JPS60115231A - 平行平板形ドライエッチング装置 - Google Patents
平行平板形ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPS60115231A JPS60115231A JP22203883A JP22203883A JPS60115231A JP S60115231 A JPS60115231 A JP S60115231A JP 22203883 A JP22203883 A JP 22203883A JP 22203883 A JP22203883 A JP 22203883A JP S60115231 A JPS60115231 A JP S60115231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- etching
- electrode
- etched
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract 4
- FUWMBNHWYXZLJA-UHFFFAOYSA-N [Si+4].[O-2].[Ti+4].[O-2].[O-2].[O-2] Chemical compound [Si+4].[O-2].[Ti+4].[O-2].[O-2].[O-2] FUWMBNHWYXZLJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 abstract description 2
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- RJCQBQGAPKAMLL-UHFFFAOYSA-N bromotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Br RJCQBQGAPKAMLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はエツチング方法に係り、特にＳｉ、 Ｎ４の高
精度加工に好適なドライエツチング方法およびこれに用
いる装置に関する。
精度加工に好適なドライエツチング方法およびこれに用
いる装置に関する。
半導体デバイスの微細化、高集積化のため、近年、ドラ
イエツチングによる微細加工が盛んに用いられている。
イエツチングによる微細加工が盛んに用いられている。
ドライエツチングにおいて、より高精度で微細な加工、
すなわちより異方性、選択性のすぐれた加工を行なうた
めには、エツチング装置の構造とエツチングガスの開発
が重要である。
すなわちより異方性、選択性のすぐれた加工を行なうた
めには、エツチング装置の構造とエツチングガスの開発
が重要である。
Ｓｉ３Ｎ４ の微細加工においては、従来より、円筒形
のプラズマエツチング装置や第１図に示すような平行平
板形の反応性スパッタエツチング装置に、ＣＦ４ ｔ
ＣＦ４ ＋ＯＩ２．ＳＦ６．ＣＨＦ３゜ＣＦ４＋Ｈ２な
どのガスが用いられてきた。しかし、プラズマエツチン
グ装置にＣＦ４＋Ｏ，やさらにこれにＣＢｒＦ ３を添
加したガスを用いた場合には、Ｓｕｎ、に対しＳｉ３Ｎ
４ を選択的にエツチングできるがＳｉに対する選択性
がなく、さらに等方性エツチングになるため微細加工に
適さないという問題があった。また、反応性スパッタエ
ツチング装置にＣＨＦ３やＣＦ４＋Ｈ２，ガスを用いた
場合には、Ｓｔに対する選択性が得られかつ異方性エツ
チングになるが、５ｉｎ２ に対する選択性が得られな
いという問題があった。
のプラズマエツチング装置や第１図に示すような平行平
板形の反応性スパッタエツチング装置に、ＣＦ４ ｔ
ＣＦ４ ＋ＯＩ２．ＳＦ６．ＣＨＦ３゜ＣＦ４＋Ｈ２な
どのガスが用いられてきた。しかし、プラズマエツチン
グ装置にＣＦ４＋Ｏ，やさらにこれにＣＢｒＦ ３を添
加したガスを用いた場合には、Ｓｕｎ、に対しＳｉ３Ｎ
４ を選択的にエツチングできるがＳｉに対する選択性
がなく、さらに等方性エツチングになるため微細加工に
適さないという問題があった。また、反応性スパッタエ
ツチング装置にＣＨＦ３やＣＦ４＋Ｈ２，ガスを用いた
場合には、Ｓｔに対する選択性が得られかつ異方性エツ
チングになるが、５ｉｎ２ に対する選択性が得られな
いという問題があった。
Ｓｉ３Ｎ４ はＳｉの選択酸化のマスク材料などとして
重要な材料であり、特に選択酸化を行なう際には下地材
料が薄いＳｉｎ、であることが多いので、Ｓｉｎ、に対
する高選択かつ異方性のエツチング技術が強く望まれて
いた。
重要な材料であり、特に選択酸化を行なう際には下地材
料が薄いＳｉｎ、であることが多いので、Ｓｉｎ、に対
する高選択かつ異方性のエツチング技術が強く望まれて
いた。
本発明の目的は、上記問題を解決し、Ｓｉｎ、やＳｔに
対し高選択でかつ異方性でかつ異方的な、Ｓｉ３Ｎ４
の高精度ドライエツチング法を提供することにある。
対し高選択でかつ異方性でかつ異方的な、Ｓｉ３Ｎ４
の高精度ドライエツチング法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、Ｈを多重に含むフ
ロロカーボンガスと、このガスの特性を活用できる電極
構造を有するエツチング装置を用いることによって、Ｓ
ｉ３Ｎ４ の高選択、異方性エツチングを実現するもの
である。
ロロカーボンガスと、このガスの特性を活用できる電極
構造を有するエツチング装置を用いることによって、Ｓ
ｉ３Ｎ４ の高選択、異方性エツチングを実現するもの
である。
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例１
本発明において使用されるエツチング装置は平行平板形
の反応性スパッタ装置であり、第２図に示したように、
真空容器ｌ内の一対の平板電極２゜３の一方の電極２上
に被加工物であるウェーハ４を置き、ＲＦ電源５によっ
て発生させたプラズマ６にウェーハ４をさらすことによ
ってエツチングを行なう。なお、電極２，３の直径は約
５０ ｃｍであり、その表面は石英７，８で被覆してい
る。また、電極間には石英の円筒９を挿入した。
の反応性スパッタ装置であり、第２図に示したように、
真空容器ｌ内の一対の平板電極２゜３の一方の電極２上
に被加工物であるウェーハ４を置き、ＲＦ電源５によっ
て発生させたプラズマ６にウェーハ４をさらすことによ
ってエツチングを行なう。なお、電極２，３の直径は約
５０ ｃｍであり、その表面は石英７，８で被覆してい
る。また、電極間には石英の円筒９を挿入した。
エツチングガスとしてＣｌ２ＦＩ２ をがス導入口１０
より導入し、石英円筒９に設けた排気口１１を経て真空
容器の排気口１２より排気した。ＲＦ電源５の周波数を
１３．５６ Ｍ ＨＺ とし、マツチングボックス１３
を経てウェーハ側の電極３に電力を印加した。ＲＦ電力
０．３Ｗ／ｃＴｌ、ガス流量１０ｃｃ／ｍｉｎ 、ガス
圧力４Ｐａの条件でエツチングすると、Ｓｉ３Ｎ４ は
約３０ ｎ ｍ／ｍｉｎの速度でエツチングされ、一方
、５ｉｎＱ とＳｉのエツチング速度は１ ｎ ｍ ／
ｗｉｎ以下であった。つまり、Ｓｉｎ、やＳｔに対す
る選択比は３０以上であった。
より導入し、石英円筒９に設けた排気口１１を経て真空
容器の排気口１２より排気した。ＲＦ電源５の周波数を
１３．５６ Ｍ ＨＺ とし、マツチングボックス１３
を経てウェーハ側の電極３に電力を印加した。ＲＦ電力
０．３Ｗ／ｃＴｌ、ガス流量１０ｃｃ／ｍｉｎ 、ガス
圧力４Ｐａの条件でエツチングすると、Ｓｉ３Ｎ４ は
約３０ ｎ ｍ／ｍｉｎの速度でエツチングされ、一方
、５ｉｎＱ とＳｉのエツチング速度は１ ｎ ｍ ／
ｗｉｎ以下であった。つまり、Ｓｉｎ、やＳｔに対す
る選択比は３０以上であった。
また、エツチングは完全に異方的であり、ホトレジスト
パターンの寸法通りにＳｉ３ Ｎ４ が加工された。
パターンの寸法通りにＳｉ３ Ｎ４ が加工された。
ＣＩｌ、 Ｆ２ ガスではエツチング面に堆積物が生じ
易く、この堆積物を制御することによって上記のような
高選択性が得られる。堆積物はウェーハ表面の分析の結
果、Ｃ，Ｈ，Ｆから成る物質であり、Ｓｉヤ５ｉ０２
上に比べＳｉ３Ｎ４ 上にはあまり堆積しないことがわ
かった。ただし、ガス流量が４０ｃｃ／ｗｉｎを超える
場合や、ガス圧力が１０〜２０Ｐａを超える場合には、
Ｓｉ３Ｎ４ を含むすべての材料上に堆積物が生じ、エ
ツチングが行なえなくなり、また、逆に堆積物の効果が
少なくなると、ＳｔやＳｉｎ、のエツチング速度が大き
くなり５ｊ４Ｎ４の選択エツチングができなくなった。
易く、この堆積物を制御することによって上記のような
高選択性が得られる。堆積物はウェーハ表面の分析の結
果、Ｃ，Ｈ，Ｆから成る物質であり、Ｓｉヤ５ｉ０２
上に比べＳｉ３Ｎ４ 上にはあまり堆積しないことがわ
かった。ただし、ガス流量が４０ｃｃ／ｗｉｎを超える
場合や、ガス圧力が１０〜２０Ｐａを超える場合には、
Ｓｉ３Ｎ４ を含むすべての材料上に堆積物が生じ、エ
ツチングが行なえなくなり、また、逆に堆積物の効果が
少なくなると、ＳｔやＳｉｎ、のエツチング速度が大き
くなり５ｊ４Ｎ４の選択エツチングができなくなった。
このように堆積の効果は、ガス流量、ガス圧力を始めと
する各種エツチングパラメータに依存し複雑であるが、
反応性スパッタエツチングではその装置構造に強く影響
されることが明らかとなった。すなわち、装置構造、特
に電極面積を適当な範囲に規定することによって、堆積
の効果を有効に利用しＳｉ３Ｎ４ の高選択エツチング
が安定して得られるようになるのである。
する各種エツチングパラメータに依存し複雑であるが、
反応性スパッタエツチングではその装置構造に強く影響
されることが明らかとなった。すなわち、装置構造、特
に電極面積を適当な範囲に規定することによって、堆積
の効果を有効に利用しＳｉ３Ｎ４ の高選択エツチング
が安定して得られるようになるのである。
周知のように、反応性スパッタエツチングにおいては、
電極面に入射するイオンの加速電界は対向する電極の面
積に逆比例する。すなわち、ウェーハ側の電極面積と電
圧をＡ１．Ｖ、とじ、他方の電極のそれらをＡ２．Ｖ、
とすると、Ｖ、／ｖａ ＝ （Ａ２ ／ ＡＩ ） ”
トなる。ココテ、Ｘは１〜４程度であることが知られ
ている。一般に用いられている第１図に示した構造の装
置では、ウェーハ側の電極３に対向する電極２と、ステ
ンレスやアルミニウムなどの金属製の真空容器１が共に
同電圧（アース電位）であり、プラズマ６が真空容器面
にもかなり接するため、実効的な電極面積比（Ａ２／Ａ
ｔ ）は４程度になる。一方、第２図に示した装置では
石英の円筒９によってプラズマがさえぎられるため、実
効的な電極面積比は１．５〜２程度になる。石英円筒９
のかわりに金属製のシールド用円筒を置くと、プラズマ
は円筒内にのみ生じるため、電極面積比は約１になる。
電極面に入射するイオンの加速電界は対向する電極の面
積に逆比例する。すなわち、ウェーハ側の電極面積と電
圧をＡ１．Ｖ、とじ、他方の電極のそれらをＡ２．Ｖ、
とすると、Ｖ、／ｖａ ＝ （Ａ２ ／ ＡＩ ） ”
トなる。ココテ、Ｘは１〜４程度であることが知られ
ている。一般に用いられている第１図に示した構造の装
置では、ウェーハ側の電極３に対向する電極２と、ステ
ンレスやアルミニウムなどの金属製の真空容器１が共に
同電圧（アース電位）であり、プラズマ６が真空容器面
にもかなり接するため、実効的な電極面積比（Ａ２／Ａ
ｔ ）は４程度になる。一方、第２図に示した装置では
石英の円筒９によってプラズマがさえぎられるため、実
効的な電極面積比は１．５〜２程度になる。石英円筒９
のかわりに金属製のシールド用円筒を置くと、プラズマ
は円筒内にのみ生じるため、電極面積比は約１になる。
（シールドは、石英円筒９の外側に網目状の金属を取り
つけるなどして設けてもよい。） 以上のようにして形成した電極面積比（Ａ２／Ａ、）が
１〜４の構造でエツチング特性を調べるここで、Ｓｉ３
Ｉ４ エッチ不可とは堆積物が生じエツチングできな
かったことを示す。また電極面積比１／２．ｌ／４の結
果は、電極面積比２と４の場合に対向電極側でエツチン
グした場合である。
つけるなどして設けてもよい。） 以上のようにして形成した電極面積比（Ａ２／Ａ、）が
１〜４の構造でエツチング特性を調べるここで、Ｓｉ３
Ｉ４ エッチ不可とは堆積物が生じエツチングできな
かったことを示す。また電極面積比１／２．ｌ／４の結
果は、電極面積比２と４の場合に対向電極側でエツチン
グした場合である。
以上の結果から、電極面積比が大きくなりすぎると、ウ
ェーハ側電極での電界が強くなりすぎて堆積物が生じに
くくなるために、従来のＣＦ４やＣＨＦ３ガスと同程度
に選択比が小さくなってしまうこと、また、電極面積比
が小さすぎると電界が弱く、エツチングよりも堆積が優
先して生じてしまうことがわかる。なお、この結果は、
ガス流量１０ ｃ ｃ／ＩＩ＋ｉｎ 、ガス圧力４Ｐａ
、ＲＦ電力０．３ Ｗ／ｄＴの付近の条件下でのもので
あり、他の条件では当然結果が異なってくるが、電極面
積比１〜２の範囲が最も堆積のバランスが良く、最も大
きな選択比を実現できる範囲があった。したがって、電
極面積比１〜２の範囲がＣ１１２Ｆ２ ガスの特性を活
かすための最適装置構造と考えられる。
ェーハ側電極での電界が強くなりすぎて堆積物が生じに
くくなるために、従来のＣＦ４やＣＨＦ３ガスと同程度
に選択比が小さくなってしまうこと、また、電極面積比
が小さすぎると電界が弱く、エツチングよりも堆積が優
先して生じてしまうことがわかる。なお、この結果は、
ガス流量１０ ｃ ｃ／ＩＩ＋ｉｎ 、ガス圧力４Ｐａ
、ＲＦ電力０．３ Ｗ／ｄＴの付近の条件下でのもので
あり、他の条件では当然結果が異なってくるが、電極面
積比１〜２の範囲が最も堆積のバランスが良く、最も大
きな選択比を実現できる範囲があった。したがって、電
極面積比１〜２の範囲がＣ１１２Ｆ２ ガスの特性を活
かすための最適装置構造と考えられる。
なお、第２図のように石英円筒９を設けた構造は、ウェ
ーハ４を汚染及び塵埃から守るためや、石英を洗浄して
装置内を清浄に保つことを容易にするためにも有効であ
る。堆積物を生じ易いガスを用いる際には、このように
二重購造にすることが装置性能維持、特に塵埃低減に有
利である。
ーハ４を汚染及び塵埃から守るためや、石英を洗浄して
装置内を清浄に保つことを容易にするためにも有効であ
る。堆積物を生じ易いガスを用いる際には、このように
二重購造にすることが装置性能維持、特に塵埃低減に有
利である。
実施例２
実施例１ではＣＩ、 ＦＱ ガスを用いたがＣ）Ｉ３Ｆ
ガスを用いても同様なエツチング特性が得られた。
ガスを用いても同様なエツチング特性が得られた。
第３図はＣＨｚ Ｆ４−、 ｘ （Ｘ ＝ Ｏ〜３ ）
の一連の組成ガスについて、第２図の装置を周動）て、
ガス流量１０ ｃ ｃ／ｍｉｎ 、ガス圧力４Ｐａ、Ｒ
Ｆ電力０．３Ｗ／ａｉｒの条件でのエツチング特性を比
較した図である。Ｈの数が増大するにした力〜ってＳｉ
３ Ｉ４ のエツチング速度が低下する力１、Ｓｉｎ、
２とＳｉのエツチング速度がそれにも増して著しく低下
するため、選択比は大きくなる。そして、ＣＩ２ Ｆ＋
２ を用いても、なおかつ２０倍以上の大きな選択比で
Ｓｉ、Ｉ４ を異方的にエツチングできた。
の一連の組成ガスについて、第２図の装置を周動）て、
ガス流量１０ ｃ ｃ／ｍｉｎ 、ガス圧力４Ｐａ、Ｒ
Ｆ電力０．３Ｗ／ａｉｒの条件でのエツチング特性を比
較した図である。Ｈの数が増大するにした力〜ってＳｉ
３ Ｉ４ のエツチング速度が低下する力１、Ｓｉｎ、
２とＳｉのエツチング速度がそれにも増して著しく低下
するため、選択比は大きくなる。そして、ＣＩ２ Ｆ＋
２ を用いても、なおかつ２０倍以上の大きな選択比で
Ｓｉ、Ｉ４ を異方的にエツチングできた。
Ｃｌ３Ｆの方がＣｌ２ＦＱ よりも堆積物を生じ易し１
傾向にあるが、実施例１で述べた電極面積依存性ｌマは
ぼ同様であった。
傾向にあるが、実施例１で述べた電極面積依存性ｌマは
ぼ同様であった。
エツチングガスとしては、この他にＣＨＦ３ガスタ １
１４ Ｆ、などを用いても類似の結果が得られた。した
がって、上記のようなＳｉ３Ｎ４ の高選択異方性エツ
チングは、一般にＦよりもＨの数が多いＣ，Ｈ，Ｆから
成るガスで得られるものと考えられる。また、このよう
なガスに少量のＯＱやＮｇ、Ｉ１２などを混合して堆積
の生成速度を多少変化させてももちろん同様の特性が得
られることは言うまでもない。
１４ Ｆ、などを用いても類似の結果が得られた。した
がって、上記のようなＳｉ３Ｎ４ の高選択異方性エツ
チングは、一般にＦよりもＨの数が多いＣ，Ｈ，Ｆから
成るガスで得られるものと考えられる。また、このよう
なガスに少量のＯＱやＮｇ、Ｉ１２などを混合して堆積
の生成速度を多少変化させてももちろん同様の特性が得
られることは言うまでもない。
実施例３
エツチングガスとしては混合ガスよりも単一ガスの方が
エツチング特性が安定であるが、本発明の第２図のよう
な装置構造を用いた場合、ＣＦ４とＩ２の混合ガスを用
いても、比較的良いＳｉ３Ｎ４の選択エツチングが可能
であった。
エツチング特性が安定であるが、本発明の第２図のよう
な装置構造を用いた場合、ＣＦ４とＩ２の混合ガスを用
いても、比較的良いＳｉ３Ｎ４の選択エツチングが可能
であった。
第４図はＣＦ４へのＩ２混合率（ガス流量の割合）によ
るエツチング速度の変化を示したものであるが、Ｉ２混
合率が５０％以上では５ｉｎ２ やＳｔに対しＳｉ３
Ｉ４ を５倍以上速くエツチングできている。つまり、
Ｈ，２の多い条件下でＣＦ系のガスを用いるとＣｌ２Ｆ
Ｑ やＣＨ３Ｆに近いエツチング特性を得ることが可能
である。
るエツチング速度の変化を示したものであるが、Ｉ２混
合率が５０％以上では５ｉｎ２ やＳｔに対しＳｉ３
Ｉ４ を５倍以上速くエツチングできている。つまり、
Ｈ，２の多い条件下でＣＦ系のガスを用いるとＣｌ２Ｆ
Ｑ やＣＨ３Ｆに近いエツチング特性を得ることが可能
である。
以上述べたように、本発明によれば、Ｓｉ３Ｎ４を５ｉ
ｎ２ やＳｉに対して高選択にエツチングできるので、
Ｓｉ３Ｎ４ 膜を加工する際に下地材料のＳｉｎ、もし
くはＳｉをほとんどエツチングすることがない。また、
エツチングが異方的であるためにマスク寸法通りに高精
度の加工ができる。したがって、各種半導体デバイスの
製造工程におけるＳｉ３Ｎ４ 膜の理想的な微細加工が
実現できる。
ｎ２ やＳｉに対して高選択にエツチングできるので、
Ｓｉ３Ｎ４ 膜を加工する際に下地材料のＳｉｎ、もし
くはＳｉをほとんどエツチングすることがない。また、
エツチングが異方的であるためにマスク寸法通りに高精
度の加工ができる。したがって、各種半導体デバイスの
製造工程におけるＳｉ３Ｎ４ 膜の理想的な微細加工が
実現できる。
第１図はエツチング装置の一例を示す模式図、第２図は
本発明に用いたエツチング装置の一例を示す模式図、第
３図及び第４図は本発明の効果を示す曲線図である。 １・・・真空容器、２．３・・・平板電極、４・・・ウ
ェーハ、５・・・ＲＦ電源、６・・・プラズマ、７，８
・・・石英板、９・・・石英円筒、１０・・・ガス導入
［」、１１・・・円筒排気口。 ′ｊＰＪｌ 図 第 Ｚ 図 ′ｆＪ３ 図 エゾチンク゛力°°ヌ、 χ ４ 図 Ｈｚ／（ＣＦｔ、十Ｈｚ） （’／、）（Ｈｚ シ？に
イ＝ン・率 、）
本発明に用いたエツチング装置の一例を示す模式図、第
３図及び第４図は本発明の効果を示す曲線図である。 １・・・真空容器、２．３・・・平板電極、４・・・ウ
ェーハ、５・・・ＲＦ電源、６・・・プラズマ、７，８
・・・石英板、９・・・石英円筒、１０・・・ガス導入
［」、１１・・・円筒排気口。 ′ｊＰＪｌ 図 第 Ｚ 図 ′ｆＪ３ 図 エゾチンク゛力°°ヌ、 χ ４ 図 Ｈｚ／（ＣＦｔ、十Ｈｚ） （’／、）（Ｈｚ シ？に
イ＝ン・率 、）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、対向する電極の一方に被エツチ物を置き１反応ガス
の存在において放電によって上記被エツチ物をエツチン
グする方法において、上記被エツチ物を置いた上記電極
と他方の上記電極の面積の比をほぼ０．５〜１ とし、
Ｃ，ＨおよびＦを含みＦ対Ｈの比が２以下であるガスを
上記反応ガスとしてチツ化シリコンをエッチすることを
特徴とするエツチング方法。 ２、上記反応ガスはｃｏ、ｒおよびまたはＣ１１ＱＦＱ
である特許請求の範囲第１項記載のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222038A JPH0722149B2 (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 平行平板形ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222038A JPH0722149B2 (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 平行平板形ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60115231A true JPS60115231A (ja) | 1985-06-21 |
| JPH0722149B2 JPH0722149B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=16776108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58222038A Expired - Lifetime JPH0722149B2 (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 平行平板形ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722149B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5786276A (en) * | 1997-03-31 | 1998-07-28 | Applied Materials, Inc. | Selective plasma etching of silicon nitride in presence of silicon or silicon oxides using mixture of CH3F or CH2F2 and CF4 and O2 |
| US6613686B2 (en) | 1999-12-21 | 2003-09-02 | Nec Electronics Corporation | Method of etching silicon nitride film and method of producing semiconductor device |
| JP2006253222A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法及びエッチング装置 |
| JP2012513095A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおけるプラズマ閉じ込め構造 |
| JP2012513094A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 複合型ウエハ領域圧力制御およびプラズマ閉じ込めアセンブリ |
| JP2015207688A (ja) * | 2014-04-22 | 2015-11-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング方法 |
| CN110246760A (zh) * | 2015-04-22 | 2019-09-17 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110546742B (zh) * | 2017-04-06 | 2023-09-29 | 关东电化工业株式会社 | 干式蚀刻气体组合物及干式蚀刻方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610932A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma treating apparatus |
| JPS5651578A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-09 | Toshiba Corp | Plasma etching method |
| JPS5713743A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-23 | Toshiba Corp | Plasma etching apparatus and etching method |
| JPS5834919A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-01 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | プラズマ化学反応によるエツチング方法 |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP58222038A patent/JPH0722149B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610932A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma treating apparatus |
| JPS5651578A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-09 | Toshiba Corp | Plasma etching method |
| JPS5713743A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-23 | Toshiba Corp | Plasma etching apparatus and etching method |
| JPS5834919A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-01 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | プラズマ化学反応によるエツチング方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5786276A (en) * | 1997-03-31 | 1998-07-28 | Applied Materials, Inc. | Selective plasma etching of silicon nitride in presence of silicon or silicon oxides using mixture of CH3F or CH2F2 and CF4 and O2 |
| US6613686B2 (en) | 1999-12-21 | 2003-09-02 | Nec Electronics Corporation | Method of etching silicon nitride film and method of producing semiconductor device |
| US6893973B2 (en) | 1999-12-21 | 2005-05-17 | Nec Electronics Corporation | Method of etching silicon nitride film and method of producing semiconductor device |
| JP2006253222A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法及びエッチング装置 |
| JP4541193B2 (ja) * | 2005-03-08 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP2012513095A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおけるプラズマ閉じ込め構造 |
| JP2012513094A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 複合型ウエハ領域圧力制御およびプラズマ閉じ込めアセンブリ |
| JP2015207688A (ja) * | 2014-04-22 | 2015-11-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング方法 |
| CN110246760A (zh) * | 2015-04-22 | 2019-09-17 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法 |
| CN110246760B (zh) * | 2015-04-22 | 2023-02-17 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722149B2 (ja) | 1995-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5015331A (en) | Method of plasma etching with parallel plate reactor having a grid | |
| JP2634014B2 (ja) | 水素ラジカルを包含する反応性イオンエッチング法 | |
| JP2000173993A (ja) | プラズマ処理装置およびエッチング方法 | |
| JPS60105235A (ja) | アルミニウムおよびアルミニウム合金の反応性イオンエッチング法 | |
| JP2634125B2 (ja) | ウェハ上の異物濃度減少方法及びウェハの反応性イオンエッチング方法 | |
| JPS60115231A (ja) | 平行平板形ドライエッチング装置 | |
| US5209803A (en) | Parallel plate reactor and method of use | |
| JPS6158975B2 (ja) | ||
| US7452823B2 (en) | Etching method and apparatus | |
| TW201812897A (zh) | 電漿處理方法 | |
| JPS58204537A (ja) | プラズマエツチング方法 | |
| JPH11186229A (ja) | ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0555184A (ja) | クリーニング方法 | |
| US20030068898A1 (en) | Dry etching method for manufacturing processes of semiconductor devices | |
| JPH0612765B2 (ja) | エ ッ チ ン グ 方 法 | |
| JPS60120525A (ja) | 反応性イオンエツチング方法 | |
| Spangenberg et al. | Reactive ion etching of crystalline quartz for SAW devices | |
| JP4865951B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPS6334927A (ja) | ダイヤモンドの加工方法 | |
| JPH0666294B2 (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPH05206073A (ja) | 層の構造化方法 | |
| JPH06181190A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05144773A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH03241740A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62145732A (ja) | エツチング法 |