JPH11186229A - ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH11186229A JPH11186229A JP34936697A JP34936697A JPH11186229A JP H11186229 A JPH11186229 A JP H11186229A JP 34936697 A JP34936697 A JP 34936697A JP 34936697 A JP34936697 A JP 34936697A JP H11186229 A JPH11186229 A JP H11186229A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン酸化膜のシリコン窒化膜に対するエ
ッチングレートの比を向上させる。 【解決手段】 少なくとも炭素及びフッ素を含む第１の
反応性ガスと少なくとも窒素を含む第２の反応性ガスと
を少なくとも有する混合ガスを用い、この混合ガスをプ
ラズマによって活性化してシリコン酸化膜２６をシリコ
ン窒化膜２５ａ及び２５ｂに対して選択的にドライエッ
チングし、第１の反応性ガスを構成するガス分子に含ま
れる炭素の原子数を“Ｘ”、フッ素の原子数を“Ｙ”、
第２の反応性ガスを構成するガス分子に含まれる窒素の
原子数を“Ｚ”とし、エッチング雰囲気に供給する第１
の反応性ガスの流量を“ａ”、第２の反応性ガスの流量
を“ｂ”としたときに、“ａＸ／ｂＺ≧１．９”かつ
“ａＹ／ｂＺ≧３．０”とする。
ッチングレートの比を向上させる。 【解決手段】 少なくとも炭素及びフッ素を含む第１の
反応性ガスと少なくとも窒素を含む第２の反応性ガスと
を少なくとも有する混合ガスを用い、この混合ガスをプ
ラズマによって活性化してシリコン酸化膜２６をシリコ
ン窒化膜２５ａ及び２５ｂに対して選択的にドライエッ
チングし、第１の反応性ガスを構成するガス分子に含ま
れる炭素の原子数を“Ｘ”、フッ素の原子数を“Ｙ”、
第２の反応性ガスを構成するガス分子に含まれる窒素の
原子数を“Ｚ”とし、エッチング雰囲気に供給する第１
の反応性ガスの流量を“ａ”、第２の反応性ガスの流量
を“ｂ”としたときに、“ａＸ／ｂＺ≧１．９”かつ
“ａＹ／ｂＺ≧３．０”とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はドライエッチング方
法、特にシリコン窒化膜に対してシリコン酸化膜を選択
的にエッチングする方法に関する。
法、特にシリコン窒化膜に対してシリコン酸化膜を選択
的にエッチングする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＯＳ型半導体装置等において、自己整
合型コンタクト（ＳＡＣ）を形成するためのエッチング
プロセスでは、ゲート間の層間絶縁膜に対してコンタク
トホールの開口を行う。コンタクトホールの形成に際し
ては、ゲートの微細加工に伴い、開口領域がゲート構造
の肩の部分にかかるため、層間絶縁膜であるシリコン酸
化膜のゲート周囲に形成されたシリコン窒化膜に対する
高選択エッチングが要求される。
合型コンタクト（ＳＡＣ）を形成するためのエッチング
プロセスでは、ゲート間の層間絶縁膜に対してコンタク
トホールの開口を行う。コンタクトホールの形成に際し
ては、ゲートの微細加工に伴い、開口領域がゲート構造
の肩の部分にかかるため、層間絶縁膜であるシリコン酸
化膜のゲート周囲に形成されたシリコン窒化膜に対する
高選択エッチングが要求される。
【０００３】しかしながら、従来のドライエッチング技
術では、シリコン酸化膜の対シリコン窒化膜の選択比
は、ベタ膜では約４２程度得られるものの、自己整合型
コンタクト形成の際にはゲートの肩の部分の選択比が約
１２程度となり選択比が減少する。そのため、自己整合
型コンタクトを形成する場合には、ゲート間のショート
を引き起こす問題となる。また、シリコン酸化膜の対シ
リコン窒化膜の選択比を上げることにより、コントクト
ホールの底部でエッチングレートが極端に遅くなるエッ
チングストップという現象が生じたり、形状が悪くなる
といった問題が生じる。
術では、シリコン酸化膜の対シリコン窒化膜の選択比
は、ベタ膜では約４２程度得られるものの、自己整合型
コンタクト形成の際にはゲートの肩の部分の選択比が約
１２程度となり選択比が減少する。そのため、自己整合
型コンタクトを形成する場合には、ゲート間のショート
を引き起こす問題となる。また、シリコン酸化膜の対シ
リコン窒化膜の選択比を上げることにより、コントクト
ホールの底部でエッチングレートが極端に遅くなるエッ
チングストップという現象が生じたり、形状が悪くなる
といった問題が生じる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、例えば自
己整合型コンタクトを形成する場合、シリコン酸化膜の
シリコン窒化膜に対するエッチングレート（特にゲート
の肩の部分のエッチングレート）の高選択比を得る技術
が必須であるが、従来は十分な選択比を得ることが困難
であった。
己整合型コンタクトを形成する場合、シリコン酸化膜の
シリコン窒化膜に対するエッチングレート（特にゲート
の肩の部分のエッチングレート）の高選択比を得る技術
が必須であるが、従来は十分な選択比を得ることが困難
であった。
【０００５】本発明は、上記従来の問題に対してなされ
たものであり、シリコン酸化膜のシリコン窒化膜に対す
るエッチングレートの選択比を向上させることが可能な
ドライエッチング方法を提供することを目的としてい
る。
たものであり、シリコン酸化膜のシリコン窒化膜に対す
るエッチングレートの選択比を向上させることが可能な
ドライエッチング方法を提供することを目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るドライエッ
チング方法は、少なくとも炭素及びフッ素を含む第１の
反応性ガスと少なくとも窒素を含む第２の反応性ガスと
を少なくとも有する混合ガスを用い、この混合ガスをプ
ラズマによって活性化してシリコン酸化膜をシリコン窒
化膜に対して選択的にドライエッチングする方法であ
り、前記第１の反応性ガスを構成するガス分子に含まれ
る炭素の原子数を“Ｘ”、フッ素の原子数を“Ｙ”、前
記第２の反応性ガスを構成するガス分子に含まれる窒素
の原子数を“Ｚ”とし、エッチング雰囲気に供給する前
記第１の反応性ガスの流量を“ａ”、前記第２の反応性
ガスの流量を“ｂ”としたときに、“ａＸ／ｂＺ≧１．
９”かつ“ａＹ／ｂＺ≧３．０”とすることを特徴とす
る。
チング方法は、少なくとも炭素及びフッ素を含む第１の
反応性ガスと少なくとも窒素を含む第２の反応性ガスと
を少なくとも有する混合ガスを用い、この混合ガスをプ
ラズマによって活性化してシリコン酸化膜をシリコン窒
化膜に対して選択的にドライエッチングする方法であ
り、前記第１の反応性ガスを構成するガス分子に含まれ
る炭素の原子数を“Ｘ”、フッ素の原子数を“Ｙ”、前
記第２の反応性ガスを構成するガス分子に含まれる窒素
の原子数を“Ｚ”とし、エッチング雰囲気に供給する前
記第１の反応性ガスの流量を“ａ”、前記第２の反応性
ガスの流量を“ｂ”としたときに、“ａＸ／ｂＺ≧１．
９”かつ“ａＹ／ｂＺ≧３．０”とすることを特徴とす
る。
【０００７】前記第１の反応性ガスとしては、少なくと
もＣ4 Ｆ8 を含むガス、少なくともＣ5 Ｆ8 を含むガス
又は少なくともＣＨ2 Ｆ2 を含むガスをあげることがで
きる。
もＣ4 Ｆ8 を含むガス、少なくともＣ5 Ｆ8 を含むガス
又は少なくともＣＨ2 Ｆ2 を含むガスをあげることがで
きる。
【０００８】前記ドライエッチング方法は、半導体製造
工程における自己整合型コンタクト（ＳＡＣ）形成プロ
セス、すなわち、ゲート電極の周囲にシリコン窒化膜が
形成され、このシリコン窒化膜上にシリコン酸化膜が形
成された構造に対し、シリコン酸化膜をシリコン窒化膜
に対して選択的にエッチングすることにより、ゲート電
極に対して自己整合的にコンタクトホールを形成する工
程に対して効果的に適用することができる。
工程における自己整合型コンタクト（ＳＡＣ）形成プロ
セス、すなわち、ゲート電極の周囲にシリコン窒化膜が
形成され、このシリコン窒化膜上にシリコン酸化膜が形
成された構造に対し、シリコン酸化膜をシリコン窒化膜
に対して選択的にエッチングすることにより、ゲート電
極に対して自己整合的にコンタクトホールを形成する工
程に対して効果的に適用することができる。
【０００９】本発明によれば、少なくとも炭素及びフッ
素を含む反応性ガスに窒素を微量添加し、エッチング雰
囲気に供給される炭素（Ｃ）と窒素（Ｎ）との割合（ａ
Ｘ／ｂＺに対応）及びフッ素（Ｆ）と窒素（Ｎ）との割
合（ａＹ／ｂＺに対応）を前記の範囲に設定することに
より（この範囲に設定する理由は、後述の実施形態にお
いて詳述される。）、窒素を添加しない場合或いは窒素
の添加量を多くした場合に比較して、シリコン酸化膜の
シリコン窒化膜に対するエッチングレートの選択比を増
加させることができる。したがって、自己整合型コンタ
クトの形成プロセスに適用した場合、シリコン酸化膜を
シリコン窒化膜に対して高選択比でエッチングすること
が可能となる。特に、ゲート構造の肩の部分でのシリコ
ン窒化膜に対するシリコン酸化膜の選択比を向上させる
ことができ、ゲート間のショートを抑制することが可能
となる。
素を含む反応性ガスに窒素を微量添加し、エッチング雰
囲気に供給される炭素（Ｃ）と窒素（Ｎ）との割合（ａ
Ｘ／ｂＺに対応）及びフッ素（Ｆ）と窒素（Ｎ）との割
合（ａＹ／ｂＺに対応）を前記の範囲に設定することに
より（この範囲に設定する理由は、後述の実施形態にお
いて詳述される。）、窒素を添加しない場合或いは窒素
の添加量を多くした場合に比較して、シリコン酸化膜の
シリコン窒化膜に対するエッチングレートの選択比を増
加させることができる。したがって、自己整合型コンタ
クトの形成プロセスに適用した場合、シリコン酸化膜を
シリコン窒化膜に対して高選択比でエッチングすること
が可能となる。特に、ゲート構造の肩の部分でのシリコ
ン窒化膜に対するシリコン酸化膜の選択比を向上させる
ことができ、ゲート間のショートを抑制することが可能
となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。まず、ドライエッチング装置の概略
構成について図１を参照して説明する。ここでは、エッ
チング装置としてマグネトロンＲＩＥ装置を例に説明す
ることとする。
施形態を説明する。まず、ドライエッチング装置の概略
構成について図１を参照して説明する。ここでは、エッ
チング装置としてマグネトロンＲＩＥ装置を例に説明す
ることとする。
【００１１】真空チャンバー１内には、シリコン基板等
の被処理物２を載置する載置台３が設けられており、こ
の載置台３に対向して対向電極４が設けられている。載
置台３は温度調節機構を有しており、被処理物２の温度
を制御できるようになっている。また、真空チャンバー
１の天壁４には、ガス導入管５が接続されており、ガス
導入管５から真空チャンバー内にガスが導入され、排気
口６に設けられた弁によって真空チャンバー内の圧力が
調整されるようになっている。載置台３には高周波電源
７が接続されており、真空チャンバー内の圧力が安定し
た後、載置台３に高周波を印加することにより、真空チ
ャンバー内にプラズマが発生する。また、真空チャンバ
ーの外周部には磁石８を設けており、真空中に高密度の
磁界を作り、プラズマ中のイオンに異方性を持たせて被
処理物２をエッチングできるようになっている。
の被処理物２を載置する載置台３が設けられており、こ
の載置台３に対向して対向電極４が設けられている。載
置台３は温度調節機構を有しており、被処理物２の温度
を制御できるようになっている。また、真空チャンバー
１の天壁４には、ガス導入管５が接続されており、ガス
導入管５から真空チャンバー内にガスが導入され、排気
口６に設けられた弁によって真空チャンバー内の圧力が
調整されるようになっている。載置台３には高周波電源
７が接続されており、真空チャンバー内の圧力が安定し
た後、載置台３に高周波を印加することにより、真空チ
ャンバー内にプラズマが発生する。また、真空チャンバ
ーの外周部には磁石８を設けており、真空中に高密度の
磁界を作り、プラズマ中のイオンに異方性を持たせて被
処理物２をエッチングできるようになっている。
【００１２】なお、マグネトロンＲＩＥ装置以外にも、
ＥＣＲ、ヘリコン、誘導結合型プラズマ等のドライエッ
チング装置を使用することも可能である。次に、シリコ
ン酸化膜のシリコン窒化膜に対する選択性を調べるため
のサンプル構造を図２に示す。図２（Ａ）はシリコン基
板１１上に減圧ＣＶＤ装置によってシリコン酸化膜であ
るＢＰＳＧ膜１２を成膜しその上にレジスト１４（コン
タクトホールに対応するパターン）を形成したサンプル
であり、図２（Ｂ）はシリコン基板１１上に減圧ＣＶＤ
装置によってシリコン窒化膜１３を成膜しその上にレジ
スト１４を形成したサンプルである。図２（Ａ）及び
（Ｂ）に示したサンプルに対し、レジスト１４をマスク
としてＢＰＳＧ膜１２及びシリコン窒化膜１３のエッチ
ングを行った。
ＥＣＲ、ヘリコン、誘導結合型プラズマ等のドライエッ
チング装置を使用することも可能である。次に、シリコ
ン酸化膜のシリコン窒化膜に対する選択性を調べるため
のサンプル構造を図２に示す。図２（Ａ）はシリコン基
板１１上に減圧ＣＶＤ装置によってシリコン酸化膜であ
るＢＰＳＧ膜１２を成膜しその上にレジスト１４（コン
タクトホールに対応するパターン）を形成したサンプル
であり、図２（Ｂ）はシリコン基板１１上に減圧ＣＶＤ
装置によってシリコン窒化膜１３を成膜しその上にレジ
スト１４を形成したサンプルである。図２（Ａ）及び
（Ｂ）に示したサンプルに対し、レジスト１４をマスク
としてＢＰＳＧ膜１２及びシリコン窒化膜１３のエッチ
ングを行った。
【００１３】図３〜図５に、図１に示したマグネトロン
ＲＩＥ装置を用いて、ＢＰＳＧ膜１２及びシリコン窒化
膜１３をエッチングした結果を示す。エッチングに用い
たガスとしては、Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ＝１６／３００
／３８０（ｓｃｃｍ）にＮ2を微量添加（０〜６（ｓｃ
ｃｍ））した混合ガスを用い、圧力４０（ｍＴｏｒ
ｒ）、高周波電力１７００（Ｗ）、基板温度２０（℃）
の条件でエッチングを行っている。
ＲＩＥ装置を用いて、ＢＰＳＧ膜１２及びシリコン窒化
膜１３をエッチングした結果を示す。エッチングに用い
たガスとしては、Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ＝１６／３００
／３８０（ｓｃｃｍ）にＮ2を微量添加（０〜６（ｓｃ
ｃｍ））した混合ガスを用い、圧力４０（ｍＴｏｒ
ｒ）、高周波電力１７００（Ｗ）、基板温度２０（℃）
の条件でエッチングを行っている。
【００１４】図３及び図４からわかるように、Ｎ2 を０
＜Ｎ2 ≦６（ｓｃｃｍ）の範囲で添加することにより、
Ｎ2 を添加しない場合に比べて、ＢＰＳＧ膜１２のエッ
チングレートは増加傾向を示し、シリコン窒化膜１３の
エッチングレートは減少傾向を示している。その結果、
図５に示すように、Ｎ2 を０＜Ｎ2 ≦６（ｓｃｃｍ）の
範囲で添加することにより、Ｎ2 を添加しない場合と比
較してシリコン酸化膜のシリコン窒化膜に対する選択比
が向上する。この原因として、Ｎ2 ガスを０＜Ｎ2 ≦６
（ｓｃｃｍ）の範囲で添加することにより、反応生成物
の堆積が変化したことが考えられる。また、図５に示す
ように、Ｎ2 ガスを例えば３（ｓｃｃｍ）添加した場
合、ＢＰＳＧ膜のシリコン窒化膜に対するエッチングレ
ートの選択比は、現状４２に対して５７に向上してい
る。なお、エッチング条件が、圧力Ｐｒが２０≦Ｐｒ≦
６０（ｍＴｏｒｒ）、高周波電力Ｐｗが４００≦Ｐｗ≦
１７００（Ｗ）、基板温度Ｔが２０≦Ｔ≦６０（℃）の
範囲においても、同様の傾向が得られた。
＜Ｎ2 ≦６（ｓｃｃｍ）の範囲で添加することにより、
Ｎ2 を添加しない場合に比べて、ＢＰＳＧ膜１２のエッ
チングレートは増加傾向を示し、シリコン窒化膜１３の
エッチングレートは減少傾向を示している。その結果、
図５に示すように、Ｎ2 を０＜Ｎ2 ≦６（ｓｃｃｍ）の
範囲で添加することにより、Ｎ2 を添加しない場合と比
較してシリコン酸化膜のシリコン窒化膜に対する選択比
が向上する。この原因として、Ｎ2 ガスを０＜Ｎ2 ≦６
（ｓｃｃｍ）の範囲で添加することにより、反応生成物
の堆積が変化したことが考えられる。また、図５に示す
ように、Ｎ2 ガスを例えば３（ｓｃｃｍ）添加した場
合、ＢＰＳＧ膜のシリコン窒化膜に対するエッチングレ
ートの選択比は、現状４２に対して５７に向上してい
る。なお、エッチング条件が、圧力Ｐｒが２０≦Ｐｒ≦
６０（ｍＴｏｒｒ）、高周波電力Ｐｗが４００≦Ｐｗ≦
１７００（Ｗ）、基板温度Ｔが２０≦Ｔ≦６０（℃）の
範囲においても、同様の傾向が得られた。
【００１５】また、Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ／Ｎ2 ＝１６
／３００／３８０／６（ｓｃｃｍ）のガス条件を基準と
して、Ｃ4 Ｆ8 の流量を減少させていき、そのときの選
択比の変化を調べた。その結果を図６に示す。同図にお
いて、（Ａ）はＮ2 を流量６（ｓｃｃｍ）で添加したと
きの結果であり、（Ｂ）はＮ2 を添加していないときの
結果である。
／３００／３８０／６（ｓｃｃｍ）のガス条件を基準と
して、Ｃ4 Ｆ8 の流量を減少させていき、そのときの選
択比の変化を調べた。その結果を図６に示す。同図にお
いて、（Ａ）はＮ2 を流量６（ｓｃｃｍ）で添加したと
きの結果であり、（Ｂ）はＮ2 を添加していないときの
結果である。
【００１６】図６からわかるように、Ｃ4 Ｆ8 の流量が
およそ４．５（ｓｃｃｍ）のときを境にして、それ以上
の領域ではＮ2 を添加したとき（Ａ）の方がＮ2 を添加
しないとき（Ｂ）よりも選択比が大きくなり、それ以下
の領域ではＮ2 を添加したとき（Ａ）の方がＮ2 を添加
しないとき（Ｂ）よりも選択比が小さくなっている。し
たがって、Ｃ4 Ｆ8 の流量が４．５（ｓｃｃｍ）以上の
ときにＮ2 添加の効果が表れることになる。
およそ４．５（ｓｃｃｍ）のときを境にして、それ以上
の領域ではＮ2 を添加したとき（Ａ）の方がＮ2 を添加
しないとき（Ｂ）よりも選択比が大きくなり、それ以下
の領域ではＮ2 を添加したとき（Ａ）の方がＮ2 を添加
しないとき（Ｂ）よりも選択比が小さくなっている。し
たがって、Ｃ4 Ｆ8 の流量が４．５（ｓｃｃｍ）以上の
ときにＮ2 添加の効果が表れることになる。
【００１７】このときのＣとＮとの割合及びＦとＮとの
割合を調べた。これはＣ及びＦがエッチングに対して大
きく関与するためである。Ｃ4 Ｆ8 分子に含まれる炭素
の原子数をＸ（＝４）、フッ素の原子数をＹ（＝８）と
し、Ｎ2 分子に含まれるＮの原子数をＺ（＝２）とし、
エッチング雰囲気に供給されるＣ4 Ｆ8 ガスの流量をａ
（ｓｃｃｍ）、Ｎ2 の流量をｂ（ｓｃｃｍ）とすると、
Ｃ4 Ｆ8 の流量が４．５（ｓｃｃｍ）、Ｎ2 の流量が６
（ｓｃｃｍ）では、ａＸ／ｂＺ＝１．５、ａＹ／ｂＺ＝
３．０となる。したがって、ａＸ／ｂＺ≧１．５かつａ
Ｙ／ｂＺ≧３．０の範囲において選択比の向上がはかれ
ることがわかる。すなわち、エッチング雰囲気中のＣと
Ｎとの割合及びＦとＮとの割合が上記の範囲であれば選
択比の向上をはかることができる。なお、ＣＯに含まれ
るＣはプラズマ中で分解しずらく、ほとんど化学的反応
に関与しないため、上記ＣとＮとの割合（ａＸ／ｂＺ）
の中には含めていない。
割合を調べた。これはＣ及びＦがエッチングに対して大
きく関与するためである。Ｃ4 Ｆ8 分子に含まれる炭素
の原子数をＸ（＝４）、フッ素の原子数をＹ（＝８）と
し、Ｎ2 分子に含まれるＮの原子数をＺ（＝２）とし、
エッチング雰囲気に供給されるＣ4 Ｆ8 ガスの流量をａ
（ｓｃｃｍ）、Ｎ2 の流量をｂ（ｓｃｃｍ）とすると、
Ｃ4 Ｆ8 の流量が４．５（ｓｃｃｍ）、Ｎ2 の流量が６
（ｓｃｃｍ）では、ａＸ／ｂＺ＝１．５、ａＹ／ｂＺ＝
３．０となる。したがって、ａＸ／ｂＺ≧１．５かつａ
Ｙ／ｂＺ≧３．０の範囲において選択比の向上がはかれ
ることがわかる。すなわち、エッチング雰囲気中のＣと
Ｎとの割合及びＦとＮとの割合が上記の範囲であれば選
択比の向上をはかることができる。なお、ＣＯに含まれ
るＣはプラズマ中で分解しずらく、ほとんど化学的反応
に関与しないため、上記ＣとＮとの割合（ａＸ／ｂＺ）
の中には含めていない。
【００１８】次に、ガス系を変えて上記と同様の測定を
行ったときの結果について述べる。ガス条件としては、
Ｃ5 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ／Ｎ2 ＝ａ／３００／３８０／６
（ｓｃｃｍ）とし、Ｃ5 Ｆ8 の流量ａを２≦ａ≦６（ｓ
ｃｃｍ）の範囲で変化させて、そのときの選択比の変化
を調べた。圧力は４０（ｍＴｏｒｒ）、高周波電力は１
４００（Ｗ）、基板温度は４０（℃）としている。その
結果を図７に示す。（Ａ）はＮ2 を流量６（ｓｃｃｍ）
で添加したときの結果であり、（Ｂ）はＮ2 を添加して
いないときの結果である。
行ったときの結果について述べる。ガス条件としては、
Ｃ5 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ／Ｎ2 ＝ａ／３００／３８０／６
（ｓｃｃｍ）とし、Ｃ5 Ｆ8 の流量ａを２≦ａ≦６（ｓ
ｃｃｍ）の範囲で変化させて、そのときの選択比の変化
を調べた。圧力は４０（ｍＴｏｒｒ）、高周波電力は１
４００（Ｗ）、基板温度は４０（℃）としている。その
結果を図７に示す。（Ａ）はＮ2 を流量６（ｓｃｃｍ）
で添加したときの結果であり、（Ｂ）はＮ2 を添加して
いないときの結果である。
【００１９】図７からわかるように、Ｃ5 Ｆ8 の流量が
およそ３（ｓｃｃｍ）のときを境にして、それ以上の領
域ではＮ2 を添加したとき（Ａ）の方がＮ2 を添加しな
いとき（Ｂ）よりも選択比が大きくなり、それ以下の領
域ではＮ2 を添加したとき（Ａ）の方がＮ2 を添加しな
いとき（Ｂ）よりも選択比が小さくなっている。したが
って、Ｃ5 Ｆ8 の流量が３（ｓｃｃｍ）以上のときにＮ
2 添加の効果が表れることになる。
およそ３（ｓｃｃｍ）のときを境にして、それ以上の領
域ではＮ2 を添加したとき（Ａ）の方がＮ2 を添加しな
いとき（Ｂ）よりも選択比が大きくなり、それ以下の領
域ではＮ2 を添加したとき（Ａ）の方がＮ2 を添加しな
いとき（Ｂ）よりも選択比が小さくなっている。したが
って、Ｃ5 Ｆ8 の流量が３（ｓｃｃｍ）以上のときにＮ
2 添加の効果が表れることになる。
【００２０】このときのＣとＮとの割合及びＦとＮとの
割合を、先に示した図６の場合と同様にして調べた。そ
の結果、Ｃ5 Ｆ8 の流量が３（ｓｃｃｍ）、Ｎ2 の流量
が６（ｓｃｃｍ）では、ａＸ／ｂＺ＝１．９、ａＹ／ｂ
Ｚ＝３．０となる。したがって、ａＸ／ｂＺ≧１．９か
つａＹ／ｂＺ≧３．０の範囲において選択比の向上がは
かれることがわかる。なお、図６の場合と同様、ＣＯに
含まれるＣはプラズマ中で分解しずらく、ほとんど化学
的反応に関与しないため、上記ＣとＮとの割合（ａＸ／
ｂＺ）の中には含めていない。なお、エッチング条件
が、圧力Ｐｒが２０≦Ｐｒ≦６０（ｍＴｏｒｒ）、高周
波電力Ｐｗが４００≦Ｐｗ≦１７００（Ｗ）、基板温度
Ｔが２０≦Ｔ≦６０（℃）の範囲においても、同様の傾
向が得られた。
割合を、先に示した図６の場合と同様にして調べた。そ
の結果、Ｃ5 Ｆ8 の流量が３（ｓｃｃｍ）、Ｎ2 の流量
が６（ｓｃｃｍ）では、ａＸ／ｂＺ＝１．９、ａＹ／ｂ
Ｚ＝３．０となる。したがって、ａＸ／ｂＺ≧１．９か
つａＹ／ｂＺ≧３．０の範囲において選択比の向上がは
かれることがわかる。なお、図６の場合と同様、ＣＯに
含まれるＣはプラズマ中で分解しずらく、ほとんど化学
的反応に関与しないため、上記ＣとＮとの割合（ａＸ／
ｂＺ）の中には含めていない。なお、エッチング条件
が、圧力Ｐｒが２０≦Ｐｒ≦６０（ｍＴｏｒｒ）、高周
波電力Ｐｗが４００≦Ｐｗ≦１７００（Ｗ）、基板温度
Ｔが２０≦Ｔ≦６０（℃）の範囲においても、同様の傾
向が得られた。
【００２１】上記Ｃ5 Ｆ8 を用いたときのＣとＮとの割
合及びＦとＮとの割合、ａＸ／ｂＺ≧１．９、ａＹ／ｂ
Ｚ≧３．０は、先に説明したＣ4 Ｆ8 を用いたときのＣ
とＮとの割合及びＦとＮとの割合、ａＸ／ｂＺ≧１．
５、ａＹ／ｂＺ≧３．０とほぼ同様の値を示しているこ
とがわかる。
合及びＦとＮとの割合、ａＸ／ｂＺ≧１．９、ａＹ／ｂ
Ｚ≧３．０は、先に説明したＣ4 Ｆ8 を用いたときのＣ
とＮとの割合及びＦとＮとの割合、ａＸ／ｂＺ≧１．
５、ａＹ／ｂＺ≧３．０とほぼ同様の値を示しているこ
とがわかる。
【００２２】次に、本発明を自己整合型コンタクト（Ｓ
ＡＣ）の形成工程に適用したときの製造工程例につい
て、図８〜図１０を参照して説明する。図８に示すよう
に、シリコン基板２１表面にはゲート絶縁膜２２を介し
てゲート電極２３（ポリシリコン膜２３ａ及びＷシリサ
イド膜２３ｂの積層構造）が形成されており、このゲー
ト電極２３の両端部に対応してソース・ドレイン２４が
形成されている。ゲート電極２３上にはシリコン窒化膜
２５ａが形成され、さらに全面にシリコン窒化膜２５ｂ
が形成されている。シリコン窒化膜２５ｂを形成した
後、層間絶縁膜としてシリコン酸化膜であるＢＰＳＧ膜
２６を全面に形成し、これをＣＭＰにより平坦化し、さ
らにその上に反射防止膜２７を塗布する。この反射防止
膜２７上に自己整合型コンタクトのコンタクトホールを
形成するためのレジスト２８を形成する。
ＡＣ）の形成工程に適用したときの製造工程例につい
て、図８〜図１０を参照して説明する。図８に示すよう
に、シリコン基板２１表面にはゲート絶縁膜２２を介し
てゲート電極２３（ポリシリコン膜２３ａ及びＷシリサ
イド膜２３ｂの積層構造）が形成されており、このゲー
ト電極２３の両端部に対応してソース・ドレイン２４が
形成されている。ゲート電極２３上にはシリコン窒化膜
２５ａが形成され、さらに全面にシリコン窒化膜２５ｂ
が形成されている。シリコン窒化膜２５ｂを形成した
後、層間絶縁膜としてシリコン酸化膜であるＢＰＳＧ膜
２６を全面に形成し、これをＣＭＰにより平坦化し、さ
らにその上に反射防止膜２７を塗布する。この反射防止
膜２７上に自己整合型コンタクトのコンタクトホールを
形成するためのレジスト２８を形成する。
【００２３】次に、図９に示すように、レジスト２８を
マスクとして反射防止膜２７、ＢＰＳＧ膜２６をエッチ
ングする。ＢＰＳＧ膜２６のエッチングは、本発明の方
法に基づき、シリコン窒化膜２５ａ及び２５ｂに対して
選択的に行った。エッチングの条件は、Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＯ
／Ａｒ／Ｎ2 ＝１６／３００／３８０／３（ｓｃｃｍ）
とし、ＢＰＳＧ膜２６に対して３０％のオーバー時間を
かけてエッチングを行った。このとき、図に示すｄの部
分をシリコン窒化膜２５ａ及び２５ｂの削れ量とした。
上記の条件でドライエッチングを行った結果、ゲート構
造の肩の部分でのシリコン窒化膜に対するＢＰＳＧ膜の
選択比は、従来の１２程度から１７程度へと向上した。
なお、Ｃ5 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ／Ｎ2 ＝６／１５０／３８
０／３（ｓｃｃｍ）という条件でエッチングを行った場
合にも、同様の傾向を得ることができた。
マスクとして反射防止膜２７、ＢＰＳＧ膜２６をエッチ
ングする。ＢＰＳＧ膜２６のエッチングは、本発明の方
法に基づき、シリコン窒化膜２５ａ及び２５ｂに対して
選択的に行った。エッチングの条件は、Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＯ
／Ａｒ／Ｎ2 ＝１６／３００／３８０／３（ｓｃｃｍ）
とし、ＢＰＳＧ膜２６に対して３０％のオーバー時間を
かけてエッチングを行った。このとき、図に示すｄの部
分をシリコン窒化膜２５ａ及び２５ｂの削れ量とした。
上記の条件でドライエッチングを行った結果、ゲート構
造の肩の部分でのシリコン窒化膜に対するＢＰＳＧ膜の
選択比は、従来の１２程度から１７程度へと向上した。
なお、Ｃ5 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ／Ｎ2 ＝６／１５０／３８
０／３（ｓｃｃｍ）という条件でエッチングを行った場
合にも、同様の傾向を得ることができた。
【００２４】次に、図１０に示すように、レジスト２８
及び反射防止膜２７を剥離した後、ＲＩＥによってソー
ス・ドレイン２４上に残存しているシリコン窒化膜２５
ｂ及びゲート絶縁膜２２を除去する。その後、このよう
にして形成されたコンタクトホール内にコンタクト（図
示せず）を形成することにより、自己整合型コンタクト
を作製することができる。
及び反射防止膜２７を剥離した後、ＲＩＥによってソー
ス・ドレイン２４上に残存しているシリコン窒化膜２５
ｂ及びゲート絶縁膜２２を除去する。その後、このよう
にして形成されたコンタクトホール内にコンタクト（図
示せず）を形成することにより、自己整合型コンタクト
を作製することができる。
【００２５】次に、添加ガスを変えた自己整合型コンタ
クトの形成プロセス条件にＮ2 を添加し、図２の場合と
同様にエッチングレートの選択比を調べた結果について
述べる。この場合にも、以下に示すように同様の結果を
得ることができた。
クトの形成プロセス条件にＮ2 を添加し、図２の場合と
同様にエッチングレートの選択比を調べた結果について
述べる。この場合にも、以下に示すように同様の結果を
得ることができた。
【００２６】圧力４０（ｍＴｏｒｒ）、高周波電力１７
００（Ｗ）、基板温度２０（℃）の条件で、Ｃ5 Ｆ8 ／
Ｏ2 ／Ａｒ／Ｎ2 ＝６／４／３８０／ｂ（ｓｃｃｍ）と
し、Ｎ2 の流量ｂを０≦ｂ≦４（ｓｃｃｍ）の範囲で変
化させた場合の結果を図１１〜図１３に示す。これらの
結果からわかるように、Ｎ2 を０＜Ｎ2 ≦４（ｓｃｃ
ｍ）の範囲で添加することにより、Ｎ2 を添加しない場
合に比べて、ＢＰＳＧ膜のエッチングレートは増加傾向
を示し、シリコン窒化膜のエッチングレートは減少傾向
を示しているため、ＢＰＳＧ膜のシリコン窒化膜に対す
るエッチングレートの選択比は増加している。
００（Ｗ）、基板温度２０（℃）の条件で、Ｃ5 Ｆ8 ／
Ｏ2 ／Ａｒ／Ｎ2 ＝６／４／３８０／ｂ（ｓｃｃｍ）と
し、Ｎ2 の流量ｂを０≦ｂ≦４（ｓｃｃｍ）の範囲で変
化させた場合の結果を図１１〜図１３に示す。これらの
結果からわかるように、Ｎ2 を０＜Ｎ2 ≦４（ｓｃｃ
ｍ）の範囲で添加することにより、Ｎ2 を添加しない場
合に比べて、ＢＰＳＧ膜のエッチングレートは増加傾向
を示し、シリコン窒化膜のエッチングレートは減少傾向
を示しているため、ＢＰＳＧ膜のシリコン窒化膜に対す
るエッチングレートの選択比は増加している。
【００２７】また、Ｃ5 Ｆ8 ／Ｏ2 ／Ａｒ／Ｎ2 ＝６／
４／３８０／４（ｓｃｃｍ）のガス条件を基準として、
Ｃ5 Ｆ8 の流量を減少させていき、そのときの選択比の
変化を調べた。その結果を図１４に示す。（Ａ）はＮ2
を流量４（ｓｃｃｍ）で添加したときの結果であり、
（Ｂ）はＮ2 を添加していないときの結果である。
４／３８０／４（ｓｃｃｍ）のガス条件を基準として、
Ｃ5 Ｆ8 の流量を減少させていき、そのときの選択比の
変化を調べた。その結果を図１４に示す。（Ａ）はＮ2
を流量４（ｓｃｃｍ）で添加したときの結果であり、
（Ｂ）はＮ2 を添加していないときの結果である。
【００２８】図１４からわかるように、Ｃ5 Ｆ8 の流量
がおよそ３（ｓｃｃｍ）のときを境にして、それ以上の
領域ではＮ2 を添加したとき（Ａ）の方がＮ2 を添加し
ないとき（Ｂ）よりも選択比が大きくなり、それ以下の
領域ではＮ2 を添加したとき（Ａ）の方がＮ2 を添加し
ないとき（Ｂ）よりも選択比が小さくなっている。した
がって、Ｃ5 Ｆ8 の流量が３（ｓｃｃｍ）以上のときに
Ｎ2 添加の効果が表れることになる。
がおよそ３（ｓｃｃｍ）のときを境にして、それ以上の
領域ではＮ2 を添加したとき（Ａ）の方がＮ2 を添加し
ないとき（Ｂ）よりも選択比が大きくなり、それ以下の
領域ではＮ2 を添加したとき（Ａ）の方がＮ2 を添加し
ないとき（Ｂ）よりも選択比が小さくなっている。した
がって、Ｃ5 Ｆ8 の流量が３（ｓｃｃｍ）以上のときに
Ｎ2 添加の効果が表れることになる。
【００２９】このときのＣとＮとの割合及びＦとＮとの
割合を、先に示した図６等の場合と同様にして調べた。
その結果、Ｃ5 Ｆ8 の流量が３（ｓｃｃｍ）、Ｎ2 の流
量が４（ｓｃｃｍ）では、ａＸ／ｂＺ＝１．９、ａＹ／
ｂＺ＝３．０となる。したがって、ａＸ／ｂＺ≧１．９
かつａＹ／ｂＺ≧３．０の範囲において選択比の向上が
はかれることがわかる。
割合を、先に示した図６等の場合と同様にして調べた。
その結果、Ｃ5 Ｆ8 の流量が３（ｓｃｃｍ）、Ｎ2 の流
量が４（ｓｃｃｍ）では、ａＸ／ｂＺ＝１．９、ａＹ／
ｂＺ＝３．０となる。したがって、ａＸ／ｂＺ≧１．９
かつａＹ／ｂＺ≧３．０の範囲において選択比の向上が
はかれることがわかる。
【００３０】なお、エッチング条件として、圧力Ｐｒが
２０≦Ｐｒ≦６０（ｍＴｏｒｒ）、高周波電力Ｐｗが４
００≦Ｐｗ≦１７００（Ｗ）、基板温度Ｔが２０≦Ｔ≦
６０（℃）とした場合においても、同様の傾向が得られ
た。また、図８の自己整合型コンタクト（ＳＡＣ）の形
成においては、Ｃ5 Ｆ8 ／Ｏ2 ／Ａｒ／Ｎ2 ＝６／４／
３８０／３（ｓｃｃｍ）の条件でエッチングを行った結
果、前述のＣ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ／Ｎ2 ＝１６／３００
／３８０／３（ｓｃｃｍ）及びＣ5 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ／
Ｎ2 ＝６／１５０／３８０／３（ｓｃｃｍ）の場合と同
様の傾向を得ることができた。
２０≦Ｐｒ≦６０（ｍＴｏｒｒ）、高周波電力Ｐｗが４
００≦Ｐｗ≦１７００（Ｗ）、基板温度Ｔが２０≦Ｔ≦
６０（℃）とした場合においても、同様の傾向が得られ
た。また、図８の自己整合型コンタクト（ＳＡＣ）の形
成においては、Ｃ5 Ｆ8 ／Ｏ2 ／Ａｒ／Ｎ2 ＝６／４／
３８０／３（ｓｃｃｍ）の条件でエッチングを行った結
果、前述のＣ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ／Ｎ2 ＝１６／３００
／３８０／３（ｓｃｃｍ）及びＣ5 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ／
Ｎ2 ＝６／１５０／３８０／３（ｓｃｃｍ）の場合と同
様の傾向を得ることができた。
【００３１】なお、以上説明した実施形態では、Ｃ及び
Ｆを含む反応性ガスとしてＣ4 Ｆ8或いはＣ5 Ｆ8 を用
いているが、ＣＨ2 Ｆ2 及びＣ4 Ｈ8 からなるガスを用
いても、同様の効果を得ることができる。
Ｆを含む反応性ガスとしてＣ4 Ｆ8或いはＣ5 Ｆ8 を用
いているが、ＣＨ2 Ｆ2 及びＣ4 Ｈ8 からなるガスを用
いても、同様の効果を得ることができる。
【００３２】また、以上説明した実施形態では、シリコ
ン酸化膜としてＢＰＳＧ膜を使用しているが、プラズ
マ、減圧、常圧ＣＶＤ装置によって成膜したシリコン酸
化膜、或いは塗布装置によって形成した無機及び有機シ
リコン酸化膜を用いても、同様の効果を得ることが可能
である。その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内
において種々変形して実施可能である。
ン酸化膜としてＢＰＳＧ膜を使用しているが、プラズ
マ、減圧、常圧ＣＶＤ装置によって成膜したシリコン酸
化膜、或いは塗布装置によって形成した無機及び有機シ
リコン酸化膜を用いても、同様の効果を得ることが可能
である。その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内
において種々変形して実施可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、少なくとも炭素及びフ
ッ素を含む反応性ガスに窒素を微量添加し、エッチング
雰囲気に供給される炭素と窒素との割合及びフッ素と窒
素との割合を所定の範囲に設定することにより、シリコ
ン酸化膜のシリコン窒化膜に対するエッチングレートの
選択比を増加させることができる。したがって、半導体
装置の製造工程における自己整合型コンタクトの形成プ
ロセス等に適用した場合、シリコン酸化膜をシリコン窒
化膜に対して高選択比でエッチングすることが可能とな
る。
ッ素を含む反応性ガスに窒素を微量添加し、エッチング
雰囲気に供給される炭素と窒素との割合及びフッ素と窒
素との割合を所定の範囲に設定することにより、シリコ
ン酸化膜のシリコン窒化膜に対するエッチングレートの
選択比を増加させることができる。したがって、半導体
装置の製造工程における自己整合型コンタクトの形成プ
ロセス等に適用した場合、シリコン酸化膜をシリコン窒
化膜に対して高選択比でエッチングすることが可能とな
る。
【図１】本発明において用いるドライエッチング装置の
概略構成について示した図。
概略構成について示した図。
【図２】シリコン酸化膜のシリコン窒化膜に対する選択
性を調べるためのサンプル構造について示した図。
性を調べるためのサンプル構造について示した図。
【図３】窒素ガスの流量を変化させたときのＢＰＳＧ膜
のエッチングレートを示した図。
のエッチングレートを示した図。
【図４】窒素ガスの流量を変化させたときのシリコン窒
化膜のエッチングレートを示した図。
化膜のエッチングレートを示した図。
【図５】窒素ガスの流量を変化させたときのシリコン窒
化膜に対するシリコン酸化膜のエッチングレートの選択
比を示した図。
化膜に対するシリコン酸化膜のエッチングレートの選択
比を示した図。
【図６】Ｃ4 Ｆ8 ガスの流量を変化させたときのシリコ
ン窒化膜に対するシリコン酸化膜のエッチングレートの
選択比を示した図。
ン窒化膜に対するシリコン酸化膜のエッチングレートの
選択比を示した図。
【図７】Ｃ5 Ｆ8 ガスの流量を変化させたときのシリコ
ン窒化膜に対するシリコン酸化膜のエッチングレートの
選択比を示した図。
ン窒化膜に対するシリコン酸化膜のエッチングレートの
選択比を示した図。
【図８】本発明を自己整合型コンタクト形成に適用した
ときの製造工程の一部を示した図。
ときの製造工程の一部を示した図。
【図９】本発明を自己整合型コンタクト形成に適用した
ときの製造工程の一部を示した図。
ときの製造工程の一部を示した図。
【図１０】本発明を自己整合型コンタクト形成に適用し
たときの製造工程の一部を示した図。
たときの製造工程の一部を示した図。
【図１１】窒素ガスの流量を変化させたときのＢＰＳＧ
膜のエッチングレートを示した図。
膜のエッチングレートを示した図。
【図１２】窒素ガスの流量を変化させたときのシリコン
窒化膜のエッチングレートを示した図。
窒化膜のエッチングレートを示した図。
【図１３】窒素ガスの流量を変化させたときのシリコン
窒化膜に対するシリコン酸化膜のエッチングレートの選
択比を示した図。
窒化膜に対するシリコン酸化膜のエッチングレートの選
択比を示した図。
【図１４】Ｃ5 Ｆ8 ガスの流量を変化させたときのシリ
コン窒化膜に対するシリコン酸化膜のエッチングレート
の選択比を示した図。
コン窒化膜に対するシリコン酸化膜のエッチングレート
の選択比を示した図。
１…真空チャンバー ２…被処理物 ３…載置台 ４…対向電極 ５…ガス導入管 ６…排気口 ７…高周波電源 ８…磁石 １１…シリコン基板 １２…ＢＰＳＧ膜 １３…シリコン窒化膜 １４…レジスト ２１…シリコン基板 ２２…ゲート絶縁膜 ２３…ゲート電極 ２４…ソース・ドレイン ２５ａ、２５ｂ…シリコン窒化膜 ２６…ＢＰＳＧ膜 ２７…反射防止膜 ２８…レジスト
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも炭素及びフッ素を含む第１の反
応性ガスと少なくとも窒素を含む第２の反応性ガスとを
少なくとも有する混合ガスを用い、この混合ガスをプラ
ズマによって活性化してシリコン酸化膜をシリコン窒化
膜に対して選択的にドライエッチングする方法であり、
前記第１の反応性ガスを構成するガス分子に含まれる炭
素の原子数を“Ｘ”、フッ素の原子数を“Ｙ”、前記第
２の反応性ガスを構成するガス分子に含まれる窒素の原
子数を“Ｚ”とし、エッチング雰囲気に供給する前記第
１の反応性ガスの流量を“ａ”、前記第２の反応性ガス
の流量を“ｂ”としたときに、“ａＸ／ｂＺ≧１．９”
かつ“ａＹ／ｂＺ≧３．０”とすることを特徴とするド
ライエッチング方法。 - 【請求項２】前記第１の反応性ガスは、少なくともＣ4
Ｆ8 を含むガス、少なくともＣ5 Ｆ8 を含むガス又は少
なくともＣＨ2 Ｆ2 を含むガスであることを特徴とする
請求項１に記載のドライエッチング方法。 - 【請求項３】ゲート電極の周囲にシリコン窒化膜が形成
され、このシリコン窒化膜上にシリコン酸化膜が形成さ
れた構造に対し、前記シリコン酸化膜を前記シリコン窒
化膜に対して選択的にエッチングすることにより、前記
ゲート電極に対して自己整合的にコンタクトホールを形
成する半導体装置の製造方法において、少なくとも炭素
及びフッ素を含む第１の反応性ガスと少なくとも窒素を
含む第２の反応性ガスとを少なくとも有する混合ガスを
用い、この混合ガスをプラズマによって活性化して前記
シリコン酸化膜を前記シリコン窒化膜に対して選択的に
ドライエッチングすることにより前記コンタクトホール
を形成し、前記第１の反応性ガスを構成するガス分子に
含まれる炭素の原子数を“Ｘ”、フッ素の原子数を
“Ｙ”、前記第２の反応性ガスを構成するガス分子に含
まれる窒素の原子数を“Ｚ”とし、エッチング雰囲気に
供給する前記第１の反応性ガスの流量を“ａ”、前記第
２の反応性ガスの流量を“ｂ”としたときに、“ａＸ／
ｂＺ≧１．９”かつ“ａＹ／ｂＺ≧３．０”とすること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34936697A JPH11186229A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34936697A JPH11186229A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186229A true JPH11186229A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18403279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34936697A Pending JPH11186229A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186229A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000030168A1 (en) * | 1998-11-16 | 2000-05-25 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxide using hexafluorobutadiene or related hydroflourocarbons and manifesting a wide process window |
| US6174451B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-01-16 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch process using hexafluorobutadiene and related unsaturated hydrofluorocarbons |
| US6183655B1 (en) | 1997-09-19 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Tunable process for selectively etching oxide using fluoropropylene and a hydrofluorocarbon |
| JP2002514012A (ja) * | 1998-05-05 | 2002-05-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 炭化フッ素ガスケミストリーを用いた二酸化珪素をエッチングする方法 |
| US6432318B1 (en) * | 2000-02-17 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Dielectric etch process reducing striations and maintaining critical dimensions |
| WO2001086701A3 (en) * | 2000-05-12 | 2002-09-06 | Tokyo Electron Ltd | Method of high selectivity sac etching |
| US6465359B2 (en) * | 1997-12-27 | 2002-10-15 | Tokyo Electron Ltd. | Etchant for use in a semiconductor processing method and system |
| JP2002319551A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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| US6849193B2 (en) | 1999-03-25 | 2005-02-01 | Hoiman Hung | Highly selective process for etching oxide over nitride using hexafluorobutadiene |
| JP2014090022A (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
-
1997
- 1997-12-18 JP JP34936697A patent/JPH11186229A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4758002B2 (ja) * | 1998-05-05 | 2011-08-24 | ラム リサーチ コーポレーション | 炭化フッ素ガスケミストリーを用いた二酸化珪素をエッチングする方法 |
| WO2000030168A1 (en) * | 1998-11-16 | 2000-05-25 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxide using hexafluorobutadiene or related hydroflourocarbons and manifesting a wide process window |
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| US6432318B1 (en) * | 2000-02-17 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Dielectric etch process reducing striations and maintaining critical dimensions |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040120 |