JP2015207688A - ドライエッチング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】窒化シリコンを酸化シリコンまたはシリコンに対して高選択に、かつ等方的にエッチングするドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】ウェハ１０２の主面上に形成された窒化シリコン膜をプラズマ１１２を用いたドライエッチング方法によって除去する。プラズマエッチング装置Ｍ１に備わる処理室１０１の内部へ導入されるプロセスガスはＣＦ_４ガス、Ｈ_２ガスおよびＣＯ_２ガスを含む第１混合ガスまたはＣ_２Ｆ_６ガス、Ｈ_２ガスおよびＣＯ_２ガスを含む第２混合ガスであり、試料台１０３の温度は４０℃以上、１５０℃以下であり、試料台１０３に高周波バイアス電源１０９から供給される高周波バイアスの電力は０Ｗより大きく、５Ｗ以下である。
【選択図】図１

Description

本発明は、ドライエッチング方法に関する。

本技術分野の背景技術として、特開昭６０−１１５２３１号公報（特許文献１）および特開２０００−３４０５５２号公報（特許文献２）がある。

特開昭６０−１１５２３１号公報（特許文献１）には、被エッチング物を置いた電極と他方の電極との面積の比をほぼ０．５〜１とし、Ｃ、ＨおよびＦを含みＦ対Ｈの比が２以下であるガスを反応ガスとして窒化シリコンをエッチングする技術が記載されている。

また、特開２０００−３４０５５２号公報（特許文献２）には、重合剤と、水素源と、酸化剤と、希ガス希釈剤とを含むエッチャント・ガス組成物を用いた、酸化シリコンおよびフォトレジストに対して高度の選択性を有する窒化シリコンの異方性エッチング方法が記載されている。

特開昭６０−１１５２３１号公報 特開２０００−３４０５５２号公報

窒化シリコンのエッチングには、従来熱リン酸によるウェットエッチング（湿式エッチング）が用いられてきたが、近年このウェットエッチングに代えてドライエッチング（乾式エッチング）が用いられている。例えば窒化シリコンを異方的にエッチングするドライエッチング方法はすでに実用化されている。しかし、このドライエッチング方法では、窒化シリコンを酸化シリコンまたはシリコンに対して高選択に、かつ等方的にエッチングすることができない。

そこで、本発明は、窒化シリコンを酸化シリコンまたはシリコンに対して高選択に、かつ等方的にエッチングするドライエッチング方法を提供する。

上記課題を解決するために、本発明は、処理室の内部に備わる試料台上にウェハを載置した後、ウェハの主面上に形成された窒化シリコン膜をプラズマを用いたドライエッチング方法によりエッチングする。処理室の内部へ導入されるプロセスガスはＣＦ_４ガス、Ｈ_２ガスおよびＣＯ_２ガスを含む第１混合ガスまたはＣ_２Ｆ_６ガス、Ｈ_２ガスおよびＣＯ_２ガスを含む第２混合ガスであり、試料台の温度は４０℃以上、１５０℃以下であり、試料台に印加される高周波バイアスの電力は０Ｗより大きく、５Ｗ以下である。

本発明によれば、窒化シリコンを酸化シリコンまたはシリコンに対して高選択に、かつ等方的にエッチングするドライエッチング方法を提供することができる。

上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施の形態の説明により明らかにされる。

実施例１によるプラズマ生成手段にマイクロ波と磁場とを利用した電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング装置の概略図である。 窒化シリコン膜の垂直方向エッチングレートおよび水平方向エッチングレート（ＳｉＮエッチングレート）と、高周波バイアスの電力との関係を説明するグラフ図である。 多結晶シリコン膜に対する窒化シリコン膜の選択比（ＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比）と、試料台の温度との関係を説明するグラフ図である。 実施例１による窒化シリコン膜のドライエッチングを説明するシリコン材の要部断面図である。（ａ）は、実施例１による窒化シリコン膜をドライエッチングする前のシリコン材の要部断面図である。（ｂ）は、実施例１による窒化シリコン膜をドライエッチングした後のシリコン材の要部断面図である。（ｃ）は、比較例として示す本発明者が検討したシリコンに対する窒化シリコンの選択比が５よりも低いドライエッチングの場合の窒化シリコン膜をドライエッチングした後のシリコン材の要部断面図である。 多結晶シリコン膜に対する窒化シリコン膜の選択比（ＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比）と、マイクロ波のデューティー比との関係を説明するグラフ図である。 実施例３によるプラズマ生成手段にマイクロ波と磁場とを利用した電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング装置の概略図である。

以下の実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。

また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

また、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

また、以下の実施の形態において、窒化シリコン、窒化ケイ素またはシリコンナイトライド等というときは、Ｓｉ_３Ｎ_４は勿論であるが、それのみではなく、シリコンの窒化物で類似組成（例えば化学量論的組成からずれた組成）の絶縁膜を含むものとする。また、酸化シリコンまたは酸化珪素等というときも、ＳｉＯ_２は勿論であるが、それのみでなく、シリコンの酸化物で類似組成（例えば化学量論的組成からずれた組成）の絶縁膜を含むものとする。また、以下の実施の形態においては、窒化シリコンを「ＳｉＮ」と記載し、酸化シリコンを「ＳｉＯ_２」と記載し、多結晶シリコンを「ｐｏｌｙＳｉ」と記載する場合もある。

また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

実施例１によるプラズマエッチング装置を図１を用いて説明する。図１は、実施例１によるプラズマ生成手段にマイクロ波と磁場とを利用した電子サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron Resonance）プラズマエッチング装置の概略図である。

図１に示すように、プラズマエッチング装置Ｍ１は、内部を真空排気できるチャンバ（処理室、プラズマ処理室などとも言う）１０１を備える。チャンバ１０１の内部には試料であるウェハ１０２を搭載する試料台１０３が設けられ、チャンバ１０１の上面には石英などのマイクロ波透過窓１０４が設けられている。さらに、マイクロ波透過窓１０４の上方には導波管１０５と、マグネトロン１０６とが設けられており、チャンバ１０１の周りにはソレノイドコイル１０７と、試料台１０３に接続された静電吸着電源１０８と、高周波バイアス電源１０９とが設けられている。

次に、前記プラズマエッチング装置Ｍ１を用いたドライエッチングについて前記図１を参照しながら説明する。

まず、ウェハ１０２は、ウェハ搬入口１１０からチャンバ１０１の内部に搬入された後、試料台１０３上に載置される。ウェハ１０２は、静電吸着電源１０８によって試料台１０３上に静電吸着される。図示は省略するが、試料台１０３の内部に設置した循環する冷媒とヒータ加熱とによって試料台１０３の温度を制御することができる。

次に、プロセスガスがガス導入口１１１からチャンバ１０１の内部へ導入される。チャンバ１０１の内部は、図示は省略するが、真空ポンプにより減圧排気され、所定の圧力、例えば０．１Ｐａ〜５０Ｐａ程度に調整される。

次に、マグネトロン１０６から発振した周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波が、導波管１０５とマイクロ波透過窓１０４とを介してチャンバ１０１の内部に供給される。マイクロ波とソレノイドコイル１０７によって発生した磁場との相互作用によってプロセスガスが励起され、ウェハ１０２の上方の空間にイオンまたはラジカルが含まれたプラズマ１１２が生成される。高周波バイアス電源１０９から試料台１０３へ高周波バイアスを印加することにより、プラズマ１１２からウェハ１０２へイオンまたはラジカルが引き込まれ、ウェハ１０２の主面上に形成された被エッチング膜がドライエッチングされる。

マグネトロン１０６の出力および高周波バイアス電源１０９の出力はパルス変調が可能であり、パルス発生装置１１３からの信号に従い同期して、その出力をオン・オフすることができる。

表１に、実施例１によるプラズマエッチングのエッチング条件の一例を示す。

プロセスガスにはＣＦ_４ガス、Ｈ_２ガスおよびＣＯ_２ガスを混合したＣＦ_４／Ｈ_２／ＣＯ_２ガスを用いている。マイクロ波の電力は６００Ｗ、そのデューティー比は１００％であり、高周波バイアスの電力は１０Ｗ、そのディーティ比は５０％である。また、試料台の温度は４０℃である。

異方的なドライエッチングでは高いイオンエネルギーが必要となるが、等方的なドライエッチングではイオンエネルギーを極力小さくして、垂直方向（ウェハ１０２の厚さ方向）エッチングレートと水平方向（ウェハ１０２の厚さ方向と交差する面方向）エッチングレートとを実質的に等しくする必要がある。

図２は、窒化シリコン膜の垂直方向エッチングレートおよび水平方向エッチングレート（ＳｉＮエッチングレート）と、高周波バイアスの電力との関係を説明するグラフ図である。

高周波バイアスはデューティー比５０％でパルス変調しており、オン期間とオフ期間とを交互に繰り返す。図２の横軸である高周波バイアスの電力は、パルス変調された高周波バイアスの平均電力を表す。なお、パルス変調された高周波バイアスの平均電力は、ピーク電力（オン期間の高周波バイアスの電力）と、高周波バイアスのデューティー比との積から求めることができる。例えばピーク電力が２０Ｗ、ディーティー比が５０％であれば、平均電力は１０Ｗとなる。

図２に示すように、パルス変調された高周波バイアスの平均電力を０Ｗより大きく、５Ｗ以下にすることで、垂直方向エッチングレートと水平方向エッチングレートとの差が１０％以内に納まり、等方的なドライエッチングができる。

図３は、多結晶シリコン膜に対する窒化シリコン膜の選択比（ＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比）と、試料台の温度との関係を説明するグラフ図である。

試料台の温度が４０℃において、窒化シリコン膜のエッチングレートは２２ｎｍ／ｍｉｎ、多結晶シリコン膜のエッチングレートは４．２ｎｍ／ｍｉｎおよび酸化シリコン膜のエッチングレートは２．０ｎｍ／ｍｉｎとなった。従って、多結晶シリコンに対する窒化シリコンの選択比（以下、ＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比と記す）は５．２、酸化シリコンに対する窒化シリコンの選択比（以下、ＳｉＮ／ＳｉＯ_２選択比と記す）は１１となる。ここで、ウェットエッチングからドライエッチングに置き換えられる選択比の目安は５以上であることから、試料台の温度が４０℃であれば、目標とするＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比およびＳｉＮ／ＳｉＯ_２選択比を得ることができる。

ＳｉＮ／ＳｉＯ_２選択比は試料台の温度依存性が小さく、常に１０以上となる。しかし、図３に示すように、ＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比は試料台の温度が上昇するに伴って増加し、試料台の温度が約８０℃において最大となる。試料台の温度が約８０℃になるまで、ＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比が試料台の温度の上昇に伴って増加する理由としては、プラズマ中で生成されるＣＨラジカルが窒化シリコン膜のＮ（窒素）を引き抜く反応速度が増加するためであると推定される。

試料台の温度が約８０℃を超えると、ＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比は試料台の温度が上昇するに伴って減少し、試料台の温度が約１５０℃を超えると、ＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比は５以下となる。実施例１によるドライエッチングでは、プロセスガスにＣＦ_４ガス、Ｈ_２ガスおよびＣＯ_２ガスを混合したＣＦ_４／Ｈ_２／ＣＯ_２ガスを用いており、このガスでは、ＣＨが多結晶シリコン膜または酸化シリコン膜の表面に堆積して多結晶シリコン膜または酸化シリコン膜のドライエッチングを妨げ、かつ堆積したＣＨが窒化シリコン膜のＮ（窒素）と反応して蒸発する。これにより、ＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比およびＳｉＮ／ＳｉＯ_２選択比が発現すると考えられる。しかし、試料台の温度が上昇するに伴ってＣＨの付着係数が低下して、多結晶シリコン膜の表面に堆積するＣＨ量が少なくなるため、試料台の温度が約８０℃を超えると、ＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比が試料台の温度が上昇するに伴って減少すると推定される。

ＣＦ_４／Ｈ_２／ＣＯ_２ガスの特徴は、ＣＨラジカルの生成量を制御できることである。前記特許文献１に記載されたＣＨ_２Ｆ_２ガスまたはＣＨ_３Ｆガスでは、被エッチング膜の表面に多量のＣＨが堆積するため、高周波バイアスの電力が５Ｗ以下では、ドライエッチングが進行しない。すなわち、等方的なドライエッチングが難しい。これに対して、実施例１では、Ｃ（炭素）とＨ（水素）とをそれぞれ独立して供給してプラズマ中にＣＨラジカルを生成するので、高周波バイアスの電力が５Ｗ以下であってもドライエッチングが進行し、かつＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比およびＳｉＮ／ＳｉＯ_２選択比を高くすることができる。また、高周波バイアスの電力が小さいと、エッチングレートが小さくなり実用に適さなくなるが、実施例１では、試料台の温度を４０℃以上、１５０℃以下に維持することにより、実用に適するエッチングレートを得ることができる。

ＣＦ_４／Ｈ_２／ＣＯ_２ガスの流量比は、ＣＦ_４ガス流量：Ｈ_２ガス流量：ＣＯ_２ガス流量＝１：２：１が基本であるが、状況に応じてそれぞれのガス流量を±３０％の範囲で変えて、最適なガス流量比を探すのが好ましい。また、ＣＦ_４ガスに代えてＣ_２Ｆ_６ガスを用いてもよい。

なお、Ｃ／Ｆの元素数比がＣ_２Ｆ_６ガスよりも高いガス、例えばＣ_３Ｆ_８ガスでは、窒化シリコン膜の表面に多量のＣＨが堆積するので、高周波バイアスの電力が低い場合は、ドライエッチングが進行しない。また、ＣＯ_２ガスに代えてＣＯガスを用いても、高周波バイアスの電力が低い場合は、ドライエッチングが進行しない。

図４は、実施例１による窒化シリコン膜のドライエッチングを説明するシリコン材の要部断面図である。図４（ａ）は、実施例１による窒化シリコン膜をドライエッチングする前のシリコン材の要部断面図である。図４（ｂ）は、実施例１による窒化シリコン膜をドライエッチングした後のシリコン材の要部断面図である。図４（ｃ）は、比較例として示す本発明者が検討したシリコンに対する窒化シリコンの選択比が５よりも低いドライエッチングの場合の窒化シリコン膜をドライエッチングした後のシリコン材の要部断面図である。

図４（ａ）に示すように、シリコン材４０１に所定の深さの複数の溝４０４が形成されており、溝４０４の側面および底面を含むシリコン材４０１の表面に窒化シリコン膜４０２が堆積している。窒化シリコン膜４０２の厚さは、例えば１０ｎｍ程度である。

この窒化シリコン膜４０２に対して、前記図１に示したプラズマエッチング装置Ｍ１を用いて前記表１に示したエッチング条件で約４０秒間ドライエッチングを行った結果を、図４（ｂ）に示す。図４（ｂ）に示すように、溝４０４の側面および底面においてドライエッチングの進行を抑えて、溝４０４の側面および底面を含む全ての窒化シリコン膜４０２を除去することができるので、所望する形状の溝４０４が得られる。

これに対して、図４（ｃ）に示すように、シリコンに対する窒化シリコンの選択比が５よりも低いドライエッチングの場合は、溝４０４の側面および底面を含む全ての窒化シリコン膜４０２を除去すると、溝４０４の側面および底面においてサイドエッチ４０３が生じて、所望する形状の溝４０４が得られない。

このように、実施例１によれば、プロセスガスをＣＦ_４ガス、Ｈ_２ガスおよびＣＯ_２ガスを含む混合ガスとし、試料台の温度を４０℃以上、１５０℃以下、試料台１０３に印加する高周波バイアスの電力を５Ｗ以下としたプラズマエッチングのエッチング条件を用いることにより、窒化シリコンを酸化シリコンまたはシリコンに対して高選択に、かつ等方的にドライエッチングすることができる。

実施例２によるプラズマエッチングを用いた窒化シリコン膜の等方的なドライエッチングについて、図５を用いて説明する。図５は、多結晶シリコンに対する窒化シリコンの選択比（ＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比）と、マイクロ波のデューティー比との関係を説明するグラフ図である。なお、前述した実施例１の前記図１を用いて説明したプラズマエッチング装置Ｍ１を用い、前述した実施例１の前記表１に記載したプラズマエッチングのエッチング条件において、マイクロ波をパルス変調するためのデューティー比を変えている。マイクロ波のピーク電力は６００Ｗで一定としている。この場合、例えばデューティー比が５０％であれば、平均電力は３００Ｗとなる。なお、マイクロ波のデューティー比が５０％以下の場合は、高周波バイアスのデューティー比もマイクロ波と同期してマイクロ波と同じデューティー比となるように設定されている。

図５に示すように、マイクロ波のデューティー比が５０％以下では、マイクロ波のデューティー比が小さくなるに伴ってＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比が増加する。マイクロ波の電力の低下に伴って窒化シリコン膜および多結晶シリコン膜のエッチングレートは低減するが、プラズマがオフしている間にＣＨが多結晶シリコン膜の表面に堆積して、多結晶シリコン膜のエッチングレートがより低下するため、ＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比が増加する。

なお、ここではＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比とマイクロ波のデューティー比との関係について説明したが、ＳｉＮ／ＳｉＯ_２選択比とマイクロ波のデューティー比との関係についても同様の効果が得られた。

このように、実施例２によれば、前述した実施例１のプラズマエッチングのエッチング条件に加えて、マイクロ波のデューティー比を５０％以下とすることにより、さらにＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比およびＳｉＮ／ＳｉＯ_２選択比を高くすることができる。

実施例３によるプラズマエッチングを用いた窒化シリコン膜の等方的なドライエッチングについて、図６を用いて説明する。図６は、実施例３によるプラズマ生成手段にマイクロ波と磁場とを利用した電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング装置の概略図である。なお、実施例３によるプラズマエッチング装置の構成は、前述した実施例１の前記図１に示したプラズマエッチング装置の構成とほぼ同様の構成をしているため、相違点を中心に説明する。

図６に示すように、プラズマエッチング装置Ｍ２に備わるチャンバ１０１の内部に、被エッチング膜、すなわち窒化シリコン膜と同じ材質の部材５０１が設けられている。プラズマエッチングでは、ウェハ１０２から脱離した反応性生物がプラズマ１１２中で解離して、ウェハ１０２に再付着する現象が生じる。この再付着は被エッチング膜のエッチングレートを低下させる。一般的に、排気口から離れているウェハ１０２の中心部は、ウェハ１０２の外周部に比較して反応性生物の再付着量が多い。このため、ウェハ１０２の中心部は、ウェハ１０２の外周部と比較して被エッチング膜のエッチングレートが低くなる傾向がある。

これを改善するために、実施例３によるプラズマエッチング装置Ｍ２では、被エッチング膜、すなわち窒化シリコン膜と同じ材質の部材５０１をチャンバ１０１の内部に設けている。これにより、この部材５０１からも反応性生物が発生して、チャンバ１０１の内部の反応性生物の密度濃度が均一化するので、被エッチング膜のエッチングレートのウェハ面内分布を向上させることができる。

また、シリコンからなる部材５０１をチャンバ１０１の内部に設ければ、シリコン反応性生物の多結晶シリコン膜への再付着量が増加するので、多結晶シリコン膜のエッチングレートが低下して、ＳｉＮ／ｐｏｌｙＳｉ選択比をより増加させることができる。

部材５０１は、上面視において試料台１０３の外周を囲むようにチャンバ１０１の内部に配置されている。例えば部材５０１は、試料台１０３の上方に試料台１０３の外周をリング状に囲むように設置してもよく、または、例えばマイクロ波透過窓１０４の外周に設置してもよい。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

１０１ チャンバ（処理室、プラズマ処理室）
１０２ ウェハ
１０３ 試料台
１０４ マイクロ波透過窓
１０５ 導波管
１０６ マグネトロン
１０７ ソレノイドコイル
１０８ 静電吸着電源
１０９ 高周波バイアス電源
１１０ ウェハ搬入口
１１１ ガス導入口
１１２ プラズマ
１１３ パルス発生装置
４０１ シリコン材
４０２ 窒化シリコン膜
４０３ サイドエッチ
４０４ 溝
５０１ 部材
Ｍ１，Ｍ２ プラズマエッチング装置

Claims (5)

1. 処理室の内部に備わる試料台上にウェハを載置し、前記ウェハの主面上に形成された窒化シリコン膜をプラズマを用いてエッチングするドライエッチング方法であって、
   前記処理室の内部へ導入されるプロセスガスはＣＦ_４ガス、Ｈ_２ガスおよびＣＯ_２ガスを含む第１混合ガスまたはＣ_２Ｆ_６ガス、Ｈ_２ガスおよびＣＯ_２ガスを含む第２混合ガスであり、
   前記試料台の温度は４０℃以上、１５０℃以下であり、
   前記試料台に印加する高周波バイアスの電力は０Ｗより大きく、５Ｗ以下である、ドライエッチング方法。
2. 請求項１記載のドライエッチング方法において、
   前記第１混合ガスのガス流量比が、前記ＣＦ_４ガスの流量：前記Ｈ_２ガスの流量：前記ＣＯ_２ガスの流量＝１：２：１となる前記ＣＦ_４ガスの流量、前記Ｈ_２ガスの流量および前記ＣＯ_２ガスの流量を、前記ＣＦ_４ガスの第１基準流量、前記Ｈ_２ガスの第２基準流量および前記ＣＯ_２ガスの第３基準流量とそれぞれ設定し、
   前記処理室の内部へ導入される前記ＣＦ_４ガスの流量を、前記第１基準流量から±３０％の範囲内、前記処理室の内部へ導入される前記Ｈ_２ガスの流量を、前記第２基準流量から±３０％の範囲内、前記処理室の内部へ導入される前記ＣＯ_２ガスの流量を、前記第３基準流量から±３０％の範囲内とする、ドライエッチング方法。
3. 請求項１記載のドライエッチング方法において、
   前記高周波バイアスはパルス変調されて、オン期間とオフ期間とを交互に繰り返し、
   前記オン期間の前記高周波バイアスの電力と、前記高周波バイアスをパルス変調するためのデューティー比との積が０Ｗより大きく、５Ｗ以下である、ドライエッチング方法。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載のドライエッチング方法において、
   前記プラズマはマイクロ波と磁場との相互作用によって生成され、
   前記マイクロ波はパルス変調され、
   前記マイクロ波をパルス変調するためのディーティー比は５０％以下である、ドライエッチング方法。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載のドライエッチング方法において、
   窒化シリコンまたはシリコンからなる部材が、上面視において前記試料台の外周を囲むように前記処理室の内部に配置されている、ドライエッチング方法。

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