JPH04186827A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04186827A JPH04186827A JP31670290A JP31670290A JPH04186827A JP H04186827 A JPH04186827 A JP H04186827A JP 31670290 A JP31670290 A JP 31670290A JP 31670290 A JP31670290 A JP 31670290A JP H04186827 A JPH04186827 A JP H04186827A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
引き出し電極形成時に行うコンタクトホールの前処理に
関し。
関し。
半導体基板のエツチングを低く抑えると共に前処理後の
チャンバ内の排気速度を高めることを目的とし。
チャンバ内の排気速度を高めることを目的とし。
半導体基板上に形成された絶縁膜中に開口されたコンタ
クトホール内へ金属を埋め込む前に行う前処理であって
、エツチングガスとしてフッ素を含有するガスを用い、
水素ガスを添加してプラズマエツチングするように構成
する。
クトホール内へ金属を埋め込む前に行う前処理であって
、エツチングガスとしてフッ素を含有するガスを用い、
水素ガスを添加してプラズマエツチングするように構成
する。
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造方法、特に引き出し電極形
成時に行うコンタクトホールの前処理に関する。さらに
詳しくは１半導体基板上に形成された絶縁膜中に開口さ
れたコンタクトホール内へ金属を埋め込む前に行う前処
理に関する。
成時に行うコンタクトホールの前処理に関する。さらに
詳しくは１半導体基板上に形成された絶縁膜中に開口さ
れたコンタクトホール内へ金属を埋め込む前に行う前処
理に関する。
半導体装置では、シリコンなどの半導体基板上に形成さ
れたＳｉｎｇやＰＳＧなどの絶縁膜中に開口されたコン
タクトホールにＡＩなどの金属を埋め込んで引き出し電
極を形成する。
れたＳｉｎｇやＰＳＧなどの絶縁膜中に開口されたコン
タクトホールにＡＩなどの金属を埋め込んで引き出し電
極を形成する。
その際、コンタクトホール内に露出した半導体基板の表
面は自然酸化膜などが被着しているので。
面は自然酸化膜などが被着しているので。
清浄にする必要がある。
従来、ＨＦ溶液などの薬液中に浸漬することによって、
この前処理を行っていた。
この前処理を行っていた。
しかし、この方法には次のような欠点がある。
（１）等方性エツチングであるため、コンタクトホール
の形状を維持することができない。
の形状を維持することができない。
（２） コンタクトホールが微細な場合、前処理後に
薬液の分子がコンタクトホール内に残留する。
薬液の分子がコンタクトホール内に残留する。
（３）前処理後の水洗時に再酸化がおこり、特に高融点
金属を埋め込む場合などにおいて、侵食などが生しる。
金属を埋め込む場合などにおいて、侵食などが生しる。
これらの欠点を克服するために、インサイチュ−（ｉｎ
−ｓｉｔｕ）のドライ前処理技術が提案された。
−ｓｉｔｕ）のドライ前処理技術が提案された。
具体的には、エンチングガスとしてハロゲン化物を用い
たＲＩＥを前処理として用いることが試みられている。
たＲＩＥを前処理として用いることが試みられている。
〔発明が解決しようとする課題］
しかしながら、エツチングガスとしてハロゲン化物を用
いたＲＩＥによる前処理には２次の問題点がある。
いたＲＩＥによる前処理には２次の問題点がある。
（１）ＳｉＯｚに比べてシリコンのエツチング速度が２
〜５倍程度高いため、シリコン基板上の拡散層を大きく
エンチングしてしまう。
〜５倍程度高いため、シリコン基板上の拡散層を大きく
エンチングしてしまう。
（２）残留ガスのために前処理後のチャンバ内の排気速
度が大変に遅く、スループントを低下させる。
度が大変に遅く、スループントを低下させる。
本発明は、これらの問題点を解決して、半導体基板のエ
ツチングを低く抑えると共に前処理後のチャンバ内の排
気速度を高めた。半導体装置の製造方法、特に引き出し
電極形成時に行うコンタクトホールの前処理技術を提供
することを目的とする。
ツチングを低く抑えると共に前処理後のチャンバ内の排
気速度を高めた。半導体装置の製造方法、特に引き出し
電極形成時に行うコンタクトホールの前処理技術を提供
することを目的とする。
上記の目的を達成するために１本発明に係る半導体装置
の製造方法は、半導体基板上に形成された絶縁膜中に開
口されたコンタクトホール内へ金属を埋め込む前に行う
前処理であって、エツチングガスとしてフッ素を含有す
るガスを用い、水素ガスを添加してプラズマエンチング
するように構成する。
の製造方法は、半導体基板上に形成された絶縁膜中に開
口されたコンタクトホール内へ金属を埋め込む前に行う
前処理であって、エツチングガスとしてフッ素を含有す
るガスを用い、水素ガスを添加してプラズマエンチング
するように構成する。
（作 用〕
フッ素を含有するガスとしてＮＦ３を用いた場合のシリ
コンの工・７チング速度を第１図に示す。
コンの工・７チング速度を第１図に示す。
・印が本発明のように水素ガスを添加した場合である。
同図には、比較のために、Ｈｅガスを添加した場合とガ
スを添加しなかった場合とが、それぞれＯ印およびＸ印
で示しである。
スを添加しなかった場合とが、それぞれＯ印およびＸ印
で示しである。
第１図から、ＮＦ３ガスに水素ガスを添加するとシリコ
ンのエツチング速度が低下することがわかる。
ンのエツチング速度が低下することがわかる。
また、ＮＦ：ｌガスに水素ガスを添加すると前処理エツ
チング後のチャンバ内の排気速度が速くなるが、これは
次の理由によると考えられる。
チング後のチャンバ内の排気速度が速くなるが、これは
次の理由によると考えられる。
エツチングは。
ＮＦ、 → Ｎ＋Ｆ”
という反応によって生成されるＦ”により行われこのと
き、水素ガスが添加されていると。
き、水素ガスが添加されていると。
Ｎ Ｆ ３ ＋ Ｈｚ → Ｎ＋ＨＦという反応も生
しるので、Ｆ”はチャンバ内に残留せずに、ＨＦとして
速やかに排気される。
しるので、Ｆ”はチャンバ内に残留せずに、ＨＦとして
速やかに排気される。
〔実 施 例］
本発明では、エツチングガスとしてフッ素を含有するガ
スを用い、水素ガスを添加しているが。
スを用い、水素ガスを添加しているが。
添加する水素ガスの量は、流量比で１〜１００倍程度に
とる。
とる。
以下に本発明の一実施例を示す。
基板 ：８１
絶縁膜 ：３１０□
圧力 ： ２６ ｍ ＴｏｒｒＲＦパワー
＝１０Ｗ （１３，５６Ｍ Ｈｚ ） ＮＦ３ ：５ｓｅｃｍ Ｈｚ ：１０１００５ｅ エンチング時間：６０ｓｅｃ このときのＳｉＯ２のエツチング速度は、５０人／ｍｉ
ｎであった。
＝１０Ｗ （１３，５６Ｍ Ｈｚ ） ＮＦ３ ：５ｓｅｃｍ Ｈｚ ：１０１００５ｅ エンチング時間：６０ｓｅｃ このときのＳｉＯ２のエツチング速度は、５０人／ｍｉ
ｎであった。
水素ガス添加による効果をまとめると５次の表のように
なる。
なる。
排気速度：エソチング後チャンバ内を
Ｉ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒまで引くのに要する時間本発
明は、引き出し電極形成時の前処理のみならず、ＣＶＤ
成膜リアクタのクリーニングに適用してもよい。その場
合、リアクタ内の排気をスムーズに行うことができる。
明は、引き出し電極形成時の前処理のみならず、ＣＶＤ
成膜リアクタのクリーニングに適用してもよい。その場
合、リアクタ内の排気をスムーズに行うことができる。
本発明によれば、半導体基板上に形成された絶縁膜中に
開口されたコンタクトホール内へ金属を埋め込む前に行
う前処理において、半導体基板のエツチングを低く抑え
ると共に前処理後のチャンバ内の排気速度を高めること
が可能になる。
開口されたコンタクトホール内へ金属を埋め込む前に行
う前処理において、半導体基板のエツチングを低く抑え
ると共に前処理後のチャンバ内の排気速度を高めること
が可能になる。
その結果、スループントを高めることが可能になる。
第１図はＳｉの工、チング速度を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上に形成された絶縁膜中に開口されたコンタ
クトホール内へ金属を埋め込む前に行う前処理であって
、 エッチングガスとしてフッ素を含有するガスを用い、水
素ガスを添加してプラズマエッチングする ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31670290A JPH04186827A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31670290A JPH04186827A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04186827A true JPH04186827A (ja) | 1992-07-03 |
Family
ID=18079949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31670290A Pending JPH04186827A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04186827A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458295B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택플러그형성방법 |
| KR100838502B1 (ko) * | 2000-10-25 | 2008-06-17 | 소니 가부시끼 가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP31670290A patent/JPH04186827A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458295B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택플러그형성방법 |
| KR100838502B1 (ko) * | 2000-10-25 | 2008-06-17 | 소니 가부시끼 가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
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