JPH05190508A - 薄膜のエッチング方法および積層薄膜のエッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 薄膜をその断面が階段状になるようにエッチ
ング加工し、その上に積層する薄膜のステップカバレー
ジを向上する。また、積層した２つの薄膜の上層膜を下
層膜に比べて相似形で小さいパターンでエッチングする
際のレジスト膜のパターニングを１回で済ます。 【構成】 薄膜にレジスト膜１６をパターニングする工
程と、薄膜をエッチングする工程と、前記レジスト膜１
６を酸素プラズマまたはオゾン雰囲気に曝す工程と、前
記薄膜を更にエッチングする工程を行う。また、上層薄
膜と下層膜からなる積層膜にレジスト膜をパターニング
する工程と、前期積層膜を連続してエッチングする工程
と、前記レジスト膜を酸素プラズマまたはオゾン雰囲気
に曝す工程と、前期上層膜を更にエッチングする工程を
行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜の断面の形状を階
段状にすることができる薄膜のエッチング方法と、特に
アクティブマトリクス方式の液晶ディスプレーの製造時
の配線等やコンタクトホール、および積層薄膜のエッチ
ング方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、代表的なアクティブマトリクス方
式の液晶ディスプレーとして、高品質な画像表示の可能
なＴＦＴ方式が採用されている。

【０００３】ＴＦＴ方式は図９に示すように、ガラス基
板１上にＴＦＴ素子２と、ＩＴＯからなる画素電極３を
マトリクス状に配置して液晶層を駆動するものである。

【０００４】図９においてＴＦＴ素子２は、走査信号を
伝達するゲート配線４と、画像信号を伝達するソース配
線５と、画像信号を画素電極３に伝達するドレイン配線
６と、スイッチング作用を生ぜしめるためのアモルファ
スシリコン膜７と、ゲート絶縁膜８と、オーミック接触
を行うためのｎ型シリコン膜９から構成されている。

【０００５】また、ＴＦＴ素子２を製造する際にはソー
ス配線５とドレイン配線６、およびｎ型シリコン薄膜９
をエッチングにより形成する際のエッチングストッパー
１０を用いるのが通常である。

【０００６】さらにこの従来例では、ドレイン配線６と
画素電極３を配線するためにゲート絶縁膜８にコンタク
トホール１１を設けている。

【０００７】このようなＴＦＴ方式の液晶ディスプレー
に用いられる材料は全て薄膜であり、そのため製造には
薄膜の成膜とエッチングを繰り返し行う。

【０００８】以下、従来行われているエッチングの工程
を、図１０から図１２を用いて説明する。

【０００９】図１０（ａ）から図１０（ｃ）は図９のＴ
ＦＴ素子のゲート配線４のエッチング工程を示したもの
で、１はガラス基板、４’は成膜されたアルミニウムか
らなるゲート配線材料、１２はゲート配線をエッチング
形成するためのレジスト膜である。

【００１０】エッチングを行うには、図１０（ａ）から
図１０（ｃ）に対応して以下の工程を行う。 （ａ）アルミニウム膜上にレジスト膜１２をパターニン
グする。 （ｂ）燐酸系のエッチャントを用いてレジスト膜１２に
覆われていない部分のアルミニウム膜をウエットエッチ
ングする。 （ｃ）レジスト膜１２を除去する。 こうしてゲート配線４を形成する。

【００１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は図９のコ
ンタクトホール１１のエッチング工程を示したもので、
１はガラス基板、３は画素電極、８は窒化シリコンから
なるゲート絶縁膜、１３はコンタクトホールを形成する
ためのレジスト膜である。

【００１２】エッチングを行うには、図１１（ａ）から
図１１（ｃ）に対応して以下の工程を行う。 （ａ）窒化シリコン膜８上にレジスト膜１３をパターニ
ングする。 （ｂ）弗酸系のエッチャントを用いてレジスト膜１３に
覆われていない部分の窒化シリコン膜をウエットエッチ
ングする。 （ｃ）レジスト膜１３を除去する。 こうしてコンタクトホール１１を形成する。

【００１３】図１２（ａ）〜（ｆ）は、図９のアモルフ
ァスシリコン膜７とエッチングストッパー１０の形成工
程をエッチングを主体に示したもので、１はガラス基
板、４は図１０の工程で形成したゲート配線、８はゲー
ト絶縁膜、７’は成膜されたアモルファスシリコン膜、
１４はアモルファスシリコン膜をエッチング形成するた
めのレジスト膜、１０’は成膜された窒化シリコン膜か
らなるエッチングストッパー材料、１５はエッチングス
トッパーをエッチング形成するためのレジスト膜であ
る。

【００１４】エッチングを行うには、図１２（ａ）から
図１２（ｆ）に対応して以下の工程を行う。 （ａ）アモルファスシリコン膜７’上にレジスト膜１４
をパターニングする。 （ｂ）弗酸と硝酸の混合液からなるエッチャントを用い
て、レジスト膜１４に覆われていない部分のアモルファ
スシリコン膜をウエットエッチングする。 （ｃ）レジスト膜１４を除去する。 （ｄ）窒化シリコン膜１０’を形成した後、レジスト膜
１５をパターニングする。 （ｅ）弗酸系のエッチャントを用いてレジスト膜１５に
覆われていない部分の窒化シリコン膜をウエットエッチ
ングする。 （ｆ）レジスト膜１５を除去する。 こうしてアモルファスシリコン膜７とエッチングストッ
パー１０を形成する。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかし上記従来のエッ
チング方法では以下の課題があった。

【００１６】先ず、第１の課題としては、図１０の方法
で形成したゲート配線４は、図１０に図示したようにそ
の断面形状がほぼ矩形であるため、その上に積層して成
膜する薄膜のステップカバレージが悪いという課題があ
った。

【００１７】そのため図１３（ａ）に示したように、図
１０（ｃ）のゲート配線４の上にゲート絶縁膜８とアモ
ルファスシリコン膜７’を成膜すると、アモルファスシ
リコン膜７’にＡ部のような断絶部が生じ、欠陥となっ
てしまう。

【００１８】ゲート配線４の膜厚が薄い場合は、ゲート
配線４の断面形状が矩形であっても断絶部は生じ難い
が、ゲート配線４の膜厚が厚くなるとステップカバレー
ジが極めて悪くなってしまう。

【００１９】一方、液晶ディスプレーは大画面化が要求
されており、そのためゲート配線４の抵抗を下げる必要
があった。そのためにはゲート配線４の膜厚を厚くせざ
るを得ない。しかしこのステップカバレージの悪さに起
因する欠陥が多く発生するため大画面の液晶ディスプレ
ーを製造することが困難であった。

【００２０】次に、第２の課題としては、図１１の方法
で形成したコンタクトホール１１は、その両側の壁面が
ほぼ垂直となってしまうため、コンタクトホール１１に
埋め込む配線のステップカバレージが悪いという課題が
あった。

【００２１】すなわち、図１１（ｃ）のコンタクトホー
ル１１にドレイン配線６を埋め込んで配線しようとして
も、図１３（ｂ）に示したような断線部Ｂが生じ、接続
不良となってしまう。

【００２２】このようなコンタクトホールは、上述のド
レイン配線６と画素電極３の接続だけではなく、液晶デ
ィスプレーの基板の周辺部の配線にも使用される場合が
あり、薄膜加工時に不可欠のものである。

【００２３】更に、第３の課題としては、図１２に示し
た方法では、アモルファスシリコン膜７とエッチングス
トッパー１０のエッチング形成にレジスト膜のパターニ
ングと除去が２回必要であった。しかし、レジスト膜の
パターニングには、レジスト膜の塗布、露光、現像、洗
浄、乾燥の各工程が必要であり、液晶ディスプレーの製
造コストの低下のためにはレジスト膜のパターニング回
数を減らす必要がある。また工程の削減は、欠陥の発生
確率を減らすことにもなるため、低コスト化のためには
工程の削減は不可欠であった。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記第１及び第２の課題
を解決する為の第１の手段として、本発明では基板上に
形成した薄膜にレジスト膜をパターニングする工程と、
前記薄膜の露出部を膜厚方向に一部エッチングする工程
と、前記レジスト膜を酸素プラズマまたはオゾン雰囲気
に曝すことにより該レジスト膜の表面部を除去する工程
と、前記薄膜を更にエッチングする工程を行なう。

【００２５】あるいは、上記第１及び第２の課題を解決
する為の第２の手段として基板上に形成した薄膜にレジ
スト膜をパターニングする工程と、前記薄膜の露出部を
エッチングする工程と、前記レジスト膜を酸素プラズマ
またはオゾン雰囲気に曝すことにより該レジスト膜の表
面部を除去する工程と、前記薄膜を更に膜厚方向に一部
エッチングする工程を行なう。

【００２６】また上記第３の課題を解決する為の第３の
手段として、本発明では基板上に形成した上層薄膜と下
層薄膜からなる積層薄膜にレジスト膜をパターニングす
る工程と、前記積層薄膜を連続してエッチングする工程
と、前記レジスト膜を酸素プラズマまたはオゾン雰囲気
に曝すことにより該レジスト膜の表面部を除去する工程
と、前記上層薄膜を更にエッチングする工程を行なう。

【００２７】

【作用】レジスト膜は有機材料であるため、これを酸素
プラズマまたはオゾン雰囲気に曝すとその表面部が灰化
除去され、レジストパターンがその断面形状をほぼ相似
形を保ったまま小さくなる。

【００２８】そこで上記第１の手段により、１回目のエ
ッチングを行って薄膜を膜厚方向に一部エッチングした
後にレジスト膜を酸素プラズマまたはオゾン雰囲気に曝
すと、レジストパターンはエッチングされた薄膜のパタ
ーンより小さくなり、エッチングされていない薄膜の表
面が露出される。

【００２９】この状態で２回目のエッチングを行うと、
１回目のエッチングで膜厚が薄くなった部分と新たに露
出された表面が共にエッチングされるが、前者が全てエ
ッチングされた段階でエッチングを止めると、新たに露
出された表面の部分は膜厚方向に一部エッチングされた
状態となる。

【００３０】すなわち、２回目のエッチング終了後の薄
膜の断面形状を階段状にすることができる。

【００３１】階段状のパターンは従来例のような矩形の
パターンに比べて、その上に成膜する薄膜のステップカ
バレージを改善することができる。

【００３２】また、上記第２の手段により、１回目のエ
ッチングで薄膜をエッチングした後、レジスト膜を酸素
プラズマまたはオゾン雰囲気に曝してレジストパターン
を相似的に小さくし、新たに露出された表面を２回目の
エッチングで膜厚方向に一部エッチングすると、薄膜の
断面形状を階段状にすることができる。

【００３３】また上記第３の手段により、先ず積層膜を
連続してエッチングした後、レジスト膜を酸素プラズマ
またはオゾン雰囲気に曝してレジストパターンを相似的
に小さくし、更に再び上層膜のみをエッチングすると、
下層膜と上層膜を相似形でしかも上層膜を下層膜に比べ
て小さなパターンでエッチングすることができる。すな
わち、レジスト膜のパターニングを１回行うだけで積層
膜を異なった大きさにエッチング加工することができ
る。

【００３４】

【実施例】（実施例１）以下、本発明の第１の実施例を
図１を参照しながら説明する。

【００３５】図１（ａ）〜（ｄ）は、図９のＴＦＴ素子
のゲート配線４のエッチング工程を示したもので、１は
ガラス基板、４’は成膜されたアルミニウムからなるゲ
ート配線材料、１６はゲート配線をエッチング形成する
ためのレジスト膜である。

【００３６】エッチングを行うには、図１（ａ）〜
（ｄ）に対応して以下の工程を行う。 （ａ）アルミニウム膜４’上にレジスト膜１６をパター
ニングする。 （ｂ）燐酸系のエッチャントを用いてレジスト膜１６に
覆われていない部分のアルミニウム膜を、膜厚方向に半
分程度ウエットエッチングする。 （ｃ）レジスト膜１６を酸素プラズマに曝す。これによ
り、レジスト膜の表面を灰化除去し、その断面を相似的
に小さくする。 （ｄ）更に燐酸系のエッチャントを用いて、上記（ｂ）
で残った部分および新たに露出した部分のアルミニウム
膜をウエットエッチングする。 この後、レジスト膜１６を除去すれば断面が階段状のゲ
ート配線４を形成することができる。

【００３７】このようにして形成したゲート配線４を用
いるとその上に重ねて成膜する薄膜のステップカバレー
ジを大幅に改善することができる。

【００３８】図２には上記工程で形成したゲート配線４
上に、ゲート絶縁膜８およびアモルファスシリコン膜
７’を積層して成膜した状態を示す。一部Ａ’のように
若干くびれた部分が生じるが、従来例で発生した図１３
（ａ）のＡのような断絶は発生しない。

【００３９】本実施例の（ｃ）の工程で用いる酸素プラ
ズマの発生装置の一例を図３に示す。

【００４０】図３は高周波電力を用いて真空中で酸素プ
ラズマを発生するものである。１７は石英製の真空容器
でこの中にレジスト膜をパターニングした基板１８を配
置し、酸素ガス供給口１９から酸素ガスを供給しながら
排気口２０に接続した真空ポンプで真空引きして内圧を
１トールから０．００１トール台程度に調節し、誘導コ
イル２１に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加
することによって真空容器１７内に酸素プラズマ２２を
発生させ、この酸素プラズマ２２に基板１８を数十秒か
ら数分程度曝す。

【００４１】なお、本実施例では（ｂ）の工程でのエッ
チング量を膜厚の半分程度としたが、このエッチング量
は必要に応じて加減すればよい。

【００４２】また、本実施例ではエッチングにウエット
エッチングを用いたが、当然ドライエッチングを行って
も良い。

【００４３】更に、本実施例ではレジスト膜を酸素プラ
ズマに曝し再びエッチングを行う回数を１回とした。し
かし、エッチング後の薄膜の断面形状を多段とし、より
一層ステップカバレージを向上させるためには、この回
数を複数回繰り返せば良い。

【００４４】本実施例では（ｃ）の工程でレジスト膜の
表面部を灰化除去しその断面形状を相似的に小さくする
手段として、レジスト膜を酸素プラズマに曝す方法を用
いたが、この工程にレジスト膜をオゾン雰囲気に曝す方
法を用いてもよい。図４にはこの方法に用いる紫外線照
射方式のオゾン発生装置の一例を示した。

【００４５】図４において２３は密閉容器で、この中に
レジスト膜をパターニングした基板１８を配置し、酸素
ガス供給口２４から酸素ガスを供給しながら紫外線ラン
プ２５で紫外線を照射するとオゾン２６が発生する。こ
のオゾン２６によってレジスト膜の表面部が灰化除去さ
れる。なお、２７は排気口である。

【００４６】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
を図５を参照しながら説明する。

【００４７】図５（ａ）〜（ｄ）は図９のコンタクトホ
ール１１のエッチング工程を示したもので、１はガラス
基板、３は画素電極、８は窒化シリコンからなるゲート
絶縁膜、２３はコンタクトホールを形成するためのレジ
スト膜である。

【００４８】エッチングを行うには、図５（ａ）〜
（ｄ）に対応して以下の工程を行う。 （ａ）窒化シリコン膜８上にレジスト膜２３をパターニ
ングする。 （ｂ）弗酸系のエッチャントを用いてレジスト膜２３に
覆われていない部分の窒化シリコン膜を、膜厚方向に半
分程度ウエットエッチングする。 （ｃ）レジスト膜２３を酸素プラズマに曝し、レジスト
膜の表面を灰化除去する。これによりレジスト膜２３の
コンタクトホールのパターンは拡大する。 （ｄ）更に弗酸系のエッチャントを用いて、上記（ｂ）
で残った部分および新たに露出した部分の窒化シリコン
膜をウエットエッチングする。 この後、レジスト膜２３を除去すれば断面形状が階段状
のコンタクトホール１１を形成することができる。

【００４９】このようにして形成したコンタクトホール
１１を用いると、それに埋め込む配線のステップカバレ
ージを大幅に改善することができる。

【００５０】図６には上記工程で形成したコンタクトホ
ール１１に、ドレイン配線６を成膜し埋め込んだ状態を
示す。一部Ｂ’のように若干くびれた部分が生じるが、
従来例で発生した図１３（ｂ）のＢのような断線は発生
しない。

【００５１】なお、本実施例では（ｂ）の工程でのエッ
チング量を膜厚の半分程度としたが、このエッチング量
は必要に応じて加減すればよい。

【００５２】また、本実施例ではエッチングにウエット
エッチングを用いたが、当然ドライエッチングを行って
も良い。

【００５３】更に、本実施例ではレジスト膜を酸素プラ
ズマに曝し再びエッチングを行う回数を１回とした。し
かし、エッチング後の薄膜の断面形状を多段とし、より
一層ステップカバレージを向上させるためには、この回
数を複数回繰り返せば良い。

【００５４】なお第１の実施例と同様に、当然この方法
でも、（ｃ）の工程で酸素プラズマの代わりにオゾンを
用いても良い。

【００５５】（実施例３）次に、本発明の第３の実施例
を図７を参照しながら説明する。

【００５６】本実施例は上記第１の実施例のゲート配線
４をエッチング形成するための他の方法であり、第１の
実施例と同様に図７（ａ）〜（ｄ）はゲート配線４のエ
ッチング工程を示したもので、符号は図１の第１の実施
例と同じである。

【００５７】エッチングを行うには、図７（ａ）〜
（ｄ）に対応して以下の工程を行う。 （ａ）アルミニウム膜４’上にレジスト膜１６をパター
ニングする。 （ｂ）燐酸系のエッチャントを用いてレジスト膜１６に
覆われていない部分のアルミニウム膜をウエットエッチ
ングする。 （ｃ）レジスト膜１２を酸素プラズマに曝し、レジスト
膜の表面を灰化除去してその断面を相似的に小さくす
る。 （ｄ）更に燐酸系のエッチャントを用いて、新たに露出
した部分のアルミニウム膜を膜厚の半分程度ウエットエ
ッチングする。 この後レジスト膜１６を除去すれば、第１の実施例と同
様に断面が階段状のゲート配線４を形成することができ
る。

【００５８】また、図５に示した第２の実施例で形成し
たコンタクトホールもこの実施例のように、１回目のエ
ッチングでゲート絶縁膜８をエッチングした後レジスト
膜２３を酸素プラズマに曝して、２回目のエッチングで
ゲート絶縁膜の新たに露出した部分を膜厚の半分程度ウ
エットエッチングして形成しても良い。

【００５９】なお第１および第２の実施例と同様に、当
然これらの方法でも、酸素プラズマの代わりにオゾンを
用いても良い。

【００６０】（実施例４）次に、本発明の第４の実施例
を図８を参照しながら説明する。

【００６１】図８は、図９のアモルファスシリコン膜７
とエッチングストッパー１０の形成工程をエッチングを
主体に示したもので、１はガラス基板、４は上記第１の
実施例または第３の実施例に示した方法で形成したゲー
ト配線、８はゲート絶縁膜、７’は成膜されたアモルフ
ァスシリコン膜、１０’は成膜された窒化シリコン膜か
らなるエッチングストッパー材料、２４はアモルファス
シリコン膜７’およびエッチングストッパー膜１０’を
エッチング形成するためのパターニングされたレジスト
膜である。

【００６２】エッチングを行うには、図８（ａ）〜
（ｅ）に対応して以下の工程を行う。 （ａ）ゲート絶縁膜８上にアモルファスシリコン膜７’
と窒化シリコン膜からなるエッチングストッパー膜１
０’を積層して連続成膜し、レジスト膜２４をパターニ
ングする。 （ｂ）弗酸系のエッチャントを用いて窒化シリコン膜１
０’をウエットエッチングし、続いて弗酸と硝酸の混合
液からなるエッチャントを用いてアモルファスシリコン
膜７’をウエットエッチングする。 （ｃ）レジスト膜２４を酸素プラズマに曝す。これによ
り、レジスト膜の表面を灰化除去し、その断面形状を相
似形を保ったまま小さくする。 （ｄ）弗酸系のエッチャントを用いて新たに露出した窒
化シリコン膜１０’をウエットエッチングする。 （ｅ）．レジスト膜２４を除去する。

【００６３】このように、レジスト膜のパターニングを
１回だけで窒化シリコン膜とアモルファスシリコン膜の
積層膜を相似形で異なった大きさにエッチング形成する
ことができる。

【００６４】したがって、図１２に示す従来例に比べて
レジスト膜のパターニング工程すなわち、レジスト膜の
塗布、露光、現像、洗浄、乾燥の各工程を１回削減する
ことができ、液晶ディスプレーの製造コストの低下と、
欠陥の発生確率を減らすことができ、低コスト化が可能
となる。

【００６５】なお、上記実施例ではエッチングにウエッ
トエッチングを用いたが、当然ドライエッチングを行っ
ても良い。

【００６６】更に、当然この方法でも、（ｃ）の工程の
酸素プラズマの代わりにオゾンを用いても良い。

【００６７】

【発明の効果】本発明により、薄膜の断面の形状を階段
状にエッチングすることができるため、その上に積層す
る薄膜のステップカバレージを大幅に向上することがで
きる。そのため本発明を液晶ディスプレーのゲート配線
に用いると、膜厚の厚い配線を使用することができるた
め、配線抵抗を小さくすることができ、大面積の液晶デ
ィスプレーを製造することができる。

【００６８】また本発明により、コンタクトホールに埋
め込む配線の断線を防ぐことができるため、液晶ディス
プレーの製造歩留まりを向上することができる。

【００６９】さらに本発明により、積層した薄膜のエッ
チングに必要なレジスト膜のパターニング工程を１回削
減することができる。そのため、工程の削減と同時に欠
陥の発生を抑制することができ、より低コストな液晶デ
ィスプレーを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す工程図

【図２】第１の実施例の効果の説明図

【図３】同実施例で用いた酸素プラズマ発生装置の構成
図

【図４】同実施例で用いたオゾン発生装置の構成図

【図５】本発明の第２の実施例を示す工程図

【図６】第２の実施例の効果の説明図

【図７】本発明の第３の実施例を示す工程図

【図８】本発明の第４の実施例を示す工程図

【図９】液晶ディスプレー用ＴＦＴの構成図

【図１０】第１の従来例を示す工程図

【図１１】第２の従来例を示す工程図

【図１２】第３の従来例を示す工程図

【図１３】従来例の工程を用いた場合のステップカバレ
ージの説明図

【符号の説明】

１ ガラス基板 ４ ゲート電極 ７ アモルファスシリコン膜 ８ ゲート絶縁膜 １０ エッチングストッパー １６、２３、２４ レジスト膜 ２２ 酸素プラズマ ２６ オゾン

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に形成した薄膜にレジスト膜をパタ
   ーニングする工程と、前記薄膜の露出部を膜厚方向に一
   部エッチングする工程と、前記レジスト膜を酸素プラズ
   マに曝すことにより該レジスト膜の表面部を除去する工
   程と、前記薄膜を更にエッチングする工程を有する薄膜
   のエッチング方法。
2. 【請求項２】基板上に形成した薄膜にレジスト膜をパタ
   ーニングする工程と、前記薄膜の露出部を膜厚方向に一
   部エッチングする工程と、前記レジスト膜をオゾン雰囲
   気に曝すことにより該レジスト膜の表面部を除去する工
   程と、前記薄膜を更にエッチングする工程を有する薄膜
   のエッチング方法。
3. 【請求項３】基板上に形成した薄膜にレジスト膜をパタ
   ーニングする工程と、前記薄膜の露出部をエッチングす
   る工程と、前記レジスト膜を酸素プラズマに曝すことに
   より該レジスト膜の表面部を除去する工程と、前記薄膜
   を更に膜厚方向に一部エッチングする工程を有する薄膜
   のエッチング方法。
4. 【請求項４】基板上に形成した薄膜にレジスト膜をパタ
   ーニングする工程と、前記薄膜の露出部をエッチングす
   る工程と、前記レジスト膜をオゾン雰囲気に曝すことに
   より該レジスト膜の表面部を除去する工程と、前記薄膜
   を更に膜厚方向に一部エッチングする工程を有する薄膜
   のエッチング方法。
5. 【請求項５】基板上に形成した上層薄膜と下層薄膜から
   なる積層薄膜にレジスト膜をパターニングする工程と、
   前記積層薄膜を連続してエッチングする工程と、前記レ
   ジスト膜を酸素プラズマに曝すことにより該レジスト膜
   の表面部を除去する工程と、前記上層薄膜を更にエッチ
   ングする工程を有する積層薄膜のエッチング方法。
6. 【請求項６】基板上に形成した上層薄膜と下層薄膜から
   なる積層薄膜にレジスト膜をパターニングする工程と、
   前記積層薄膜を連続してエッチングする工程と、前記レ
   ジスト膜をオゾン雰囲気に曝すことにより該レジスト膜
   の表面部を除去する工程と、前記上層薄膜を更にエッチ
   ングする工程を有する積層薄膜のエッチング方法。