツチングするものである。
作 用
本発明者らは、フッ化炭素系ガスあるいは水素を分子内
に含むガスでＳｉｏ２膜やＰＳＧ膜をドライエツチング
する検討中、アルミナ材の上にはポリマーがほとんど生
成しない事を見い出し本発明に散ったものである。即ち
、本発明は試料外周部の電極をアルミナ材で被覆するこ
とにより、試料外周部にポリマーが生成するのを防ぐこ
とができる。さらに１反応室内壁をアルミナ材で被覆す
ることＫより、反応室内壁へのポリマー生成を防ぐこと
ができる。
に含むガスでＳｉｏ２膜やＰＳＧ膜をドライエツチング
する検討中、アルミナ材の上にはポリマーがほとんど生
成しない事を見い出し本発明に散ったものである。即ち
、本発明は試料外周部の電極をアルミナ材で被覆するこ
とにより、試料外周部にポリマーが生成するのを防ぐこ
とができる。さらに１反応室内壁をアルミナ材で被覆す
ることＫより、反応室内壁へのポリマー生成を防ぐこと
ができる。
実施例
以下本発明の一実施例について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例において使用したドライ
エツチング装置である。反応室１、上部電極２、下部電
極３、ガス導入口４．１３．５６Ｍ−１篤の高周波電源
６および真空排気口６から成っている。下部電極３上に
Ｓｔ基板上ＫＰＳＧ膜を厚さ７．０００人形成したシリ
コン基板７を置き、その外周部にアルミナリング（厚さ
３■）を置いた。
エツチング装置である。反応室１、上部電極２、下部電
極３、ガス導入口４．１３．５６Ｍ−１篤の高周波電源
６および真空排気口６から成っている。下部電極３上に
Ｓｔ基板上ＫＰＳＧ膜を厚さ７．０００人形成したシリ
コン基板７を置き、その外周部にアルミナリング（厚さ
３■）を置いた。
上下電極共にアルミニウムを硬質アルマイト処理したも
のを用い、上部電極にはガス導入のため直径０３■の細
孔を多数段けである。まず、反応室をｌＸ１０Ｔｏｒｒ
まで真空排気した後、ガス導入口４から０２Ｆ６ガス
を２０ＳＣＣＭとＣＨＦ３ガスを３０ＳＣＣＭ流し、圧
力をＱ、５Ｔｏｒｒに保った。高周波電力をｅｓｏｏＷ
印加しプラズマを発生させてＰＳＧ膜のエツチングを２
分間行なった。
のを用い、上部電極にはガス導入のため直径０３■の細
孔を多数段けである。まず、反応室をｌＸ１０Ｔｏｒｒ
まで真空排気した後、ガス導入口４から０２Ｆ６ガス
を２０ＳＣＣＭとＣＨＦ３ガスを３０ＳＣＣＭ流し、圧
力をＱ、５Ｔｏｒｒに保った。高周波電力をｅｓｏｏＷ
印加しプラズマを発生させてＰＳＧ膜のエツチングを２
分間行なった。
合計１ｏＯ枚の基板をエツチングした時のエツチング速
度の変化を第２図に示した。曲線ａは本発明のアルミナ
リングを設けた場合の結果であり、エツチング速度の低
下が少ない。反応室内部の下部電極上のアルミナリング
表面にはポリマーはほとんど生成していなかった。比較
のため、アルミナリングを使用せずに前記声施例と同一
条件でＰＳＧ膜のドライエツチングを行なった結果を第
２図の曲線ｂＫ示した。エツチング速度の低下が大きく
、下部電極上のシリコン基板外周部にポリマーが厚さ１
０μｍ以上生成していた。アルミナリングを置いた時の
下地（ＰｏｌｙＳｉ膜）との選択比は８／１．エツチン
グ速度のばらつきは±８％以内であり、アルミナリング
を用いない場合と同等の値が得られた。
度の変化を第２図に示した。曲線ａは本発明のアルミナ
リングを設けた場合の結果であり、エツチング速度の低
下が少ない。反応室内部の下部電極上のアルミナリング
表面にはポリマーはほとんど生成していなかった。比較
のため、アルミナリングを使用せずに前記声施例と同一
条件でＰＳＧ膜のドライエツチングを行なった結果を第
２図の曲線ｂＫ示した。エツチング速度の低下が大きく
、下部電極上のシリコン基板外周部にポリマーが厚さ１
０μｍ以上生成していた。アルミナリングを置いた時の
下地（ＰｏｌｙＳｉ膜）との選択比は８／１．エツチン
グ速度のばらつきは±８％以内であり、アルミナリング
を用いない場合と同等の値が得られた。
以上のように本実施例によれば電極上のシリコン基板外
周部にアルミナリングを設けることＫより、電極上への
ポリマーの生成を抑制することができ、エツチング速度
の低下を防ぐことができ、したがってクリーニングの頻
度も少なくできる。
周部にアルミナリングを設けることＫより、電極上への
ポリマーの生成を抑制することができ、エツチング速度
の低下を防ぐことができ、したがってクリーニングの頻
度も少なくできる。
以下本発明の第２の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第３図は本発明の第２の実施例を示すドライエツチング
装置の概略図である。
装置の概略図である。
同図において第１図と異なるのはアルミナ材９を反応室
１の内壁に設けた事である。上記ドライエツチング装置
を用い、実施例と同一条件でＰｆ３Ｇ膜のドライエツチ
ングを行なった。実施例１に比べてエツチング速度は少
し低下（３，５００人／分）するが、エツチングする基
板の枚数が増えてもエツチング速度はほとんど低下しな
かった。実施例１に比べて反応室内壁へのポリマーの生
成が少なかった。
１の内壁に設けた事である。上記ドライエツチング装置
を用い、実施例と同一条件でＰｆ３Ｇ膜のドライエツチ
ングを行なった。実施例１に比べてエツチング速度は少
し低下（３，５００人／分）するが、エツチングする基
板の枚数が増えてもエツチング速度はほとんど低下しな
かった。実施例１に比べて反応室内壁へのポリマーの生
成が少なかった。
以上のようＫ、反応室内壁もアルミナ材で被覆すること
Ｋより、反応室内壁へのポリマーの生成を防ぎ、それに
よってクリーニング頻度をより少なくすることができる
。
Ｋより、反応室内壁へのポリマーの生成を防ぎ、それに
よってクリーニング頻度をより少なくすることができる
。
なお、実施例１，２ではエツチングガスとしてＣＦ
とＣＨＦ を用いたが、Ｃ３Ｆ８とＣＨＦ３ 。
とＣＨＦ を用いたが、Ｃ３Ｆ８とＣＨＦ３ 。
Ｃ２’６とＣ２Ｈ４Ｆ２等の混合ガスを用いた場合にも
同様の効果が確認された。
同様の効果が確認された。
またＰＳＧ膜と同様にＳ ｉ０２膜をエツチングする場
合にも実施例１．２と同じ効果が得られた。
合にも実施例１．２と同じ効果が得られた。
さらに、ドライエツチング装置で、上下電極間に中間電
極を有する場合にも実施例１．２と同じ効果が得られた
。
極を有する場合にも実施例１．２と同じ効果が得られた
。
発明の効果
以上のように本発明は、電極上の試料の外周部または試
料の外周部と反応室内壁をアルミナ材で被覆することに
よりポリマーの生成を抑制し、それＫよってエツチング
速度の経時的な低下を防ぎ、再現性の良いエツチングが
可能である。またポリマーの生成が少ないことからクリ
ーニングの頻度を少なくし、生産性を高めると共に、ダ
ストの生成を少なくすることができる。
料の外周部と反応室内壁をアルミナ材で被覆することに
よりポリマーの生成を抑制し、それＫよってエツチング
速度の経時的な低下を防ぎ、再現性の良いエツチングが
可能である。またポリマーの生成が少ないことからクリ
ーニングの頻度を少なくし、生産性を高めると共に、ダ
ストの生成を少なくすることができる。
第１図は本発明の第１の実施例におけるドライエツチン
グ装置の概略図、第２図は同実施例のエツチング特性図
、第３図は本発明の第２の実施例におけるドライエツチ
ング装置の概略図である。 ４・・・・・・ガス導入口、６・・・・・・排気口、９
・・・・・・アルミナ材。
グ装置の概略図、第２図は同実施例のエツチング特性図
、第３図は本発明の第２の実施例におけるドライエツチ
ング装置の概略図である。 ４・・・・・・ガス導入口、６・・・・・・排気口、９
・・・・・・アルミナ材。
Claims (1)
- 平行平板電極を使用するドライエッチング方法において
、電極上の試料外周部もしくは試料外周部と反応室内壁
とをアルミナ材で被覆し、電極間にプラズマを発生させ
て試料をエッチングするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132240A JPH0770514B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132240A JPH0770514B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61289634A true JPS61289634A (ja) | 1986-12-19 |
| JPH0770514B2 JPH0770514B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=15076640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60132240A Expired - Lifetime JPH0770514B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770514B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03232226A (ja) * | 1990-02-08 | 1991-10-16 | Fujitsu Ltd | エッチング装置 |
| US5411624A (en) * | 1991-07-23 | 1995-05-02 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma processing apparatus |
| US5637237A (en) * | 1994-03-08 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| JP2007027068A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | New Power Plasma Co Ltd | マルチチャンバプラズマプロセスシステム｛ｍｕｌｔｉｃｈａｍｂｅｒｐｌａｓｍａｐｒｏｃｅｓｓｓｙｓｔｅｍ｝ |
| JP2015076550A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5511818U (ja) * | 1978-07-03 | 1980-01-25 | ||
| JPS5699848U (ja) * | 1979-12-27 | 1981-08-06 |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP60132240A patent/JPH0770514B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5511818U (ja) * | 1978-07-03 | 1980-01-25 | ||
| JPS5699848U (ja) * | 1979-12-27 | 1981-08-06 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5637237A (en) * | 1994-03-08 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| US5798016A (en) * | 1994-03-08 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| JP2007027068A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | New Power Plasma Co Ltd | マルチチャンバプラズマプロセスシステム｛ｍｕｌｔｉｃｈａｍｂｅｒｐｌａｓｍａｐｒｏｃｅｓｓｓｙｓｔｅｍ｝ |
| JP2015076550A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US9093261B2 (en) | 2013-10-10 | 2015-07-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770514B2 (ja) | 1995-07-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |