JPH05206073A - 層の構造化方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ゲート酸化物層上に配設されているポリシリ
コン層を構造化する。 【構成】 他の物質からなる下部層上に配設されている
層を構造化するためにプラズマエッチング処理によりエ
ッチング反応器１内に下部層の材料からなるターゲット
１４を配設する。エッチング処理は、この材料を下部層
の表面上にほぼ下部層がエッチング処理により除去され
るように堆積するようにして行われる。
コン層を構造化する。 【構成】 他の物質からなる下部層上に配設されている
層を構造化するためにプラズマエッチング処理によりエ
ッチング反応器１内に下部層の材料からなるターゲット
１４を配設する。エッチング処理は、この材料を下部層
の表面上にほぼ下部層がエッチング処理により除去され
るように堆積するようにして行われる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は特に集積回路における層
の構造化に関する。
の構造化に関する。
【０００２】
【従来の技術】高集積回路を製造するために半導体技術
分野においてはしばしばプラズマを利用したエッチング
処理が微細構造の製造に使用される。そのため構造化す
べき層上にエッチングマスクを配設する。エッチングマ
スクの構造は異方性エッチング処理で構造化すべき層に
寸法通りに転写されねばならない。構造化すべき層の下
に配設される下部層はできるかぎりエッチング処理の影
響を受けてはならない。従ってエッチング処理に対して
は異方性に対する高度の要件とともに下部層のエッチン
グ選択度に対する高度な要件も課せられる。
分野においてはしばしばプラズマを利用したエッチング
処理が微細構造の製造に使用される。そのため構造化す
べき層上にエッチングマスクを配設する。エッチングマ
スクの構造は異方性エッチング処理で構造化すべき層に
寸法通りに転写されねばならない。構造化すべき層の下
に配設される下部層はできるかぎりエッチング処理の影
響を受けてはならない。従ってエッチング処理に対して
は異方性に対する高度の要件とともに下部層のエッチン
グ選択度に対する高度な要件も課せられる。
【０００３】この問題は、構造化すべき層を平坦ではな
い表面上に配設する場合（これは集積回路の製造では多
くの場合に回避し得ないことである）特に重要なものと
なる。特に薄いＳｉＯ2 層上に配設されるポリシリコン
層の構造化が問題となる。例えば論理回路又は記憶回路
の製造時に全面的に施されたゲート酸化物層上にポリシ
リコンからなるゲート電極を製造する場合である。
い表面上に配設する場合（これは集積回路の製造では多
くの場合に回避し得ないことである）特に重要なものと
なる。特に薄いＳｉＯ2 層上に配設されるポリシリコン
層の構造化が問題となる。例えば論理回路又は記憶回路
の製造時に全面的に施されたゲート酸化物層上にポリシ
リコンからなるゲート電極を製造する場合である。
【０００４】構造化すべき層が配設される表面が垂直側
面を有する場合、この垂直側面に異方性エッチング処理
時に側面カバー、いわゆるスペーサが作られる。これを
除去するためにエッチング処理は下部層がすでに大部分
露出している場合にも更に進めなければならない。この
処置は“過エッチング”といわれる。その際下部層がエ
ッチングの作用を受けないためには高度のエッチング選
択度が要求される。
面を有する場合、この垂直側面に異方性エッチング処理
時に側面カバー、いわゆるスペーサが作られる。これを
除去するためにエッチング処理は下部層がすでに大部分
露出している場合にも更に進めなければならない。この
処置は“過エッチング”といわれる。その際下部層がエ
ッチングの作用を受けないためには高度のエッチング選
択度が要求される。
【０００５】ゲート電極を製造するためにＳｉＯ2 から
なる下部層上にポリシリコンからなる構造化すべき層を
作る例においては側面カバーを完全に除去することが特
に重要である。それというのもこれが完成された回路構
造内に短絡を生じるからである。
なる下部層上にポリシリコンからなる構造化すべき層を
作る例においては側面カバーを完全に除去することが特
に重要である。それというのもこれが完成された回路構
造内に短絡を生じるからである。
【０００６】サムカワ（Ｓ．Ｓａｍｕｋａｗａ）その他
による“Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．”第８
巻（６）、第１１９２頁、１１月／１２月、１９９０年
から、ＳｉＯ2 に関してポリシリコンを構造化するため
のエッチング処理の選択度は付加 的処理ガスとしての
Ｏ2 を処理ガスとしてのＣｌ2 に添加することによって
拡大されることは公知である。
による“Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．”第８
巻（６）、第１１９２頁、１１月／１２月、１９９０年
から、ＳｉＯ2 に関してポリシリコンを構造化するため
のエッチング処理の選択度は付加 的処理ガスとしての
Ｏ2 を処理ガスとしてのＣｌ2 に添加することによって
拡大されることは公知である。
【０００７】もう１つの可能性は化学処理を例えば塩素
から臭素に変更することにある。
から臭素に変更することにある。
【０００８】しかしこの措置では原則的には選択度は有
限的に高められるだけなので、下部層は側面カバーを除
去する際の過エッチングに抵抗するために、常に厚さを
最低にしなければならない。下部層の厚さが過エッチン
グ時間の最大限度を決定する。
限的に高められるだけなので、下部層は側面カバーを除
去する際の過エッチングに抵抗するために、常に厚さを
最低にしなければならない。下部層の厚さが過エッチン
グ時間の最大限度を決定する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、エッチング
処理時に構造化すべき層の下に配設されている下部層を
エッチング作用から保護するための層の構造化方法を提
供することを課題とする。
処理時に構造化すべき層の下に配設されている下部層を
エッチング作用から保護するための層の構造化方法を提
供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題は、異方性プラ
ズマエッチング処理を少なくともウェハホルダ及びこの
ウェハホルダを環状に囲む環状電極を有するエッチング
反応器内で行い、またその反応器にウェハホルダ及び環
状電極を介して周波数の異なる２つのＲＦ電力が互いに
独立して印加され、構造化すべき層の材料とは異なる材
料からなる少なくとも１つの下部層及び構造化すべき層
を含んでいる層構造を有する基板がエッチング反応器内
に装入され、エッチング反応器内に下部層の材料を含む
ターゲットが備えられ、ＲＦ電力を環状電極で上記材料
がターゲットからスパッタリングされるように調整する
とともに、この材料がエッチング処理中に露出される下
部層の表面上にエッチング処理により主として下部層が
作用を受けるように堆積するように調整することにより
解決される。
ズマエッチング処理を少なくともウェハホルダ及びこの
ウェハホルダを環状に囲む環状電極を有するエッチング
反応器内で行い、またその反応器にウェハホルダ及び環
状電極を介して周波数の異なる２つのＲＦ電力が互いに
独立して印加され、構造化すべき層の材料とは異なる材
料からなる少なくとも１つの下部層及び構造化すべき層
を含んでいる層構造を有する基板がエッチング反応器内
に装入され、エッチング反応器内に下部層の材料を含む
ターゲットが備えられ、ＲＦ電力を環状電極で上記材料
がターゲットからスパッタリングされるように調整する
とともに、この材料がエッチング処理中に露出される下
部層の表面上にエッチング処理により主として下部層が
作用を受けるように堆積するように調整することにより
解決される。
【００１１】
【作用効果】本発明方法ではプラズマをそれぞれ処理パ
ラメータの選択に基づきいわゆるスパッタリング法で層
のエッチングにもまた析出にも使用している。本発明方
法はエッチング反応器内で実施されるが、この反応器に
はウェハホルダを介して第１の周波数のＲＦ電力がまた
それとは関係なく環状電極を介して第２の高周波のＲＦ
電力が印加される。ウェハホルダを介してイオンエネル
ギー及びそれと共にエッチング処理が制御される。環状
電極を介してイオン密度が調整される。下部層の材料の
粒子の種類の高いイオン密度を調整することによりこれ
らの粒子はしばしば衝撃を被ることになる。その結果こ
れらの粒子は極く僅かなエネルギーを有するに過ぎず、
エッチング処理には寄与しない。これらの粒子は同じ物
質からなり、従って成層の核となるため下部層の露出表
面上に堆積する。
ラメータの選択に基づきいわゆるスパッタリング法で層
のエッチングにもまた析出にも使用している。本発明方
法はエッチング反応器内で実施されるが、この反応器に
はウェハホルダを介して第１の周波数のＲＦ電力がまた
それとは関係なく環状電極を介して第２の高周波のＲＦ
電力が印加される。ウェハホルダを介してイオンエネル
ギー及びそれと共にエッチング処理が制御される。環状
電極を介してイオン密度が調整される。下部層の材料の
粒子の種類の高いイオン密度を調整することによりこれ
らの粒子はしばしば衝撃を被ることになる。その結果こ
れらの粒子は極く僅かなエネルギーを有するに過ぎず、
エッチング処理には寄与しない。これらの粒子は同じ物
質からなり、従って成層の核となるため下部層の露出表
面上に堆積する。
【００１２】環状電極に印加されるＲＦ電力は、下部層
の露出表面上の層の成長がこの表面に対するエッチング
処理時のエッチング作用にほぼ対応するように調整され
る。こうして下部層の厚さは結果として変化しない。こ
の結果上記の物質からなる層の構造化に際して下部層の
表面が露出されるときエッチング処理を十分に長く進行
させることができる。エッチングの選択度はこのように
して効果的に改善される。
の露出表面上の層の成長がこの表面に対するエッチング
処理時のエッチング作用にほぼ対応するように調整され
る。こうして下部層の厚さは結果として変化しない。こ
の結果上記の物質からなる層の構造化に際して下部層の
表面が露出されるときエッチング処理を十分に長く進行
させることができる。エッチングの選択度はこのように
して効果的に改善される。
【００１３】プラズマを閉じ込めるため永久磁石を有す
るエッチング反応器を使用することによって低いガス圧
でも高度の異方性が達成される。更にこの種のエッチン
グ反応器内では専らＣｌ2 、Ｂｒ2 又はＣｌ2 ／Ｂｒ2
混合物を使用して低ガス圧で安定したプラズマを点火す
ることができる。これに関連する低ガス圧は１０ｍトル
（１．３Ｐａ）以下の圧力である。
るエッチング反応器を使用することによって低いガス圧
でも高度の異方性が達成される。更にこの種のエッチン
グ反応器内では専らＣｌ2 、Ｂｒ2 又はＣｌ2 ／Ｂｒ2
混合物を使用して低ガス圧で安定したプラズマを点火す
ることができる。これに関連する低ガス圧は１０ｍトル
（１．３Ｐａ）以下の圧力である。
【００１４】特に、ウェハホルダに対向して接地電極を
配設し、環状電極及び接地電極に永久磁石を備えている
エッチング反応器を使用することは本発明の枠内にあ
る。その際エッチング反応器内のガス圧を１０ｍトル
（１．３Ｐａ）以下に調整する。環状電極には１３．５
６ＭＨｚの周波数のＲＦ電極を印加し、ウェハホルダを
介して１００ｋＨｚの周波数のＲＦ電力を印加する。
配設し、環状電極及び接地電極に永久磁石を備えている
エッチング反応器を使用することは本発明の枠内にあ
る。その際エッチング反応器内のガス圧を１０ｍトル
（１．３Ｐａ）以下に調整する。環状電極には１３．５
６ＭＨｚの周波数のＲＦ電極を印加し、ウェハホルダを
介して１００ｋＨｚの周波数のＲＦ電力を印加する。
【００１５】本方法はポリシリコンからなるゲート電極
を製造するのに有利に使用可能である。この場合構造化
すべき層はポリシリコンからなり、下部層はＳｉＯ2 か
らなる。更にこの下部層は典型的には厚さ１０〜２０ｎ
ｍを有するゲート酸化物層である。ゲート酸化物層は直
接単結晶シリコン基板上に配設されているため、これが
異方性エッチング処理中に破壊されないことは特に重要
である。ゲート酸化物層は単結晶シリコン基板の表面を
エッチング処理の作用から保護する。
を製造するのに有利に使用可能である。この場合構造化
すべき層はポリシリコンからなり、下部層はＳｉＯ2 か
らなる。更にこの下部層は典型的には厚さ１０〜２０ｎ
ｍを有するゲート酸化物層である。ゲート酸化物層は直
接単結晶シリコン基板上に配設されているため、これが
異方性エッチング処理中に破壊されないことは特に重要
である。ゲート酸化物層は単結晶シリコン基板の表面を
エッチング処理の作用から保護する。
【００１６】ポリシリコンからなる層をＳｉＯ2 からな
る下部層上に構造化する場合ターゲットとして石英から
なるエッチング反応器のカバーを用いることは本発明の
枠内にある。その際カバーは少なくとも環状電極及び接
地電極を覆う。カバーはガス取入れ用開口を有する。石
英からなるカバーはそのターゲットとしての役割の他に
エッチング処理中に励起されるプラズマを環状電極又は
接地電極と直接接触させない働きをする。それにより電
極が作動中に侵食されることが回避される。電極が実際
にはＡｌ2 Ｏ3 で被覆されているため、この種の侵食は
基板の金属汚染を招くおそれがある。電極上に石英カバ
ーを用いることはこの種の汚染を回避するのに有利であ
る。
る下部層上に構造化する場合ターゲットとして石英から
なるエッチング反応器のカバーを用いることは本発明の
枠内にある。その際カバーは少なくとも環状電極及び接
地電極を覆う。カバーはガス取入れ用開口を有する。石
英からなるカバーはそのターゲットとしての役割の他に
エッチング処理中に励起されるプラズマを環状電極又は
接地電極と直接接触させない働きをする。それにより電
極が作動中に侵食されることが回避される。電極が実際
にはＡｌ2 Ｏ3 で被覆されているため、この種の侵食は
基板の金属汚染を招くおそれがある。電極上に石英カバ
ーを用いることはこの種の汚染を回避するのに有利であ
る。
【００１７】環状電極上の石英からなるカバーの利点
は、石英カバーが基板を環状に囲んでいることからＳｉ
Ｏ2 を下部層の露出表面上に均一に析出させる点にあ
る。
は、石英カバーが基板を環状に囲んでいることからＳｉ
Ｏ2 を下部層の露出表面上に均一に析出させる点にあ
る。
【００１８】本発明の他の実施態様は請求項２以下から
明らかである。
明らかである。
【００１９】
【実施例】本発明を実施例及び図面に基づき以下に詳述
する。
する。
【００２０】エッチング反応器は接地されているエッチ
ング室１を有する。エッチング室１はガス取入れ口及び
排出口を備えている。
ング室１を有する。エッチング室１はガス取入れ口及び
排出口を備えている。
【００２１】エッチング室１にはウェハホルダ４が配設
されている。ウェハホルダ４はリード線５を介して１０
０ｋＨｚの発電機６と接続されている。ウェハホルダ４
上には基板７が配設されている。基板７上には層構造８
が配設されている。層構造８は、直接基板７上に配設さ
れ例えばＳｉＯ2 からなる下部層を有している。下部層
上には例えばポリシリコンからなる構造化すべき層が配
設されている。この構造化すべき層上にはエッチングマ
スクが配設されている。
されている。ウェハホルダ４はリード線５を介して１０
０ｋＨｚの発電機６と接続されている。ウェハホルダ４
上には基板７が配設されている。基板７上には層構造８
が配設されている。層構造８は、直接基板７上に配設さ
れ例えばＳｉＯ2 からなる下部層を有している。下部層
上には例えばポリシリコンからなる構造化すべき層が配
設されている。この構造化すべき層上にはエッチングマ
スクが配設されている。
【００２２】ウェハホルダ４に対向してエッチング室１
内には接地されている電極９が配設されている。更にエ
ッチング室１内には環状電極１０が配設されている。環
状電極１０は電極９とウェハホルダ４との間の空間を環
状に囲んでいる。環状電極１０と電極９は永久磁石１１
を備えている。環状電極１０はリード線１２を介して１
３．５６ＭＨｚの発電機１３と接続されている。
内には接地されている電極９が配設されている。更にエ
ッチング室１内には環状電極１０が配設されている。環
状電極１０は電極９とウェハホルダ４との間の空間を環
状に囲んでいる。環状電極１０と電極９は永久磁石１１
を備えている。環状電極１０はリード線１２を介して１
３．５６ＭＨｚの発電機１３と接続されている。
【００２３】またエッチング室１内には石英カバー１４
が配設されている。石英カバー１４は環状電極１０と基
板７との間並びに電極９と基板７との間にある。石英カ
バー１４はエッチング室１を通るガス貫流を確保するた
めの開口１５を備えている。
が配設されている。石英カバー１４は環状電極１０と基
板７との間並びに電極９と基板７との間にある。石英カ
バー１４はエッチング室１を通るガス貫流を確保するた
めの開口１５を備えている。
【００２４】石英カバー１４はエッチング室１内でター
ゲットの役目をする。エッチング室１の作動中に、すな
わち１３．５６ＭＨｚの発電機１３及び１００ｋＨｚの
発電機６の投入時に石英カバー１４はスパッタリングに
より削除されることになる。
ゲットの役目をする。エッチング室１の作動中に、すな
わち１３．５６ＭＨｚの発電機１３及び１００ｋＨｚの
発電機６の投入時に石英カバー１４はスパッタリングに
より削除されることになる。
【００２５】１３．５６ＭＨｚの発電機１３及び１００
ｋＨｚの発電機６のＲＦ電力は互いに独立して調整可能
である。１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を高めることによ
り石英カバー１４のスパッタリング削除は高められる。
それにより基板７上の層構造８内の下部層の露出表面上
にＳｉＯ2 の堆積物が増大する。これに対して１００ｋ
ＨｚのＲＦ電力を減ずることは基板７上に配設される層
構造に対するエッチング作用を減少させることになる。
このようにして１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力及び１００
ｋＨｚのＲＦ電力は基板上にＳｉＯ2 の析出及びＳｉＯ
2に対するエッチング作用の均衡を保つように調整され
る。
ｋＨｚの発電機６のＲＦ電力は互いに独立して調整可能
である。１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を高めることによ
り石英カバー１４のスパッタリング削除は高められる。
それにより基板７上の層構造８内の下部層の露出表面上
にＳｉＯ2 の堆積物が増大する。これに対して１００ｋ
ＨｚのＲＦ電力を減ずることは基板７上に配設される層
構造に対するエッチング作用を減少させることになる。
このようにして１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力及び１００
ｋＨｚのＲＦ電力は基板上にＳｉＯ2 の析出及びＳｉＯ
2に対するエッチング作用の均衡を保つように調整され
る。
【００２６】ＳｉＯ2からなる下部層上の構造化すべき
ポリシリコンからなる層を例えば以下の処理パラメータ
を使用してエッチングすることができる。
ポリシリコンからなる層を例えば以下の処理パラメータ
を使用してエッチングすることができる。
【００２７】１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を１０００ワ
ットに調整する。エッチングガスとして純Ｃｌ2 を使用
し、これを２０ｓｃｃｍの流量で室を通して導く。エッ
チング室内の圧力は２ｍトル（０．２６Ｐａ）となる。
第１工程では１００ｋＨｚのＲＦ電力を５０ワットに調
整する。この電力でエッチング処理を１０秒間行う。こ
の第１工程でいわゆる蓄積酸化物、すなわち常にシリコ
ン表面に存在する薄いＳｉＯ2 層を除去する。第２工程
で１００ｋＨｚのＲＦ電力を３０ワットに調整する。こ
の電力で例えば厚さ２００ｎｍのポリシリコンからなる
層をエッチングするため例えば６０秒間エッチングを行
う。その際ポリシリコンからなる構造化すべき層の水平
部分は完全に除去される。ポリシリコン層の先の水平部
分の下では下部層の表面が露出される。第３工程で段差
に残留するポリシリコンからなるエッチング残留物を過
エッチングにより除去する。このため１００ｋＨｚのＲ
Ｆ電力を１５ワットに調整する。第３工程を９０〜１２
０秒間行う。所要時間は基板上の構造物の種類のトポロ
ジによる。下部層の露出範囲はこのエッチング時間後如
何なるエッチング腐食も示さない。４８０秒間過エッチ
ングした後もＳｉＯ2 からなる下部層はその厚さを変え
ることなく保持されることが実験により確かめられた。
ットに調整する。エッチングガスとして純Ｃｌ2 を使用
し、これを２０ｓｃｃｍの流量で室を通して導く。エッ
チング室内の圧力は２ｍトル（０．２６Ｐａ）となる。
第１工程では１００ｋＨｚのＲＦ電力を５０ワットに調
整する。この電力でエッチング処理を１０秒間行う。こ
の第１工程でいわゆる蓄積酸化物、すなわち常にシリコ
ン表面に存在する薄いＳｉＯ2 層を除去する。第２工程
で１００ｋＨｚのＲＦ電力を３０ワットに調整する。こ
の電力で例えば厚さ２００ｎｍのポリシリコンからなる
層をエッチングするため例えば６０秒間エッチングを行
う。その際ポリシリコンからなる構造化すべき層の水平
部分は完全に除去される。ポリシリコン層の先の水平部
分の下では下部層の表面が露出される。第３工程で段差
に残留するポリシリコンからなるエッチング残留物を過
エッチングにより除去する。このため１００ｋＨｚのＲ
Ｆ電力を１５ワットに調整する。第３工程を９０〜１２
０秒間行う。所要時間は基板上の構造物の種類のトポロ
ジによる。下部層の露出範囲はこのエッチング時間後如
何なるエッチング腐食も示さない。４８０秒間過エッチ
ングした後もＳｉＯ2 からなる下部層はその厚さを変え
ることなく保持されることが実験により確かめられた。
【００２８】上述の実施例を同じ処理パラメータで純Ｂ
ｒ2 又はＣｌ2 ／Ｂｒ2 からなる混合物を用いて行うこ
とも可能である。
ｒ2 又はＣｌ2 ／Ｂｒ2 からなる混合物を用いて行うこ
とも可能である。
【図１】本発明によるエッチング反応器の横断面図。
１ エッチング室（エッチング反応器） ２ ガス取入れ口 ３ ガス排出口 ４ ウェハホルダ ５、１２ リード線 ６ １００ｋＨｚの発電機 ７ 基板 ８ 層構造 ９ 接地電極 １０ 環状電極 １１ 永久磁石 １３ １３．５６ＭＨｚの発電機 １４ 石英カバー（ターゲット） １５ 開口
Claims (10)
- 【請求項１】 異方性プラズマエッチング処理を少なく
ともウェハホルダ（４）及びこのウェハホルダ（４）を
環状に囲む環状電極（１０）を有するエッチング反応器
（１）内で行い、またその反応器にウェハホルダ（４）
及び環状電極（１０）を介して周波数の異なる２つのＲ
Ｆ電力が互いに独立して印加され、 構造化すべき層の材料とは異なる材料からなる少なくと
も１つの下部層及び構造化すべき層を含んでいる層構造
（８）を有する基板（７）がエッチング反応器（１）内
に装入され、 エッチング反応器（１）内に下部層の材料を含むターゲ
ット（１４）が備えられ、 ＲＦ電力を環状電極（１０）で上記材料がターゲット
（１４）からスパッタリングされるように調整するとと
もに、この材料がエッチング処理中に露出される下部層
の表面上にエッチング処理により主として下部層が作用
を受けるように堆積するように調整することを特徴とす
る層の構造化方法。 - 【請求項２】 構造化すべき層上にエッチングマスクを
配設することを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 エッチング反応器（１）内でウェハホル
ダ（４）に対向して接地電極（９）を配設し、環状電極
（１０）及び接地電極（９）に永久磁石（１１）を配設
し、エッチング反応器（１）内のガス圧を１０ｍトル
（１．３Ｐａ）以下に調整することを特徴とする請求項
１又は２記載の方法。 - 【請求項４】 環状電極（１０）を介して１３．５６Ｍ
Ｈｚの周波数のＲＦ電力をまたウェハホルダ（４）を介
して１００ｋＨｚの周波数のＲＦ電力を印加することを
特徴とする請求項３又は４記載の方法。 - 【請求項５】 構造化すべき層がポリシリコンからな
り、下部層がＳｉＯ2からなることを特徴とする請求項
３又は４記載の方法。 - 【請求項６】 ターゲット（１４）としてエッチング反
応器（１）の石英からなる内張りを使用し、これが少な
くとも環状電極（１０）及び接地電極（９）を覆いまた
ガス取入れ用開口（１５）を有していることを特徴とす
る請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 エッチングガスとしてＣｌ2 又はＢｒ2
ガスの少なくとも一方又はＣｌ2 ／Ｂｒ2 混合物を使用
することを特徴とする請求項５又は６記載の方法。 - 【請求項８】 １００ｋＨｚのＲＦ電力を１０〜５０ワ
ットの範囲に、１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を９００〜
１２００ワットの範囲に、エッチングガスの貫流量を１
５〜２５ｓｃｃｍの範囲に及びガス圧を１〜５ｍトル
（０．１３〜Ｉ０．６５Ｐａ）の範囲に調整することを
特徴とする請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 ポリシリコンを含有する少なくとも１つ
のゲート電極の製造に使用することを特徴とする請求項
１ないし８の１つに記載の方法。 - 【請求項１０】 ＤＲＡＭ処理でポリシリコンを構造化
するのに使用することを特徴とする請求項１ないし８の
１つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4135033.2 | 1991-10-23 | ||
| DE4135033A DE4135033C1 (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206073A true JPH05206073A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=6443275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4306400A Pending JPH05206073A (ja) | 1991-10-23 | 1992-10-19 | 層の構造化方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5332468A (ja) |
| EP (1) | EP0538726B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05206073A (ja) |
| DE (2) | DE4135033C1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5891350A (en) * | 1994-12-15 | 1999-04-06 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chambers |
| US5898279A (en) * | 1997-01-08 | 1999-04-27 | Kettering Medical Center | Cyclotron monitoring system and method |
| JP4066214B2 (ja) * | 1998-07-24 | 2008-03-26 | 財団法人国際科学振興財団 | プラズマプロセス装置 |
| US6808647B1 (en) | 1999-07-12 | 2004-10-26 | Applied Materials Inc | Methodologies to reduce process sensitivity to the chamber condition |
| CN109461641B (zh) * | 2018-11-29 | 2024-03-19 | 吉林大学 | 一种等离子刻蚀装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4572759A (en) * | 1984-12-26 | 1986-02-25 | Benzing Technology, Inc. | Troide plasma reactor with magnetic enhancement |
| US4786359A (en) * | 1987-06-24 | 1988-11-22 | Tegal Corporation | Xenon enhanced plasma etch |
-
1991
- 1991-10-23 DE DE4135033A patent/DE4135033C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-09-30 US US07/953,937 patent/US5332468A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-14 DE DE59206905T patent/DE59206905D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-14 EP EP92117543A patent/EP0538726B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-19 JP JP4306400A patent/JPH05206073A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0538726B1 (de) | 1996-08-14 |
| EP0538726A2 (de) | 1993-04-28 |
| EP0538726A3 (en) | 1993-08-25 |
| DE59206905D1 (de) | 1996-09-19 |
| DE4135033C1 (ja) | 1993-04-29 |
| US5332468A (en) | 1994-07-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020418 |