JPH04311033A - 半導体デバイスのエッチング後処理方法 - Google Patents
半導体デバイスのエッチング後処理方法Info
- Publication number
- JPH04311033A JPH04311033A JP4018913A JP1891392A JPH04311033A JP H04311033 A JPH04311033 A JP H04311033A JP 4018913 A JP4018913 A JP 4018913A JP 1891392 A JP1891392 A JP 1891392A JP H04311033 A JPH04311033 A JP H04311033A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- etching
- post
- reactive compound
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 124
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 56
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 21
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 19
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 229910004074 SiF6 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001804 chlorine Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N CHCl3 Substances ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/976—Temporary protective layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイスをエ
ッチングした後に行なわれる半導体デバイスのエッチン
グ後処理方法に関し、特に、金属を含む物質を有する多
層構造の半導体デバイスにおけるエッチング後処理方法
に関する。
ッチングした後に行なわれる半導体デバイスのエッチン
グ後処理方法に関し、特に、金属を含む物質を有する多
層構造の半導体デバイスにおけるエッチング後処理方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多層構造の半導体デバイスの製造
にあっては、一般的に、デバイスの特徴的ないくつかの
層をハロゲン又はハロゲン系の化合物からなるエッチン
グ物質によりウエットエッチングする処理が含まれるこ
とは知られている。このようなウエットエッチング処理
において、良く知られたエッチング物質の１つとしては
、例えば塩素ガス、塩酸等としてエッチング処理におい
て存在する塩素である。この塩素は半導体を等方的、す
なわち縦及び横方向にエッチングする。このため、レジ
ストパターンよりも残存するパターンが小さくなるアン
ダーカットが生じる。
にあっては、一般的に、デバイスの特徴的ないくつかの
層をハロゲン又はハロゲン系の化合物からなるエッチン
グ物質によりウエットエッチングする処理が含まれるこ
とは知られている。このようなウエットエッチング処理
において、良く知られたエッチング物質の１つとしては
、例えば塩素ガス、塩酸等としてエッチング処理におい
て存在する塩素である。この塩素は半導体を等方的、す
なわち縦及び横方向にエッチングする。このため、レジ
ストパターンよりも残存するパターンが小さくなるアン
ダーカットが生じる。
【０００３】このようなエッチング物質を用いたエッチ
ング処理においては、プラズマエッチング、イオンビー
ムエッチング、反応性イオンエッチングを使用して気相
中で行なうことができる。気体プラズマによるエッチン
グは、一般的に高周波放電により得られる気体イオンを
用いることによって、実質的に異方性エッチングを行な
うことができる。気体プラズマエッチング方法では、エ
ッチングされる表面の部分が気体イオンと表面との化学
的な反応によって除去される。異方性エッチングにおい
ては、縦方向にのみあるいは主として縦方向にエッチン
グが進行するため、残存するパターンはほぼレジストパ
ターンに一致することになる。米国特許４，７３４，１
５７においては、ＣＦｘ 、塩素イオン及びアンモニア
を供給できる気体のクロロフッ化炭素を含む気体プラズ
マを用いて、ポリシリコン又はシリサイド等のシリコン
を含む層を異方性エッチングする技術が開示されている
。
ング処理においては、プラズマエッチング、イオンビー
ムエッチング、反応性イオンエッチングを使用して気相
中で行なうことができる。気体プラズマによるエッチン
グは、一般的に高周波放電により得られる気体イオンを
用いることによって、実質的に異方性エッチングを行な
うことができる。気体プラズマエッチング方法では、エ
ッチングされる表面の部分が気体イオンと表面との化学
的な反応によって除去される。異方性エッチングにおい
ては、縦方向にのみあるいは主として縦方向にエッチン
グが進行するため、残存するパターンはほぼレジストパ
ターンに一致することになる。米国特許４，７３４，１
５７においては、ＣＦｘ 、塩素イオン及びアンモニア
を供給できる気体のクロロフッ化炭素を含む気体プラズ
マを用いて、ポリシリコン又はシリサイド等のシリコン
を含む層を異方性エッチングする技術が開示されている
。
【０００４】半導体デバイスにあって、エッチング処理
の対象となる合金には、アルミニウム、シリコン、銅、
タングステン、チタンが様々な割合で含まれている。こ
れらの金属層は、腐食、すなわちエッチング処理後の化
学反応に敏感である。例えば、アルミニウム又はアルミ
ニウム合金を有する半導体デバイスを塩素系又は臭素系
のエッチング物質によってドライエッチングする場合に
は、腐食は問題となる。このようなエッチング処理にお
いては、塩素又はプラズマ状の塩酸とＡｌＣｌ３ 等の
アルミニウムの３ハロゲン化物を形成するアルミニウム
との基本的な反応が生じる。例えば、塩素とアルミニウ
ムは、一般的に自然に反応してしまう。このような反応
過程において、塩素はアルミニウムに吸着されるととも
にフォトレジスタ材に付着する。このため、真空状態の
半導体デバイスに関係した塩素系の残留物が生じること
になる。このような残留物を含む半導体デバイスを真空
状態から水分を含む空気中に取り出した際には、一般的
に塩素と金属が反応する。例えば、半導体デバイスを構
成する金属層の１つがアルミニウムである場合には、Ａ
ｌＣｌ３ が形成される。このＡｌＣｌ３は空気中で容
易に水分を吸収する。これにより、腐食が引き起こされ
る。
の対象となる合金には、アルミニウム、シリコン、銅、
タングステン、チタンが様々な割合で含まれている。こ
れらの金属層は、腐食、すなわちエッチング処理後の化
学反応に敏感である。例えば、アルミニウム又はアルミ
ニウム合金を有する半導体デバイスを塩素系又は臭素系
のエッチング物質によってドライエッチングする場合に
は、腐食は問題となる。このようなエッチング処理にお
いては、塩素又はプラズマ状の塩酸とＡｌＣｌ３ 等の
アルミニウムの３ハロゲン化物を形成するアルミニウム
との基本的な反応が生じる。例えば、塩素とアルミニウ
ムは、一般的に自然に反応してしまう。このような反応
過程において、塩素はアルミニウムに吸着されるととも
にフォトレジスタ材に付着する。このため、真空状態の
半導体デバイスに関係した塩素系の残留物が生じること
になる。このような残留物を含む半導体デバイスを真空
状態から水分を含む空気中に取り出した際には、一般的
に塩素と金属が反応する。例えば、半導体デバイスを構
成する金属層の１つがアルミニウムである場合には、Ａ
ｌＣｌ３ が形成される。このＡｌＣｌ３は空気中で容
易に水分を吸収する。これにより、腐食が引き起こされ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような腐食を抑制
する有効な方法の１つには、ＣＦ４ 又はＯ２ あるい
はそれらの組合せの化合物をエッチング処理において導
入してなる反応性の不働態化（保護）構造がある。これ
らのフッ素系又は酸素系化合物は、フォトレジスト材と
反応するとともに、不要な塩素系化合物を除去する。す
なわち、塩素はフッ素と置換して、フッ素と酸素はとも
に金属表面と反応し、自己保護膜を形成する。しかしな
がら、ＣＦ４やＯ２ のプラズマ状の不働態化剤は、酸
化シリコン（ＳｉＯ２ ）、シリコン（Ｓｉ）、窒化シ
リコン（ＳｉＮ）あるいはバリヤメタルに対して化学的
に反応し、半導体デバイスに構造欠陥や周囲と分離され
た領域が形成される。
する有効な方法の１つには、ＣＦ４ 又はＯ２ あるい
はそれらの組合せの化合物をエッチング処理において導
入してなる反応性の不働態化（保護）構造がある。これ
らのフッ素系又は酸素系化合物は、フォトレジスト材と
反応するとともに、不要な塩素系化合物を除去する。す
なわち、塩素はフッ素と置換して、フッ素と酸素はとも
に金属表面と反応し、自己保護膜を形成する。しかしな
がら、ＣＦ４やＯ２ のプラズマ状の不働態化剤は、酸
化シリコン（ＳｉＯ２ ）、シリコン（Ｓｉ）、窒化シ
リコン（ＳｉＮ）あるいはバリヤメタルに対して化学的
に反応し、半導体デバイスに構造欠陥や周囲と分離され
た領域が形成される。
【０００６】そこで、この発明は、上記に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、電気的な特性
の劣化ならびに構造的な欠陥を招くことなく、エッチン
グにおける後処理の改善と腐食の防止を達成し得る半導
体デバイスのエッチング後処理方法を提供することにあ
る。
たものであり、その目的とするところは、電気的な特性
の劣化ならびに構造的な欠陥を招くことなく、エッチン
グにおける後処理の改善と腐食の防止を達成し得る半導
体デバイスのエッチング後処理方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、多層構造の半導体デバイスをエッチン
グ領域に配置する工程と、前記半導体デバイスを前記エ
ッチング領域から取り出した際に前記半導体デバイスの
少なくとも１つの層を腐食する前記半導体デバイスに関
係した反応性化合物からなる組成物を生成せしめる化学
エッチング組成物からなるエッチング物質と前記半導体
デバイスの少なくとも１つの層とを反応させて、前記エ
ッチング領域に配置された前記半導体デバイスをエッチ
ングして所定のパターンを形成する工程と、前記半導体
デバイスと実質的に反応しないプラズマ状態のＳｉＦ４
からなる不働態化剤を導入する工程と、前記不働態化
剤と前記半導体デバイスに関係した前記反応性化合物を
反応させ、前記反応性化合物を非反応性化合物とする工
程とを備えている。
に、この発明は、多層構造の半導体デバイスをエッチン
グ領域に配置する工程と、前記半導体デバイスを前記エ
ッチング領域から取り出した際に前記半導体デバイスの
少なくとも１つの層を腐食する前記半導体デバイスに関
係した反応性化合物からなる組成物を生成せしめる化学
エッチング組成物からなるエッチング物質と前記半導体
デバイスの少なくとも１つの層とを反応させて、前記エ
ッチング領域に配置された前記半導体デバイスをエッチ
ングして所定のパターンを形成する工程と、前記半導体
デバイスと実質的に反応しないプラズマ状態のＳｉＦ４
からなる不働態化剤を導入する工程と、前記不働態化
剤と前記半導体デバイスに関係した前記反応性化合物を
反応させ、前記反応性化合物を非反応性化合物とする工
程とを備えている。
【０００８】
【作用】上記方法において、この発明は、複数の層を備
えた半導体デバイスを真空室又は同様な機能を有するエ
ッチング領域に導入配置し、半導体デバイスをエッチン
グ物質によりエッチング処理し、所定のパターンを形成
する。エッチング物質は、一般にハロゲン系の物質から
なり、好ましくは塩素系の物質からなる。エッチング物
質は、一般的に化学エッチング組成物であり、複数の層
の少なくとも１つの層と反応して、半導体デバイスに関
係した反応性化合物からなる組成物を生成する。この反
応性組成物は、半導体デバイスがエッチング領域から取
り出された際に上述した層の少なくとも露出した１つの
層を腐食することになる。
えた半導体デバイスを真空室又は同様な機能を有するエ
ッチング領域に導入配置し、半導体デバイスをエッチン
グ物質によりエッチング処理し、所定のパターンを形成
する。エッチング物質は、一般にハロゲン系の物質から
なり、好ましくは塩素系の物質からなる。エッチング物
質は、一般的に化学エッチング組成物であり、複数の層
の少なくとも１つの層と反応して、半導体デバイスに関
係した反応性化合物からなる組成物を生成する。この反
応性組成物は、半導体デバイスがエッチング領域から取
り出された際に上述した層の少なくとも露出した１つの
層を腐食することになる。
【０００９】化学エッチング組成物としては多くの物質
が使用されているが、塩素ガス又は塩酸等は、半導体デ
バイスがエッチング領域から取り出された際に、半導体
デバイスを腐食する。例えば、塩素は半導体デバイスの
少なくとも１つの層をなす例えばアルミニウムと反応し
てＡｌＣｌ３ を形成し、この塩素系の反応性化合物は
アルミニウムの表面に吸着する。
が使用されているが、塩素ガス又は塩酸等は、半導体デ
バイスがエッチング領域から取り出された際に、半導体
デバイスを腐食する。例えば、塩素は半導体デバイスの
少なくとも１つの層をなす例えばアルミニウムと反応し
てＡｌＣｌ３ を形成し、この塩素系の反応性化合物は
アルミニウムの表面に吸着する。
【００１０】この発明によれば、エッチング処理された
半導体デバイスをエッチング領域から取り出す前に、フ
ッ化ケイ素（ＳｉＦ４ ）からなる不働態化剤がエッチ
ング領域内に導入されて、不働態化処理が行なわれる。 あるいは、不働態化処理は、エッチング処理を行なう領
域とは分離された例えば別の室で行なうようにしてもよ
い。好ましくは、不働態化処理を行なう領域は、エッチ
ング処理を行なう領域に取り付けられて、それぞれ独立
した２つの室を構成する。
半導体デバイスをエッチング領域から取り出す前に、フ
ッ化ケイ素（ＳｉＦ４ ）からなる不働態化剤がエッチ
ング領域内に導入されて、不働態化処理が行なわれる。 あるいは、不働態化処理は、エッチング処理を行なう領
域とは分離された例えば別の室で行なうようにしてもよ
い。好ましくは、不働態化処理を行なう領域は、エッチ
ング処理を行なう領域に取り付けられて、それぞれ独立
した２つの室を構成する。
【００１１】エッチング処理が終了した後、エッチング
処理された半導体デバイスは、独立分離された不働態化
処理を行なう領域に導入される。そして、ガスプラズマ
状態のＳｉＦ４ からなる不働態化剤が、不働態化処理
を行なう領域に導入される。ＳｉＦ４ からなる不働態
化剤は、シリコン又はＳｉＯ２ 基板に対して極めて低
いエッチングレートを有している。不働態化剤は、実質
的に半導体デバイスと反応せずエッチングを行なわない
。これに対して、不働態化剤は、側壁に形成された塩素
系生成物と置換し、反応性化合物が抑制された非反応性
化合に変化生成され、エッチング領域から除去される。 この非反応性化合物は、露出された金属表面及びエッチ
ングされない酸化された層の表面に付着し、半導体デバ
イスの腐食を防止する。なお、半導体デバイスにフォト
レジストが形成されている場合には、フォトレジストは
不働態化処理が行なわれる前又は後に半導体デバイスか
ら取り除くようにすればよい。
処理された半導体デバイスは、独立分離された不働態化
処理を行なう領域に導入される。そして、ガスプラズマ
状態のＳｉＦ４ からなる不働態化剤が、不働態化処理
を行なう領域に導入される。ＳｉＦ４ からなる不働態
化剤は、シリコン又はＳｉＯ２ 基板に対して極めて低
いエッチングレートを有している。不働態化剤は、実質
的に半導体デバイスと反応せずエッチングを行なわない
。これに対して、不働態化剤は、側壁に形成された塩素
系生成物と置換し、反応性化合物が抑制された非反応性
化合に変化生成され、エッチング領域から除去される。 この非反応性化合物は、露出された金属表面及びエッチ
ングされない酸化された層の表面に付着し、半導体デバ
イスの腐食を防止する。なお、半導体デバイスにフォト
レジストが形成されている場合には、フォトレジストは
不働態化処理が行なわれる前又は後に半導体デバイスか
ら取り除くようにすればよい。
【００１２】
【実施例】以下、図面を用いてこの発明の一実施例を説
明する。
明する。
【００１３】本発明のエッチング後処理方法は、半導体
デバイスをエッチング領域でエッチング処理し、所定の
パターンを形成するものである。この方法は、複数の層
を有する半導体デバイスを形成する工程からなっている
。このような半導体デバイスの少なくとも１つの層は、
一般的に金属を含む層を有している。好ましくは、半導
体デバイスは、金属を含む層の全重量に対して少なくと
も８０重量％程度の金属が含まれていることが望まれる
。さらに、より好ましくは、少なくとも９０重量％程度
の金属が含まれていることが望まれる。金属を含む層の
金属系物質は、一般的にアルミニウム、チタン、タング
ステン、銅、アルミニウム合金から構成される。このう
ち、アルミニウム合金は、一般にチタン、銅、シリコン
のいずれか１つ又はすべてと組合わされたアルミニウム
を含んでいる。
デバイスをエッチング領域でエッチング処理し、所定の
パターンを形成するものである。この方法は、複数の層
を有する半導体デバイスを形成する工程からなっている
。このような半導体デバイスの少なくとも１つの層は、
一般的に金属を含む層を有している。好ましくは、半導
体デバイスは、金属を含む層の全重量に対して少なくと
も８０重量％程度の金属が含まれていることが望まれる
。さらに、より好ましくは、少なくとも９０重量％程度
の金属が含まれていることが望まれる。金属を含む層の
金属系物質は、一般的にアルミニウム、チタン、タング
ステン、銅、アルミニウム合金から構成される。このう
ち、アルミニウム合金は、一般にチタン、銅、シリコン
のいずれか１つ又はすべてと組合わされたアルミニウム
を含んでいる。
【００１４】半導体デバイスは、エッチング物質により
エッチングされて所定のパターンが形成される。このエ
ッチング物質は化学エッチング組成物から構成される。 化学エッチング組成物は、臭素系又は塩素系の物質が好
ましい。この発明の方法において使用できる化学エッチ
ング組成物は、例えば塩素を含む組成物として、Ｃｌ２
−ＣＨＣｌ３ −Ｎ２ −ＢＣｌ３ 、Ｃｌ２ −Ｓ
ｉＣｌ４ −ＣＨＣｌ３ −Ｎ２ 、Ｃｌ２ −ＳｉＣ
ｌ４ −ＢＣｌ３ −Ｎ２ 等があげられる。このよう
な化学エッチング物質は、半導体デバイスの少なくとも
１つの層と反応して、半導体デバイスに関係した反応性
の化合物からなる組成物を生成する。通常の状態にあっ
ては、この反応性化合物は、エッチング処理されて高圧
下に置かれ、処理領域から容易に取り出すことができる
半導体デバイスの少なくとも１つの層を腐食する。なお
、半導体デバイスが処理される領域は、０〜１［Ｔｏｒ
ｒ」程度の圧力に保たれる真空室であることが望ましい
。
エッチングされて所定のパターンが形成される。このエ
ッチング物質は化学エッチング組成物から構成される。 化学エッチング組成物は、臭素系又は塩素系の物質が好
ましい。この発明の方法において使用できる化学エッチ
ング組成物は、例えば塩素を含む組成物として、Ｃｌ２
−ＣＨＣｌ３ −Ｎ２ −ＢＣｌ３ 、Ｃｌ２ −Ｓ
ｉＣｌ４ −ＣＨＣｌ３ −Ｎ２ 、Ｃｌ２ −ＳｉＣ
ｌ４ −ＢＣｌ３ −Ｎ２ 等があげられる。このよう
な化学エッチング物質は、半導体デバイスの少なくとも
１つの層と反応して、半導体デバイスに関係した反応性
の化合物からなる組成物を生成する。通常の状態にあっ
ては、この反応性化合物は、エッチング処理されて高圧
下に置かれ、処理領域から容易に取り出すことができる
半導体デバイスの少なくとも１つの層を腐食する。なお
、半導体デバイスが処理される領域は、０〜１［Ｔｏｒ
ｒ」程度の圧力に保たれる真空室であることが望ましい
。
【００１５】一方、エッチング物質は、シリコン系の化
合物からなる被覆組成物を含んでいる。この被覆物質は
全表面に堆積されるが、エッチング処理中に側面には堆
積されない。また、この被覆物質は、エッチング物質に
よるアンダーカットから側面を保護する。
合物からなる被覆組成物を含んでいる。この被覆物質は
全表面に堆積されるが、エッチング処理中に側面には堆
積されない。また、この被覆物質は、エッチング物質に
よるアンダーカットから側面を保護する。
【００１６】このように、上述した不具合を解決するた
めに、半導体デバイスは不働態化（保護）剤を用いてエ
ッチング処理が終了した後に、後処理が行なわれる。こ
の不働態化剤は、エッチング処理が実質的に終了した後
にエッチング領域に導入されて、半導体デバイスがエッ
チング領域から取り出される前に反応性化合物と反応す
る。また、この不働態化剤は実質的に半導体デバイスと
反応しない物質が選択される。このため、この不働態化
剤は、フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）が好ましい。この不働
態化剤は、反応性化合物によって生じる腐食を防止する
。一方、不働態化剤によって抑制された非反応性化合物
は、実質的に半導体デバイスを腐食しない。
めに、半導体デバイスは不働態化（保護）剤を用いてエ
ッチング処理が終了した後に、後処理が行なわれる。こ
の不働態化剤は、エッチング処理が実質的に終了した後
にエッチング領域に導入されて、半導体デバイスがエッ
チング領域から取り出される前に反応性化合物と反応す
る。また、この不働態化剤は実質的に半導体デバイスと
反応しない物質が選択される。このため、この不働態化
剤は、フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）が好ましい。この不働
態化剤は、反応性化合物によって生じる腐食を防止する
。一方、不働態化剤によって抑制された非反応性化合物
は、実質的に半導体デバイスを腐食しない。
【００１７】この非反応性化合物は、エッチング領域か
ら容易に除去できる高圧ガス状態であることが好ましい
。図１は半導体デバイス１４のエッチング処理と不働態
化を行なうプラズマエッチング処理システム１０の一般
的な構成を示す図である。このシステム１０は、半導体
デバイスが導入されるプラズマエッチング室１２を備え
ている。エッチングガスは、ガス導入口から図１に矢印
１６で示すようにエッチング室１２に導入される。エッ
チング処理が終了した後、エッチングガスは排気システ
ム１８を介して排気される。この排気システム１８は排
気用ポンプ２０を備えている。半導体デバイス１４は、
上方のエッチング電極２２と下方のエッチング電極２４
との間に配置される。上方の電極２２は接地手段２６に
より接地され、下方の電極２４は高周波電源２８に接続
され、この高周波電源２８は真空状態においてエッチン
グ物質からガス状態のプラズマ物質を生成する。このプ
ラズマ物質は半導体デバイス１４を異方性エッチングし
て、反応性化合物を形成する。エッチング処理が終了し
た後、プラズマ状態のＳｉＦ４ からなる不働態化ガス
は、矢印１６で示すように真空室１２に導入されて反応
性化合物と反応し、この反応性化合物を抑制して非反応
性化合物とする。
ら容易に除去できる高圧ガス状態であることが好ましい
。図１は半導体デバイス１４のエッチング処理と不働態
化を行なうプラズマエッチング処理システム１０の一般
的な構成を示す図である。このシステム１０は、半導体
デバイスが導入されるプラズマエッチング室１２を備え
ている。エッチングガスは、ガス導入口から図１に矢印
１６で示すようにエッチング室１２に導入される。エッ
チング処理が終了した後、エッチングガスは排気システ
ム１８を介して排気される。この排気システム１８は排
気用ポンプ２０を備えている。半導体デバイス１４は、
上方のエッチング電極２２と下方のエッチング電極２４
との間に配置される。上方の電極２２は接地手段２６に
より接地され、下方の電極２４は高周波電源２８に接続
され、この高周波電源２８は真空状態においてエッチン
グ物質からガス状態のプラズマ物質を生成する。このプ
ラズマ物質は半導体デバイス１４を異方性エッチングし
て、反応性化合物を形成する。エッチング処理が終了し
た後、プラズマ状態のＳｉＦ４ からなる不働態化ガス
は、矢印１６で示すように真空室１２に導入されて反応
性化合物と反応し、この反応性化合物を抑制して非反応
性化合物とする。
【００１８】図２はこの発明の方法を実施する他の構成
を示す図であり、エッチング処理を行なうプラズマエッ
チング処理システム１０と不働態化処理をエッチング処
理と独立して行なう不働態化処理システム１０’とから
なる２室のプラズマエッチングシステムの構成を示す図
である。
を示す図であり、エッチング処理を行なうプラズマエッ
チング処理システム１０と不働態化処理をエッチング処
理と独立して行なう不働態化処理システム１０’とから
なる２室のプラズマエッチングシステムの構成を示す図
である。
【００１９】プラズマエッチングシステム１０は、図１
に示したシステムと同様に構成されている。不働態化処
理システム１０’は、エッチング処理システム１０と結
合されており、両システムに共通となる可動の隔壁３２
によって分離されている。システム１０’はエッチング
処理が終了した半導体デバイスが導入される不働態化処
理室１２’を備えている。隔壁３２はエッチング処理又
は不働態化処理中には両室を隔離している。一方、半導
体デバイス１４がエッチング処理室１２から不働態化処
理室１２’に移動される時には、エッチングガスを排気
システム１８により排気した後、隔壁３２は開放され、
エッチングされた半導体デバイス１４’は不働態化処理
室１２’に導入されて支持台２９に載置され、不働態化
処理が行なわれる。
に示したシステムと同様に構成されている。不働態化処
理システム１０’は、エッチング処理システム１０と結
合されており、両システムに共通となる可動の隔壁３２
によって分離されている。システム１０’はエッチング
処理が終了した半導体デバイスが導入される不働態化処
理室１２’を備えている。隔壁３２はエッチング処理又
は不働態化処理中には両室を隔離している。一方、半導
体デバイス１４がエッチング処理室１２から不働態化処
理室１２’に移動される時には、エッチングガスを排気
システム１８により排気した後、隔壁３２は開放され、
エッチングされた半導体デバイス１４’は不働態化処理
室１２’に導入されて支持台２９に載置され、不働態化
処理が行なわれる。
【００２０】隔壁３２が両室を隔離した後、ＳｉＦ４
からなるプラズマ状態の不働態化剤は、ガス導入口から
図の矢印１７で示すように不働態化処理室１２’に導入
される。不働態化処理が終了した後、ＳｉＦ４ ガスは
排気システム１８により排気される。このプラズマ状態
の不働態化ガスは、上下のエッチング電極２２，２４の
間に形成される。上方のエッチング電極２２は接地手段
２６により接地され、下方のエッチング電極２４’は真
空状態においてＳｉＦ４ からなるプラズマ状態の不働
態化物質を生成する高周波電源２８に接続されている。 プラズマ状態のＳｉＦ４ は電極２２と電極２４’の開
口部３０を介して図２の矢印１７で示すように下方へ移
動し、エッチング処理された半導体デバイス１４におけ
る反応性化合物と反応し、この反応性化合物を抑制して
非反応性化合物とし、本発明の半導体デバイス１４’を
形成する。
からなるプラズマ状態の不働態化剤は、ガス導入口から
図の矢印１７で示すように不働態化処理室１２’に導入
される。不働態化処理が終了した後、ＳｉＦ４ ガスは
排気システム１８により排気される。このプラズマ状態
の不働態化ガスは、上下のエッチング電極２２，２４の
間に形成される。上方のエッチング電極２２は接地手段
２６により接地され、下方のエッチング電極２４’は真
空状態においてＳｉＦ４ からなるプラズマ状態の不働
態化物質を生成する高周波電源２８に接続されている。 プラズマ状態のＳｉＦ４ は電極２２と電極２４’の開
口部３０を介して図２の矢印１７で示すように下方へ移
動し、エッチング処理された半導体デバイス１４におけ
る反応性化合物と反応し、この反応性化合物を抑制して
非反応性化合物とし、本発明の半導体デバイス１４’を
形成する。
【００２１】なお、本発明は、本発明の原理について好
ましい実施例にもとづいて説明したので、当業者は、こ
の原理から逸脱することなく、本発明の構成や細部を変
更できることは明らかであろう。出願人は、請求範囲に
記載した本発明の技術思想の範囲に含まれるすべての変
形をも請求する。
ましい実施例にもとづいて説明したので、当業者は、こ
の原理から逸脱することなく、本発明の構成や細部を変
更できることは明らかであろう。出願人は、請求範囲に
記載した本発明の技術思想の範囲に含まれるすべての変
形をも請求する。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
、半導体デバイスをエッチング処理した後、ＳｉＦ４
からなる不働態化剤を導入して、半導体デバイスの不働
態化処理を行なうようにしたので、エッチング処理に生
じる反応性化合物を非反応性化合物とすることが可能と
なる。これにより、半導体デバイスの構造ならびに電気
的特徴を損なうことなく、半導体デバイスの腐食を防止
することができる。
、半導体デバイスをエッチング処理した後、ＳｉＦ４
からなる不働態化剤を導入して、半導体デバイスの不働
態化処理を行なうようにしたので、エッチング処理に生
じる反応性化合物を非反応性化合物とすることが可能と
なる。これにより、半導体デバイスの構造ならびに電気
的特徴を損なうことなく、半導体デバイスの腐食を防止
することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体デバイスのエッ
チング後処理方法を実施する構成を示す図であり、エッ
チング処理と不働態化処理を行なう単一の真空室からな
るシステム構成を示す図である。
チング後処理方法を実施する構成を示す図であり、エッ
チング処理と不働態化処理を行なう単一の真空室からな
るシステム構成を示す図である。
【図２】本発明の他の実施例に係る半導体デバイスのエ
ッチング後処理方法を実施する構成を示す図であり、エ
ッチング処理と不働態化処理をそれぞれ別々の真空室で
行なう構成を示した図である。
ッチング後処理方法を実施する構成を示す図であり、エ
ッチング処理と不働態化処理をそれぞれ別々の真空室で
行なう構成を示した図である。
１０ プラズマエッチングシステム
１０’ 不働態化処理システム
１２ プラズマエッチング室
１２’ 不働態化処理室
１４ 半導体デバイス
２４，２４’ エッチング電極
３２ 隔壁
Claims (21)
- 【請求項１】 多層構造の半導体デバイスをエッチン
グ領域に配置する工程と、前記半導体デバイスを前記エ
ッチング領域から取り出した際に前記半導体デバイスの
少なくとも１つの層を腐食する前記半導体デバイスに関
係した反応性化合物からなる組成物を生成せしめる化学
エッチング組成物からなるエッチング物質と前記半導体
デバイスの少なくとも１つの層とを反応させて、前記エ
ッチング領域に配置された前記半導体デバイスをエッチ
ングして所定のパターンを形成する工程と、前記半導体
デバイスと実質的に反応しないプラズマ状態のＳｉＦ４
からなる不働態化剤を導入する工程と、前記不働態化
剤と前記半導体デバイスに関係した前記反応性化合物を
反応させ、前記反応性化合物を非反応性化合物とする工
程とを有することを特徴とする半導体デバイスのエッチ
ング後処理方法。 - 【請求項２】 前記半導体デバイスの少なくとも１つ
の層は、金属を含む物質からなることを特徴とする請求
項１記載の半導体デバイスのエッチング後処理方法。 - 【請求項３】 前記半導体デバイスの少なくとも１つ
の層は、少なくとも８０重量％程度の金属を含む物質か
らなることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス
のエッチング後処理方法。 - 【請求項４】 前記化学エッチング組成物は、ハロゲ
ン系の物質からなることを特徴とする請求項１記載の半
導体デバイスのエッチング後処理方法。 - 【請求項５】 前記ハロゲン系の物質は、塩素を含む
物質からなることを特徴とする請求項４記載の半導体デ
バイスのエッチング後処理方法。 - 【請求項６】 前記非反応性化合物は、エッチング領
域から容易に除去される物質からなることを特徴とする
請求項１記載の半導体デバイスのエッチング後処理方法
。 - 【請求項７】 前記エッチング領域は、真空室からな
ることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイスのエ
ッチング後処理方法。 - 【請求項８】 前記真空室は、エッチング後処理中に
０〜１［Ｔｏｒｒ］の圧力状態に設定されてなることを
特徴とする請求項７記載の半導体デバイスのエッチング
後処理方法。 - 【請求項９】 前記非反応性化合物は、エッチング領
域から容易に除去される高圧ガス状の物質からなること
を特徴とする請求項１記載の半導体デバイスのエッチン
グ後処理方法。 - 【請求項１０】 前記非反応性化合物は、塩素系又は
臭素系物質からなることを特徴とする請求項１記載の半
導体デバイスのエッチング後処理方法。 - 【請求項１１】 前記半導体デバイスは、前記非反応
性化合物が除去された後に除去されるフォトレジストパ
ーンを含んでなることを特徴とする請求項１記載の半導
体デバイスのエッチング後処理方法。 - 【請求項１２】 前記金属を含む物質は、アルミニウ
ム又はチタン又はタングステン又は銅又は、チタン，銅
，シリコンのいずれか１つを含むアルミニウム合金から
なることを特徴とする請求項２又は３記載の半導体デバ
イスのエッチング後処理方法。 - 【請求項１３】 前記金属を含む物質は、少なくとも
９０重量％程度の金属を含む物質からなることを特徴と
する請求項２記載の半導体デバイスのエッチング後処理
方法。 - 【請求項１４】 少なくとも１つの層が金属を含む物
質からなる多層構造の半導体デバイスをエッチング領域
に配置する工程と、前記半導体デバイスを前記エッチン
グ領域から取り出した際に前記半導体デバイスの少なく
とも１つの層を腐食する前記半導体デバイスに関係した
反応性化合物からなる組成物を生成せしめる化学エッチ
ング組成物からなるエッチング物質と前記半導体デバイ
スの少なくとも１つの層とを反応させて、前記エッチン
グ領域に配置された前記半導体デバイスをエッチングし
て所定のパターンを形成する工程と、前記半導体デバイ
スと実質的に反応しないプラズマ状態のＳｉＦ４ から
なる不働態化剤を導入する工程と、前記不働態化剤と前
記半導体デバイスに関係した前記反応性化合物を反応さ
せ、前記反応性化合物を非反応性化合物とする工程とを
有することを特徴とする半導体デバイスのエッチング後
処理方法。 - 【請求項１５】 前記化学エッチング組成物は、ハロ
ゲン系の物質からなることを特徴とする請求項１４記載
の半導体デバイスのエッチング後処理方法。 - 【請求項１６】 前記エッチング領域は、エッチング
後処理中に［０〜１Ｔｏｒｒ］の圧力状態に設定される
真空室からなることを特徴とする請求項１４記載の半導
体デバイスのエッチング後処理方法。 - 【請求項１７】 前記非反応性化合物は、エッチング
領域から容易に除去される高圧ガス状の物質からなるこ
とを特徴とする請求項１４記載の半導体デバイスのエッ
チング後処理方法。 - 【請求項１８】 前記反応性化合物は、フッ素系の物
質からなることを特徴とする請求項１４記載の半導体デ
バイスのエッチング後処理方法。 - 【請求項１９】 前記半導体デバイスは、前記非反応
性化合物が除去された後に除去されるフォトレジストパ
ーンを含んでなることを特徴とする請求項１４記載の半
導体デバイスのエッチング後処理方法。 - 【請求項２０】 少なくとも１つの層が少なくとも８
０重量％程度の金属を含む物質からなる多層構造の半導
体デバイスをエッチング領域に配置する工程と、 前
記半導体デバイスを前記エッチング領域から取り出した
際に前記半導体デバイスの少なくとも１つの層を腐食す
る前記半導体デバイスに関係した反応性化合物からなる
組成物を生成せしめる化学エッチング組成物からなるエ
ッチング物質と前記半導体デバイスの少なくとも１つの
層とを反応させて、前記エッチング領域に配置された前
記半導体デバイスをエッチングして所定のパタ−ンを形
成する工程と、前記半導体デバイスと実質的に反応しな
いプラズマ状態のＳｉＦ４ からなる不働態化剤を導入
する工程と、前記不働態化剤と前記半導体デバイスに関
係した前記反応性化合物を反応させ、前記反応性化合物
を非反応性化合物とする工程と、気相状態の前記非反応
性化合物を前記エッチング領域から除去する工程とを有
することを特徴とする半導体デバイスのエッチング後処
理方法。 - 【請求項２１】 多層構造の半導体デバイスをエッチ
ング領域に配置する工程と、前記半導体デバイスを前記
エッチング領域から取り出した際に前記半導体デバイス
の少なくとも１つの層を腐食する前記半導体デバイスに
関係した反応性化合物からなる組成物を生成せしめる化
学エッチング組成物からなるエッチング物質と前記半導
体デバイスの少なくとも１つの層とを反応させて、前記
エッチング領域に配置された前記半導体デバイスをエッ
チングして所定のパタ−ンを形成する工程と、前記工程
でエッチングされた半導体デバイスを、前記エッチング
領域から分離されて不働態化処理を行う領域に配置する
工程と、前記半導体デバイスと実質的に反応しないプラ
ズマ状態のＳｉＦ４ からなる不働態化剤を導入する工
程と、前記不働態化剤と前記半導体デバイスに関係した
前記反応性化合物を反応させ、前記反応性化合物を非反
応性化合物とする工程とを有することを特徴とする半導
体デバイスのエッチング後処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US65818391A | 1991-02-20 | 1991-02-20 | |
| US07/658,183 | 1991-02-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311033A true JPH04311033A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=24640236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4018913A Pending JPH04311033A (ja) | 1991-02-20 | 1992-02-04 | 半導体デバイスのエッチング後処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5302241A (ja) |
| JP (1) | JPH04311033A (ja) |
| DE (1) | DE4204848A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252050A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-10-16 | Ulvac Japan Ltd | エッチング方法 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4241045C1 (de) * | 1992-12-05 | 1994-05-26 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium |
| US6010603A (en) * | 1997-07-09 | 2000-01-04 | Applied Materials, Inc. | Patterned copper etch for micron and submicron features, using enhanced physical bombardment |
| US6008140A (en) | 1997-08-13 | 1999-12-28 | Applied Materials, Inc. | Copper etch using HCI and HBr chemistry |
| US6074514A (en) * | 1998-02-09 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | High selectivity etch using an external plasma discharge |
| US6080272A (en) | 1998-05-08 | 2000-06-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for plasma etching a wafer |
| US6153530A (en) * | 1999-03-16 | 2000-11-28 | Applied Materials, Inc. | Post-etch treatment of plasma-etched feature surfaces to prevent corrosion |
| US6291357B1 (en) | 1999-10-06 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching a substrate with reduced microloading |
| DE60119350T2 (de) * | 2001-12-17 | 2007-03-15 | Ami Semiconductor Belgium Bvba | Methode zur Herstellung von Leiterbahnstrukturen |
| US6818562B2 (en) | 2002-04-19 | 2004-11-16 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for tuning an RF matching network in a plasma enhanced semiconductor wafer processing system |
| US6849554B2 (en) | 2002-05-01 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | Method of etching a deep trench having a tapered profile in silicon |
| US6869818B2 (en) * | 2002-11-18 | 2005-03-22 | Redwood Microsystems, Inc. | Method for producing and testing a corrosion-resistant channel in a silicon device |
| US7009281B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-03-07 | Lam Corporation | Small volume process chamber with hot inner surfaces |
| US7078344B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-07-18 | Lam Research Corporation | Stress free etch processing in combination with a dynamic liquid meniscus |
| US7232766B2 (en) * | 2003-03-14 | 2007-06-19 | Lam Research Corporation | System and method for surface reduction, passivation, corrosion prevention and activation of copper surface |
| US7217649B2 (en) * | 2003-03-14 | 2007-05-15 | Lam Research Corporation | System and method for stress free conductor removal |
| US20040224524A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-11 | Applied Materials, Inc. | Maintaining the dimensions of features being etched on a lithographic mask |
| US7521000B2 (en) | 2003-08-28 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Process for etching photomasks |
| US7879510B2 (en) | 2005-01-08 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Method for quartz photomask plasma etching |
| US7790334B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc. | Method for photomask plasma etching using a protected mask |
| US8293430B2 (en) | 2005-01-27 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Method for etching a molybdenum layer suitable for photomask fabrication |
| US7829243B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication |
| US7786019B2 (en) | 2006-12-18 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Multi-step photomask etching with chlorine for uniformity control |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4325984B2 (en) * | 1980-07-28 | 1998-03-03 | Fairchild Camera & Inst | Plasma passivation technique for the prevention of post-etch corrosion of plasma-etched aluminum films |
| US4505782A (en) * | 1983-03-25 | 1985-03-19 | Lfe Corporation | Plasma reactive ion etching of aluminum and aluminum alloys |
| JPS6077429A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Asahi Glass Co Ltd | ドライエツチング方法 |
| US4592800A (en) * | 1984-11-02 | 1986-06-03 | Oerlikon-Buhrle U.S.A. Inc. | Method of inhibiting corrosion after aluminum etching |
| US4734157A (en) * | 1985-08-27 | 1988-03-29 | International Business Machines Corporation | Selective and anisotropic dry etching |
| US4985113A (en) * | 1989-03-10 | 1991-01-15 | Hitachi, Ltd. | Sample treating method and apparatus |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP4018913A patent/JPH04311033A/ja active Pending
- 1992-02-18 DE DE4204848A patent/DE4204848A1/de not_active Withdrawn
- 1992-12-23 US US07/996,479 patent/US5302241A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252050A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-10-16 | Ulvac Japan Ltd | エッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4204848A1 (de) | 1992-08-27 |
| US5302241A (en) | 1994-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04311033A (ja) | 半導体デバイスのエッチング後処理方法 | |
| US5356478A (en) | Plasma cleaning method for removing residues in a plasma treatment chamber | |
| EP0987745B1 (en) | Metallization etching method using a hard mask layer | |
| JP2000012514A (ja) | 後処理方法 | |
| JPH0665753B2 (ja) | プラズマエッチングしたアルミニウム膜のエッチング処理後の侵食を防止するプラズマパッシベ−ション技術 | |
| JP2003518738A (ja) | シリコンの金属マスクエッチング方法 | |
| CN103545163A (zh) | 具有氟残留或氯残留的半导体结构的处理方法 | |
| JPH09298199A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6740598B2 (en) | Wiring layer dry etching method and semiconductor device manufacturing method | |
| JPH10178014A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04288828A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| US7413993B2 (en) | Process for removing a residue from a metal structure on a semiconductor substrate | |
| US6660642B2 (en) | Toxic residual gas removal by non-reactive ion sputtering | |
| JP3324466B2 (ja) | 金属配線のドライエッチング方法 | |
| JPH06163479A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH03180040A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06151390A (ja) | ドライエッチングの後処理方法 | |
| KR0141172B1 (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| JPH06232093A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3077224B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| WO1998039799A1 (fr) | Procede de post-traitement pour gravure au plasma | |
| JPS5913592B2 (ja) | エツチング方法 | |
| KR100291509B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR19990054905A (ko) | 반도체장치의 금속배선 형성방법 | |
| JPS60218847A (ja) | プラズマ処理方法 |