JPS6012779B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6012779B2 JPS6012779B2 JP4771476A JP4771476A JPS6012779B2 JP S6012779 B2 JPS6012779 B2 JP S6012779B2 JP 4771476 A JP4771476 A JP 4771476A JP 4771476 A JP4771476 A JP 4771476A JP S6012779 B2 JPS6012779 B2 JP S6012779B2
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- JP
- Japan
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- etching
- plasma
- semiconductor substrate
- semiconductor device
- fluorine
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板表面の加工方法、特にＳｉ、Ｓｉ０
２、Ｓｉが４等のシリコン化合物の半導体基板表面の材
料を食刻する新規な方法に関するものである。
２、Ｓｉが４等のシリコン化合物の半導体基板表面の材
料を食刻する新規な方法に関するものである。
本発明を説明するために従来から用いられてきた方法を
説明する。
説明する。
半導体表面の食刻方法として、近年プラズマエッチング
や高周波スパッタエッチングは用いられるようになった
。プラスマエッチングは酸素や、ＣＦ４、ＣＣ１４など
のガスを数１０〜０．０１Ｔｏｍの圧力下で反応室内で
プラズマ化し、このプラズマ中に半導体基板を晒してプ
ラズマ化したガスとの化学反応によってその表面を食刻
するものである。またスパッタエッチングはＡｒなどの
不活性ガスを０．１〜１０‐４Ｔｏｎの圧力下でプラズ
マ化し、これを加速して半導体基板表面に衝突させてそ
のイオン衝激によって食刻を行なう方法である。またス
パッタエッチングにＣＦ４やＣＣ１４のガスを用いて、
イオン衝激と化学反応を併せ用いることもある。しかる
に上記のＣＦ４やＣＣ１４など炭素を含む化合物を用い
ると、フッ素や塩素と分離した炭素が半導体基板表面や
反応室壁面に付着してその表面が黒変したり、汚染され
たりすることが多いｏこれに対して本発明の方法は臭素
やヨウ素、窒素もしくはリンのいずれかとフッ素との化
合物をプラズマエッチングやスパッタエッチングに用い
るものである。
や高周波スパッタエッチングは用いられるようになった
。プラスマエッチングは酸素や、ＣＦ４、ＣＣ１４など
のガスを数１０〜０．０１Ｔｏｍの圧力下で反応室内で
プラズマ化し、このプラズマ中に半導体基板を晒してプ
ラズマ化したガスとの化学反応によってその表面を食刻
するものである。またスパッタエッチングはＡｒなどの
不活性ガスを０．１〜１０‐４Ｔｏｎの圧力下でプラズ
マ化し、これを加速して半導体基板表面に衝突させてそ
のイオン衝激によって食刻を行なう方法である。またス
パッタエッチングにＣＦ４やＣＣ１４のガスを用いて、
イオン衝激と化学反応を併せ用いることもある。しかる
に上記のＣＦ４やＣＣ１４など炭素を含む化合物を用い
ると、フッ素や塩素と分離した炭素が半導体基板表面や
反応室壁面に付着してその表面が黒変したり、汚染され
たりすることが多いｏこれに対して本発明の方法は臭素
やヨウ素、窒素もしくはリンのいずれかとフッ素との化
合物をプラズマエッチングやスパッタエッチングに用い
るものである。
たとえばＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＩＦ５、爪７、ＮＦ３、
ＰＦ３、ＰＦ５などがこの目的に適している。上記の物
質を構成する元素はいずれも３００℃以下の比較的に低
温で気下するために、プラズマ化してフッ素と分離した
後も半導体基板表面や反応室側壁に付着し、汚染の原因
となることはない。またＢｒ、１は山を食刻する作用も
ある。次に実施例によって本発明の効果を説明する。：
フッ化窒素（ＮＦ３）を用いたプラズマエッチングを行
なう場合について説明する。ＮＦ３−１２０℃以上では
気体であって、これを反応室内に導入して高周波電力を
印加するとＮとＦとは分離してプラズマ化して、一般に
フッ素ラジカルと呼ばれる活性な原子状のフッ素が発生
し、これが半導体基板上のＳｉやＳｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４
と反応して、これらを食刻する。この食刻の速度はプラ
ズマエッチングの条件によって変化するが、ＣＦ４ガス
を用いた場合とほぼ同様な食刻速度を得ることができる
。たとえばガス圧ｏ．汀ｏｍ、高周波電力５００Ｗの条
件下で、Ｓｉ（〈１００＞）２００人′ｍｉｎ、Ｓｉ３
Ｎ４１７０Ａ′ｍｉｎ、Ｓｉ０２３０Ａ／ｍｉｎのエッ
チ速度を得た。フッ素と分離した窒素（Ｎ）は反応には
直接寄与しないが、従来用いられてきたＣＦ４の炭素Ｃ
と異なり、半導体基板上や反応室側壁に付着することも
なく、反応の系全体を清浄に保つことができる。ＢｒＦ
３、ＢｒＦ５、ＰＦ３、ＰＦ５などのガスを用いた場合
も同様である。フッ素と分離して生ずる原子状のＢｒ、
Ｐは常温で液体または固体であるが、Ｂｒは５７．７が
０、Ｐは２８１℃と比較的低温でガス化する。プラズマ
エッチングの反応系の中で、ガスのエネルギーは実効的
に高温となっており、半導体基板上に付着することなく
ガス状のまま排出される。本発明に用いることの出来る
物質の例を第１表にまとめた。
ＰＦ３、ＰＦ５などがこの目的に適している。上記の物
質を構成する元素はいずれも３００℃以下の比較的に低
温で気下するために、プラズマ化してフッ素と分離した
後も半導体基板表面や反応室側壁に付着し、汚染の原因
となることはない。またＢｒ、１は山を食刻する作用も
ある。次に実施例によって本発明の効果を説明する。：
フッ化窒素（ＮＦ３）を用いたプラズマエッチングを行
なう場合について説明する。ＮＦ３−１２０℃以上では
気体であって、これを反応室内に導入して高周波電力を
印加するとＮとＦとは分離してプラズマ化して、一般に
フッ素ラジカルと呼ばれる活性な原子状のフッ素が発生
し、これが半導体基板上のＳｉやＳｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４
と反応して、これらを食刻する。この食刻の速度はプラ
ズマエッチングの条件によって変化するが、ＣＦ４ガス
を用いた場合とほぼ同様な食刻速度を得ることができる
。たとえばガス圧ｏ．汀ｏｍ、高周波電力５００Ｗの条
件下で、Ｓｉ（〈１００＞）２００人′ｍｉｎ、Ｓｉ３
Ｎ４１７０Ａ′ｍｉｎ、Ｓｉ０２３０Ａ／ｍｉｎのエッ
チ速度を得た。フッ素と分離した窒素（Ｎ）は反応には
直接寄与しないが、従来用いられてきたＣＦ４の炭素Ｃ
と異なり、半導体基板上や反応室側壁に付着することも
なく、反応の系全体を清浄に保つことができる。ＢｒＦ
３、ＢｒＦ５、ＰＦ３、ＰＦ５などのガスを用いた場合
も同様である。フッ素と分離して生ずる原子状のＢｒ、
Ｐは常温で液体または固体であるが、Ｂｒは５７．７が
０、Ｐは２８１℃と比較的低温でガス化する。プラズマ
エッチングの反応系の中で、ガスのエネルギーは実効的
に高温となっており、半導体基板上に付着することなく
ガス状のまま排出される。本発明に用いることの出来る
物質の例を第１表にまとめた。
第１表
Claims (1)
- １ 臭素、ヨウ素、窒素もしくはリンのフツ素化合物か
ら選ばれる少なくとも一者を含有するガスを用いて半導
体基板表面のシリコンもしくはシリコン化合物をプラズ
マエツチングもしくはスパツタエツチングすることを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4771476A JPS6012779B2 (ja) | 1976-04-28 | 1976-04-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4771476A JPS6012779B2 (ja) | 1976-04-28 | 1976-04-28 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25054384A Division JPS60143633A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52131470A JPS52131470A (en) | 1977-11-04 |
| JPS6012779B2 true JPS6012779B2 (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=12782964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4771476A Expired JPS6012779B2 (ja) | 1976-04-28 | 1976-04-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012779B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4310380A (en) * | 1980-04-07 | 1982-01-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Plasma etching of silicon |
| JPS60115232A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Hitachi Ltd | ドライエッチング用ガス |
| JPH0612765B2 (ja) * | 1983-06-01 | 1994-02-16 | 株式会社日立製作所 | エ ッ チ ン グ 方 法 |
| JPS6020516A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-01 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | 窒化シリコン膜のドライエツチング方法 |
| US4498953A (en) * | 1983-07-27 | 1985-02-12 | At&T Bell Laboratories | Etching techniques |
| JPH0628297B2 (ja) * | 1983-11-28 | 1994-04-13 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61272379A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Fujitsu Ltd | アルミニウムのｃｖｄ方法 |
| JPH02185977A (ja) * | 1989-01-12 | 1990-07-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 膜形成用真空装置 |
| JPH07169756A (ja) * | 1994-11-07 | 1995-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマエッチング方法 |
| JPH08306675A (ja) * | 1996-05-13 | 1996-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマエッチング方法 |
| AU2010999A (en) * | 1997-12-31 | 1999-07-19 | Allied-Signal Inc. | Method of etching and cleaning using interhalogen compounds |
| US8124541B2 (en) | 2007-04-04 | 2012-02-28 | Micron Technology, Inc. | Etchant gas and a method for removing material from a late transition metal structure |
| CN113906829A (zh) * | 2019-06-18 | 2022-01-07 | 昭和电工株式会社 | 等离子体蚀刻方法 |
| JP7343461B2 (ja) * | 2019-11-08 | 2023-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
| US11456180B2 (en) | 2019-11-08 | 2022-09-27 | Tokyo Electron Limited | Etching method |
-
1976
- 1976-04-28 JP JP4771476A patent/JPS6012779B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52131470A (en) | 1977-11-04 |
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