JP2574094B2 - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JP2574094B2 JP2574094B2 JP4041567A JP4156792A JP2574094B2 JP 2574094 B2 JP2574094 B2 JP 2574094B2 JP 4041567 A JP4041567 A JP 4041567A JP 4156792 A JP4156792 A JP 4156792A JP 2574094 B2 JP2574094 B2 JP 2574094B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- hbr
- polysilicon
- chlorine
- bias voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 36
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 21
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 20
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 7
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 15
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910003691 SiBr Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000002633 protecting effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- AJDIZQLSFPQPEY-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-Trichlorotrifluoroethane Chemical compound FC(F)(Cl)C(F)(Cl)Cl AJDIZQLSFPQPEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
- H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造分野、特に
２００オングストローム以下程度の薄いＳｉＯ2膜上に
ポリシリコン(以下、ポリシリコンとはアンドープドポ
リシリコン及びドープドポリシリコンも含むものとす
る)を寸法精度よく形成することが必要なゲート構造の
形成等の分野に利用される電子サイクロトロン共鳴エッ
チング法またはマイクロ波プラズマエッチング法による
エッチング方法に関するものである。更に詳しくは、本
発明は、下地となるＳｉＯ2膜が段差を有する場合にも
好適なポリシリコンのエッチング方法に関するものであ
る。
２００オングストローム以下程度の薄いＳｉＯ2膜上に
ポリシリコン(以下、ポリシリコンとはアンドープドポ
リシリコン及びドープドポリシリコンも含むものとす
る)を寸法精度よく形成することが必要なゲート構造の
形成等の分野に利用される電子サイクロトロン共鳴エッ
チング法またはマイクロ波プラズマエッチング法による
エッチング方法に関するものである。更に詳しくは、本
発明は、下地となるＳｉＯ2膜が段差を有する場合にも
好適なポリシリコンのエッチング方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子サイクロトロン共鳴(以下、
ＥＣＲと記載する)エッチング法あるいはマイクロ波プ
ラズマエッチング法を利用してシリコン基板上にポリシ
リコンを寸法精度良く形成するためのエッチングにおい
ては、フロン１１３(Ｃ2Ｃｌ3Ｆ3)や、これに少量の６
フッ化イオウ(ＳＦ6)を添加したプロセスガスが用いら
れていたが、Ｃ2Ｃｌ3Ｆ3はオゾン層破壊の原因物質と
して使用禁止の方向に向かっており、これに代わる技術
として塩素単独や塩素に１０％以下程度の少量のＳＦ6
を添加したプロセスガスが用いられている。
ＥＣＲと記載する)エッチング法あるいはマイクロ波プ
ラズマエッチング法を利用してシリコン基板上にポリシ
リコンを寸法精度良く形成するためのエッチングにおい
ては、フロン１１３(Ｃ2Ｃｌ3Ｆ3)や、これに少量の６
フッ化イオウ(ＳＦ6)を添加したプロセスガスが用いら
れていたが、Ｃ2Ｃｌ3Ｆ3はオゾン層破壊の原因物質と
して使用禁止の方向に向かっており、これに代わる技術
として塩素単独や塩素に１０％以下程度の少量のＳＦ6
を添加したプロセスガスが用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のような
エッチング方法においては下記のような問題点がある。
Ｃ2Ｃｌ3Ｆ3を使用する方法は上述のように成層圏のオ
ゾン層を破壊するという環境的な問題点があると共に、
エッチング技術的にもポリシリコンのエッチングレート
／ＳｉＯ2のエッチングレートの選択比が２０程度であ
るためオーバエッチを大きくとる場合には、下地となる
ＳｉＯ2薄膜の部分がブレーク(抜け)する等のおそれが
あった。
エッチング方法においては下記のような問題点がある。
Ｃ2Ｃｌ3Ｆ3を使用する方法は上述のように成層圏のオ
ゾン層を破壊するという環境的な問題点があると共に、
エッチング技術的にもポリシリコンのエッチングレート
／ＳｉＯ2のエッチングレートの選択比が２０程度であ
るためオーバエッチを大きくとる場合には、下地となる
ＳｉＯ2薄膜の部分がブレーク(抜け)する等のおそれが
あった。
【０００４】塩素を単独で使用する方法において、オー
バエッチを行った場合には、図２に示すようなポリシリ
コン(11)の断面形状が下方で細くなる、いわゆる逆テー
パー状態となって寸法精度が悪くなり、かつウエハを割
らないで上面からＳＥＭ(走査型電子顕微鏡)で観察評価
するのにも不適当である。更に、図３に示すようにポリ
シリコン(11)と下地のＳｉＯ2薄膜(13)の境界でポリシ
リコン(11)の側にくさび形のくびれ(ノッチ)(15)を生じ
易く、致命的な欠陥となることがある。これはポリシリ
コン側壁に付着した塩素イオンや塩素ラジカルが移動
し、部分的なエッチングを進行させるためと考えられ
る。
バエッチを行った場合には、図２に示すようなポリシリ
コン(11)の断面形状が下方で細くなる、いわゆる逆テー
パー状態となって寸法精度が悪くなり、かつウエハを割
らないで上面からＳＥＭ(走査型電子顕微鏡)で観察評価
するのにも不適当である。更に、図３に示すようにポリ
シリコン(11)と下地のＳｉＯ2薄膜(13)の境界でポリシ
リコン(11)の側にくさび形のくびれ(ノッチ)(15)を生じ
易く、致命的な欠陥となることがある。これはポリシリ
コン側壁に付着した塩素イオンや塩素ラジカルが移動
し、部分的なエッチングを進行させるためと考えられ
る。
【０００５】また、塩素にＳＦ6を添加した場合には、
アンダーカットを生じ易い。マスクとしてホトレジスト
マスクを使用の場合には、ＳＦ6を塩素の５％以下程度
に抑えればホトレジストの側壁保護効果により何とか異
方性を得られるが、マスクとしてＳｉＯ2マスクの場合
は側壁保護物質が全くないためアンダーカットが顕著と
なり、線幅０.５ミクロン程度以下では使用できない。
アンダーカットを生じ易い。マスクとしてホトレジスト
マスクを使用の場合には、ＳＦ6を塩素の５％以下程度
に抑えればホトレジストの側壁保護効果により何とか異
方性を得られるが、マスクとしてＳｉＯ2マスクの場合
は側壁保護物質が全くないためアンダーカットが顕著と
なり、線幅０.５ミクロン程度以下では使用できない。
【０００６】従って、本発明の目的は、アンダーカット
を生ずることがない、寸法精度に優れたポリシリコンの
エッチング方法を提供することにある。
を生ずることがない、寸法精度に優れたポリシリコンの
エッチング方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明に係るエッ
チング方法は、ＥＣＲエッチング法またはマイクロ波プ
ラズマエッチング法によるポリシリコンのエッチング方
法において、エッチング用プロセスガスとしてＣｌ2＋
ＨＢｒを使用し、塩素は全体の５０〜７０％とする第１
工程と、ＨＢｒ＋Ｈｅを使用し、ＨＢｒは全体の２０〜
５０％とし、試料台に−１００〜−３０Ｖの低いバイア
ス電圧を印加する第２工程よりなることを特徴とする
(以下、第１発明と記載する)。
チング方法は、ＥＣＲエッチング法またはマイクロ波プ
ラズマエッチング法によるポリシリコンのエッチング方
法において、エッチング用プロセスガスとしてＣｌ2＋
ＨＢｒを使用し、塩素は全体の５０〜７０％とする第１
工程と、ＨＢｒ＋Ｈｅを使用し、ＨＢｒは全体の２０〜
５０％とし、試料台に−１００〜−３０Ｖの低いバイア
ス電圧を印加する第２工程よりなることを特徴とする
(以下、第１発明と記載する)。
【０００８】更に、本発明に係るエッチング方法は、Ｅ
ＣＲエッチング法またはマイクロ波プラズマエッチング
法によるポリシリコンのエッチング方法において、試料
台に比較的高い−１００〜−２５０Ｖのバイアス電圧を
印加する第１工程と、−１００〜−３０Ｖの低いバイア
ス電圧を印加する第２工程よりなり、且つ第１工程及び
第２工程のエッチング用プロセスガスとしてＨＢｒ＋Ｈ
ｅをＨＢｒがＨＢｒ＋Ｈｅの２０〜５０％となる割合で
使用することを特徴とする(以下、第２発明と記載す
る)。
ＣＲエッチング法またはマイクロ波プラズマエッチング
法によるポリシリコンのエッチング方法において、試料
台に比較的高い−１００〜−２５０Ｖのバイアス電圧を
印加する第１工程と、−１００〜−３０Ｖの低いバイア
ス電圧を印加する第２工程よりなり、且つ第１工程及び
第２工程のエッチング用プロセスガスとしてＨＢｒ＋Ｈ
ｅをＨＢｒがＨＢｒ＋Ｈｅの２０〜５０％となる割合で
使用することを特徴とする(以下、第２発明と記載す
る)。
【０００９】また、本発明の第２発明においては、前記
のＨＢｒ＋Ｈｅを使用する第１工程開始時に塩素を約５
〜１５秒間、ＨＢｒの５０〜１５０％を添加することも
できる。
のＨＢｒ＋Ｈｅを使用する第１工程開始時に塩素を約５
〜１５秒間、ＨＢｒの５０〜１５０％を添加することも
できる。
【００１０】
【作用】本発明の第１発明においては、図１のようなＥ
ＣＲ型エッチング装置を使用するのが望ましい。段差の
ある下地を有するポリシリコン膜のエッチング前の断面
形状を図４に示す。本発明の第１発明の方法において
は、第１工程の前に加工室(1)内を１０-5〜１０-6トー
ル程度の圧力まで真空引きした後、第１工程はＣｌ2＋
ＨＢｒ(塩素は全体の５０〜７０％)で真空度は高すぎな
いよう７×１０-3トール程度とし、試料台には適度のＲ
Ｆバイアスを印加する。例えばエッチング中のプラズマ
光の特定波長の強度変化を追跡する方式の終点検出装置
でＳｉＣｌ4の波長の強度変化を観察し、強度変化がほ
ぼ無くなるまでを第１工程とする。
ＣＲ型エッチング装置を使用するのが望ましい。段差の
ある下地を有するポリシリコン膜のエッチング前の断面
形状を図４に示す。本発明の第１発明の方法において
は、第１工程の前に加工室(1)内を１０-5〜１０-6トー
ル程度の圧力まで真空引きした後、第１工程はＣｌ2＋
ＨＢｒ(塩素は全体の５０〜７０％)で真空度は高すぎな
いよう７×１０-3トール程度とし、試料台には適度のＲ
Ｆバイアスを印加する。例えばエッチング中のプラズマ
光の特定波長の強度変化を追跡する方式の終点検出装置
でＳｉＣｌ4の波長の強度変化を観察し、強度変化がほ
ぼ無くなるまでを第１工程とする。
【００１１】ここで、一旦真空引した後、ＨＢｒ＋Ｈｅ
(ＨＢｒは全体の２０〜５０％)を入れ、真空度を高過ぎ
ないよう１.５×１０-2トール程度に設定し、段差部の
ポリシリコンが完全に除去されるまでエッチングする。
エッチングの反応として主なものは次の如く推定され
る。
(ＨＢｒは全体の２０〜５０％)を入れ、真空度を高過ぎ
ないよう１.５×１０-2トール程度に設定し、段差部の
ポリシリコンが完全に除去されるまでエッチングする。
エッチングの反応として主なものは次の如く推定され
る。
【００１２】
【化１】Ｓｉ＋２Ｃｌ2→ＳｉＣｌ4↑
【化２】Ｓｉ＋２Ｂｒ2→ＳｉＢｒ4 ここでＳｉＣｌ4は気化し真空ポンプに吸引されるが、
ＳｉＢｒ4はウエハ面が５０℃以下程度の低温であれば
一部分がエッチングされた側壁に付着して側壁保護膜と
して作用し異方性が得られる。
ＳｉＢｒ4はウエハ面が５０℃以下程度の低温であれば
一部分がエッチングされた側壁に付着して側壁保護膜と
して作用し異方性が得られる。
【００１３】第１工程ではプロセスガスとして塩素とＨ
Ｂｒを使用しているが、塩素はエッチレートを高め、Ｈ
Ｂｒは側壁保護による異方性を高めるという作用をして
いる。第１工程はポリシリコンが除去され、ＳｉＯ2薄
膜が露出するまでのほぼジャストエッチの時間であるた
め、塩素がプロセスガス中に５０〜７０％程度まで混入
していても、図２の如き逆テーパや図３の如きノッチ(1
5)を生じない。
Ｂｒを使用しているが、塩素はエッチレートを高め、Ｈ
Ｂｒは側壁保護による異方性を高めるという作用をして
いる。第１工程はポリシリコンが除去され、ＳｉＯ2薄
膜が露出するまでのほぼジャストエッチの時間であるた
め、塩素がプロセスガス中に５０〜７０％程度まで混入
していても、図２の如き逆テーパや図３の如きノッチ(1
5)を生じない。
【００１４】第２工程は、第１工程とは異なりオーバエ
ッチを行っているので、逆テーパやノッチを生じ易い塩
素を使用せず、ＨＢｒ＋Ｈｅでエッチングする。このと
きＢｒはＳｉＢｒ4を生成するが、これによって段差に
残っていたポリシリコンは除去されると共に一部は側壁
保護膜として作用しているものと考えられる。
ッチを行っているので、逆テーパやノッチを生じ易い塩
素を使用せず、ＨＢｒ＋Ｈｅでエッチングする。このと
きＢｒはＳｉＢｒ4を生成するが、これによって段差に
残っていたポリシリコンは除去されると共に一部は側壁
保護膜として作用しているものと考えられる。
【００１５】なお、Ｈｅはエッチングを補助すると共に
プラズマ中の電位の均一化の作用をし、結果的にはエッ
チレートの試料面内均一化の作用をしていると考えられ
る。プロセスガスのガス圧を第１工程、第２工程とも高
過ぎないようそれぞれ７×１０-3トール、１.５×１０
-2トール程度に設定するのは、ＳｉＢｒ4が側壁保護膜
としてエッチングされた側壁に付着し易いようにするた
めである。
プラズマ中の電位の均一化の作用をし、結果的にはエッ
チレートの試料面内均一化の作用をしていると考えられ
る。プロセスガスのガス圧を第１工程、第２工程とも高
過ぎないようそれぞれ７×１０-3トール、１.５×１０
-2トール程度に設定するのは、ＳｉＢｒ4が側壁保護膜
としてエッチングされた側壁に付着し易いようにするた
めである。
【００１６】本発明の第２発明においても、図１のよう
なＥＣＲ型エッチング装置を使用するのが望ましい。段
差のある下地を有するポリシリコン膜のエッチング前の
断面形状を図４に示す。
なＥＣＲ型エッチング装置を使用するのが望ましい。段
差のある下地を有するポリシリコン膜のエッチング前の
断面形状を図４に示す。
【００１７】本発明の第２発明の方法においても、第１
工程の前に加工室(1)内を１０-5〜１０-6トール程度の
圧力まで真空引きする。本発明の第２発明においては、
第１工程及び第２工程共プロセスガスとしてＨＢｒ＋Ｈ
ｅ(ＨＢｒはＨＢｒ＋Ｈｅの２０〜５０％)を使用する。
第１工程においては、ＨＢｒ＋Ｈｅのプロセスガスを使
用し、加工室(1)の排気口を絞るなどにより真空度が高
すぎないよう７×１０-3トール程度に調節し、試料台に
は例えばＶdc＝−１００〜−２５０Ｖ程度の比較的高い
バイアス電圧を印加する。終点検出装置で例えばＳｉの
波長の強度変化を観察し、強度変化がほぼ無くなるまで
を第１工程とする。
工程の前に加工室(1)内を１０-5〜１０-6トール程度の
圧力まで真空引きする。本発明の第２発明においては、
第１工程及び第２工程共プロセスガスとしてＨＢｒ＋Ｈ
ｅ(ＨＢｒはＨＢｒ＋Ｈｅの２０〜５０％)を使用する。
第１工程においては、ＨＢｒ＋Ｈｅのプロセスガスを使
用し、加工室(1)の排気口を絞るなどにより真空度が高
すぎないよう７×１０-3トール程度に調節し、試料台に
は例えばＶdc＝−１００〜−２５０Ｖ程度の比較的高い
バイアス電圧を印加する。終点検出装置で例えばＳｉの
波長の強度変化を観察し、強度変化がほぼ無くなるまで
を第１工程とする。
【００１８】次に、プラズマ条件はそのままとしてバイ
アス電圧のみをイオンエネルギーが基板に損傷を与えな
い値(例えばＶdc＝−３０〜−１００Ｖ)に下げ、段差部
のポリシリコンが完全に除去されるまでエッチングす
る。第２工程において印加するバイアス電圧は、基板に
損傷を与えない範囲であること、ポリシリコンの下地に
ある２００オングストローム以下程度の熱酸化膜(Ｓｉ
Ｏ2)との選択比(ポリシリコンのエッチレート／熱酸化
膜のエッチレート)が十分大きく、ストリンガー除去の
ためのオーバエッチング後も熱酸化膜が十分に残るこ
と、エッチングすべきポリシリコンの異方性とエッチン
グ速度ができるだけ良い条件であることを考慮して上記
範囲内で適宜決定される。
アス電圧のみをイオンエネルギーが基板に損傷を与えな
い値(例えばＶdc＝−３０〜−１００Ｖ)に下げ、段差部
のポリシリコンが完全に除去されるまでエッチングす
る。第２工程において印加するバイアス電圧は、基板に
損傷を与えない範囲であること、ポリシリコンの下地に
ある２００オングストローム以下程度の熱酸化膜(Ｓｉ
Ｏ2)との選択比(ポリシリコンのエッチレート／熱酸化
膜のエッチレート)が十分大きく、ストリンガー除去の
ためのオーバエッチング後も熱酸化膜が十分に残るこ
と、エッチングすべきポリシリコンの異方性とエッチン
グ速度ができるだけ良い条件であることを考慮して上記
範囲内で適宜決定される。
【００１９】主たるエッチング反応は上記「化２」と同
様であるものと推定される。ここで、ＳｉＢｒ4はウエ
ハ面が５０℃以下程度の低温であれば、一部はエッチン
グされた側壁に付着して側壁保護膜として作用し、異方
性が得られる。また、その他のＳｉＢｒ4は真空ポンプ
により吸引、除去される。
様であるものと推定される。ここで、ＳｉＢｒ4はウエ
ハ面が５０℃以下程度の低温であれば、一部はエッチン
グされた側壁に付着して側壁保護膜として作用し、異方
性が得られる。また、その他のＳｉＢｒ4は真空ポンプ
により吸引、除去される。
【００２０】また、Ｈｅはスパッタリング効果によりエ
ッチングを補助すると共にエッチング速度の面内均一化
の作用をする。
ッチングを補助すると共にエッチング速度の面内均一化
の作用をする。
【００２１】更に、第１工程のバイアス電圧を高く設定
するのは、ポリシリコン上の自然酸化膜を除去し易くす
るという作用とエッチング速度を高め、異方性を良くす
るという作用をしている。また、真空度を第１工程、第
２工程共高過ぎないように１.５×１０-2トール程度に
設定するのは、ＳｉＢｒ4が側壁保護膜としてエッチン
グされた側壁に付着し易いようにするためである。
するのは、ポリシリコン上の自然酸化膜を除去し易くす
るという作用とエッチング速度を高め、異方性を良くす
るという作用をしている。また、真空度を第１工程、第
２工程共高過ぎないように１.５×１０-2トール程度に
設定するのは、ＳｉＢｒ4が側壁保護膜としてエッチン
グされた側壁に付着し易いようにするためである。
【００２２】
【実施例】図４に段差のあるＳｉＯ2膜(16)、(17)の上
に段差にそってＣＶＤ等の方法で付けられたポリシリコ
ン(111)の例を示してある。マスク(112)、(212)はＳｉ
Ｏ2で形成されている。図４はエッチング前の形状であ
り、第１工程終了後は図５の如き形状となる。図５では
段差の隅部にポリシリコン(211)が残っている。これを
通常ストリンガーと称しているが、これが残っていると
隣のポリシリコン線との間が電気的に短絡してしまい不
良となるので完全に除去しなければならない。図６は第
２工程後のストリンガーが完全に除去された形状を示し
ている。
に段差にそってＣＶＤ等の方法で付けられたポリシリコ
ン(111)の例を示してある。マスク(112)、(212)はＳｉ
Ｏ2で形成されている。図４はエッチング前の形状であ
り、第１工程終了後は図５の如き形状となる。図５では
段差の隅部にポリシリコン(211)が残っている。これを
通常ストリンガーと称しているが、これが残っていると
隣のポリシリコン線との間が電気的に短絡してしまい不
良となるので完全に除去しなければならない。図６は第
２工程後のストリンガーが完全に除去された形状を示し
ている。
【００２３】さて、本発明の第１発明における第１工程
では、一旦１×１０-6トールまで真空引きした後、Ｃｌ
2：３０ＳＣＣＭとＨＢｒ：１５ＳＣＣＭを図示してい
ないマスフローコントローラーを介してイオン化室(2)
にガス導入口(5)より導入する。その後、主コイル(8)に
よってイオン化室(2)内に８７５ガウスの磁場を発生さ
せると共にマイクロ波導波管(3)より２.４５ＧＨｚのマ
イクロ波を導入してＥＣＲ(電子サイクロトン共鳴)の条
件を造り、プラズマを発生させ、試料台(6)上の試料(7)
に照射する。このとき異方性とエッチレート向上を目的
として試料台(6)に高周波電源(9)を使用してバイアス電
圧を付加する。このときの電圧は−１５０Ｖにする。第
１工程の間ＳｉＣｌ4プラズマ光の波長強度の変化を終
点検出装置で観察し、強度の急低下後ほぼ一定(ディス
プレイ上では線がほぼ水平)になったところで停止し、
一旦真空引きする。ここで、終点検出装置は、反応ガ
ス、反応生成物、エッチングされる薄膜などからの発光
を波長毎に分光し、終点で発光強度が急激に変化する波
長の強度を連続的に測定して急激な変化をディスプレイ
上に表示すると共に終点の信号を出す構成となってい
る。本例ではポリシリコンが第１工程の終了時、ほとん
ど無くなるため、ＳｉＣｌ4の生成が急減し、その発光
強度も急に弱くなるので、その変化から終点を決定し
た。圧力が１×１０-5トール程度に下がったところで、
第２工程のプロセスガスとしてＨＢｒ：３０ＳＣＣＭと
Ｈｅ：９０ＳＣＣＭをマスフローコントローラを介して
イオン化室に導入し、エッチングを行う。このときのエ
ッチングは酸化膜の薄い部分(17)が抜けてしまわないよ
うにしなければならないので試料台にかけるバイアス電
圧は低く−７０Ｖに設定し、ストリンガー(211)がなく
なるまでエッチングを行う。ストリンガーは量としては
微少なので、終点検出が明瞭でないが、第１工程の終点
は極めて明瞭に把握できるので、第２工程の終点はタイ
マーで選定しても問題ない。
では、一旦１×１０-6トールまで真空引きした後、Ｃｌ
2：３０ＳＣＣＭとＨＢｒ：１５ＳＣＣＭを図示してい
ないマスフローコントローラーを介してイオン化室(2)
にガス導入口(5)より導入する。その後、主コイル(8)に
よってイオン化室(2)内に８７５ガウスの磁場を発生さ
せると共にマイクロ波導波管(3)より２.４５ＧＨｚのマ
イクロ波を導入してＥＣＲ(電子サイクロトン共鳴)の条
件を造り、プラズマを発生させ、試料台(6)上の試料(7)
に照射する。このとき異方性とエッチレート向上を目的
として試料台(6)に高周波電源(9)を使用してバイアス電
圧を付加する。このときの電圧は−１５０Ｖにする。第
１工程の間ＳｉＣｌ4プラズマ光の波長強度の変化を終
点検出装置で観察し、強度の急低下後ほぼ一定(ディス
プレイ上では線がほぼ水平)になったところで停止し、
一旦真空引きする。ここで、終点検出装置は、反応ガ
ス、反応生成物、エッチングされる薄膜などからの発光
を波長毎に分光し、終点で発光強度が急激に変化する波
長の強度を連続的に測定して急激な変化をディスプレイ
上に表示すると共に終点の信号を出す構成となってい
る。本例ではポリシリコンが第１工程の終了時、ほとん
ど無くなるため、ＳｉＣｌ4の生成が急減し、その発光
強度も急に弱くなるので、その変化から終点を決定し
た。圧力が１×１０-5トール程度に下がったところで、
第２工程のプロセスガスとしてＨＢｒ：３０ＳＣＣＭと
Ｈｅ：９０ＳＣＣＭをマスフローコントローラを介して
イオン化室に導入し、エッチングを行う。このときのエ
ッチングは酸化膜の薄い部分(17)が抜けてしまわないよ
うにしなければならないので試料台にかけるバイアス電
圧は低く−７０Ｖに設定し、ストリンガー(211)がなく
なるまでエッチングを行う。ストリンガーは量としては
微少なので、終点検出が明瞭でないが、第１工程の終点
は極めて明瞭に把握できるので、第２工程の終点はタイ
マーで選定しても問題ない。
【００２４】次に、本発明の第２発明において、一旦１
×１０-6トールまで真空引きした後、第１工程ではＨＢ
ｒ：３０ＳＣＣＭとＨｅ：９０ＳＣＣＭを図示していな
いマスフローコントローラを介してイオン化室(2)にガ
ス導入口(5)より導入する。その後、主コイル(8)によっ
てイオン化室内に８７５ガウスの磁場を発生させると共
に、マイクロ波導波管(3)より２.４５ＧＨｚのマイクロ
波を導入してＥＣＲの条件を作り、プラズマを発生さ
せ、試料台(6)上の試料(7)に照射する。このとき、異方
性とエッチレート向上を目的として試料台(6)に高周波
電源を使用して−１５０Ｖのバイアス電圧を印加する。
×１０-6トールまで真空引きした後、第１工程ではＨＢ
ｒ：３０ＳＣＣＭとＨｅ：９０ＳＣＣＭを図示していな
いマスフローコントローラを介してイオン化室(2)にガ
ス導入口(5)より導入する。その後、主コイル(8)によっ
てイオン化室内に８７５ガウスの磁場を発生させると共
に、マイクロ波導波管(3)より２.４５ＧＨｚのマイクロ
波を導入してＥＣＲの条件を作り、プラズマを発生さ
せ、試料台(6)上の試料(7)に照射する。このとき、異方
性とエッチレート向上を目的として試料台(6)に高周波
電源を使用して−１５０Ｖのバイアス電圧を印加する。
【００２５】第１工程の間、例えばＳｉプラズマ光の波
長の強度変化を終点検出装置で観察し、光強度の急低下
後ほぼ一定(ディスプレイ上では線がほぼ水平)になった
ところで、第２工程としてバイアス電圧を−７０Ｖに下
げ、ストリンガー即ち段差部のポリシリコン(211)が完
全に除去されるまでエッチングする。
長の強度変化を終点検出装置で観察し、光強度の急低下
後ほぼ一定(ディスプレイ上では線がほぼ水平)になった
ところで、第２工程としてバイアス電圧を−７０Ｖに下
げ、ストリンガー即ち段差部のポリシリコン(211)が完
全に除去されるまでエッチングする。
【００２６】また、第１工程でのＨＢｒ＋Ｈｅでのエッ
チングの開始時に、塩素を約５〜１５秒間、ＨＢｒの５
０〜１５０％を添加すれば、第１工程のエッチレートと
異方性が更に向上する。
チングの開始時に、塩素を約５〜１５秒間、ＨＢｒの５
０〜１５０％を添加すれば、第１工程のエッチレートと
異方性が更に向上する。
【００２７】
【発明の効果】本発明の第１発明によれば、第１工程の
プロセスガスとしてＣｌ2＋ＨＢｒを使用し、塩素の量
を抑えているので、エッチレートは高くなるが、ジャス
トエッチまでなので塩素による逆テーパやノッチを生じ
る欠点は出てこない。そして、第２工程のプロセスガス
としてはＨＢｒ＋Ｈｅを使用しており、ここで、ＨＢｒ
は塩素より活性が低く、ノッチを生ずる恐れがないの
で、致命的欠陥は除かれ、更に、圧力はＳｉＢｒ4の側
壁保護効果を現す程度に調整するので、ストリンガーを
除去するためのオーバエッチングにおいても異方性よ
く、ノッチなどの欠陥を生じない。
プロセスガスとしてＣｌ2＋ＨＢｒを使用し、塩素の量
を抑えているので、エッチレートは高くなるが、ジャス
トエッチまでなので塩素による逆テーパやノッチを生じ
る欠点は出てこない。そして、第２工程のプロセスガス
としてはＨＢｒ＋Ｈｅを使用しており、ここで、ＨＢｒ
は塩素より活性が低く、ノッチを生ずる恐れがないの
で、致命的欠陥は除かれ、更に、圧力はＳｉＢｒ4の側
壁保護効果を現す程度に調整するので、ストリンガーを
除去するためのオーバエッチングにおいても異方性よ
く、ノッチなどの欠陥を生じない。
【００２８】本発明の第２発明によれば、プロセスガス
として塩素よりも活性が低く、ノッチを生ずる恐れがな
いＨＢｒ＋Ｈｅを使用しており、また、エッチング中の
圧力を調節すれば反応生成物であるＳｉＢｒ4による側
壁保護効果も得られるので、ストリンガーを除去するた
めのオーバエッチングにおいても異方性よく、ノッチな
どの欠陥を生じない。なお、第２発明では、第１工程と
第２工程は同じプロセスガスを使用するために、各工程
で異なるプロセスガスを使用する操作とは異なり、第２
工程に入る前に第１工程で使用したプロセスガスを排気
するために要する時間が不要のため全体のサイクル時間
を１分程度短縮することが可能で、生産性が向上する。
として塩素よりも活性が低く、ノッチを生ずる恐れがな
いＨＢｒ＋Ｈｅを使用しており、また、エッチング中の
圧力を調節すれば反応生成物であるＳｉＢｒ4による側
壁保護効果も得られるので、ストリンガーを除去するた
めのオーバエッチングにおいても異方性よく、ノッチな
どの欠陥を生じない。なお、第２発明では、第１工程と
第２工程は同じプロセスガスを使用するために、各工程
で異なるプロセスガスを使用する操作とは異なり、第２
工程に入る前に第１工程で使用したプロセスガスを排気
するために要する時間が不要のため全体のサイクル時間
を１分程度短縮することが可能で、生産性が向上する。
【００２９】また、本発明の第１発明及び第２発明によ
れば、プラズマ生成と試料台のバイアス電圧を独立に制
御できるＥＣＲエッチング法やマイクロ波プラズマエッ
チング法で行っているため、例えば試料台のバイアス電
圧を下げることにより選択比(ポリシリコン／ＳｉＯ2の
エッチングレート比)を無限大まで上げる、即ちポリシ
リコンはエッチングされるがＳｉＯ2はエッチングされ
ない条件を得ることが可能で、将来下地のＳｉＯ2膜が
１００オングストローム程度に薄くなってもオーバエッ
チによってこれが抜けてしまうという問題を生じないよ
うにできる。
れば、プラズマ生成と試料台のバイアス電圧を独立に制
御できるＥＣＲエッチング法やマイクロ波プラズマエッ
チング法で行っているため、例えば試料台のバイアス電
圧を下げることにより選択比(ポリシリコン／ＳｉＯ2の
エッチングレート比)を無限大まで上げる、即ちポリシ
リコンはエッチングされるがＳｉＯ2はエッチングされ
ない条件を得ることが可能で、将来下地のＳｉＯ2膜が
１００オングストローム程度に薄くなってもオーバエッ
チによってこれが抜けてしまうという問題を生じないよ
うにできる。
【図１】ＥＣＲエッチング装置の基本構造を示す断面図
である。
である。
【図２】逆テーパ形状にエッチングされた例を示す断面
図である。
図である。
【図３】逆テーパとノッチを生じたエッチング例を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】段差付ポリシリコン膜のエッチング前の形状を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】第１ステップ終了時のストリンガーの残った形
状を示す断面図である。
状を示す断面図である。
【図６】第２ステップが終了し、ストリンガーがなく、
異方性よくエッチングされた例を示す断面図である。
異方性よくエッチングされた例を示す断面図である。
１ 加工室 ２ イオン化室 ３ マイクロ波導波管 ４ 石英ガラス ５ ガス導入口 ６ 試料台 ７ 試料 ８ 主コイル ９ 高周波電源 10 イオン流 11，111 ポリシリコン 12，112，212 マスク 13 ＳｉＯ2薄膜 14 シリコン 15 ノッチ 16 ＳｉＯ2(厚い部分) 17 ＳｉＯ2(薄い部分)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 正幸 千葉県館山市山本1580番地 株式会社エ ヌ・エム・ビーセミコンダクター内 (72)発明者 岡 直樹 千葉県館山市山本1580番地 株式会社エ ヌ・エム・ビーセミコンダクター内
Claims (3)
- 【請求項１】 電子サイクロトロン共鳴エッチング法ま
たはマイクロ波プラズマエッチング法によるアンドープ
ドポリシリコンあるいはドープドポリシリコンのエッチ
ング方法において、エッチング用プロセスガスとして塩
素(Ｃｌ2)＋臭化水素(ＨＢｒ)を使用し、塩素は全体の
５０〜７０％とする第１工程と、ＨＢｒ＋ヘリウム(Ｈ
ｅ)を使用し、ＨＢｒは全体の２０〜５０％とし、試料
台に−１００〜−３０Ｖの低いバイアス電圧を印加する
第２工程よりなることを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 電子サイクロトロン共鳴エッチング法ま
たはマイクロ波プラズマエッチング法によるアンドープ
ドポリシリコンあるいはドープドポリシリコンのエッチ
ング方法において、試料台に比較的高い−１００〜−２
５０Ｖのバイアス電圧を印加する第１工程と、−１００
〜−３０Ｖの低いバイアス電圧を印加する第２工程より
なり、且つ第１工程及び第２工程のエッチング用プロセ
スガスとしてＨＢｒ＋ＨｅをＨＢｒがＨＢｒ＋Ｈｅの２
０〜５０％となる割合で使用することを特徴とするエッ
チング方法。 - 【請求項３】 前記のＨＢｒ＋Ｈｅを使用する第１工程
開始時に塩素を約５〜１５秒間、ＨＢｒの５０〜１５０
％を添加する請求項２記載のエッチング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041567A JP2574094B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | エッチング方法 |
| US08/022,634 US5336365A (en) | 1992-02-27 | 1993-02-25 | Polysilicon etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041567A JP2574094B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243188A JPH05243188A (ja) | 1993-09-21 |
| JP2574094B2 true JP2574094B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=12612026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4041567A Expired - Fee Related JP2574094B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | エッチング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5336365A (ja) |
| JP (1) | JP2574094B2 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5759922A (en) * | 1993-08-25 | 1998-06-02 | Micron Technology, Inc. | Control of etch profiles during extended overetch |
| US5449433A (en) * | 1994-02-14 | 1995-09-12 | Micron Semiconductor, Inc. | Use of a high density plasma source having an electrostatic shield for anisotropic polysilicon etching over topography |
| US5453156A (en) * | 1994-11-01 | 1995-09-26 | Taiwan Semiconductor Manufactoring Company Ltd. | Anisotropic polysilicon plasma etch using fluorine gases |
| US5665203A (en) * | 1995-04-28 | 1997-09-09 | International Business Machines Corporation | Silicon etching method |
| US5550085A (en) * | 1995-09-07 | 1996-08-27 | Winbond Electronics Corp. | Method for making a buried contact |
| US5674354A (en) * | 1995-09-29 | 1997-10-07 | United Microelectronics Corporation | Method for etching a conducting layer of the step-covered structure for semiconductor fabrication |
| US5932488A (en) * | 1996-02-09 | 1999-08-03 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of dry etching |
| US6270948B1 (en) * | 1996-08-22 | 2001-08-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming pattern |
| US5759920A (en) * | 1996-11-15 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Process for making doped polysilicon layers on sidewalls |
| US6479373B2 (en) * | 1997-02-20 | 2002-11-12 | Infineon Technologies Ag | Method of structuring layers with a polysilicon layer and an overlying metal or metal silicide layer using a three step etching process with fluorine, chlorine, bromine containing gases |
| JP3176311B2 (ja) | 1997-03-31 | 2001-06-18 | 日本電気株式会社 | シリコン層のエッチング方法 |
| US6025273A (en) * | 1998-04-06 | 2000-02-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for etching reliable small contact holes with improved profiles for semiconductor integrated circuits using a carbon doped hard mask |
| JPH11330262A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5948703A (en) * | 1998-06-08 | 1999-09-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of soft-landing gate etching to prevent gate oxide damage |
| US6071822A (en) * | 1998-06-08 | 2000-06-06 | Plasma-Therm, Inc. | Etching process for producing substantially undercut free silicon on insulator structures |
| TW449832B (en) * | 1999-01-04 | 2001-08-11 | United Microelectronics Corp | Removing method of polysilicon defect |
| US6613679B2 (en) * | 1999-12-22 | 2003-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device |
| US6605543B1 (en) * | 1999-12-30 | 2003-08-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Process to control etch profiles in dual-implanted silicon films |
| US6514378B1 (en) | 2000-03-31 | 2003-02-04 | Lam Research Corporation | Method for improving uniformity and reducing etch rate variation of etching polysilicon |
| KR20020050514A (ko) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | 박종섭 | 반도체 소자의 플러그 형성방법 |
| US20020199016A1 (en) * | 2001-06-22 | 2002-12-26 | Freedman Avraham T. | Automated control of outbound transist links in a multi-homed BGP routing environment |
| JP3891087B2 (ja) * | 2002-09-27 | 2007-03-07 | ヤマハ株式会社 | ポリシリコンエッチング方法 |
| US7151277B2 (en) | 2003-07-03 | 2006-12-19 | The Regents Of The University Of California | Selective etching of silicon carbide films |
| JP4801553B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2011-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP5316412B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009259863A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Tokyo Electron Ltd | ドライエッチング処理装置及びドライエッチング方法 |
| JP7017405B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2022-02-08 | エイブリック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4349409A (en) * | 1980-05-12 | 1982-09-14 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for plasma etching |
| US4468285A (en) * | 1983-12-22 | 1984-08-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Plasma etch process for single-crystal silicon with improved selectivity to silicon dioxide |
| US4799991A (en) * | 1987-11-02 | 1989-01-24 | Motorola, Inc. | Process for preferentially etching polycrystalline silicon |
| US5030590A (en) * | 1989-06-09 | 1991-07-09 | Applied Materials, Inc. | Process for etching polysilicon layer in formation of integrated circuit structure |
| US5013398A (en) * | 1990-05-29 | 1991-05-07 | Micron Technology, Inc. | Anisotropic etch method for a sandwich structure |
| US5094712A (en) * | 1990-10-09 | 1992-03-10 | Micron Technology, Inc. | One chamber in-situ etch process for oxide and conductive material |
| US5160407A (en) * | 1991-01-02 | 1992-11-03 | Applied Materials, Inc. | Low pressure anisotropic etch process for tantalum silicide or titanium silicide layer formed over polysilicon layer deposited on silicon oxide layer on semiconductor wafer |
| US5147499A (en) * | 1991-07-24 | 1992-09-15 | Applied Materials, Inc. | Process for removal of residues remaining after etching polysilicon layer in formation of integrated circuit structure |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4041567A patent/JP2574094B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-02-25 US US08/022,634 patent/US5336365A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05243188A (ja) | 1993-09-21 |
| US5336365A (en) | 1994-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2574094B2 (ja) | エッチング方法 | |
| US5382316A (en) | Process for simultaneous removal of photoresist and polysilicon/polycide etch residues from an integrated circuit structure | |
| US4214946A (en) | Selective reactive ion etching of polysilicon against SiO2 utilizing SF6 -Cl2 -inert gas etchant | |
| US4361461A (en) | Hydrogen etching of semiconductors and oxides | |
| US5711851A (en) | Process for improving the performance of a temperature-sensitive etch process | |
| US5453156A (en) | Anisotropic polysilicon plasma etch using fluorine gases | |
| JPS6252455B2 (ja) | ||
| JPH0621018A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH07161701A (ja) | 六弗化イオウ、臭化水素及び酸素を用いる珪化モリブデンのエッチング | |
| US5994234A (en) | Method for dry-etching a polycide film | |
| JP2001237218A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6300251B1 (en) | Repeatable end point method for anisotropic etch of inorganic buried anti-reflective coating layer over silicon | |
| US5387312A (en) | High selective nitride etch | |
| KR100270249B1 (ko) | 에칭속도,이방성,및실리콘산화물에대한선택비가개선된고융점금속층을패터닝하기위한건식에칭방법 | |
| JP3094470B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH10189537A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH05190508A (ja) | 薄膜のエッチング方法および積層薄膜のエッチング方法 | |
| JP3018462B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH11145113A (ja) | エッチング方法 | |
| JP3570903B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3104298B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH07283282A (ja) | 絶縁膜の欠陥検出方法 | |
| JPH08107105A (ja) | シリコン系材料層のパターニング方法 | |
| JPH0290521A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07263406A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |