JPH0823103A - アクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス基板の製造方法Info
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- JPH0823103A JPH0823103A JP17595894A JP17595894A JPH0823103A JP H0823103 A JPH0823103 A JP H0823103A JP 17595894 A JP17595894 A JP 17595894A JP 17595894 A JP17595894 A JP 17595894A JP H0823103 A JPH0823103 A JP H0823103A
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Abstract
アクティブマトリクス基板の製造方法において、下層の
電極の断面形状を階段状にして、上層の電極の断線を防
止する。 【構成】 絶縁基板(1)上に導電膜(2)を形成しフ
ォトレジスト(3)を塗布する(図1(a))。次にフ
ォトレジスト(3)を露光し潜像を形成し、現像液で最
初の現像を行いレジストパターンを形成し、さらに下層
の導電膜をパターン化する(図1(b))。その後再び
現像液で現像し、フォトレジストパターンをオーバー現
像する(図1(c))。このオーバー現像したレジスト
パターン(3)を用いて、導電膜(2)を膜厚の半分程
度エッチングする(図1(d))。その後レジストパタ
ーンを除去し(図1(e))、アクティブマトリクス基
板のゲート電極を階段状に形成する。
Description
基板の製造方法に関し、特に液晶ディスプレイ等の表示
装置を構成するための薄膜トランジスタアレイからなる
アクティブマトリクス基板の製造方法に関する。
アクティブマトリクス基板は、図3(a)〜(c)に示
すように、絶縁基板(1)上に導電膜(2)を形成しフ
ォトレジスト(3)を塗布した(図3(a))後に、フ
ォトレジスト(3)に潜像を形成し現像を行ない、レジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンをマスク
として導電膜(2)をエッチング除去しパターン化し
(図3(b))、続いてレジストパターンを除去して導
電膜(2)よりゲート電極を形成(図3(c))してい
た。この方法で製造したゲート電極は、断面形状におい
て側壁の一部が垂直になったり、逆テーバー状になった
りするという欠点があり、このため上層の配線電極が断
線する確率が高いという不具合があった。
昭59−165437が知られている。この方法は第4
図(a)〜(e)に示すように、シリコン基板に酸化膜
を形成した絶縁基板(1)に導電層(2)、窒化シリコ
ン膜(4)、レジスト膜(3)を形成し(図4
(a))、フォトレジスト法によりレジスト膜(3)に
レジストパターンを形成し、このレジストパターンをマ
スクとして窒化シリコン膜(4)をエッチング除去し
(図4(b))、さらに導電層(2)をエッチング除去
する(図4(c))。レジストパターン(3)を除去し
た後、窒化シリコン膜パターン(4)をマスクとして導
電層のパターン(2)を、導電層膜厚の途中まで異方的
にエッチングして断面形状において側壁を階段状にし
(図4(d))、さらに窒化シリコン膜パターン(4)
を除去して導電膜(2)よりゲート電極を形成(図4
(e))する方法である。
0330が知られている。この方法は、図5(a)〜
(e)に示すように、絶縁基板(1)上に第1の導電層
(2a)、レジスト膜(3)を形成し(図4(a))、
フォトレジスト法によりレジストパターン(3)を形成
し、このレジストパターン(3)をマスクとして第1の
導電層(2a)をパターン化する(図5(b))。レジ
ストパターン除去後、第2の導電層(2b)、レジスト
膜(3)を形成し(図5(c))、フォトレジスト法に
より第1の導電層パターン(2a)よりわずかに小さい
レジストパターン(3)を形成し、このレジストパター
ン(3)を用いて第2の導電層(2b)をパターン化し
(図5(d))、その後フォトレジストパターン(3)
を除去し、2層の導電膜の断面形状を階段状にしたゲー
ト電極(2a)、(2b)を形成(図5(e))する方
法である。
ティブマトリクス基板の製造方法では、製造したゲート
電極の側壁の一部が垂直になったり、逆テーバー状にな
ったりして上層の配線電極が断線するという問題点があ
った。また上記の従来技術の製造方法は、工程数が多
く、製造コストが高くなるという問題点があった。逆ス
タガ型薄膜トランジスタについて、図6(a)(b)に
示すと、絶縁基板(1)上にゲート電極(2)とゲート
電極配線(5)を形成し、その上にゲート絶縁膜
(6)、半導体膜(7)、ソース電極(8)、ドレイン
電極(9)およびドレイン電極配線(10)を形成して
いるものである。なお図6中の(11)はオーミック
層、(12)は表示電極である。そして、このような逆
スタガ型薄膜トランジスタアレイは、絶縁基板上にゲー
ト電極とゲート電極配線を同一工程で形成し、その上に
ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース・ドレイン電極および
ドレイン電極配線を形成して成るという構造のものであ
るから、そのアクティブマトリクス基板の製造方法にお
いて、上層電極であるソース・ドレイン電極およびドレ
イン電極配線が断線し、歩留が低いという問題点があっ
た。
膜トランジスタアレイからなるアクティブマトリクス基
板の製造方法において、絶縁基板上に導電膜を形成する
工程と、前記導電膜上にフォトレジストを形成する工程
と、前記フォトレジストに潜像を形成し第1の現像を行
ないレジストパターンを形成する工程と、前記レジスト
パターンをマスクとし前記導電膜をエッチング除去しパ
ターン化する工程と、前記レジストパターンをさらに第
2の現像を行い、オーバーエッチングする工程と、前記
オーバーエッチングされたレジストパターンをマスクと
し、前記パターニングされた導電膜をさらに導電膜膜厚
の半分程度エッチングする工程と、前記レジストパター
ンを除去してゲート電極を形成する工程を含むことを特
徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法である。
タアレイからなるアクティブマトリクス基板の製造方法
において、絶縁基板上に2層の導電膜を形成する工程
と、前記導電膜上にフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジストに潜像を形成し第1の現像を行ない
レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパタ
ーンをマスクとし前記2層の導電膜をエッチング除去し
パターン化する工程と、前記レジストパターンをさらに
第2の現像を行い、オーバーエッチングする工程と、前
記オーバーエッチングされたレジストパターンをマスク
とし、前記パターニングされた2層の導電膜をさらに導
電膜膜厚の半分程度エッチングする工程と、前記レジス
トパターンを除去してゲート電極を形成する工程を含む
ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法
である。
ジスタアレイからなるアクティブマトリクス基板の製造
方法は、絶縁基板上に単層または2層の導電膜を形成す
る工程と、前記導電膜上にフォトレジストを形成する工
程と、前記フォトレジストに潜像を形成し第1の現像を
行ないレジストパターンを形成する工程と、前記レジス
トパターンをマスクとし前記単層または2層の導電膜を
エッチング除去しパターン化する工程と、前記レジスト
パターンをさらに第2の現像を行い、オーバーエッチン
グする工程と、前記オーバーエッチングされたレジスト
パターンをマスクとし、前記パターニングされた単層ま
たは2層の導電膜をさらに導電膜膜厚の半分程度エッチ
ングする工程と、前記レジストパターンを除去してゲー
ト電極を形成する工程を含んでいるもので、本発明にお
いては、ゲート電極の断面形状を階段状にできるもの
で、製造工程を大幅に増加させないで上層電極の断線が
生ずることがないアクティブマトリクス基板を製造でき
るものである。
する。 〔実施例1〕図1(a)〜(e)本発明の第1の実施例
のアクティブマトリクス基板のゲート電極形成までの製
造方法を示す断面図である。絶縁基板(1)上に導電膜
(2)としてクロム膜をアルゴンスパッタ法により20
00Å形成し、フォトレジスト(3)を塗布する(図1
(a))、次にフォトレジスト(3)を露光し潜像を形
成し、現像液で最初の現像を行ないレジストパターンを
形成し、さらに下層の導電膜(2)として用いたクロム
膜を硝酸セリウムアンモニウムを主成分とするエッチン
グ液でエッチング除去しパターン化する(図1
(b))。その後再び現像液で現像を行ない、フォトレ
ジストパターン(3)をオーバー現像する(図1
(c))。このオーバー現像したレジストパターン
(3)を用いて、導電膜(2)として用いたクロム膜を
塩素ガスを主成分とするエッチングガスを用いて100
0Å程度ドライエッチングする(図1(d))。その後
レジストパターンを除去し(図1(e))、アクティブ
マトリクス基板のゲート電極を形成するものである。
アクティブマトリクス基板のゲート電極形成までの製造
方法を示す断面図を図2(a)〜(e)に示す。絶縁基
板(1)上に第1の導電膜(2a)としてクロム膜を1
000Åアルゴンスパッタ法で形成し、さらに第2の導
電膜(2b)としてアルミ膜を1000Å形成し、その
上にフォトレジスト(3)を塗布する(図2(a))。
次にフォトレジスト(3)を露光し潜像を形成し、現像
液で最初の現像を行いレジストパターンを形成し、さら
に下層の導電膜(2a)、(2b)として用いたクロム
膜、アルミ膜を塩素ガスを主成分とするエッチングガス
を用いてドライエッチングする(図2(b))。その後
再び現像液で現像を行い、フォトレジストパターン
(3)をオーバー現像する(図1(c))。このオーバ
ー現像したレジストパターン(3)を用いて、第2の導
電膜(2b)として用いたアルミ膜をリン酸を主成分と
するエッチング液でエッチング除去する(図1
(d))。その後レジストパターンを除去し(図1
(e))、アクティブマトリクス基板のゲート電極を形
成するものである。
レジストを現像液を用いて2度現像するだけでゲート電
極の断面形状を階段状にできるため、ゲート電極の側壁
の一部が垂直になったり、逆テーバー状になったりする
ことがなく、製造工程を大幅に増加させないで上層電極
の断線がおこり難いアクティブマトリクス基板を製造で
き、製造コストが高くなることがないという効果を有す
る。また、特に逆スタガ型薄膜トランジスタアレイのア
クティブマトリクス基板の製造方法において、上層電極
であるソース・ドレイン電極およびドレイン電極配線は
断線がおこり難いため、歩留が高いという効果を有す
る。
図。
図。
極形成までの製造方法を示す断面図。
ト電極形成までの製造方法を示す断面図。
のゲート電極形成までの製造方法を示す断面図。
図。
Claims (2)
- 【請求項1】 逆スタガ型薄膜トランジスタアレイから
なるアクティブマトリクス基板の製造方法において、絶
縁基板上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜上にフ
ォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに
潜像を形成し第1の現像を行ないレジストパターンを形
成する工程と、前記レジストパターンをマスクとし前記
導電膜をエッチング除去しパターン化する工程と、前記
レジストパターンをさらに第2の現像を行い、オーバー
エッチングする工程と、前記オーバーエッチングされた
レジストパターンをマスクとし、前記パターニングされ
た導電膜をさらに導電膜膜厚の半分程度エッチングする
工程と、前記レジストパターンを除去してゲート電極を
形成する工程を含むことを特徴とするアクティブマトリ
クス基板の製造方法。 - 【請求項2】 逆スタガ型薄膜トランジスタアレイから
なるアクティブマトリクス基板の製造方法において、絶
縁基板上に2層の導電膜を形成する工程と、前記導電膜
上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジ
ストに潜像を形成し第1の現像を行ないレジストパター
ンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクと
し前記2層の導電膜をエッチング除去しパターン化する
工程と、前記レジストパターンをさらに第2の現像を行
い、オーバーエッチングする工程と、前記オーバーエッ
チングされたレジストパターンをマスクとし、前記パタ
ーニングされた2層の導電膜をさらに導電膜膜厚の半分
程度エッチングする工程と、前記レジストパターンを除
去してゲート電極を形成する工程を含むことを特徴とす
るアクティブマトリクス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17595894A JP2713174B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP17595894A JP2713174B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0823103A true JPH0823103A (ja) | 1996-01-23 |
JP2713174B2 JP2713174B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=16005238
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP17595894A Expired - Fee Related JP2713174B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
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1994
- 1994-07-05 JP JP17595894A patent/JP2713174B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
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