JP4541193B2 - エッチング方法 - Google Patents
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Description
13 サセプタ
21 第1の高周波電源
30 上部電極
80 装置制御部
S 処理室
W ウェハ
Claims (3)
- 電極を有する処理室内において,処理ガスを用いて,シリコン酸化膜に対して選択的にシリコン窒化膜をエッチングする方法であって,
シリコン酸化膜とシリコン窒化膜を有する被処理体を前記電極に載置する工程と,
前記処理室内に処理ガスとしてCF4ガス,H2ガス及びN2ガスの混合ガスを導入し,前記電極に0.02W/cm2以上,0.20W/cm2以下の高周波電力を印加し,前記処理室内の圧力を0.67Pa以上,4Pa以下にして,前記シリコン窒化膜をエッチングする工程と,を有し,
前記H2ガスに対するCF4ガスの比率が容積比で3.1〜4.4%になるように,前記処理室内に処理ガスを導入することを特徴とする,エッチング方法。 - 前記シリコン酸化膜をマスクとし,ケイ化ニッケル膜を下地膜として前記シリコン窒化膜をエッチングすることを特徴とする,請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記電極に対向配置された他の電極に高周波電力を印加して,前記シリコン窒化膜をエッチングすることを特徴とする,請求項1又は2のいずれかに記載のエッチング方法。
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