JPH0770511B2 - 二酸化珪素への改良された選択性を有する単結晶シリコンのためのプラズマエッチングプロセス - Google Patents

二酸化珪素への改良された選択性を有する単結晶シリコンのためのプラズマエッチングプロセス

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JPH0770511B2
JPH0770511B2 JP59503942A JP50394284A JPH0770511B2 JP H0770511 B2 JPH0770511 B2 JP H0770511B2 JP 59503942 A JP59503942 A JP 59503942A JP 50394284 A JP50394284 A JP 50394284A JP H0770511 B2 JPH0770511 B2 JP H0770511B2
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 発明の分野 この発明は一般に半導体ウエハおよびそれに類似するも
ののプラズマエッチングにおいて有用なガス状組成に関
しかつ上述の組成物を用いて半導体ウエハおよびそれら
に類似するものをエッチングする方法に関する。
背景および先行技術の論述 方向性を有するイオンによるプラズマエッチング（反応
性イオンエッチング）は半導体ウエハおよびそれに類似
するものにおいて通常スロットの性質を帯びた窪みを形
成するための周知の技術である。このようなスロットは
近接する回路構成の間における障壁として役立ち必要と
する電気的絶縁を付与する。これらのスロットは必要と
される保全状態もたらすためにたとえば無定型シリコン
により通常満たされる。
半導体ウエハまたはそれに類似するもののプラズマエッ
チングの前に、マスキング層が選択された深さにエッチ
ングされるべきウエハの表面を覆って形成される。その
後、フォトレジスタ層がマスキング層の上に設けられ
る。次に、所望のパターンがフォトレジストはそれから
マスキング層の一部の部分しかし全部ではない部分を露
出する一連の谷をフォトレジスタ層に設けるために現像
される。その後、湿式ケミカルまたはプラズマエッチン
グは谷の領域におけるマスキング層を浸蝕するために用
いられる。これはその中に窪みまたはスロットを形成す
ることが望まれているウエハの表面上の領域を露出す
る。
上述のプロセスを遂行することにおいて、ウエハの表面
に形成されるべきどのような窪みもマスキング層のエッ
ジによって鋭く規定されるようにウエハ上に設けられる
マスキング層をできるだけ薄くすることが一般に望まし
い。
マスキング層に必要とされる開孔が上述のように形成さ
れると、フォトレジスタ層の適当な溶媒を用いて一般に
洗い落される。その後、反応性イオンエッチングがウエ
ハの表面に所望の窪みを異方的にあけるために利用され
る。
プラズマエッチング種はエッチングされるウエハの表面
に対してほぼ直交する方向に向けられる。それらはマス
キング層の設けられている窪みの中に衝突するばかりで
なくマスキング層の表面上をも衝突する。これはウエハ
と同様マスキング層を浸蝕する効果を有する。一般的
に、プラズマは通常１に対して約５の係数でもってマス
キング層をエッチングするよりもウエハをエッチングす
るために一層選択的である。この結果として、たとえ
ば、1.5ミクロンの厚みの二酸化珪素酸化層を用いて開
始したとき窪みはシリコンウエハの中に約５ミクロンの
深さで形成され、一方約0.5ミクロンの二酸化珪素の層
をそのプロセスの終わりになお保つ。しかしながら、深
い窪みはその二酸化珪素の層がかなり厚く形成されてい
なければより深い窪みは形成されない。上述したよう
に、これは窪みの形状の輪郭を少なくしかつ一般的に好
ましくはない。それでもなお、或る場合においてはこれ
らの通常形成させるものよりも比較的深い窪みを有する
ことが必要である。
シリコンの反応性スパッタエッチングにおいて、約5.5
〜約６％の四塩化珪素または約25％から約31％の塩素の
ような大量の塩素を供給する化合物とともにモルで約0.
5％から約18％の酸素が用いられる。このプロセスはク
リストファ・エム・ホルウィッツによる1981年11月の
“大変低いマスク材料のエッチング速度を有するシリコ
ン反応性のスパッタエッチング（Reactive Sputter Etc
hing of Silicon With Very Low Mask−Material Etch
Rates）",アイイ−イ−イ− トランザクションズ オ
ン エレクトロン デバイス（IEEE Transactions on
Electron Devices）.ED−28巻,No.11において議論され
ている。本質的に、この参照のプロセスはそのスロット
が形成されるときスロットの壁部上への二酸化珪素の析
出をもたらす。塩素を供給する化合物の量に比例して酸
素の量は十分高く、そのため二酸化珪素が形成されかつ
塩素によるエッチングから壁部を保護する。堆積酸化マ
スキング層は比較的高い酸素の存在量により生じる二酸
化珪素の再析出のために大変ゆっくりとアタックされ
る。アルゴンはスロットの底部でシリコンを無反応的に
スパッタしかつ塩素はスロットを底部でのみ実質的に反
応する。その結果は二酸化珪素に対立するものとしてシ
リコンに対しての高い選択性である。しかしながら、実
質的に望ましくない二酸化珪素の層がスロットの壁部上
に形成される。これは後で除去されなければならない。
発明の要約 この発明の目的はプラズマエッチングに有用でありかつ
二酸化珪素のエッチングと比べてシリコンのエッチング
に対して高度に選択的な物質の構成を提供することであ
る。
この発明の他の目的は、通常用いられる厚さ以上に二酸
化珪素の層の厚みを実質的に増すことなく、二酸化珪素
層を用いてマスクされたシリコンウエハに比較的深い窪
みを形成する方法を提供することである。
この発明のさらに他の目的は窪みのために望まれる形状
を保つと同時に二酸化珪素によりマスクされたシリコン
ウエハの中に比較的深い窪みを設ける比較的高速度のエ
ッチングプロセスを提供することである。
この発明の付加的な目的，利点および新規な特徴は以下
に続く説明で幾分明らかにされ、かつ幾分以下の調査の
上で当業者に明らかとなりまたはこの発明の実施によっ
て習得されるであろう。この発明の目的および利点は添
付されたクレームに特に指摘されている手段および構成
により理解されかつ獲得される。
発明の陳述 この発明の上述のおよび他の目的は、塩素，半導体ウエ
ハに形成される窪みの形状をするための形状修正種およ
び特に必要とされる量だけの成分を有しその組成物をマ
スキング層をエッチングすることに対してよりもウエハ
をエッチングすることに対して少なくとも約10倍効果的
にするエッチング選択性増強剤（エンハンサ）とを含む
プラズマエッチング組成物の使用のために実施されかつ
ここで述べられているようにこの発明の目的に従って成
し遂げられる。このような組成物はプラズマエッチング
方法に利用され、マスキング層およびウエハの表面に対
してほぼ直角に向かうプラズマを含むイオン中に形成さ
れ、マスキング層に設けられている開孔を通過して、選
択された深さまでウエハをエッチングする。この発明の
方法においてはプレエッチングのステップが比較的高い
バイアス電圧−比較的高いエネルギプラズマエッチング
条件の下での塩素と形状修正種とを利用ししかしエッチ
ング選択性増強種を含まないで遂行されることが好まし
い。この発明の選択的プラズアエッチングのステップが
成し遂げられた後、なお一層のエッチングステップが比
較的低いバイアス電圧−比較的低いエネルギプラズマエ
ッチング条件を用いて塩素を含みしかし形状修正種とエ
ッチング選択性増強種の両者をほとんど含まないプラズ
マを用いて付加的な深さまで遂行されることがさらに好
ましい。
引出される利益および有利性を論述 この発明の組成物および方法を用いてウエハにスロット
をエッチングするとにより、エッチングすることが望ま
れていないウエハ表面の部分を覆うマスキング層を浸食
する同じ量に対して従来技術のプラズマエッチング組成
物を用いるよりも比較的深いスロットガが与えられる。
プレエッチングのステップとポストエッチングのステッ
プの両方の利用がされるこの発明の好ましい実施例を利
用すれば、それについて壁部が十分に真っ直ぐでかつ平
行であるようにスロットの形状を制御可能である、そし
てまた無定型シリコンのような材料がスロットを満たす
ために用いられた後ウエハに応力点をもたらす尖端や頂
部を含まないようにスロットの底部の形状を制御可能で
ある。
図面の簡単な説明 この発明の明細書に組み入れられかつ明細書の一部を構
成する添付図面は、この発明の一実施例を示し、明細書
とともにこの発明の原理を説明するのに役立つ。
図において： 第１図はウエハのいかなるプラズマエッチングの前にお
いてその上にマスキング層を有しその中に開孔を有する
半導体ウエハの側面断面図である。
第２図はその中に仮の深さまでのスロットを有するマス
クされたウエハを示す第１図と同様の図である。
第３図はスロットが第２図の深さ以上に一層深い深さま
で拡大されたこの発明によるマスクされたウエハを示す
第１図および第２図と同様の図である。
第４図はこの発明によるウエハであるがしかしここでス
ロットが全体的に選択された深さまでエッチングされた
第1,2および３図と同様の図である。
発明の詳細な説明 この発明の好ましい実施例すなわち添付図面に示されて
いる１つの例について詳細に言及が今やなされるであろ
う。
第１図は下部またはフィールド酸化層14、中間の窒化層
16および上部の堆積酸化層18を含むマスク12により覆わ
れた半導体ウエハ10を示す。フィールド酸化層14はウエ
ハ10に高温で酸素および／または蒸気を接触することに
より慣用的に形成され得る。窒化層16および堆積酸化層
18は化学堆積法（chemical vapor deposition）により
連続的に慣用的に形成され得る。マスク12は望まれる深
さの（第２−５図に示す）窪み24を形成するためにエッ
チングされるべきウエハ10の部分22をそれを通じて露出
する開孔20を含む。
この発明によれば、特別のプラズマエッチング組成物が
半導体ウエハ10の中に窪み24を配向された異方性反応性
イオンによりエッチングするために利用される。この発
明の中心はこの新規なプラズマエッチングの組成物にあ
る。その組成物は約40％から約90％の量好ましくは約50
％から約70％の塩素と、約10％から約60％好ましくは約
30％から約50％の量の形状修正種と、その組成物をマス
キング層12のエッチングに対しその少なくとも約10倍ウ
エハたとえばシリコンのエッチングに対して効果的にす
るのに十分な量だけのエッチング選択性エンハンサとを
含む、上述のすべてのパーセントはモルで表わされてい
る。
形状修正種は多数の異なる組成物のうちどのようなもの
でもよい。たとえば、形状修正種はアルゴン，他の希ガ
ス，水素，窒素およびフッ化物を含まない三ハロゲン化
硼素，四ハロゲン化珪素，六ハロゲン化硫黄および四ハ
ロゲン化炭素からなるグループから選択されてよい。形
状修正種は窪み24の壁部26が比較的垂直でかつ互いに比
較的平行であることを保証するために役立つ。
塩素は塩素自体として付加されてもよい。代わりに、三
塩化硼素，四塩化珪素，六塩化硫黄または四塩化炭素の
ような塩素を生じる化合物が単独で、互いに組合わせて
または塩素と組合わせて塩素を供給するのに役立ち得
る。後者の場合には、塩素を生じる化合物はまた形状修
正種として役立ち得る。
この発明の組成物の一部としてあるべきエッチング選択
性エンハンサはマスキング層12（一般的には二酸化珪
素）に対立するものとしてウエハ10（一般的にシリコ
ン）をエッチングするためにプラズマの選択性を増大さ
せるために役立つ。一般的に言って、マスキング層に対
するウエハのエッチングの比率（直線的）は約５対１の
比率である。これはシリコンウエハの処理における様々
な後のステップにとって、窒化珪素層16がプラズマエッ
チングの処理によって浸蝕されないことは重要であるの
で、堆積酸化層18の厚みは窪み24について望まれる深さ
の20％よりも幾分か厚くならなければならないことを意
味している。
この発明によれば、酸素が効果的なエッチング選択性エ
ンハンサであることが見い出される。酸素はそれ自体と
してまたは酸素を供給するために用いられるプラズマエ
ッチングの条件の下で酸素を生じる化合物として付加さ
れてもよい。上述において示されたように塩素を生じる
化合物と形状修正種とを含むプラズマエッチングの組成
物に酸素が存在するとき、堆積酸化層18から取り除かれ
る二酸化珪素の量に対する窪み24から取り除かれるシリ
コンの量の比率はほぼ少なくとも約10対１であり通常は
約16対１である。これは堆積酸化層18の同じ厚みに対し
ウエハ10に形成されるべき一層深い窪み24を許容する。
酸素は窪み24の壁部26上に二酸化珪素の析出を導くのに
十分な量存在すべきではない。一般的に言って、酸素は
モルで約５％以上の量存在すべきではなく、わずか約３
％の酸素がさらに好ましく、約２％の酸素がなお一層さ
らに好ましい。壁部26上への二酸化珪素の形成および窪
み24の底部28における石筍のような劣端の形成に導くの
で多量の酸素を用いることは望ましくない。実際、マス
キング層12のエッチングに対立するものとしてウエハ10
のエッチングのために選択性の必要とされる量をなお維
持すると同時に酸素の量をできるだけ低くすることが一
般的に最善である。
この発明のプラズマエッチングの組成物はウエハ中に所
望の深さで窪み24を設けるために単一ステップにおいて
利用され得る。しかしながら、もしこのことが成し遂げ
られると、窪み24の底部28はいくつかの石筍のような尖
端を含むことが注目された。これはエッチング選択性エ
ンハンサとして比較的少量の酸素を用いることにより最
小にされ得る。
この発明の一実施例に従って、プレエッチングのステッ
プは第２図に示すように、最終的に望まれる深さのほぼ
約30％から50％の仮の深さまで窪み24を拡張するために
遂行される。この予備的なステップは比較的高いバイア
ス電圧−比較的高いエネルギプラズマエッチングの条件
を用い塩素と形状修正種とを含みしかしエッチング選択
性エンハンサをほとんど含まないで好ましくは遂行され
る。プレエッチングのステッブにおいては酸素は存在し
ないので、窪み24の底部28にいかなる石筍のような構造
の形成が問題となることはない。比較的高いバイアス電
圧−比較的高いエネルギのプラズマエッチング条件が利
用されるので、窪み24は比較的短い時間に仮の深さまで
拡張され得る。
比較的高いバイアス電圧−比較的高いエネルギおよび比
較的低いバイアス電圧−比較的低いエネルギという用語
はここで反応性イオンエッチングの条件を述べるために
用いられている。比較的高いバイアス電圧−比較的高い
エネルギという用語は少なくとも約180ボルトのバイア
ス電圧を示すために用いられている。比較的低いバイア
ス電圧−比較的低いエネルギという用語は多くて約180
ボルトのバイアス電圧を示すために用いられている。ト
クダ（Tokuda）TRIE−303平行板バッチ反応器がここで
述べられているプラズマエッチングを遂行することに用
いられた。このような装置においてはウエハ10は相対す
る接地電極に関して負バイアスを有する電極上に位置す
る。同様な結果が他の商業的に有用なバッチ反応器によ
り得られている。
第３図はこの発明のプラズマエッチング組成物すなわち
上述した塩素，形状修正種およびエッチング選択性エン
ハンサを用いて窪み24（第１図）を選択的にプラズマエ
ッチングすることにより仮の深さから選択された深さま
で窪み24が拡大された状態を示す。仮の深さから選択さ
れた深さへの距離は一般的に言って最終的に望まれる深
さの約30％から約50％である。選択的プラズマエッチン
グのステップの状態はプレエッチングのステップの状態
と同様比較的高いバイアス電圧−比較的高いエネルギプ
ラズマのエッチング条件でよい。このことはそのステッ
プが比較的短い時間に遂行されるようにする。
この発明のプラズマエッチングの組成物の選択性が高い
ことから、堆積酸化層は仮の深さから選択された深さま
でのエッチングの間にウエハ10が除去される程度の10分
の１またはそれ以下だけ侵食される。この発明の実施に
対して10対１の選択性が十分であると考えられる一方、
この発明の組成物がほぼ２％の酸素，ほぼ60％の塩素お
よびほぼ40％のアルゴンを含むとき約16から17対１の選
択性が実質的に測定されている。
この発明の好ましい実施例によれば、第４図に示すよう
に、ウエハ10は次に好ましくは第３図に示すような選ば
れた深さから第４図に示すような実質的に望まれる深さ
までさらにエッチングされる。このことはなお一層のエ
ッチングステップを遂行することによって成し遂げら
れ、窪み24は比較的低いバイアス電圧−比較的低いエネ
ルギプラズマエッチング条件を用いて（Cl2として導入
された）塩素を含みしかし形状修正種とエッチング選択
性エンハンサの両者をほぼ含まないプラズマにより第４
図に示すようにほぼ所望の深さまで拡大される。このな
お一層のエッチングステップはエッチングが比較的低い
バイアス電圧−比較的低いエネルギのプラズマエッチン
グの条件の下で比較的緩慢であるので全体のステップを
幾分遅くするが、それは窪み24の底部28が比較的滑らか
でありかつ劣端，頂部および他の異常がないという結果
をもたらす。
プレエッチングのステップ，選択的プラズマエッチング
のステップおよび上述したなお一層のエッチングステッ
プの次に、窪み24からシリコンのたとえば250オングス
トロームから750オングストロームの薄い層を湿式化学
的に除去することは望ましいことが注目されるであろ
う。
そのような層はプラズマエッチングのステップにより一
般的に損傷されているからである。このことは、上述し
たなお一層のエッチングステップの次に湿式ケミカルエ
ッチングのステップを付加することにより成し遂げられ
る。この湿式ケミカルエッチングのステップは窪み24に
湿式ケミカルエッチングの流体を接触することからな
る。この湿式ケミカルエッチング流体は窪み24からシリ
コンの所望の厚みたとえば250オングストロームから750
オングストロームを侵食するように選択される。その
後、ケミカルエッチング流体は窪み24から洗浄される。
好ましいかつ有用な湿式ケミカルエッチング流体は一般
的に酸性のフッ化物を含む溶液から構成される。この流
体はさらにヨウ素を含むことができる。第１表は多数の
有用な湿式エッチング流体を示す。
この発明の好ましい実施例の上述の説明は例証および説
明の目的のために示されている。開示されたまさにその
形態に徹底的であるべきことはまた開示されたまさにそ
の形態にこの発明を制限するように意図されているので
はなく、明らかに多くの修正と変更とが上述の教示に照
らして可能である。この実施例な期待される特別の使用
に適用するように様々な実施例においてかつ様々な修正
をもって他の当業者がこの発明を最良に利用することが
できるように発明の原則とその実際的な適用を最もよく
説明するために選択されかつ説明されている。この発明
の範囲はここで添付されている請求の範囲によって規定
されるように意図される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−169932（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−119177（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−168261（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−78427（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−168261（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−78427（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−60236（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−125838（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−81945（ＪＰ，Ｕ)

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】マスキング層によって覆われた半導体ウエ
    ハをエッチングするためのプラズマの形態に有用なプラ
    ズマエッチング組成物であって、 モルパーセントで、40％から90％の量の塩素、 10％から60％の量の形状修正種および、 マスキング層をエッチングする場合と比較してウエハを
    エッチングするのが少なくとも10倍も組成物を効果的に
    する程の量であって、かつ、前記組成物がシリコンウエ
    ハをエッチングするために使用されるとき二酸化珪素を
    堆積させない程度の量のエッチング選択性増強剤とを含
    むプラズマエッチング組成物。
  2. 【請求項２】前記塩素はプラズマエッチング状態の下で
    塩素を生じる化合物からプラズマ中に生成される、請求
    の範囲第１項記載のプラズマエッチング組成物。
  3. 【請求項３】前記エッチング選択性増強剤は、酸素また
    はプラズマエッチング状態の下で酸素を生成する化合物
    を含む、請求の範囲第１項記載のプラズマエッチング組
    成物。
  4. 【請求項４】前記形状修正種はアルゴン，クリプトン，
    キセノン，ヘリウム，水素，窒素ならびに三ハロゲン化
    硼素（但、三フッ化硼素を除く），四ハロゲン化珪素
    （但、四フッ化珪素を除く），六ハロゲン化硫黄（但、
    六フッ化硫黄を除く）および四ハロゲン化炭素（但、四
    フッ化炭素を除く）からなるグループから選択される、
    請求の範囲第３項記載のプラズマエッチング組成物。
  5. 【請求項５】前記マスキング層は二酸化珪素から構成さ
    れる、請求の範囲第４項記載のプロズマエッチング組成
    物。
  6. 【請求項６】マスキング層によりマスクされた半導体ウ
    エハをエッチングする方法であって、 前記マスキング層は所望の深さの窪みを形成するために
    エッチングされるべき前記ウエハの部分をそれを通じて
    露出する開孔を有し、 モルパーセントで、40％から90％の量の塩素と、10％か
    ら60％の量の形状修正種と、マスキング層をエッチング
    する場合と比較してウエハをエッチングするのが少なく
    とも10倍も組成物を効果的にする程の量であって、か
    つ、前記選択的プラズマエッチングのステップの間に二
    酸化珪素の析出を生じさせない程度の量のエッチング選
    択性増強剤とを含むプラズマを用いて、選択された深さ
    まで前記ウエハの前記部分を選択的にプラズマエッチン
    グする、半導体ウエハをエッチングする方法。
  7. 【請求項７】前記塩素はプラズマエッチングの状態の下
    で塩素を生じる化合物からプラズマ中に生成される、請
    求の範囲第６項記載の方法。
  8. 【請求項８】前記形状修正種はアルゴン，クリプトン，
    キセノン，ヘリウム，水素，窒素ならびに三ハロゲン化
    物（但、三フッ化物を除く），三ハロゲン化硼素（但、
    三フッ素硼素を除く），四ハロゲン化珪素（但、四フッ
    化珪素を除く），六ハロゲン化硫黄（但し、六フッ化硫
    黄を除く）および四ハロゲン炭素（但、四フッ化炭素を
    除く）を構成するグループから選択される、請求の範囲
    第６項記載の方法。
  9. 【請求項９】前記エッチング選択性増強剤は、酸素また
    はプラズマエッチング条件の下で酸素を生成する化合物
    を含む、請求の範囲第８項記載の方法。
  10. 【請求項１０】前記マスキング層は二酸化珪素により構
    成される、請求の範囲第６項記載の方法。
  11. 【請求項１１】マスキング層によりマスクされた半導体
    ウエハをエッチングする方法であって、 前記マスキング層は所望の深さを窪みを形成するために
    エッチングされるべき前記ウエハの部分をそれを通じて
    露出する開孔を有し、 モルパーセントで、40％から90％の量の塩素と、10％か
    ら60％の量の形状修正種と、マスキング層をエッチング
    する場合と比較してウエハをエッチングするのが少なく
    とも10倍も組成物を効果的にする程の量のエッチング選
    択性増強剤とを含むプラズマを用いて、前記所望の深さ
    よりも浅くなるように選択された深さまで前記ウエハの
    前記部分を選択的にプラズマエッチングするステップ
    と、 180ボルト未満のバイアス電圧を用いて、塩素を含みか
    つ前記形状修正種と前記エッチング選択性増強剤とをほ
    とんど含まないプラズマにより、前記部分を前記所望の
    深さまでさらにエッチングするステップとを含む、半導
    体ウエハをエッチングする方法。
  12. 【請求項１２】マスキング層によりマスクされた半導体
    ウエハをエッチングする方法であって、 前記マスキング層は所望の深さの窪みを形成するために
    エッチングされるべき前記ウエハの部分をそれを通じて
    露出する開孔を有し、 少なくとも180ボルトのバイアス電圧を用いて、塩素と
    形状修正種とを含むがエッチング選択性増強剤をほとん
    ど含まないプラズマにより、前記所望の深さより浅い第
    １の深さまで前記部分をプレエッチングするステップ
    と、 モルパーセントで、40％から90％の量の塩素と、10％か
    ら60％の量の形状修正種と、マスキング層をエッチング
    する場合と比較してウエハをエッチングするのが少なく
    とも10倍も組成物を効果的にする程の量のエッチング選
    択性増強剤とを含むプラズマを用いて、前記所望の深さ
    よりも浅く前記第１の深さよりも深い第２の深さまで前
    記ウエハの前記部分を選択的にプラズマエッチングする
    ステップと、 180ボルト未満のバイアス電圧を用いて、塩素を含みか
    つ前記形状修正種と前記エッチング選択性増強剤とをほ
    とんど含まないプラズマにより、前記部分を前記所望の
    深さまでさらにエッチングするステップとを含む、半導
    体ウエハをエッチングする方法。
  13. 【請求項１３】マスキング層によりマスクされた半導体
    ウエハをエッチングする方法であって、 前記マスキング層は所望の深さの窪みを形成するために
    エッチングされるべき前記ウエハの部分をそれを通じて
    露出する開孔を有し、 少なくとも180ボルトのバイアス電圧を用いて、塩素と
    形状修正種とを含むがエッチング選択性増強剤をほとん
    ど含まないプラズマにより、前記所望の深さより浅い仮
    の深さまで前記部分をプレエッチングするステップと、 モルパーセントで、40％から90％の量の塩素と、10％か
    ら60％の量の形状修正種と、マスキング種をエッチング
    する場合と比較してウエハをエッチングするのが少なく
    とも10倍も組成物を効果的にする程の量のエッチング選
    択性増強剤とを含むプラズマを用いて、前記仮の深さよ
    り深い選択された深さまで前記ウエハの前記部分を選択
    的にプラズマエッチングするステップとを含む、半導体
    ウエハをエッチングする方法。
  14. 【請求項１４】マスキング層によりマスクされた半導体
    ウエハをエッチングする方法であって、 前記マスキング層は所望の深さの窪みを形成するために
    エッチングされるべき前記ウエハの部分をそれを通じて
    露出する開孔を有し、 モルパーセントで、40％から90％の量の塩素と、10％か
    ら60％の量の形状修正種と、マスキング種をエッチング
    する場合と比較してウエハをエッチングするのが少なく
    とも10倍も組成物を効果的にする程の量のエッチング選
    択性増強剤とを含むプラズマを用いて、選択された深さ
    まで前記ウエハの前記部分を選択的にプラズマエッチン
    グして窪みを形成するステップと、 前記窪みに湿式ケミカルエッチング流体を接触し、前記
    流体は前記窪みからウエハの所望の厚みを浸食するため
    に選択され、前記接触により前記窪みから前記所望の厚
    みが浸食され、その後前記窪みから前記ケミカルエッチ
    ング流体の洗浄するステップとを含む、半導体ウエハを
    エッチングする方法。
  15. 【請求項１５】前記湿式ケミカルエッチング流体は酸性
    フッ化溶液を含む、請求の範囲第14項記載の方法。
  16. 【請求項１６】前記湿式ケミカルエッチング流体はさら
    にヨウ素を含む、請求の範囲第15項記載の方法。
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