JPS60115232A - ドライエッチング用ガス - Google Patents
ドライエッチング用ガスInfo
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- JPS60115232A JPS60115232A JP22207283A JP22207283A JPS60115232A JP S60115232 A JPS60115232 A JP S60115232A JP 22207283 A JP22207283 A JP 22207283A JP 22207283 A JP22207283 A JP 22207283A JP S60115232 A JPS60115232 A JP S60115232A
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- Japan
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- gas
- etching
- ratio
- frequency power
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はドライエツチング用ガスに係り、＊に８ｉ３Ｎ
４を選択的にエツチングするのに好適なドライエ、チン
グ用ガスに関す・５゜ 〔発明の背景〕 周知のように、シリコンもしくはその化合物のドライエ
ツチングは、たとえば、ＯＦ４．ＯＦ４＋０□。
４を選択的にエツチングするのに好適なドライエ、チン
グ用ガスに関す・５゜ 〔発明の背景〕 周知のように、シリコンもしくはその化合物のドライエ
ツチングは、たとえば、ＯＦ４．ＯＦ４＋０□。
ＮＦ８，８Ｆ６，０ＨＦ３．ＯＦ４＋Ｈ２などを反応ガ
スとして用いて行なわれた０ しかし、Ｓｉ 、 ８ｉ０□および８ｉ３Ｎ４（７）エ
ツηング速度を比較すると、ＯＦ４．ＯＦ４＋０２．Ｎ
Ｆ３もしくは８Ｆ、を用いた場合は、Ｓｉのエッチ速度
が最も大きく、８ｉ、Ｎ４．８ｉ０２の順で反応速肢は
小さくなる。
スとして用いて行なわれた０ しかし、Ｓｉ 、 ８ｉ０□および８ｉ３Ｎ４（７）エ
ツηング速度を比較すると、ＯＦ４．ＯＦ４＋０２．Ｎ
Ｆ３もしくは８Ｆ、を用いた場合は、Ｓｉのエッチ速度
が最も大きく、８ｉ、Ｎ４．８ｉ０２の順で反応速肢は
小さくなる。
また９反応ガスとして０ＨＦ３もしくはＯＦ４＋Ｈ２を
用いると、 ８ｉにくらべてＳｉＯ□と８ｉ、Ｎ４の工
、テング速度が大きくなるが、Ｓ五〇、と８３３Ｎ４の
工、テング速度比は、はぼ２〜３程展にすぎなかった０ そのため、 ８ｉ３Ｎ４を選択的にエッチする際に大き
いため、下地の別がエッチされるのを防止ｔ ６ タメ
、 ８ｉｓＮ４ Ｉｌｌ ト下ｊｔｂ ８３ （７）間
ニ、 ８ｉ０２膜を形成しなければならず、しかも、
８ｉ０．とＳ ｉ ３Ｎ４の選択比が小さいため、上記
Ｓｉｎ、膜を厚゛くする必要があった。
用いると、 ８ｉにくらべてＳｉＯ□と８ｉ、Ｎ４の工
、テング速度が大きくなるが、Ｓ五〇、と８３３Ｎ４の
工、テング速度比は、はぼ２〜３程展にすぎなかった０ そのため、 ８ｉ３Ｎ４を選択的にエッチする際に大き
いため、下地の別がエッチされるのを防止ｔ ６ タメ
、 ８ｉｓＮ４ Ｉｌｌ ト下ｊｔｂ ８３ （７）間
ニ、 ８ｉ０２膜を形成しなければならず、しかも、
８ｉ０．とＳ ｉ ３Ｎ４の選択比が小さいため、上記
Ｓｉｎ、膜を厚゛くする必要があった。
すなわち、従来は、Ｓｌや８ｉ０．！に対して、高い選
択比をもって８ｉ３Ｎ４膜を選択的にドライエッチする
ことが困難で、半導体装置の形成に大きな障害となって
いた。
択比をもって８ｉ３Ｎ４膜を選択的にドライエッチする
ことが困難で、半導体装置の形成に大きな障害となって
いた。
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、高い選択比
をもって８ｉ、Ｎ４を選択的にエッチすることのできる
。ドライエツチング用ガスを提供することである。
をもって８ｉ、Ｎ４を選択的にエッチすることのできる
。ドライエツチング用ガスを提供することである。
上記目的を達成するため１本発明は、 ８ｉ３Ｎ４を高
い選択比でエツチングするための反応ガスとして、タト
えハ０Ｈ８Ｆ 、 ＯＨ，Ｆ、もＬ ＜ ハＯ，Ｈ，１
７’。
い選択比でエツチングするための反応ガスとして、タト
えハ０Ｈ８Ｆ 、 ＯＨ，Ｆ、もＬ ＜ ハＯ，Ｈ，１
７’。
など、０．ＨおよびＦからなり、Ｆ対Ｈの比が約２以下
である：ガスを用いるものである。
である：ガスを用いるものである。
以下、実施例を参照・して１本発明の詳細な説明する。
実施例１
本発明において使用されるガスは１種゛々な方法で製造
することができるが、たとえば、特願昭５８−１００４
６４および特願昭５８−１１５６１９に開示されている
方法を用いれば、それぞれ０Ｈ２Ｆ、および０Ｈ３Ｆを
支障なく製造することができる。
することができるが、たとえば、特願昭５８−１００４
６４および特願昭５８−１１５６１９に開示されている
方法を用いれば、それぞれ０Ｈ２Ｆ、および０Ｈ３Ｆを
支障なく製造することができる。
方法は、７．化アルミニウムまたはフッ化アルミニウム
を担体と混合成型あるいはフ、化アルミニウムを担体に
担持させた触媒を用い、塩化メチルとフッ化水素を気相
反応させるもので、具体的製法の一例を下記に示す。
を担体と混合成型あるいはフ、化アルミニウムを担体に
担持させた触媒を用い、塩化メチルとフッ化水素を気相
反応させるもので、具体的製法の一例を下記に示す。
Ａｊｏｊ３−６Ｈ２０： ３００ ｇを水に溶解し、こ
れに市販の４６％弗酸水溶液２５０ｇを徐々に加え。
れに市販の４６％弗酸水溶液２５０ｇを徐々に加え。
三弗化アルミニウムを生成せしめた。
続いて、約５０ｍｍＨｇの減圧下、これを約７０℃に保
つ事により、副生じた塩酸、過剰の弗酸及び大部分の水
を、蒸発除去する早により、ペースト状の三弗化アルミ
ニウムを得た０これを６ｆｆｉｆｆｉ １１ ×６ ｍ
ｍ Ｈのペレット状に成型した後Ｎ２気流中で加熱乾燥
し、約４００℃に３時間保った後、取出し、フッ化アル
ミニウム触媒約１００ｇを得た０ この触媒１００ｍｊを内径２ Ｑ ｍｍ 、長さ拘のハ
ステロイ０製反応器に充填し、常圧下１反応器内部温度
を３００℃に保ちつつ、０Ｈ３０１：０．８４５ ｇ／
ｈｒ及びＨＦ： ２．３４ｇ／ｈｒを気化器で蒸発させ
ながら、気相で反応器に供給した。
つ事により、副生じた塩酸、過剰の弗酸及び大部分の水
を、蒸発除去する早により、ペースト状の三弗化アルミ
ニウムを得た０これを６ｆｆｉｆｆｉ １１ ×６ ｍ
ｍ Ｈのペレット状に成型した後Ｎ２気流中で加熱乾燥
し、約４００℃に３時間保った後、取出し、フッ化アル
ミニウム触媒約１００ｇを得た０ この触媒１００ｍｊを内径２ Ｑ ｍｍ 、長さ拘のハ
ステロイ０製反応器に充填し、常圧下１反応器内部温度
を３００℃に保ちつつ、０Ｈ３０１：０．８４５ ｇ／
ｈｒ及びＨＦ： ２．３４ｇ／ｈｒを気化器で蒸発させ
ながら、気相で反応器に供給した。
系が十分安定した後、３時間にわたり反応器出口ガス中
の未反応ＨＦと、生成したＨＯｊをアルカリにより捕集
し、酸分を除去した残りの有機物を冷却した溶媒中に通
じ、溶媒に吸収させて回収した０ 上記の方法で、溶媒中に回収したフロン４１゛及び原料
の０Ｈ３０Ｊｉガスクロマトグラフイーにより分析した
結果１次の値を得た０ フロン４１ ： ０．３５８ ｇ、 ０Ｈ３０ｊ： １
．９８ｇまた。その他の生成物としては１分解によって
生成したと思はれる低沸点成分が若干見受けられる程度
であった。
の未反応ＨＦと、生成したＨＯｊをアルカリにより捕集
し、酸分を除去した残りの有機物を冷却した溶媒中に通
じ、溶媒に吸収させて回収した０ 上記の方法で、溶媒中に回収したフロン４１゛及び原料
の０Ｈ３０Ｊｉガスクロマトグラフイーにより分析した
結果１次の値を得た０ フロン４１ ： ０．３５８ ｇ、 ０Ｈ３０ｊ： １
．９８ｇまた。その他の生成物としては１分解によって
生成したと思はれる低沸点成分が若干見受けられる程度
であった。
以上の結果は、供給した０Ｈ３０ｊに対し、フロン４１
が２１％生成し、反応し、た０Ｈ３０１に対するフロン
４１の選択率は、はぼ９６％であることを示している。
が２１％生成し、反応し、た０Ｈ３０１に対するフロン
４１の選択率は、はぼ９６％であることを示している。
以上の方法で製造した０Ｈ３Ｆ％用い ８ｉ３Ｎ４をド
ライエ、チングした０ ゛ 使用したエツチング装置の一例の概略を第１図に示
す。このエツチング装置は、一般に平行平板形とよばれ
る装置であるが、真空容器１内に対向して設けられた。
ライエ、チングした０ ゛ 使用したエツチング装置の一例の概略を第１図に示
す。このエツチング装置は、一般に平行平板形とよばれ
る装置であるが、真空容器１内に対向して設けられた。
一対の平板状の電極２，３（電極は直径４Ｑｃｍの円板
状）のうちの一方の電極２上に、エッチすべき被加工物
４を置き、排気口５を介して、真空容器１内を排気して
ほぼ１Ｏ−５Ｔｏｒｒ台とした０ ガス導入口６を介して、ＯＨ，Ｆを真空容器１内−に導
入して、容器１内の圧力を、はぼ０．０３Ｔｏｒｒに保
持した。
状）のうちの一方の電極２上に、エッチすべき被加工物
４を置き、排気口５を介して、真空容器１内を排気して
ほぼ１Ｏ−５Ｔｏｒｒ台とした０ ガス導入口６を介して、ＯＨ，Ｆを真空容器１内−に導
入して、容器１内の圧力を、はぼ０．０３Ｔｏｒｒに保
持した。
つぎに高周波電源７を用いて、電極板２に高周波電力を
印加して、電極２，３間にプラズマを発生させ、上記導
入されたＯＨ，Ｆｌを分解および励起させて、上記被加
工物４のエッチングを行なった０ 上記高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚとメ一定
にし高周波電力を２００〜５００Ｗと変えた場合に得ら
れたＳｉ３Ｎ４．８ｉ０□および８１の工、テング速度
を第２図に示した。
印加して、電極２，３間にプラズマを発生させ、上記導
入されたＯＨ，Ｆｌを分解および励起させて、上記被加
工物４のエッチングを行なった０ 上記高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚとメ一定
にし高周波電力を２００〜５００Ｗと変えた場合に得ら
れたＳｉ３Ｎ４．８ｉ０□および８１の工、テング速度
を第２図に示した。
第２図から明らかなように、０Ｈ３ＦＢ反応ガスとして
ドライエツチングを行なうと、 ８ｉ３Ｎ４の工、チン
グ速度は、 ８ｉ０□およびＳｌの工、テング速度より
はるかに大きい。とくに高周波電力が大きくなると、Ｓ
ｉ８Ｎ４と８ｉ０□、 Ｓｉの工、テング速度比は極め
て大きくなり、高い選択比をもっＴ：、 ８ｉ３Ｎ４を
選択エッチできることが、確認された０ 実施例２ つぎに、第２の実施例として、０Ｈ２Ｆ２について説明
する。
ドライエツチングを行なうと、 ８ｉ３Ｎ４の工、チン
グ速度は、 ８ｉ０□およびＳｌの工、テング速度より
はるかに大きい。とくに高周波電力が大きくなると、Ｓ
ｉ８Ｎ４と８ｉ０□、 Ｓｉの工、テング速度比は極め
て大きくなり、高い選択比をもっＴ：、 ８ｉ３Ｎ４を
選択エッチできることが、確認された０ 実施例２ つぎに、第２の実施例として、０Ｈ２Ｆ２について説明
する。
まず、 ０Ｈ２Ｆ２の製法の一例として、上記特願昭５
８−１００４６４に開示されている方法を説明する。
８−１００４６４に開示されている方法を説明する。
ＯＨ，Ｆ’２も、０Ｈ３Ｆと同様に種々な製法を用いる
ことが可能であるが、この方法は、ジクロルメタンと７
．化水素を、フッ化クロムまたはフッ化クロムを担体と
混合成型あるいは７．化クロムを担体に担持させた触媒
を用い、気相反応によって製造するもので、具体的製法
の一例を下記に示す。
ことが可能であるが、この方法は、ジクロルメタンと７
．化水素を、フッ化クロムまたはフッ化クロムを担体と
混合成型あるいは７．化クロムを担体に担持させた触媒
を用い、気相反応によって製造するもので、具体的製法
の一例を下記に示す。
市販の０ｒＦ３． ３Ｈ２０： ３００ｇを６ｍｍφ×
６ｍｍＨのペレット状に成形した後、Ｎ２気流中で。
６ｍｍＨのペレット状に成形した後、Ｎ２気流中で。
徐々に加熱乾燥し、約４００℃に２時間保持し。
０ｒＦ３触媒とした。
この触媒１００ｍｊを内径２０ｍｍ、長さ１ｍのハステ
ロイ０製反応器に充填し、常圧下１反応器内温度８３８
０℃に保ちなからＯＨｇＯｊ□：５．４Ｈ／ｈｒおよび
ＨＦニア、４ｇ／ｈｒ８気化器で蒸発させながら、気相
で反応器に導入した。系が十分に安定した後、５時間に
わたり１反応器より出るガス中の未反応ＨＦ、生成した
ＨＯＪをアルカリにより捕集し、酸分を除去し、残りの
有機物を凝縮液化して回収した。
ロイ０製反応器に充填し、常圧下１反応器内温度８３８
０℃に保ちなからＯＨｇＯｊ□：５．４Ｈ／ｈｒおよび
ＨＦニア、４ｇ／ｈｒ８気化器で蒸発させながら、気相
で反応器に導入した。系が十分に安定した後、５時間に
わたり１反応器より出るガス中の未反応ＨＦ、生成した
ＨＯＪをアルカリにより捕集し、酸分を除去し、残りの
有機物を凝縮液化して回収した。
回収した有機物の組成をガスクロマトゲ２フイーにより
分析した結果１次の値を得た。
分析した結果１次の値を得た。
ＯＨ２Ｆ ２ 二 １ １．６ｇ ＯＨ２０ｊＦ ：
２．８ ｇ ＯＨ２０４２：３．８ｇ この結果より供給した０Ｈ２Ｏｎ 、に対する生成率は
、ＯＨ，Ｆ’２： ７０％、０Ｈ２０７Ｆ ： １３％
であることがわかる。
２．８ ｇ ＯＨ２０４２：３．８ｇ この結果より供給した０Ｈ２Ｏｎ 、に対する生成率は
、ＯＨ，Ｆ’２： ７０％、０Ｈ２０７Ｆ ： １３％
であることがわかる。
このようにして得られた０Ｈ２Ｆ２；＠用いて、上記０
Ｈ３Ｆの場合と同様にして、 ８ｉ３Ｎ４． ８ｉ０゜
および８ｉについてエッチング速度と高周波電力との関
係をめ、第３図に示す結果を得た。
Ｈ３Ｆの場合と同様にして、 ８ｉ３Ｎ４． ８ｉ０゜
および８ｉについてエッチング速度と高周波電力との関
係をめ、第３図に示す結果を得た。
第３図から明らかなように、０Ｈ２Ｆ２ヲエツチング用
ガスとして用いた場合も０Ｈ３Ｆを用いたときと同様に
、高い選択比をもって、 Ｓｉ３Ｎ４をエッチできるこ
とが確認された。
ガスとして用いた場合も０Ｈ３Ｆを用いたときと同様に
、高い選択比をもって、 Ｓｉ３Ｎ４をエッチできるこ
とが確認された。
また、上記実施例で用いたと同じドライエツチング装置
を用い、高周波電力の周波数１３．５６ＭＨｚ、電力４
００Ｗと一定に保ち、０Ｈ２Ｆ２ガスの圧力を０．０２
Ｔｏｒｒ 〜０．０５ Ｔｏｒｒと変えてＳｉ Ｎ
、 ８ｉ０．およびＳｌをそれぞれエッチング４ してガス圧力と工、テング速度の関係をめ、第４図に示
す結果を得た０ 第４図から明らかなように、 ０Ｈ２Ｆ２の圧力が。
を用い、高周波電力の周波数１３．５６ＭＨｚ、電力４
００Ｗと一定に保ち、０Ｈ２Ｆ２ガスの圧力を０．０２
Ｔｏｒｒ 〜０．０５ Ｔｏｒｒと変えてＳｉ Ｎ
、 ８ｉ０．およびＳｌをそれぞれエッチング４ してガス圧力と工、テング速度の関係をめ、第４図に示
す結果を得た０ 第４図から明らかなように、 ０Ｈ２Ｆ２の圧力が。
はぼ０．０２ Ｔｏｒｒより大きくなると、エッチング
速度は急激に大きくなり、はぼ０．０３ Ｔｏｒｒ以上
であれば、Ｓｉ３Ｎ４のエツチング速腿は、はぼ３００
〜４００λ／分に達し、８ｉＵ２および８ｉに対して、
はぼ１０以上の高い選択比をもって。
速度は急激に大きくなり、はぼ０．０３ Ｔｏｒｒ以上
であれば、Ｓｉ３Ｎ４のエツチング速腿は、はぼ３００
〜４００λ／分に達し、８ｉＵ２および８ｉに対して、
はぼ１０以上の高い選択比をもって。
８ｉ３Ｎ４を選択的にエッチすることができた。
ＯＨ，Ｆを用いて、同様にエツチング速度とガス圧力の
関係を測定したが、第４図とほぼ同じ結果が得られた０ 実施例 ３ 上記実施例と同じエツチング装置を用い、エツチングガ
スとして０□Ｈ３Ｆ、 ｊ）用いて・８ｉ３Ｎ４・５ｉ
ｎ２およびＳｌヲ工、テンプしたときの、エツチング速
度とガス圧力をめ、第５図に示す結果を得た。Ｃ２Ｈ３
Ｆ３の流量はｌ Ｑ ＣＣ／分、印加した高周波電力は
４００Ｗとした。
関係を測定したが、第４図とほぼ同じ結果が得られた０ 実施例 ３ 上記実施例と同じエツチング装置を用い、エツチングガ
スとして０□Ｈ３Ｆ、 ｊ）用いて・８ｉ３Ｎ４・５ｉ
ｎ２およびＳｌヲ工、テンプしたときの、エツチング速
度とガス圧力をめ、第５図に示す結果を得た。Ｃ２Ｈ３
Ｆ３の流量はｌ Ｑ ＣＣ／分、印加した高周波電力は
４００Ｗとした。
第５図から明らかなように、０□Ｈ３Ｆ３を反応ガスと
して用いた場合も、上記他の実施例と同様にＳ’ｓＮ４
’！ｒ、 ８ｉ０．および８ｉに対して高い選択比でエ
ツチングできることが認められた。
して用いた場合も、上記他の実施例と同様にＳ’ｓＮ４
’！ｒ、 ８ｉ０．および８ｉに対して高い選択比でエ
ツチングできることが認められた。
実施例 ４
０２Ｈ５Ｆ・０２）１４Ｆ’ ２・０２Ｈ３Ｆ３．０２
Ｈ，Ｆ４゜０３Ｈ７Ｆ 、 ０３Ｈ６Ｆ２．０３Ｈ，Ｆ
８． ０３）１４Ｆ４および０３Ｈ３Ｆ、 ％それぞれ
反応ガスとして用いて同様の測定を行なったところ、や
はり高い選択比でＳｉ３Ｎ４をエッチすることができ、
Ｏ，ＨおよびＦを含みＦ対Ｈの比が２以下の、多くのガ
スを用いれハ、８ｉ３Ｎ４を選択的にエツチングできる
ことが認められた。
Ｈ，Ｆ４゜０３Ｈ７Ｆ 、 ０３Ｈ６Ｆ２．０３Ｈ，Ｆ
８． ０３）１４Ｆ４および０３Ｈ３Ｆ、 ％それぞれ
反応ガスとして用いて同様の測定を行なったところ、や
はり高い選択比でＳｉ３Ｎ４をエッチすることができ、
Ｏ，ＨおよびＦを含みＦ対Ｈの比が２以下の、多くのガ
スを用いれハ、８ｉ３Ｎ４を選択的にエツチングできる
ことが認められた。
一方、 ０ＨＦ３や０□ＨＦ、のように、Ｆ対Ｈの比が
２以上のものは、良好な結果が得られなかった。
２以上のものは、良好な結果が得られなかった。
また、０の数が大きくなると、析出物が増加するなど、
好ましくない現象が生じやすくなる。
好ましくない現象が生じやすくなる。
したがって、Ｆ対Ｈの比が約２以下および炭素数が３以
下というガスを使用するのが、最も好ましい０ 実施例 ５ 本実施例はＯＦ４とＨ２の混合ガスを１反応ガスとして
用いたものである。
下というガスを使用するのが、最も好ましい０ 実施例 ５ 本実施例はＯＦ４とＨ２の混合ガスを１反応ガスとして
用いたものである。
すなわち、ＯＦ４とＨ２の混合比を種々に変えて対応す
るエツチング速度を測定し、第６図に示す結果を得た０ 第６図から明らかなように、ＯＦ４とＨ２ヲ混合するこ
とによって、Ｆ対Ｈの比が約２以下とＧ１う上記条件が
満足されれば、混合ガスを用いても。
るエツチング速度を測定し、第６図に示す結果を得た０ 第６図から明らかなように、ＯＦ４とＨ２ヲ混合するこ
とによって、Ｆ対Ｈの比が約２以下とＧ１う上記条件が
満足されれば、混合ガスを用いても。
８ｉ３Ｎ、 ヲ高い選択比でエツチングてきることが認
められた０ ただし、ガスの安定性や組成の均一性など、実用的には
、複数のガスを混合して上記条件を満足させるよりは、
上記条件を満足する組成を有するガスを使用した方が好
ましいことが多い。
められた０ ただし、ガスの安定性や組成の均一性など、実用的には
、複数のガスを混合して上記条件を満足させるよりは、
上記条件を満足する組成を有するガスを使用した方が好
ましいことが多い。
これら上記条件を満足する組成を有するガスはそれぞれ
単独で使用することもできるが、複数種のガスを適当な
比率で混合して使用することもできる０ また、上記のように、実用的にはやや劣るが。
単独で使用することもできるが、複数種のガスを適当な
比率で混合して使用することもできる０ また、上記のように、実用的にはやや劣るが。
複数のガスを混合して、上記条件を満足させるようにし
てもよい。
てもよい。
エツチングの際における反応容器内のガス圧力は１通常
は１Ｏ−２ｔｏｒｒ程度で使用されるが、エツチングの
態様によって、所望の値に適宜選定できる。
は１Ｏ−２ｔｏｒｒ程度で使用されるが、エツチングの
態様によって、所望の値に適宜選定できる。
また、Ｎ、 、 ０□、Ｈ２もしくはＨｅなど、他のガ
スを適宜添加し、混合して使用することも可能である。
スを適宜添加し、混合して使用することも可能である。
上記説明から明らかなように１本発明による工できるの
で、８ｉ、Ｎ、膜を工、テする際の下地が８ｉもしくは
８ｉＵ２のいずれであっても、下地をほとんどエッチす
ることなしに、 ８１．Ｎ４のみを選択的にエッチする
ことができる。
で、８ｉ、Ｎ、膜を工、テする際の下地が８ｉもしくは
８ｉＵ２のいずれであっても、下地をほとんどエッチす
ることなしに、 ８１．Ｎ４のみを選択的にエッチする
ことができる。
また、 Ｓｉ、Ｎ４が８ｉ０□やＳｉと、ウェハ表面で
共存する場合であっても、 ８ｉ、Ｎ４のみを選択的に
工、テできる。
共存する場合であっても、 ８ｉ、Ｎ４のみを選択的に
工、テできる。
従来用いられたガスをドライエツチングに用いると、８
ｉ、Ｎ４を工、テする際に、十分高い選択比が取れなか
ったが１本発明にかかるガスを用いれば、上記のように
、極めて高い選択比が得られるので、従来は困難であっ
た製造プロセスや半導体装置の構造を実現することが可
能になり、得られる利益は極めて大きい。
ｉ、Ｎ４を工、テする際に、十分高い選択比が取れなか
ったが１本発明にかかるガスを用いれば、上記のように
、極めて高い選択比が得られるので、従来は困難であっ
た製造プロセスや半導体装置の構造を実現することが可
能になり、得られる利益は極めて大きい。
第１図は本発明において使用されるエツチング装置の一
例を示す模式図、第２図乃至第６図は。 それぞれ本発明の詳細な説明するための曲線図である。 ｌ・・・真空容器、２．３・・・電極、４・・・被加工
物。 ５・・・排気０．６・・・ガス導入口、７・・・高周波
電源０第２図 嵩ｎ象電ｆ）ＣＷ） 第 ３図 畠酊壇電ｆ７ （Ｗ） 第 ４図 Ｃ市「１プス艮７７ （７，神２ 茅５図 η゛スμ力（Ｔ□ ｒｒ ） 箋 ６ 図 ＋ｓ、 ｓｉ合キＨｚ／（ＣＦｂ＋）（ｚ） Ｃ％）第
１頁の続き ＠発明者 田地 新− 〇発明者橋本 哲− ０発 明 者 高 市 侃 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所
中央 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内
例を示す模式図、第２図乃至第６図は。 それぞれ本発明の詳細な説明するための曲線図である。 ｌ・・・真空容器、２．３・・・電極、４・・・被加工
物。 ５・・・排気０．６・・・ガス導入口、７・・・高周波
電源０第２図 嵩ｎ象電ｆ）ＣＷ） 第 ３図 畠酊壇電ｆ７ （Ｗ） 第 ４図 Ｃ市「１プス艮７７ （７，神２ 茅５図 η゛スμ力（Ｔ□ ｒｒ ） 箋 ６ 図 ＋ｓ、 ｓｉ合キＨｚ／（ＣＦｂ＋）（ｚ） Ｃ％）第
１頁の続き ＠発明者 田地 新− 〇発明者橋本 哲− ０発 明 者 高 市 侃 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所
中央 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内
Claims (1)
- １．０、ＨおよびＦからなり、Ｆ対Ｈの比が約２以下で
あることを特徴とするチ、化シリコンのドライエツチン
グ用ガス０ ２、上記ガスのＣの数は３以下である特許請求の範囲第
１項記載のドライエ、チング用ガス。 ３、上記ガスは、 ０Ｈ３Ｆ、０Ｈ２Ｆ、、 ０□Ｈ，
Ｆ。 ０□Ｈ４Ｆ２，０２Ｈ３Ｆ３． ０□Ｈ２Ｆ４，０３Ｈ
７Ｆ 。 ０３Ｈ，Ｆ２． ０３Ｈ，Ｆ８．０３Ｈ４Ｆ４および０
３）１．ＦＳから選ばれた少なくとも１種である特許請
求の範囲第１項もしくは第２項記載すのドライエツチン
グ用ガス。 ４、上記ガスはＯＦ４とＦ２の混合ガスである特許請求
の範囲第１項もしくは第２項記載のドライエ、テング用
ガス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22207283A JPS60115232A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | ドライエッチング用ガス |
| DE19843420347 DE3420347A1 (de) | 1983-06-01 | 1984-05-30 | Gas und verfahren zum selektiven aetzen von siliciumnitrid |
| US06/616,114 US4529476A (en) | 1983-06-01 | 1984-06-01 | Gas for selectively etching silicon nitride and process for selectively etching silicon nitride with the gas |
| NL8401774A NL8401774A (nl) | 1983-06-01 | 1984-06-01 | Gas voor het selectief etsen van siliciumnitride en werkwijze voor het selectief etsen van siliciumnitride met het gas. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22207283A JPS60115232A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | ドライエッチング用ガス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60115232A true JPS60115232A (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=16776674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22207283A Pending JPS60115232A (ja) | 1983-06-01 | 1983-11-28 | ドライエッチング用ガス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60115232A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0342824A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | エッチング用反応ガス |
| US5316617A (en) * | 1990-04-27 | 1994-05-31 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
| WO1998016950A1 (fr) * | 1996-10-11 | 1998-04-23 | Tokyo Electron Limited | Procede de decapage au plasma |
| US6656375B1 (en) | 1998-01-28 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | Selective nitride: oxide anisotropic etch process |
| US6893973B2 (en) | 1999-12-21 | 2005-05-17 | Nec Electronics Corporation | Method of etching silicon nitride film and method of producing semiconductor device |
| JP2006253222A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法及びエッチング装置 |
| USRE39895E1 (en) | 1994-06-13 | 2007-10-23 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit arrangement fabrication method |
| KR20120104945A (ko) * | 2011-03-14 | 2012-09-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법, 에칭 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
| WO2012133401A1 (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | 日本ゼオン株式会社 | プラズマエッチングガス及びプラズマエッチング方法 |
| US8801951B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-08-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing method |
| GB2509660B (en) * | 2011-10-26 | 2016-02-24 | Zeon Corp | High selectivity nitride etch process |
| WO2018186364A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | 関東電化工業株式会社 | ドライエッチングガス組成物及びドライエッチング方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52131470A (en) * | 1976-04-28 | 1977-11-04 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5651578A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-09 | Toshiba Corp | Plasma etching method |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP22207283A patent/JPS60115232A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52131470A (en) * | 1976-04-28 | 1977-11-04 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5651578A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-09 | Toshiba Corp | Plasma etching method |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0342824A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | エッチング用反応ガス |
| US5316617A (en) * | 1990-04-27 | 1994-05-31 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
| USRE39895E1 (en) | 1994-06-13 | 2007-10-23 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit arrangement fabrication method |
| WO1998016950A1 (fr) * | 1996-10-11 | 1998-04-23 | Tokyo Electron Limited | Procede de decapage au plasma |
| US6656375B1 (en) | 1998-01-28 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | Selective nitride: oxide anisotropic etch process |
| US6893973B2 (en) | 1999-12-21 | 2005-05-17 | Nec Electronics Corporation | Method of etching silicon nitride film and method of producing semiconductor device |
| JP2006253222A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法及びエッチング装置 |
| JP4541193B2 (ja) * | 2005-03-08 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| KR20120104945A (ko) * | 2011-03-14 | 2012-09-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법, 에칭 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
| JP2012191128A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法、エッチング装置およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| WO2012133401A1 (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | 日本ゼオン株式会社 | プラズマエッチングガス及びプラズマエッチング方法 |
| US9296947B2 (en) | 2011-03-29 | 2016-03-29 | Zeon Corporation | Plasma etching gas and plasma etching method |
| JP5942985B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2016-06-29 | 日本ゼオン株式会社 | プラズマエッチングガス及びプラズマエッチング方法 |
| TWI559401B (zh) * | 2011-03-29 | 2016-11-21 | 日本瑞翁股份有限公司 | 電漿蝕刻氣體及電漿蝕刻方法 |
| US8801951B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-08-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing method |
| GB2509660B (en) * | 2011-10-26 | 2016-02-24 | Zeon Corp | High selectivity nitride etch process |
| WO2018186364A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | 関東電化工業株式会社 | ドライエッチングガス組成物及びドライエッチング方法 |
| JPWO2018186364A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2020-02-27 | 関東電化工業株式会社 | ドライエッチングガス組成物及びドライエッチング方法 |
| US11437244B2 (en) | 2017-04-06 | 2022-09-06 | Kanto Denka Kogyo Co., Ltd. | Dry etching gas composition and dry etching method |
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