JPH11145113A - エッチング方法 - Google Patents
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- JPH11145113A JPH11145113A JP9312183A JP31218397A JPH11145113A JP H11145113 A JPH11145113 A JP H11145113A JP 9312183 A JP9312183 A JP 9312183A JP 31218397 A JP31218397 A JP 31218397A JP H11145113 A JPH11145113 A JP H11145113A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン酸化膜に対しシリコン窒化膜を高い
選択比でエッチングするエッチング方法を提供する。 【解決手段】 エッチング装置３６は、チャンバ３７
と、チャンバ内に互いに対向して設けられた上部電極３
８Ａ及び下部電極３８Ｂと、上部電極３８Ａ及び下部電
極３８Ｂとにそれぞれ接続された第１及び第２のＲＦ電
源４２Ａ、Ｂとを備えた装置である。シリコン窒化膜及
びシリコン酸化膜が被エッチング面に露出している基板
４３を下部電極３８Ｂの上面に保持し、基板表面の電力
密度が０．２０〜０．３５Ｗ／ｃｍ2の範囲内で、か
つ、上部電極３８Ａの表面の電力密度が１．１３Ｗ／ｃ
ｍ2以上であるように第１及び第２のＲＦ電源４２Ａ、
Ｂの供給する高周波電力を調整し、塩素ガス雰囲気内で
エッチングする。これにより、シリコン酸化膜に対しシ
リコン窒化膜を高い選択比、例えば１０以上でエッチン
グすることができる。
選択比でエッチングするエッチング方法を提供する。 【解決手段】 エッチング装置３６は、チャンバ３７
と、チャンバ内に互いに対向して設けられた上部電極３
８Ａ及び下部電極３８Ｂと、上部電極３８Ａ及び下部電
極３８Ｂとにそれぞれ接続された第１及び第２のＲＦ電
源４２Ａ、Ｂとを備えた装置である。シリコン窒化膜及
びシリコン酸化膜が被エッチング面に露出している基板
４３を下部電極３８Ｂの上面に保持し、基板表面の電力
密度が０．２０〜０．３５Ｗ／ｃｍ2の範囲内で、か
つ、上部電極３８Ａの表面の電力密度が１．１３Ｗ／ｃ
ｍ2以上であるように第１及び第２のＲＦ電源４２Ａ、
Ｂの供給する高周波電力を調整し、塩素ガス雰囲気内で
エッチングする。これにより、シリコン酸化膜に対しシ
リコン窒化膜を高い選択比、例えば１０以上でエッチン
グすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング方法に
関し、更に詳しくは、シリコン酸化膜及びシリコン窒化
膜を積層して備える基板の前記シリコン窒化膜を高い選
択比でエッチングするエッチング方法に関する。
関し、更に詳しくは、シリコン酸化膜及びシリコン窒化
膜を積層して備える基板の前記シリコン窒化膜を高い選
択比でエッチングするエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程では、シリコ
ン酸化膜の素子分離領域の形成や、自己整合用コンタク
トホールの側壁面にストッパー膜を形成するためなど種
々の目的のために、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜
を積層して備える基板のシリコン窒化膜をエッチングし
ている。本明細書では、エッチングとはドライエッチン
グを意味する。
ン酸化膜の素子分離領域の形成や、自己整合用コンタク
トホールの側壁面にストッパー膜を形成するためなど種
々の目的のために、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜
を積層して備える基板のシリコン窒化膜をエッチングし
ている。本明細書では、エッチングとはドライエッチン
グを意味する。
【０００３】以下、エッチング方法の従来例として、シ
リコン酸化膜の素子分離領域の形成のためにシリコン窒
化膜をエッチングする例（以下、第１従来例と言う）を
説明する。図７（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、従来の
一般的なドライエッチング装置（以下、簡単にエッチン
グ装置と言う）でシリコン窒化膜をエッチングする工程
毎の基板断面図である。先ず、シリコン基板１２上に、
シリコン酸化膜１４、及びシリコン窒化膜１６を順次成
膜した後、フォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラ
フィによりパターンニングし、図７（ａ）に示す基板を
得る。
リコン酸化膜の素子分離領域の形成のためにシリコン窒
化膜をエッチングする例（以下、第１従来例と言う）を
説明する。図７（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、従来の
一般的なドライエッチング装置（以下、簡単にエッチン
グ装置と言う）でシリコン窒化膜をエッチングする工程
毎の基板断面図である。先ず、シリコン基板１２上に、
シリコン酸化膜１４、及びシリコン窒化膜１６を順次成
膜した後、フォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラ
フィによりパターンニングし、図７（ａ）に示す基板を
得る。
【０００４】次いで、平行平板型ＲＩＥ（Reactive Ion
Etching）装置等の一般的なエッチング装置及びマスク
を用いてシリコン窒化膜１６をエッチングし、図７
（ｂ）に示す基板を得る。この段階では、シリコン酸化
膜１４もエッチングされていることが多い。次いで、パ
ターン付きのフォトレジスト膜１８を除去し、熱酸化処
理を行い、更に、シリコン窒化膜１６及びシリコン酸化
膜１４を除去することにより、図７（ｃ）に示すよう
に、素子分離領域２０が形成される。
Etching）装置等の一般的なエッチング装置及びマスク
を用いてシリコン窒化膜１６をエッチングし、図７
（ｂ）に示す基板を得る。この段階では、シリコン酸化
膜１４もエッチングされていることが多い。次いで、パ
ターン付きのフォトレジスト膜１８を除去し、熱酸化処
理を行い、更に、シリコン窒化膜１６及びシリコン酸化
膜１４を除去することにより、図７（ｃ）に示すよう
に、素子分離領域２０が形成される。
【０００５】また、シリコン窒化膜をエッチングする従
来例として、自己整合用コンタクトホールの側壁面にス
トッパー膜を形成するためにシリコン窒化膜をエッチン
グする例（以下、第２従来例と言う）を説明する。図８
（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、従来の一般的なエッチ
ング装置でシリコン窒化膜をエッチングする工程毎の基
板断面図である。
来例として、自己整合用コンタクトホールの側壁面にス
トッパー膜を形成するためにシリコン窒化膜をエッチン
グする例（以下、第２従来例と言う）を説明する。図８
（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、従来の一般的なエッチ
ング装置でシリコン窒化膜をエッチングする工程毎の基
板断面図である。
【０００６】先ず、シリコン基板１２上に、第１のシリ
コン酸化膜２２、多結晶シリコン膜２４、第１のシリコ
ン窒化膜２６を順次成膜した後、フォトレジスト膜を塗
布し、フォトリソグラフィによりパターンニングし、図
８（ａ）に示す基板を得る。次いで、平行平板型ＲＩＥ
等の一般的なエッチング装置及びマスクを用い、エッチ
ングガス雰囲気内で第１のシリコン窒化膜２６及び多結
晶シリコン膜２４をエッチングし、しかも、第１のシリ
コン酸化膜をエッチングしないようにして、図８（ｂ）
に示すような基板を得る。
コン酸化膜２２、多結晶シリコン膜２４、第１のシリコ
ン窒化膜２６を順次成膜した後、フォトレジスト膜を塗
布し、フォトリソグラフィによりパターンニングし、図
８（ａ）に示す基板を得る。次いで、平行平板型ＲＩＥ
等の一般的なエッチング装置及びマスクを用い、エッチ
ングガス雰囲気内で第１のシリコン窒化膜２６及び多結
晶シリコン膜２４をエッチングし、しかも、第１のシリ
コン酸化膜をエッチングしないようにして、図８（ｂ）
に示すような基板を得る。
【０００７】次いで、パターン付きのフォトレジスト膜
２８を除去し、更に、第２のシリコン酸化膜３０、第２
のシリコン窒化膜３２を順次成膜し、第２のシリコン窒
化膜３２をエッチングして、図８（ｃ）に示すように、
第２のシリコン窒化膜３２が成形されてなるサイドウォ
ール３４をストッパ膜として形成する。この段階では、
第１、第２のシリコン酸化膜２２、３０もエッチングさ
れていることが多い。基板上に成形された多結晶シリコ
ンは、ゲート電極として作用するように形成される。こ
の後、絶縁膜（図示せず）を成膜し、更に、コンタクト
ホールを形成する。
２８を除去し、更に、第２のシリコン酸化膜３０、第２
のシリコン窒化膜３２を順次成膜し、第２のシリコン窒
化膜３２をエッチングして、図８（ｃ）に示すように、
第２のシリコン窒化膜３２が成形されてなるサイドウォ
ール３４をストッパ膜として形成する。この段階では、
第１、第２のシリコン酸化膜２２、３０もエッチングさ
れていることが多い。基板上に成形された多結晶シリコ
ンは、ゲート電極として作用するように形成される。こ
の後、絶縁膜（図示せず）を成膜し、更に、コンタクト
ホールを形成する。
【０００８】シリコン窒化膜１６のエッチングに用いら
れるガスは、一般に、フルオロカーボンを含むガス系、
例えばＣＦ4ガス、ＣＦ4／ＣＨＦ3の混合ガス、ＣＨＦ3
／Ｏ 2の混合ガス、ＣＦ4／Ｏ2の混合ガス、特開平０５
−２５１３３９号公報に開示されているＳＦ6／ＣＨＦ3
の混合ガス、特開平５６−１２２１２９号公報に開示さ
れているＣＦ4／Ｈ2の混合ガス、特開平０１−２１４０
２５号公報に開示されているＣＦ4／Ｎ2の混合ガスなど
である。
れるガスは、一般に、フルオロカーボンを含むガス系、
例えばＣＦ4ガス、ＣＦ4／ＣＨＦ3の混合ガス、ＣＨＦ3
／Ｏ 2の混合ガス、ＣＦ4／Ｏ2の混合ガス、特開平０５
−２５１３３９号公報に開示されているＳＦ6／ＣＨＦ3
の混合ガス、特開平５６−１２２１２９号公報に開示さ
れているＣＦ4／Ｈ2の混合ガス、特開平０１−２１４０
２５号公報に開示されているＣＦ4／Ｎ2の混合ガスなど
である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来、シリコ
ン窒化膜をエッチングする際、マスクのパターンとエッ
チングにより形成されるパターンとの寸法の相違を許容
範囲内に抑えようとすると、シリコン酸化膜に対するシ
リコン窒化膜の選択比を１〜３程度よりも上げることが
できないという問題があった。この問題は、種々の問題
を引き起こしていた。
ン窒化膜をエッチングする際、マスクのパターンとエッ
チングにより形成されるパターンとの寸法の相違を許容
範囲内に抑えようとすると、シリコン酸化膜に対するシ
リコン窒化膜の選択比を１〜３程度よりも上げることが
できないという問題があった。この問題は、種々の問題
を引き起こしていた。
【００１０】例えば、第１従来例では、シリコン窒化膜
の下地膜であるシリコン酸化膜の膜厚が１０ｎｍ以下で
あると、素子分離領域を形成するためにシリコン窒化膜
をエッチングする際、シリコン酸化膜もエッチングされ
てシリコン基板表面の一部が露出する。このため、露出
したシリコン基板表面がエッチングされて損傷し、ま
た、素子分離領域と隣り合う素子分離領域との間の耐圧
が低く、電流がリークする。
の下地膜であるシリコン酸化膜の膜厚が１０ｎｍ以下で
あると、素子分離領域を形成するためにシリコン窒化膜
をエッチングする際、シリコン酸化膜もエッチングされ
てシリコン基板表面の一部が露出する。このため、露出
したシリコン基板表面がエッチングされて損傷し、ま
た、素子分離領域と隣り合う素子分離領域との間の耐圧
が低く、電流がリークする。
【００１１】また、図９は、第２従来例で生じる問題を
示す図であり、素子分離領域とサイドウォールとの間の
シリコン基板表面が損傷を受けた基板断面図である。第
２従来例では、第２のシリコン窒化膜３２をエッチング
する際、第１、第２のシリコン酸化膜２２、３０もエッ
チングされてシリコン基板の表面の少なくとも一部が露
出し、露出したシリコン基板表面部３５がエッチングさ
れて損傷する。図９で「×」のマークを付した領域は、
損傷を受けている領域を示す。また、第２のシリコン窒
化膜３２をエッチングする際、第１、第２のシリコン酸
化膜２２、３０及び素子分離領域周縁２０もエッチング
され、素子分離領域２０の周縁下側のシリコン基板表面
部３５Ａが露出した状態、すなわち結晶欠陥が露出した
状態になる。この後、シリコン基板表面部３５の上にコ
ンタクトホールを形成すると、素子分離領域と隣り合う
素子分離領域との間の耐圧が低く、電流がリークする。
示す図であり、素子分離領域とサイドウォールとの間の
シリコン基板表面が損傷を受けた基板断面図である。第
２従来例では、第２のシリコン窒化膜３２をエッチング
する際、第１、第２のシリコン酸化膜２２、３０もエッ
チングされてシリコン基板の表面の少なくとも一部が露
出し、露出したシリコン基板表面部３５がエッチングさ
れて損傷する。図９で「×」のマークを付した領域は、
損傷を受けている領域を示す。また、第２のシリコン窒
化膜３２をエッチングする際、第１、第２のシリコン酸
化膜２２、３０及び素子分離領域周縁２０もエッチング
され、素子分離領域２０の周縁下側のシリコン基板表面
部３５Ａが露出した状態、すなわち結晶欠陥が露出した
状態になる。この後、シリコン基板表面部３５の上にコ
ンタクトホールを形成すると、素子分離領域と隣り合う
素子分離領域との間の耐圧が低く、電流がリークする。
【００１２】シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の
選択比を高めてエッチングする方法として、特開平２−
６６９４３号にＣｌＦ3ガスで、特開平６−１８１１９
０号にＮＦ3／Ｃｌ2の混合ガスで行う方法が開示されて
いる。しかし、これらのガスによるエッチングではフッ
素ラジカルが発生し、この結果、基板に平行な方向にエ
ッチングされる。従って、エッチング寸法の制御が困難
で、すなわち寸法制御性が悪く、このため、微細なエッ
チングパターンを形成するのが困難であるという別の問
題が生じる。また、特開平５−１９８５３８号にＮＦ3
／Ｃｌ2の混合ガスでエッチングを行う方法が開示され
ているが、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選
択比が最大で４程度であり、あまり有効でない。
選択比を高めてエッチングする方法として、特開平２−
６６９４３号にＣｌＦ3ガスで、特開平６−１８１１９
０号にＮＦ3／Ｃｌ2の混合ガスで行う方法が開示されて
いる。しかし、これらのガスによるエッチングではフッ
素ラジカルが発生し、この結果、基板に平行な方向にエ
ッチングされる。従って、エッチング寸法の制御が困難
で、すなわち寸法制御性が悪く、このため、微細なエッ
チングパターンを形成するのが困難であるという別の問
題が生じる。また、特開平５−１９８５３８号にＮＦ3
／Ｃｌ2の混合ガスでエッチングを行う方法が開示され
ているが、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選
択比が最大で４程度であり、あまり有効でない。
【００１３】以上のような事情に照らして、本発明の目
的は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜を積層して備
える基板のシリコン窒化膜を高い選択比で、しかも寸法
制御性の優れたエッチングを行うエッチング方法を提供
することを目的とする。
的は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜を積層して備
える基板のシリコン窒化膜を高い選択比で、しかも寸法
制御性の優れたエッチングを行うエッチング方法を提供
することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、種々の実験
を重ねた。その結果、互いに対向する第１、第２電極に
印加する高周波電力をそれぞれ調整した上で、被エッチ
ング面にシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を露出した
基板を何れか一方の電極に保持し、塩素ガス雰囲気内で
エッチングすることにより、シリコン酸化膜に対しシリ
コン窒化膜を高い選択比で、しかも寸法制御性を悪化さ
せることなくエッチングを行うことが可能なことを見い
出し、本発明を完成するに至った。
を重ねた。その結果、互いに対向する第１、第２電極に
印加する高周波電力をそれぞれ調整した上で、被エッチ
ング面にシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を露出した
基板を何れか一方の電極に保持し、塩素ガス雰囲気内で
エッチングすることにより、シリコン酸化膜に対しシリ
コン窒化膜を高い選択比で、しかも寸法制御性を悪化さ
せることなくエッチングを行うことが可能なことを見い
出し、本発明を完成するに至った。
【００１５】上記目的を達成するために、本発明のエッ
チング方法は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜を積
層して備える基板の前記シリコン窒化膜を選択的にエッ
チングする方法において、周波数が相互に異なる第１及
び第２の高周波電源を重畳して印加することを特徴とす
る。
チング方法は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜を積
層して備える基板の前記シリコン窒化膜を選択的にエッ
チングする方法において、周波数が相互に異なる第１及
び第２の高周波電源を重畳して印加することを特徴とす
る。
【００１６】本発明のエッチング方法は、好適には、第
１の高周波電源の周波数が１３．５６ＭＨｚ〜６０ＭＨ
ｚであり、かつ、第２の高周波電源の周波数が０．８Ｍ
Ｈｚ〜１３．５６ＭＨｚである。
１の高周波電源の周波数が１３．５６ＭＨｚ〜６０ＭＨ
ｚであり、かつ、第２の高周波電源の周波数が０．８Ｍ
Ｈｚ〜１３．５６ＭＨｚである。
【００１７】また、本発明のエッチング方法は、好適に
は、基板表面の電力密度が０．２０Ｗ／ｃｍ2〜０．３
５Ｗ／ｃｍ2で、基板に対向する電極の表面の電力密度
が１．１３Ｗ／ｃｍ2以上であり、塩素ガス雰囲気内で
エッチングする。この場合、前記エッチングに後続し
て、塩素ガス及び酸素ガスの混合ガス雰囲気内で更にエ
ッチングすると、シリコン酸化膜に対してシリコン窒化
膜を更に高い選択比でエッチングできる。
は、基板表面の電力密度が０．２０Ｗ／ｃｍ2〜０．３
５Ｗ／ｃｍ2で、基板に対向する電極の表面の電力密度
が１．１３Ｗ／ｃｍ2以上であり、塩素ガス雰囲気内で
エッチングする。この場合、前記エッチングに後続し
て、塩素ガス及び酸素ガスの混合ガス雰囲気内で更にエ
ッチングすると、シリコン酸化膜に対してシリコン窒化
膜を更に高い選択比でエッチングできる。
【００１８】また、シリコン窒化膜がエッチングされる
時の発光波長はおおよそ５８０ｎｍである。従って、本
発明のエッチング方法では、エッチング中に発光する波
長５８０±１０ｎｍの範囲内の光強度が所定以下になる
とエッチングを停止してもよい。
時の発光波長はおおよそ５８０ｎｍである。従って、本
発明のエッチング方法では、エッチング中に発光する波
長５８０±１０ｎｍの範囲内の光強度が所定以下になる
とエッチングを停止してもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明を更に詳しく説明する。実施形態例１ 図１は、本実施形態例で用いるエッチング装置の構成図
である。本実施形態例で用いるエッチング装置３６は、
チャンバ３７と、チャンバ３７内に互いに対向して設け
られた上部電極３８Ａ及び下部電極３８Ｂと、各電極に
それぞれマッチングボックス４０Ａ、Ｂを介して一方の
端部が接続された第１及び第２の高周波電源（以下、Ｒ
Ｆ電源と言う）４２Ａ、Ｂとを備える。第１及び第２の
ＲＦ電源４２Ａ、Ｂの供給する高周波電力の周波数は、
相互に異なり、第１のＲＦ電源４２Ａでは１３．５６〜
６０ＭＨｚの範囲内、第２のＲＦ電源４２Ｂでは０．８
〜１３．５６ＭＨｚの範囲内である。また、第１及び第
２のＲＦ電源４２Ａ、Ｂの他方の端部は、図１に示すよ
うに何れもアース接続されており、第１及び第２のＲＦ
電源４２Ａ、Ｂは、上部電極３８Ａ及び下部電極３８Ｂ
に重畳して高周波電力を印加するように接続されてい
る。
図面を参照して、本発明を更に詳しく説明する。実施形態例１ 図１は、本実施形態例で用いるエッチング装置の構成図
である。本実施形態例で用いるエッチング装置３６は、
チャンバ３７と、チャンバ３７内に互いに対向して設け
られた上部電極３８Ａ及び下部電極３８Ｂと、各電極に
それぞれマッチングボックス４０Ａ、Ｂを介して一方の
端部が接続された第１及び第２の高周波電源（以下、Ｒ
Ｆ電源と言う）４２Ａ、Ｂとを備える。第１及び第２の
ＲＦ電源４２Ａ、Ｂの供給する高周波電力の周波数は、
相互に異なり、第１のＲＦ電源４２Ａでは１３．５６〜
６０ＭＨｚの範囲内、第２のＲＦ電源４２Ｂでは０．８
〜１３．５６ＭＨｚの範囲内である。また、第１及び第
２のＲＦ電源４２Ａ、Ｂの他方の端部は、図１に示すよ
うに何れもアース接続されており、第１及び第２のＲＦ
電源４２Ａ、Ｂは、上部電極３８Ａ及び下部電極３８Ｂ
に重畳して高周波電力を印加するように接続されてい
る。
【００２０】また、エッチング装置３６は、エッチング
時に発光される波長５８０±１０ｎｍの範囲内の光の強
度をモニタするモニタ装置４６Ａと、モニタ装置４６Ａ
から送信される光の強度信号が一定値以下になると、エ
ッチングの終了時点であると判断してその旨を出力し、
エッチングを終了させる判断装置４６Ｂとを有する終点
検出機構４６をチャンバ壁に備える。更に、エッチング
装置３６は、下部電極３８Ｂの上面に基板４３を吸着、
保持する静電吸着機構４４と、上部にガス供給機構（図
示せず）と、下部にガス排気口（図示せず）とを有す
る。
時に発光される波長５８０±１０ｎｍの範囲内の光の強
度をモニタするモニタ装置４６Ａと、モニタ装置４６Ａ
から送信される光の強度信号が一定値以下になると、エ
ッチングの終了時点であると判断してその旨を出力し、
エッチングを終了させる判断装置４６Ｂとを有する終点
検出機構４６をチャンバ壁に備える。更に、エッチング
装置３６は、下部電極３８Ｂの上面に基板４３を吸着、
保持する静電吸着機構４４と、上部にガス供給機構（図
示せず）と、下部にガス排気口（図示せず）とを有す
る。
【００２１】本発明者は、以下の実験を行った。図２
は、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を被エッチング
面に露出している基板を、被エッチング面を上向けにし
て下部電極上面に載置し、下部電極３８Ｂに接続された
第２のＲＦ電源４２Ｂの出力を変化させて、基板上面の
電力密度を変化させたときのシリコン窒化膜及びシリコ
ン酸化膜のエッチングレート（以下、簡単にエッチレー
トと言う）の変化を示す図である。本実験例では、シリ
コン酸化膜はＳｉＯ2膜であり、エッチングガスは塩素
ガスである。基板上面の電力密度を０Ｗ／ｃｍ2から
０．５６Ｗ／ｃｍ2にまで段階的に変化させた場合、シ
リコン窒化膜のエッチレートは電力密度の上昇に比例し
て上昇するのに対し、シリコン酸化膜のエッチレートは
０Ｗ／ｃｍ2〜０．３５Ｗ／ｃｍ2の範囲内では殆ど変化
しなかった。この結果、基板上面の電力密度を上記範囲
内の高い値、例えば０．２０〜０．３５Ｗ／ｃｍ2の範
囲内の値に設定することにより、シリコン酸化膜に対し
１０以上の高い選択比でシリコン窒化膜をエッチングす
ることが判った。
は、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を被エッチング
面に露出している基板を、被エッチング面を上向けにし
て下部電極上面に載置し、下部電極３８Ｂに接続された
第２のＲＦ電源４２Ｂの出力を変化させて、基板上面の
電力密度を変化させたときのシリコン窒化膜及びシリコ
ン酸化膜のエッチングレート（以下、簡単にエッチレー
トと言う）の変化を示す図である。本実験例では、シリ
コン酸化膜はＳｉＯ2膜であり、エッチングガスは塩素
ガスである。基板上面の電力密度を０Ｗ／ｃｍ2から
０．５６Ｗ／ｃｍ2にまで段階的に変化させた場合、シ
リコン窒化膜のエッチレートは電力密度の上昇に比例し
て上昇するのに対し、シリコン酸化膜のエッチレートは
０Ｗ／ｃｍ2〜０．３５Ｗ／ｃｍ2の範囲内では殆ど変化
しなかった。この結果、基板上面の電力密度を上記範囲
内の高い値、例えば０．２０〜０．３５Ｗ／ｃｍ2の範
囲内の値に設定することにより、シリコン酸化膜に対し
１０以上の高い選択比でシリコン窒化膜をエッチングす
ることが判った。
【００２２】また、図３は、基板上面の電力密度を０．
２８Ｗ／ｃｍ2に固定し、上部電極下面の電力密度を
０．５Ｗ／ｃｍ2から３．３９Ｗ／ｃｍ2にまで段階的に
変化させたときの被エッチング面のシリコン窒化膜及び
シリコン酸化膜のエッチレートの変化を示す図である。
シリコン酸化膜のエッチレートは殆ど変化しなかったが
シリコン窒化膜のエッチレートは、上部電極下面の電力
密度が１．１３Ｗ／ｃｍ 2に上昇させたときから急激に
増加し、１０を超える選択比が得られた。
２８Ｗ／ｃｍ2に固定し、上部電極下面の電力密度を
０．５Ｗ／ｃｍ2から３．３９Ｗ／ｃｍ2にまで段階的に
変化させたときの被エッチング面のシリコン窒化膜及び
シリコン酸化膜のエッチレートの変化を示す図である。
シリコン酸化膜のエッチレートは殆ど変化しなかったが
シリコン窒化膜のエッチレートは、上部電極下面の電力
密度が１．１３Ｗ／ｃｍ 2に上昇させたときから急激に
増加し、１０を超える選択比が得られた。
【００２３】図２及び図３より、上部電極下面及び基板
上面の電力密度を所定範囲内の値にして塩素ガス雰囲気
内でエッチングすることにより、シリコン酸化膜に対し
シリコン窒化膜を１０以上の高い選択比でエッチングで
きることが確認された。
上面の電力密度を所定範囲内の値にして塩素ガス雰囲気
内でエッチングすることにより、シリコン酸化膜に対し
シリコン窒化膜を１０以上の高い選択比でエッチングで
きることが確認された。
【００２４】以上の実験結果を踏まえ、本実施形態例で
は本発明のエッチング方法を以下に説明する方法で実施
する。図４（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、本実施形態
例の工程毎の基板断面図であり、図４（ａ）は図７
（ａ）と同じ図である。本実施形態例では、先ず、従来
と同様にして、シリコン基板１２上に１０ｎｍのシリコ
ン酸化膜１４、及び、１２０ｎｍシリコン窒化膜１６を
順次成膜した後、フォトレジスト膜１８を塗布し、フォ
トリソグラフィによりパターンニングし、図４（ａ）に
示す基板を得る。
は本発明のエッチング方法を以下に説明する方法で実施
する。図４（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、本実施形態
例の工程毎の基板断面図であり、図４（ａ）は図７
（ａ）と同じ図である。本実施形態例では、先ず、従来
と同様にして、シリコン基板１２上に１０ｎｍのシリコ
ン酸化膜１４、及び、１２０ｎｍシリコン窒化膜１６を
順次成膜した後、フォトレジスト膜１８を塗布し、フォ
トリソグラフィによりパターンニングし、図４（ａ）に
示す基板を得る。
【００２５】次いで、エッチング装置３６を用いてシリ
コン窒化膜１６を以下の条件でエッチングする。 エッチングガス：Ｃｌ2ガス Ｃｌ2ガス流量 ：５０ｓｃｃｍ〜１５０ｓｃｃｍ Ｃｌ2ガス圧力 ：５ｍＴｏｒｒ〜１５ｍＴｏｒｒ 上部電極下面の電力密度：１．１３Ｗ／ｃｍ2〜３．３９Ｗ／ｃｍ2の範囲内 基板上面の電力密度：０．２０Ｗ／ｃｍ2〜０．３５Ｗ／ｃｍ2の範囲内
コン窒化膜１６を以下の条件でエッチングする。 エッチングガス：Ｃｌ2ガス Ｃｌ2ガス流量 ：５０ｓｃｃｍ〜１５０ｓｃｃｍ Ｃｌ2ガス圧力 ：５ｍＴｏｒｒ〜１５ｍＴｏｒｒ 上部電極下面の電力密度：１．１３Ｗ／ｃｍ2〜３．３９Ｗ／ｃｍ2の範囲内 基板上面の電力密度：０．２０Ｗ／ｃｍ2〜０．３５Ｗ／ｃｍ2の範囲内
【００２６】上部電極下面及び基板上面の電力密度の設
定値は、上記範囲内で好ましい組み合わせであるように
設定し、シリコン酸化膜１４に対し高い選択比、例えば
１０以上でシリコン窒化膜１６をエッチングする。エッ
チング中では終点検出機構４６が波長５８０ｎｍの光の
強度をモニタし、強度が所定以下になるとエッチング終
了時点が自動的に判断されて、エッチングが終了する。
図４（ｂ）は、このようにして得られた基板の断面図で
ある。マスクのパターンと第２のシリコン窒化膜に形成
されたパターンとの寸法の相違は、一例として０．０３
μｍ以下であり、エッチングの寸法制御性について良好
な結果が得られている。
定値は、上記範囲内で好ましい組み合わせであるように
設定し、シリコン酸化膜１４に対し高い選択比、例えば
１０以上でシリコン窒化膜１６をエッチングする。エッ
チング中では終点検出機構４６が波長５８０ｎｍの光の
強度をモニタし、強度が所定以下になるとエッチング終
了時点が自動的に判断されて、エッチングが終了する。
図４（ｂ）は、このようにして得られた基板の断面図で
ある。マスクのパターンと第２のシリコン窒化膜に形成
されたパターンとの寸法の相違は、一例として０．０３
μｍ以下であり、エッチングの寸法制御性について良好
な結果が得られている。
【００２７】次いで、フォトレジスト膜１８を除去し、
熱酸化処理を行い、シリコン窒化膜１６及びシリコン酸
化膜１４を除去することにより図４（ｃ）に示すように
素子分離領域４８が完成する。
熱酸化処理を行い、シリコン窒化膜１６及びシリコン酸
化膜１４を除去することにより図４（ｃ）に示すように
素子分離領域４８が完成する。
【００２８】本実施形態例では、シリコン酸化膜１４に
対しシリコン窒化膜１６が高い選択比でエッチングされ
る。従って、図４（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜
１４は殆どエッチングされないので、従来のようにシリ
コン基板表面部３５が露出して損傷することはない。よ
って、素子分離領域間の耐圧低下や電流リークの問題が
生じることはない。
対しシリコン窒化膜１６が高い選択比でエッチングされ
る。従って、図４（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜
１４は殆どエッチングされないので、従来のようにシリ
コン基板表面部３５が露出して損傷することはない。よ
って、素子分離領域間の耐圧低下や電流リークの問題が
生じることはない。
【００２９】実施形態例２ 図５（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、本実施形態例の工
程毎の基板断面図であり、図５（ａ）及び（ｂ）は、図
８（ａ）及び（ｂ）と同じ図である。本実施形態例で
は、先ず、シリコン基板１２に８ｎｍの第１のシリコン
酸化膜２２、２００ｎｍの多結晶シリコン膜２４、及
び、１００ｎｍの第１のシリコン窒化膜２６を順次成膜
し、更にフォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフ
ィによりパターンニングし、図５（ａ）に示す基板を得
る。次いで、従来の一般的なエッチング方法により、第
１のシリコン窒化膜２６及び多結晶シリコン膜２４をエ
ッチングし、図５（ｂ）に示す基板を得る。
程毎の基板断面図であり、図５（ａ）及び（ｂ）は、図
８（ａ）及び（ｂ）と同じ図である。本実施形態例で
は、先ず、シリコン基板１２に８ｎｍの第１のシリコン
酸化膜２２、２００ｎｍの多結晶シリコン膜２４、及
び、１００ｎｍの第１のシリコン窒化膜２６を順次成膜
し、更にフォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフ
ィによりパターンニングし、図５（ａ）に示す基板を得
る。次いで、従来の一般的なエッチング方法により、第
１のシリコン窒化膜２６及び多結晶シリコン膜２４をエ
ッチングし、図５（ｂ）に示す基板を得る。
【００３０】続いて、２０ｎｍの第２のシリコン酸化膜
３０、及び、６０ｎｍの第２のシリコン窒化膜３２を順
次成膜し、更に、前述のエッチング装置３６を用いて第
２のシリコン窒化膜３２を以下の条件でエッチングす
る。 エッチングガス：Ｃｌ2ガス Ｃｌ2ガス流量 ：５０ｓｃｃｍ〜１５０ｓｃｃｍ Ｃｌ2ガス圧力 ：５ｍＴｏｒｒ〜１５ｍＴｏｒｒ 上部電極下面の電力密度：１．１３Ｗ／ｃｍ2〜３．３９Ｗ／ｃｍ2の範囲内 基板上面の電力密度：０．２０Ｗ／ｃｍ2〜０．３５Ｗ／ｃｍ2の範囲内
３０、及び、６０ｎｍの第２のシリコン窒化膜３２を順
次成膜し、更に、前述のエッチング装置３６を用いて第
２のシリコン窒化膜３２を以下の条件でエッチングす
る。 エッチングガス：Ｃｌ2ガス Ｃｌ2ガス流量 ：５０ｓｃｃｍ〜１５０ｓｃｃｍ Ｃｌ2ガス圧力 ：５ｍＴｏｒｒ〜１５ｍＴｏｒｒ 上部電極下面の電力密度：１．１３Ｗ／ｃｍ2〜３．３９Ｗ／ｃｍ2の範囲内 基板上面の電力密度：０．２０Ｗ／ｃｍ2〜０．３５Ｗ／ｃｍ2の範囲内
【００３１】上部電極下面及び基板上面の電力密度の設
定値は、上記範囲内で好ましい組み合わせであるように
設定し、第２のシリコン酸化膜３０に対し高い選択比、
例えば１０以上で第２のシリコン窒化膜３２をエッチン
グする。実施形態例１と同様、第２のシリコン窒化膜３
２のエッチング中では、終点検出機構４６が波長５８０
ｎｍの光の強度をモニタし、強度が所定以下になるとエ
ッチング終了時点が自動的に判断されて、エッチングが
終了する。図５（ｃ）は、このようにして得られた基板
の断面図であり、第２のシリコン酸化膜３０の側壁面
に、第２のシリコン窒化膜３２からなるサイドウォール
３４が形成されている。
定値は、上記範囲内で好ましい組み合わせであるように
設定し、第２のシリコン酸化膜３０に対し高い選択比、
例えば１０以上で第２のシリコン窒化膜３２をエッチン
グする。実施形態例１と同様、第２のシリコン窒化膜３
２のエッチング中では、終点検出機構４６が波長５８０
ｎｍの光の強度をモニタし、強度が所定以下になるとエ
ッチング終了時点が自動的に判断されて、エッチングが
終了する。図５（ｃ）は、このようにして得られた基板
の断面図であり、第２のシリコン酸化膜３０の側壁面
に、第２のシリコン窒化膜３２からなるサイドウォール
３４が形成されている。
【００３２】本実施形態例では、第２のシリコン窒化膜
３２が、第２のシリコン酸化膜３０に対し高い選択比で
エッチングされる。従って、図５（ｃ）に示すように、
第１、第２のシリコン酸化膜２２、３０は殆どエッチン
グされないので、従来のようにシリコン基板表面部３５
が露出して損傷することはなく、また、素子分離領域周
縁がエッチングされることを防止できる。よって、シリ
コン基板表面部３５の結晶欠陥から電流がリークする等
の問題が生じることはない。
３２が、第２のシリコン酸化膜３０に対し高い選択比で
エッチングされる。従って、図５（ｃ）に示すように、
第１、第２のシリコン酸化膜２２、３０は殆どエッチン
グされないので、従来のようにシリコン基板表面部３５
が露出して損傷することはなく、また、素子分離領域周
縁がエッチングされることを防止できる。よって、シリ
コン基板表面部３５の結晶欠陥から電流がリークする等
の問題が生じることはない。
【００３３】実施形態例３ 図６（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、本実施形態例の工
程毎の基板断面図であり、図６（ａ）及び（ｂ）は、そ
れぞれ、図５（ａ）及び（ｂ）と同じ図である。本実施
形態例では、実施形態例２と同様にして、図６（ａ）に
示す基板を形成し、次いで、実施形態例２と同じエッチ
ング条件でエッチング（以下、本実施形態例では、この
エッチングのことを第１段階のエッチングと言う）し、
図６（ｂ）に示す基板を得る。
程毎の基板断面図であり、図６（ａ）及び（ｂ）は、そ
れぞれ、図５（ａ）及び（ｂ）と同じ図である。本実施
形態例では、実施形態例２と同様にして、図６（ａ）に
示す基板を形成し、次いで、実施形態例２と同じエッチ
ング条件でエッチング（以下、本実施形態例では、この
エッチングのことを第１段階のエッチングと言う）し、
図６（ｂ）に示す基板を得る。
【００３４】続いて、以下の条件で更にエッチング（以
下、本実施形態例では、このエッチングのことを第２段
階のエッチングと言う）を行う。 エッチングガス：Ｃｌ2ガス及びＯ2ガスの混合ガス Ｃｌ2ガス流量：５０ｓｃｃｍ〜１５０ｓｃｃｍ Ｏ2ガス流量：Ｃｌ2ガス流量の１０％ Ｃｌ2ガス及びＯ2ガスの圧力：５ｍＴｏｒｒ〜１５ｍＴｏｒｒ 上部電極下面の電力密度：１．１３Ｗ／ｃｍ2〜３．３９Ｗ／ｃｍ2の範囲内 基板上面の電力密度：０．２０Ｗ／ｃｍ2〜０．３５Ｗ／ｃｍ2の範囲内
下、本実施形態例では、このエッチングのことを第２段
階のエッチングと言う）を行う。 エッチングガス：Ｃｌ2ガス及びＯ2ガスの混合ガス Ｃｌ2ガス流量：５０ｓｃｃｍ〜１５０ｓｃｃｍ Ｏ2ガス流量：Ｃｌ2ガス流量の１０％ Ｃｌ2ガス及びＯ2ガスの圧力：５ｍＴｏｒｒ〜１５ｍＴｏｒｒ 上部電極下面の電力密度：１．１３Ｗ／ｃｍ2〜３．３９Ｗ／ｃｍ2の範囲内 基板上面の電力密度：０．２０Ｗ／ｃｍ2〜０．３５Ｗ／ｃｍ2の範囲内
【００３５】上部電極下面及び基板上面の電力密度の設
定値は、上記範囲内で好ましい組み合わせであるように
設定し、第２のシリコン酸化膜３０に対し高い選択比、
例えば１０以上で第２のシリコン窒化膜３２をエッチン
グする。実施形態例１、２と同様、終点検出機構４６が
エッチング中に波長５８０ｎｍの光の強度をモニタし、
強度が所定以下になるとエッチング終了時点が自動的に
判断されて、エッチングが終了する。図６（ｂ）は、こ
のようにして得られた基板の断面図であり、第２のシリ
コン酸化膜３０の側壁面に、第２のシリコン窒化膜３２
が成形されてなるサイドウォール５０が形成されてい
る。
定値は、上記範囲内で好ましい組み合わせであるように
設定し、第２のシリコン酸化膜３０に対し高い選択比、
例えば１０以上で第２のシリコン窒化膜３２をエッチン
グする。実施形態例１、２と同様、終点検出機構４６が
エッチング中に波長５８０ｎｍの光の強度をモニタし、
強度が所定以下になるとエッチング終了時点が自動的に
判断されて、エッチングが終了する。図６（ｂ）は、こ
のようにして得られた基板の断面図であり、第２のシリ
コン酸化膜３０の側壁面に、第２のシリコン窒化膜３２
が成形されてなるサイドウォール５０が形成されてい
る。
【００３６】本実施形態例では、第２段階のエッチング
でＣｌ2ガスにＯ2ガスを添加した混合ガス雰囲気で第２
のシリコン窒化膜３２をエッチングする。この混合ガス
雰囲気内でのエッチングでは、第１段階のエッチングに
比べ、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比
が更に高い。従って、実施形態例２に比べ、より確実に
第２のシリコン酸化膜３０を残すことができ、しかも、
第２のシリコン窒化膜３２の残さが全くない状態にして
サイドウォール５０を形成することができる。
でＣｌ2ガスにＯ2ガスを添加した混合ガス雰囲気で第２
のシリコン窒化膜３２をエッチングする。この混合ガス
雰囲気内でのエッチングでは、第１段階のエッチングに
比べ、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比
が更に高い。従って、実施形態例２に比べ、より確実に
第２のシリコン酸化膜３０を残すことができ、しかも、
第２のシリコン窒化膜３２の残さが全くない状態にして
サイドウォール５０を形成することができる。
【００３７】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明の半導体装置の製造方法は、
上記実施形態例にのみ限定されるものではなく、上記実
施形態例から種々の修正及び変更を施したものも、本発
明の範囲に含まれる。
づいて説明したが、本発明の半導体装置の製造方法は、
上記実施形態例にのみ限定されるものではなく、上記実
施形態例から種々の修正及び変更を施したものも、本発
明の範囲に含まれる。
【００３８】
【発明の効果】本発明のエッチング方法は、シリコン酸
化膜及びシリコン窒化膜を積層して備える基板の前記シ
リコン窒化膜を選択的にエッチングする方法において、
周波数が相互に異なる第１及び第２の高周波電源を重畳
して印加する。これにより、シリコン窒化膜を高い選択
比でエッチングすることができる。
化膜及びシリコン窒化膜を積層して備える基板の前記シ
リコン窒化膜を選択的にエッチングする方法において、
周波数が相互に異なる第１及び第２の高周波電源を重畳
して印加する。これにより、シリコン窒化膜を高い選択
比でエッチングすることができる。
【図１】実施形態例１で用いるエッチング装置の構成
図。
図。
【図２】実施形態例１で、下部電極に接続された第２の
ＲＦ電源の出力を変化させて基板上面の電力密度を変化
させたときのシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜のエッ
チレートの変化を示す図。
ＲＦ電源の出力を変化させて基板上面の電力密度を変化
させたときのシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜のエッ
チレートの変化を示す図。
【図３】実施形態例１で、基板上面の電力密度を０．２
８Ｗ／ｃｍ2に固定し、上部電極下面の電力密度を０．
５Ｗ／ｃｍ2から３．３９Ｗ／ｃｍ2にまで段階的に変化
させたときのシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜のエッ
チレートの変化を示す図。
８Ｗ／ｃｍ2に固定し、上部電極下面の電力密度を０．
５Ｗ／ｃｍ2から３．３９Ｗ／ｃｍ2にまで段階的に変化
させたときのシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜のエッ
チレートの変化を示す図。
【図４】図４（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、実施形態
例１の工程毎の基板断面図。
例１の工程毎の基板断面図。
【図５】図５（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、実施形態
例２の工程毎の基板断面図。
例２の工程毎の基板断面図。
【図６】図６（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、実施形態
例３の工程毎の基板断面図。
例３の工程毎の基板断面図。
【図７】図７（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、第１従来
例の工程毎の基板断面図。
例の工程毎の基板断面図。
【図８】図８（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、第２従来
例の工程毎の基板断面図。
例の工程毎の基板断面図。
【図９】素子分離領域とサイドウォールとの間のシリコ
ン基板表面が損傷を受けた基板断面図。
ン基板表面が損傷を受けた基板断面図。
１２ シリコン基板 １４ シリコン酸化膜 １６ シリコン窒化膜 １８ フォトレジスト膜 ２０ 素子分離領域 ２２ 第１のシリコン酸化膜 ２４ 多結晶シリコン膜 ２６ 第１のシリコン窒化膜 ２８ フォトレジスト膜 ３０ 第２のシリコン酸化膜 ３２ 第２のシリコン窒化膜 ３４ サイドウォール ３５ シリコン基板表面部 ３５Ａ シリコン基板表面部 ３６ エッチング装置 ３７ チャンバ ３８Ａ 上部電極 ３８Ｂ 下部電極 ４０Ａ、Ｂ マッチングボックス ４２Ａ 第１のＲＦ電源 ４２Ｂ 第２のＲＦ電源 ４３ 基板 ４４ 静電吸着機構 ４６ 終点検出機構 ４６Ａ モニタ装置 ４６Ｂ 判断装置 ４８ 素子分離領域 ５０ サイドウォール
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜を積
層して備える基板の前記シリコン窒化膜を選択的にエッ
チングする方法において、 周波数が相互に異なる第１及び第２の高周波電源を重畳
して印加することを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 第１の高周波電源の周波数が１３．５６
ＭＨｚ〜６０ＭＨｚであり、かつ、第２の高周波電源の
周波数が０．８ＭＨｚ〜１３．５６ＭＨｚであることを
特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。 - 【請求項３】 基板表面の電力密度が０．２０Ｗ／ｃｍ
2〜０．３５Ｗ／ｃｍ2で、基板に対向する電極の表面の
電力密度が１．１３Ｗ／ｃｍ2以上であり、塩素ガス雰
囲気内でエッチングすることを特徴とする請求項１又は
２に記載のエッチング方法。 - 【請求項４】 前記エッチングに後続して、塩素ガス及
び酸素ガスの混合ガス雰囲気内で更にエッチングするこ
とを特徴とする請求項３に記載のエッチング方法。 - 【請求項５】 エッチング中に発光する波長５８０±１
０ｎｍの範囲内の光強度が所定以下になるとエッチング
を停止することを特徴とする請求項１から４のうち何れ
か１項に記載のエッチング方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9312183A JPH11145113A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | エッチング方法 |
| CN98124902A CN1218279A (zh) | 1997-11-13 | 1998-11-13 | 从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法 |
| TW087118904A TW389967B (en) | 1997-11-13 | 1998-11-13 | Method of selectively etching the silicon nitride film on the silicon oxide layer |
| KR1019980048700A KR19990045272A (ko) | 1997-11-13 | 1998-11-13 | 실리콘 산화막으로부터실리콘 질화막을 선택적으로 식각하기 위한 방법 |
| GB9824981A GB2331624A (en) | 1997-11-13 | 1998-11-13 | Plasma etching of a nitride layer over an oxide layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9312183A JPH11145113A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | エッチング方法 |
Publications (1)
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|---|---|
| JPH11145113A true JPH11145113A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=18026226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9312183A Pending JPH11145113A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | エッチング方法 |
Country Status (5)
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|---|---|
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| GB (1) | GB2331624A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| KR100523652B1 (ko) * | 2002-09-23 | 2005-10-24 | 동부아남반도체 주식회사 | 플래쉬 메모리 제조방법 |
Family Cites Families (3)
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-
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- 1998-11-13 CN CN98124902A patent/CN1218279A/zh active Pending
- 1998-11-13 TW TW087118904A patent/TW389967B/zh not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| CN1218279A (zh) | 1999-06-02 |
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