JPS6390133A - シリコン窒化膜のドライエツチング方法 - Google Patents
シリコン窒化膜のドライエツチング方法Info
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- JPS6390133A JPS6390133A JP23436586A JP23436586A JPS6390133A JP S6390133 A JPS6390133 A JP S6390133A JP 23436586 A JP23436586 A JP 23436586A JP 23436586 A JP23436586 A JP 23436586A JP S6390133 A JPS6390133 A JP S6390133A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子製造プロセスで用いられるドライエ
ツチング技術に係わり、特にシリコン酸化膜に対して高
選択比でシリコン窒化膜をエツチングするドライエツチ
ング方法に関する。
ツチング技術に係わり、特にシリコン酸化膜に対して高
選択比でシリコン窒化膜をエツチングするドライエツチ
ング方法に関する。
（従来の技術）
従来から半導体素子製造プロセス中において、シリコン
窒化膜（Ｓｉ３Ｎ＜）の除去には、ＣＦａ＋０２あるい
はＣＦａ 十ｏ２＋Ｎ２混合ガスを用いたケミカルドラ
イエツチング（以下ＣＤＥと称す）が主に用いられてい
る。ＣＤＨにおいてはシリコン（Ｓｉ）は高速でエツチ
ングされるｏ７、Ｓｉ３Ｎ４へよオ、い。６１．い、８
、表面を酸化しシリコン酸化膜（Ｓ ｉ ０２ ）で被
覆す瓢ることが行なわれる。この場合、被覆に用いる５
ｉ０２の厚さは、５ｉＮａ／５ｉ０２のエツチング速度
比（選択比）で決定されるが上記ＣＤＥではこの選択比
は高々１０以下である。さらに、実際にはウェハ内及び
複数枚のウェハを同時に処理する場合にはウェハ間の均
一性を考慮する必要があり、またＳｉｏ２で被覆された
Ｓｉ表面に段差がある場合には、この段差のコーナ部で
の５ＬＯ２のエツチング速度は平坦部に比べて速くなる
ことが知られており、このような場合にはコーナ部で５
ＬＯ２のエツチング速度を代表させなければならないな
ど、実効的な選択比は１０よりずっと小さくなる。
窒化膜（Ｓｉ３Ｎ＜）の除去には、ＣＦａ＋０２あるい
はＣＦａ 十ｏ２＋Ｎ２混合ガスを用いたケミカルドラ
イエツチング（以下ＣＤＥと称す）が主に用いられてい
る。ＣＤＨにおいてはシリコン（Ｓｉ）は高速でエツチ
ングされるｏ７、Ｓｉ３Ｎ４へよオ、い。６１．い、８
、表面を酸化しシリコン酸化膜（Ｓ ｉ ０２ ）で被
覆す瓢ることが行なわれる。この場合、被覆に用いる５
ｉ０２の厚さは、５ｉＮａ／５ｉ０２のエツチング速度
比（選択比）で決定されるが上記ＣＤＥではこの選択比
は高々１０以下である。さらに、実際にはウェハ内及び
複数枚のウェハを同時に処理する場合にはウェハ間の均
一性を考慮する必要があり、またＳｉｏ２で被覆された
Ｓｉ表面に段差がある場合には、この段差のコーナ部で
の５ＬＯ２のエツチング速度は平坦部に比べて速くなる
ことが知られており、このような場合にはコーナ部で５
ＬＯ２のエツチング速度を代表させなければならないな
ど、実効的な選択比は１０よりずっと小さくなる。
ところが十分耐エツチング性を有する膜厚まで厚（Ｓ
ｉ ０２を熱酸化で形成しようとすると、長時間の高温
プロセスを経ることになり、すでに形成されている不純
物のプロファイルを乱してしまうことから、これが不可
能な場合がある。もちろん低温プロセスで５ｉ０２を形
成することはできるが（ＣＶＤなど）、このような５ｉ
０２は耐ドライエツチング性が劣り、保護膜として不適
当である。従って、このような場合、５ｉ３Ｎａの除去
にＣＦｉ ＋０２あるいはＣＦ４＋０２＋Ｎ２混合ガス
を用いたＣＤＥを適用することはできなかった。
ｉ ０２を熱酸化で形成しようとすると、長時間の高温
プロセスを経ることになり、すでに形成されている不純
物のプロファイルを乱してしまうことから、これが不可
能な場合がある。もちろん低温プロセスで５ｉ０２を形
成することはできるが（ＣＶＤなど）、このような５ｉ
０２は耐ドライエツチング性が劣り、保護膜として不適
当である。従って、このような場合、５ｉ３Ｎａの除去
にＣＦｉ ＋０２あるいはＣＦ４＋０２＋Ｎ２混合ガス
を用いたＣＤＥを適用することはできなかった。
これに対し、弗素（Ｆ）を含むガスにＦ以外のハロゲン
ガスを添加して用いるＣＤＥでＳｉＯ２に対して高い選
択比で５ｉ３Ｎａをエツチングする技術が、発明者らに
よって提案されている。しかし、この方法は腐食性の強
いＣＲ２、Ｂ ｒ ２のようなガスを用いるのでガスが
大気にさらされないように、エツチング容器の両側に真
空排気可能な搬入、搬出の容器を連設する必要がある等
、装置構成が難しく、また装置のメインテナンスも煩雑
である。
ガスを添加して用いるＣＤＥでＳｉＯ２に対して高い選
択比で５ｉ３Ｎａをエツチングする技術が、発明者らに
よって提案されている。しかし、この方法は腐食性の強
いＣＲ２、Ｂ ｒ ２のようなガスを用いるのでガスが
大気にさらされないように、エツチング容器の両側に真
空排気可能な搬入、搬出の容器を連設する必要がある等
、装置構成が難しく、また装置のメインテナンスも煩雑
である。
一方、熱燐酸溶液を用いるＳｉ３Ｎ４のエツチングもＳ
Ｎ３ Ｎａ ／ Ｓ ｉ ０２の選択比は極めて高い
。しかしながらこの方法は、５ｉ３Ｎａのエツチング速
度が数十人／ｍｉｎと遅く、生産性が悪い。
Ｎ３ Ｎａ ／ Ｓ ｉ ０２の選択比は極めて高い
。しかしながらこの方法は、５ｉ３Ｎａのエツチング速
度が数十人／ｍｉｎと遅く、生産性が悪い。
更に、エツチング中におけるエツチング液の温度等の条
件の制御やエツチング液の管理などが極めて困難であり
、実際の生産には不適当である。
件の制御やエツチング液の管理などが極めて困難であり
、実際の生産には不適当である。
（発明が解決しようとする問題点）
このように、ＣＦａ系のＣＤＥでは５ｉ０２に対する５
ｉ３Ｎａの選択比が不十分であり、また、ハロゲンガス
添加ＣＤＥでは、ハロゲンガスの腐食性、毒性が問題で
あった。また溶液を用いたエツチングでは、エツチング
速度が遅く、工程管理が困難であり実用性がなかった。
ｉ３Ｎａの選択比が不十分であり、また、ハロゲンガス
添加ＣＤＥでは、ハロゲンガスの腐食性、毒性が問題で
あった。また溶液を用いたエツチングでは、エツチング
速度が遅く、工程管理が困難であり実用性がなかった。
本発明が上記の点を考慮してなされたち−ので、その目
的とするところでは、５ｉ０２に対するＳｉ３Ｎｍのエ
ツチング選択比を十分高くすることができ、かつＳｉ３
Ｎ４のエツチング速度も十分速くまた、装置構成や装置
のメンテナンスが容易なドライエツチング方法を提供す
ることにある。
的とするところでは、５ｉ０２に対するＳｉ３Ｎｍのエ
ツチング選択比を十分高くすることができ、かつＳｉ３
Ｎ４のエツチング速度も十分速くまた、装置構成や装置
のメンテナンスが容易なドライエツチング方法を提供す
ることにある。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明の原子は、ＣＤＥで用いられるような、弗素ＣＦ
）元素を含むガスを励起し、そこで生成された弗素原子
を別の領域に配置される被処理基体に供給してエツチン
グを行うドライエツチング方法においてＦ元素を含むガ
スとしてＮＦ３を用い、更に、これにＮ２ガスを混合し
て励起することにより、Ｓ ｉ３ Ｎａ ／Ｓ ｉ０２
のエツチング選択比を高くすることにある。
）元素を含むガスを励起し、そこで生成された弗素原子
を別の領域に配置される被処理基体に供給してエツチン
グを行うドライエツチング方法においてＦ元素を含むガ
スとしてＮＦ３を用い、更に、これにＮ２ガスを混合し
て励起することにより、Ｓ ｉ３ Ｎａ ／Ｓ ｉ０２
のエツチング選択比を高くすることにある。
（作用）
本発明においてＳ １３ＮＡ ／Ｓ ｉ０２の選択比が
大きくなることは、Ｎ２が励起され、解離して生成した
Ｎ原子が、Ｓｉ３Ｎ４表面に残っている未結合原子状Ｎ
と速やかに反応し、これをＮ２として除去するので、結
果としてＳｉ３Ｎ４のエツチングだけを促進するためと
考えられる。
大きくなることは、Ｎ２が励起され、解離して生成した
Ｎ原子が、Ｓｉ３Ｎ４表面に残っている未結合原子状Ｎ
と速やかに反応し、これをＮ２として除去するので、結
果としてＳｉ３Ｎ４のエツチングだけを促進するためと
考えられる。
この意味で、５ｔ３Ｎ４中のＳｔと反応するＦ原子と、
Ｎと反応するＮ原子からなるＮＦ３ガスは、Ｓｉ３Ｎ４
のエツチングガスとして原理的に優れており、実際ＮＦ
３だけを放電励起し、これまた、ＮＦ３をＦ原子供給源
として用いる場合は、例えば、ＣＦａを用いる場合と異
なり０２を加える必要がないので原理的には活性酸素原
子を生ずることなく、これによって５ｉＩＮａの表面が
酸化することがないので、この意味でも５ｉ０２に対す
る選択比を高くする上で有利となる。
Ｎと反応するＮ原子からなるＮＦ３ガスは、Ｓｉ３Ｎ４
のエツチングガスとして原理的に優れており、実際ＮＦ
３だけを放電励起し、これまた、ＮＦ３をＦ原子供給源
として用いる場合は、例えば、ＣＦａを用いる場合と異
なり０２を加える必要がないので原理的には活性酸素原
子を生ずることなく、これによって５ｉＩＮａの表面が
酸化することがないので、この意味でも５ｉ０２に対す
る選択比を高くする上で有利となる。
このようにＳｉ３Ｎ４の選択エツチングに有利なＮＦ３
にＮ２を添加すると、Ｓｉ３Ｎ４の５ｉ０２に対する選
択比が更に大きくなることが発明者らによって見出され
た。すなわち、ＮＦ。
にＮ２を添加すると、Ｓｉ３Ｎ４の５ｉ０２に対する選
択比が更に大きくなることが発明者らによって見出され
た。すなわち、ＮＦ。
にＮ２を添加すると、Ｓ ｉ Ｏ２のエツチング速度は
Ｎ２の添加量に対して単調に減少する。これに対し、５
１３Ｎａのエツチング速度は、少量のＮ２添加で上昇す
るので、Ｓ １０ｘに対する選択比は大きくなる。Ｎ２
を多量に添加した場合、５ｌＩＮ４のエツチング速度も
低下するが、その低下の割合は５１０２のエツチング速
度の低下の割合より大きくはならず、その結果選択比は
やはり大きい。
Ｎ２の添加量に対して単調に減少する。これに対し、５
１３Ｎａのエツチング速度は、少量のＮ２添加で上昇す
るので、Ｓ １０ｘに対する選択比は大きくなる。Ｎ２
を多量に添加した場合、５ｌＩＮ４のエツチング速度も
低下するが、その低下の割合は５１０２のエツチング速
度の低下の割合より大きくはならず、その結果選択比は
やはり大きい。
（実施例）
以下、本発明の詳細を実施例によって説明する。
第１図は本発明に用いられるドライエツチング装置の一
例を示す概略構成図である。図中１は真空容器であり、
排気口２からバルブ３を介して排気される。この容Ｉｌ
ｌ内には被処理基体４をａｔする試料台５が設置されて
いる。容器１にはガス導入口６が設けられており、この
ガス導入口６は放電管７の一端に接続されている。放電
管７はマイクロ波電源９に接続された導波管１０にカッ
プリングされており、また、容器１に接続されていない
一端８はガス導入口となっている。
例を示す概略構成図である。図中１は真空容器であり、
排気口２からバルブ３を介して排気される。この容Ｉｌ
ｌ内には被処理基体４をａｔする試料台５が設置されて
いる。容器１にはガス導入口６が設けられており、この
ガス導入口６は放電管７の一端に接続されている。放電
管７はマイクロ波電源９に接続された導波管１０にカッ
プリングされており、また、容器１に接続されていない
一端８はガス導入口となっている。
次に、上記装置を用いたドライエツチング方法について
説明する。容器１内の試料台５に被処理基体４をａ置し
た後、バルブ３を開き容器１内を真空排気する。次いで
Ｎ２とＮＦ３を所定の流量でガス導入口８より供給し、
バルブ３を調節することにより容器１内を所定の圧力例
えば０．２Ｔｏｒｒに設定した後、マイクロ波放電を行
ないＮＦ、及びＮ２を励起してエツチングを行う。
説明する。容器１内の試料台５に被処理基体４をａ置し
た後、バルブ３を開き容器１内を真空排気する。次いで
Ｎ２とＮＦ３を所定の流量でガス導入口８より供給し、
バルブ３を調節することにより容器１内を所定の圧力例
えば０．２Ｔｏｒｒに設定した後、マイクロ波放電を行
ないＮＦ、及びＮ２を励起してエツチングを行う。
次に、Ｎ２添加によるＳ ｉ３ Ｎ４ ／Ｓ ［０２選
択比向上の効果について説明する。第２図に、ＮＦｚの
流量を４０ ＳＣＣＭ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｌｃ
ｃｅｎｔｌ−ａｅｔｅｒ ｐｅｒ ５ｌｎｕｔｅ−ｓ
ｌ／ｍ１ｎ）一定としｓＮ２流量を変化させた場合の５
ｉ２Ｎａ（Ｏで示す）ＳｉＯｚ（・で示す）各々のエツ
チング速度及び５ｉｚＮａ／ＳｉＯ２（口で示す）のエ
ツチング速度比の変化を示す。５Ｅ２ＮａはＮ２の導入
により始めはエツチング速度が上昇するが、多量のＮ２
の導入によりエツチング速度が低下する。
択比向上の効果について説明する。第２図に、ＮＦｚの
流量を４０ ＳＣＣＭ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｌｃ
ｃｅｎｔｌ−ａｅｔｅｒ ｐｅｒ ５ｌｎｕｔｅ−ｓ
ｌ／ｍ１ｎ）一定としｓＮ２流量を変化させた場合の５
ｉ２Ｎａ（Ｏで示す）ＳｉＯｚ（・で示す）各々のエツ
チング速度及び５ｉｚＮａ／ＳｉＯ２（口で示す）のエ
ツチング速度比の変化を示す。５Ｅ２ＮａはＮ２の導入
により始めはエツチング速度が上昇するが、多量のＮ２
の導入によりエツチング速度が低下する。
５１０２はＮ２の導入により単調にエツチング速度が低
下してゆく、この実験で容器内の全圧は放電しない状態
で０．２Ｔｏｒｒ一定になるように調節しである。エツ
チング速度比はＮ２添加のない場合９であるが、Ｎ２添
加を行うことにより１３〜１５に向上した。
下してゆく、この実験で容器内の全圧は放電しない状態
で０．２Ｔｏｒｒ一定になるように調節しである。エツ
チング速度比はＮ２添加のない場合９であるが、Ｎ２添
加を行うことにより１３〜１５に向上した。
ガス流量は、エツチング容器のサイズ、排気能力に応じ
て決定すればよいが、通常は、数ＣＣＭ〜数百ＣＣＭで
、Ｎ２はＮＦ２と等全以上が望ましい。
て決定すればよいが、通常は、数ＣＣＭ〜数百ＣＣＭで
、Ｎ２はＮＦ２と等全以上が望ましい。
次に、Ｎ Ｆ ３４０ＳＣＣＭ、 Ｎｔ 、 １２０
ＳＣＣＭ全圧力０．２Ｔｏｒｒの条件で、第３図（＋１
）に示す被処理ウェハをエツチングした。この被処理ウ
ニ／１はＳｉ基板１１の表面には、例えば幅１μｍ、深
さ３μ−の溝１２が形成され、この満１２内の表面に厚
さ２００人の５ｉＯｚｌｌｌｉ１３が形成されており、
さらに平坦部には厚さ１５００人の５ｉ２Ｎａ膜１４が
形成されている。この被処理ウニ／１を上記条件でエツ
チングしたところ、第３図（ｂ）に示す如く、コーナ部
１５．１８で下地シリコンがエツチングされることもな
（Ｓｉ３８ｍ膜１４を完全に除去することができた。
ＳＣＣＭ全圧力０．２Ｔｏｒｒの条件で、第３図（＋１
）に示す被処理ウェハをエツチングした。この被処理ウ
ニ／１はＳｉ基板１１の表面には、例えば幅１μｍ、深
さ３μ−の溝１２が形成され、この満１２内の表面に厚
さ２００人の５ｉＯｚｌｌｌｉ１３が形成されており、
さらに平坦部には厚さ１５００人の５ｉ２Ｎａ膜１４が
形成されている。この被処理ウニ／１を上記条件でエツ
チングしたところ、第３図（ｂ）に示す如く、コーナ部
１５．１８で下地シリコンがエツチングされることもな
（Ｓｉ３８ｍ膜１４を完全に除去することができた。
二のように上述した実施例によれば、Ｎ Ｆ ２を用い
たＣＤＨにおいてＮ２を添加することにより、５Ｌ３Ｎ
４の５１０２に対する選択比を１５程度まで向上させる
ことができる。このため、薄い５ｉＯｚを保護膜として
５ｉ３Ｎａの除去を行うことができ、半導体素子製造プ
ロセスに極めて有効である。また￥ＪＡ２図に示すごと
く、Ｎ２添加量の変化に対する選択比の変化が小さいた
め、工程の管理が容易である。更に、使用するガスに腐
食性がないので、装置構成が簡単でよ（、メインテナン
スも容易であるなどの利点がある。
たＣＤＨにおいてＮ２を添加することにより、５Ｌ３Ｎ
４の５１０２に対する選択比を１５程度まで向上させる
ことができる。このため、薄い５ｉＯｚを保護膜として
５ｉ３Ｎａの除去を行うことができ、半導体素子製造プ
ロセスに極めて有効である。また￥ＪＡ２図に示すごと
く、Ｎ２添加量の変化に対する選択比の変化が小さいた
め、工程の管理が容易である。更に、使用するガスに腐
食性がないので、装置構成が簡単でよ（、メインテナン
スも容易であるなどの利点がある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、本発明に用いる装置としては前記第１図に
示す構造に限定するものでなく、仕様に応じ適宜変更可
能である。
い。例えば、本発明に用いる装置としては前記第１図に
示す構造に限定するものでなく、仕様に応じ適宜変更可
能である。
［発明の効果］
以上詳述したように、本発明によればＮＦ、を用いたＣ
ＤＥでＮ２を添加することより、５ｉ３Ｎａのあ５ｉ０
２に対するエツチング選択比を大きくすることができる
。しかも、溶液を用いたエッチグに比べＳｉ３Ｎ４のエ
ツチング速度を十分速くすることができる。従ってＳｉ
３Ｎ４及び５ｉ０２膜が形成された被処理基体に対し、
Ｓｉ３Ｎ４のみを選択的にエツチングすることができ、
各種半導体素子製造工程に適用することができる。また
、本発明では腐食性のガスを使用せず、装置化及び工程
管理が容易である。
ＤＥでＮ２を添加することより、５ｉ３Ｎａのあ５ｉ０
２に対するエツチング選択比を大きくすることができる
。しかも、溶液を用いたエッチグに比べＳｉ３Ｎ４のエ
ツチング速度を十分速くすることができる。従ってＳｉ
３Ｎ４及び５ｉ０２膜が形成された被処理基体に対し、
Ｓｉ３Ｎ４のみを選択的にエツチングすることができ、
各種半導体素子製造工程に適用することができる。また
、本発明では腐食性のガスを使用せず、装置化及び工程
管理が容易である。
第１図は、本発明の一実施例で用いられるドライエツチ
ング装置を示す概略構成図、第２図はＮ２の流量に対す
る５ｉ３Ｎａ及び５ｉ０２のエツチング速度の変化を示
す特性図、第３図は本発明の一実施例による方法により
、５ｉ３Ｎａ膜をエツチングした際の工程断面図である
。 ｌ・・・真空容器、２・・・排気口、３・・・排気バル
ブ、４・・・被処理基体、５・・・試料台、６．８・・
・ガス導入口、７・・・放電管、９・・・マイクロ波電
源、ｌＯ・・・導波管、１１・・・Ｓｉ基板、１２・・
・溝、１３・・・５ｉ０２膜、１４・・・５ｉ３Ｎａ膜
、 １５．１８・・・コーナ部。
ング装置を示す概略構成図、第２図はＮ２の流量に対す
る５ｉ３Ｎａ及び５ｉ０２のエツチング速度の変化を示
す特性図、第３図は本発明の一実施例による方法により
、５ｉ３Ｎａ膜をエツチングした際の工程断面図である
。 ｌ・・・真空容器、２・・・排気口、３・・・排気バル
ブ、４・・・被処理基体、５・・・試料台、６．８・・
・ガス導入口、７・・・放電管、９・・・マイクロ波電
源、ｌＯ・・・導波管、１１・・・Ｓｉ基板、１２・・
・溝、１３・・・５ｉ０２膜、１４・・・５ｉ３Ｎａ膜
、 １５．１８・・・コーナ部。
Claims (2)
- （１）被処理基体を収容した容器内に、前記容器とは分
離した領域で放電により励起したＮＦ＿３ガスとＨ＿２
ガスを導入し、前記被処理基体に形成されたシリコン窒
化膜をエッチングすることを特徴とする、シリコン窒化
膜のドライエッチング方法。 - （２）前記被処理基体は、シリコン基板表面に溝を形成
し、その内面を薄いシリコン酸化膜で被覆し、さらに溝
以外の基板表面にシリコン窒化膜を形成したものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のシリコン
窒化膜のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23436586A JPS6390133A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | シリコン窒化膜のドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23436586A JPS6390133A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | シリコン窒化膜のドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390133A true JPS6390133A (ja) | 1988-04-21 |
Family
ID=16969865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23436586A Pending JPS6390133A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | シリコン窒化膜のドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6390133A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6110838A (en) * | 1994-04-29 | 2000-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Isotropic polysilicon plus nitride stripping |
| EP1063691A2 (en) * | 1999-06-21 | 2000-12-27 | Tohoku University | A dry-etching method and an equipment for dry-etching |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP23436586A patent/JPS6390133A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6110838A (en) * | 1994-04-29 | 2000-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Isotropic polysilicon plus nitride stripping |
| EP1063691A2 (en) * | 1999-06-21 | 2000-12-27 | Tohoku University | A dry-etching method and an equipment for dry-etching |
| EP1063691A3 (en) * | 1999-06-21 | 2002-08-21 | Tohoku University | A dry-etching method and an equipment for dry-etching |
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