JPH0758087A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0758087A JPH0758087A JP22213293A JP22213293A JPH0758087A JP H0758087 A JPH0758087 A JP H0758087A JP 22213293 A JP22213293 A JP 22213293A JP 22213293 A JP22213293 A JP 22213293A JP H0758087 A JPH0758087 A JP H0758087A
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- processing
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高エッチング速度、高選択比でかつ下地層に
ダメージの少ないプラズマ処理装置を提供する。 【構成】 本装置は、所定の減圧雰囲気に調整可能な処
理室２と、処理室内に所定の処理ガス、例えばＣＨＦ3
ガスを供給するガス供給手段８と、処理室内を排気する
排気手段９と、被処理体Ｗを載置するサセプタ手段１０
と、処理室外側上部に設置されて被処理体の処理面より
も上方に例えば誘導結合プラズマを発生させるプラズマ
発生手段５とを備え、プラズマ発生手段の下面から記被
処理体の処理面までの距離を５０ｍｍ以上２００ｍｍ以
下、好ましくは５０ｍｍ超１２５ｍｍ未満に設定してい
る。かかる構成により例えばシリコン酸化膜のエッチン
グを実施すると、高密度プラズマから離れた領域におい
て、高エッチング速度、高選択比でかつ下地層にダメー
ジの少ない処理を行える。
ダメージの少ないプラズマ処理装置を提供する。 【構成】 本装置は、所定の減圧雰囲気に調整可能な処
理室２と、処理室内に所定の処理ガス、例えばＣＨＦ3
ガスを供給するガス供給手段８と、処理室内を排気する
排気手段９と、被処理体Ｗを載置するサセプタ手段１０
と、処理室外側上部に設置されて被処理体の処理面より
も上方に例えば誘導結合プラズマを発生させるプラズマ
発生手段５とを備え、プラズマ発生手段の下面から記被
処理体の処理面までの距離を５０ｍｍ以上２００ｍｍ以
下、好ましくは５０ｍｍ超１２５ｍｍ未満に設定してい
る。かかる構成により例えばシリコン酸化膜のエッチン
グを実施すると、高密度プラズマから離れた領域におい
て、高エッチング速度、高選択比でかつ下地層にダメー
ジの少ない処理を行える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば半導体素子の製造プロ
セスにおいて、処理室内にプラズマを発生させて、この
プラズマ雰囲気中で、被処理体例えば半導体ウェハに対
してエッチング処理を始めとした各種のプラズマ処理が
行われているが、近年はこの種の被処理体に施すパター
ンの微細化が進むにつれて、サブハーフミクロン単位の
下でより高精度のプラズマ処理を行うことが要求されて
いる。
セスにおいて、処理室内にプラズマを発生させて、この
プラズマ雰囲気中で、被処理体例えば半導体ウェハに対
してエッチング処理を始めとした各種のプラズマ処理が
行われているが、近年はこの種の被処理体に施すパター
ンの微細化が進むにつれて、サブハーフミクロン単位の
下でより高精度のプラズマ処理を行うことが要求されて
いる。
【０００３】かかる要求に応えるため、高密度のプラズ
マを発生させるためのプラズマソースについて開発が進
められ、最近では、ヘリコン波、ＥＣＲ、ＴＣＰ、ＨＤ
Ｐ等による高密度プラズマを用いて、例えば半導体ウェ
ハの酸化膜を高選択比でエッチング処理することが試み
られている。
マを発生させるためのプラズマソースについて開発が進
められ、最近では、ヘリコン波、ＥＣＲ、ＴＣＰ、ＨＤ
Ｐ等による高密度プラズマを用いて、例えば半導体ウェ
ハの酸化膜を高選択比でエッチング処理することが試み
られている。
【０００４】しかしながら、ヘリコン波やＥＣＲによる
プラズマでは、シリコンに対する選択比が現状では１０
程度と低く、サブハーフミクロン時代のニーズには応え
られないものである。またＴＣＰにより、高エッチング
速度、高選択比で良好な形状のエッチングを行うことが
できることが報告されているが、未だそのメカニズムに
不明な点が多く、制御が困難である。さらにまた、従来
のプラズマ処理装置では、高エッチング速度、高選択比
を得るために、高密度プラズマ領域で処理を行っていた
ため、シリコン基板へのダメージも無視できないもので
あった。
プラズマでは、シリコンに対する選択比が現状では１０
程度と低く、サブハーフミクロン時代のニーズには応え
られないものである。またＴＣＰにより、高エッチング
速度、高選択比で良好な形状のエッチングを行うことが
できることが報告されているが、未だそのメカニズムに
不明な点が多く、制御が困難である。さらにまた、従来
のプラズマ処理装置では、高エッチング速度、高選択比
を得るために、高密度プラズマ領域で処理を行っていた
ため、シリコン基板へのダメージも無視できないもので
あった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来のプラズマ処理装置では、サブハーフミクロン時代
に要求されるような、高エッチング速度、高選択比でし
かもシリコン基板へのダメージの少ないエッチング処理
を実施することはできなかった。したがって、本発明は
かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、高エッチング速度、高選択比
で、しかもシリコン基板へのダメージの少ない新規かつ
改良されたプラズマ処理装置を提供することである。
従来のプラズマ処理装置では、サブハーフミクロン時代
に要求されるような、高エッチング速度、高選択比でし
かもシリコン基板へのダメージの少ないエッチング処理
を実施することはできなかった。したがって、本発明は
かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、高エッチング速度、高選択比
で、しかもシリコン基板へのダメージの少ない新規かつ
改良されたプラズマ処理装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１また２に記載の発明によれば、所定の減圧
雰囲気に調整可能な気密に構成された処理室と、その処
理室内に所定の処理ガスを供給するガス供給手段と、そ
の処理室内を排気するための排気手段と、前記処理室内
に被処理体を載置固定するためのサセプタ手段と、その
処理室の外側上部に設置されて前記処理室内において前
記被処理体の処理面よりも上方にプラズマを発生させる
ためのプラズマ発生手段と、を備えたプラズマ処理装置
において、前記プラズマ発生手段の下面から前記被処理
体の処理面までの距離を５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下、
さらに好ましくは、５０ｍｍ超１２５ｍｍ未満に設定し
たことを特徴とする、プラズマ処理装置が提供される。
に、請求項１また２に記載の発明によれば、所定の減圧
雰囲気に調整可能な気密に構成された処理室と、その処
理室内に所定の処理ガスを供給するガス供給手段と、そ
の処理室内を排気するための排気手段と、前記処理室内
に被処理体を載置固定するためのサセプタ手段と、その
処理室の外側上部に設置されて前記処理室内において前
記被処理体の処理面よりも上方にプラズマを発生させる
ためのプラズマ発生手段と、を備えたプラズマ処理装置
において、前記プラズマ発生手段の下面から前記被処理
体の処理面までの距離を５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下、
さらに好ましくは、５０ｍｍ超１２５ｍｍ未満に設定し
たことを特徴とする、プラズマ処理装置が提供される。
【０００７】また請求項３に記載のように、本発明装置
に用いられるプラズマ発生手段としては、誘導結合プラ
ズマ発生手段またはヘリコン波プラズマ発生手段である
ことが好ましい。
に用いられるプラズマ発生手段としては、誘導結合プラ
ズマ発生手段またはヘリコン波プラズマ発生手段である
ことが好ましい。
【０００８】さらにまた請求項４に記載のように、本発
明装置においては、処理ガスとして、炭素（Ｃ）、フッ
素（Ｆ）または水素（Ｈ）からなる群から選択された任
意の元素の組合わせからなる単体ガスまたは化合物ガス
であってかつ前記群を構成する全ての元素が前記処理室
内に導入されるように選択された１または２以上の単体
ガスまたは化合物ガスを用い、シリコン基板またはシリ
コン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）上に形成されたシリコン酸化膜
（ＳｉＯ2）をエッチングすることが好ましい。
明装置においては、処理ガスとして、炭素（Ｃ）、フッ
素（Ｆ）または水素（Ｈ）からなる群から選択された任
意の元素の組合わせからなる単体ガスまたは化合物ガス
であってかつ前記群を構成する全ての元素が前記処理室
内に導入されるように選択された１または２以上の単体
ガスまたは化合物ガスを用い、シリコン基板またはシリ
コン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）上に形成されたシリコン酸化膜
（ＳｉＯ2）をエッチングすることが好ましい。
【０００９】
【作用】請求項１または２に記載のプラズマ処理装置に
よれば、処理室の外側上部に設置されたプラズマ発生手
段の下面から被処理体の処理面までの距離を５０ｍｍ以
上２００ｍｍ以下、好ましくは５０ｍｍ超１２５ｍｍ未
満に設定するので、被処理体の処理面がプラズマの高密
度領域から遠ざけられるため、イオン衝撃による結晶構
造へのダメージやエッチングガス中の水素やカーボンの
ような物質が基板中に注入されるような事態を緩和する
ことができる。さらに、処理ガスの種類やその供給排気
量を適当に選択することにより、処理面にエッチング成
分が到達する間に、下地基板をエッチングする成分を他
の化合物に変換し、しかもこの化合物はプラズマの生成
領域から離れているため再分解されにくいため、高選択
比のエッチングを達成できる。また、その際に、処理対
象膜をエッチングする成分の消費は抑えられるので、高
いエッチング速度も保持することができる。
よれば、処理室の外側上部に設置されたプラズマ発生手
段の下面から被処理体の処理面までの距離を５０ｍｍ以
上２００ｍｍ以下、好ましくは５０ｍｍ超１２５ｍｍ未
満に設定するので、被処理体の処理面がプラズマの高密
度領域から遠ざけられるため、イオン衝撃による結晶構
造へのダメージやエッチングガス中の水素やカーボンの
ような物質が基板中に注入されるような事態を緩和する
ことができる。さらに、処理ガスの種類やその供給排気
量を適当に選択することにより、処理面にエッチング成
分が到達する間に、下地基板をエッチングする成分を他
の化合物に変換し、しかもこの化合物はプラズマの生成
領域から離れているため再分解されにくいため、高選択
比のエッチングを達成できる。また、その際に、処理対
象膜をエッチングする成分の消費は抑えられるので、高
いエッチング速度も保持することができる。
【００１０】また請求項３に記載の装置のように、プラ
ズマ発生手段として誘導結合プラズマ発生手段やヘリコ
ン波プラズマ発生手段を用いれば、上記効果を得やすい
処理面に対して略平行な層状またはシート状の高密度プ
ラズマを容易に発生させることができるので、本発明装
置の性能を高めることができる。
ズマ発生手段として誘導結合プラズマ発生手段やヘリコ
ン波プラズマ発生手段を用いれば、上記効果を得やすい
処理面に対して略平行な層状またはシート状の高密度プ
ラズマを容易に発生させることができるので、本発明装
置の性能を高めることができる。
【００１１】さらにまた請求項４に記載のように、シリ
コン酸化膜に対してＣ、ＨおよびＦを含む処理ガス、例
えばＣ4Ｆ8ガスにＨ2ガスを添加したものによりエッチ
ングを行った場合には、本発明装置によれば、高密度プ
ラズマ領域から処理面に到達する間に、シリコン基板あ
るいはシリコン窒化膜にダメージを与えるＦがＨと反応
して排気され、処理領域においてＣの存在がＦよりも遥
かに多くなるので、高エッチング速度、高選択比のエッ
チング処理を達成できる。
コン酸化膜に対してＣ、ＨおよびＦを含む処理ガス、例
えばＣ4Ｆ8ガスにＨ2ガスを添加したものによりエッチ
ングを行った場合には、本発明装置によれば、高密度プ
ラズマ領域から処理面に到達する間に、シリコン基板あ
るいはシリコン窒化膜にダメージを与えるＦがＨと反応
して排気され、処理領域においてＣの存在がＦよりも遥
かに多くなるので、高エッチング速度、高選択比のエッ
チング処理を達成できる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明に基づいて構成されたプラズマ
処理装置を誘導結合プラズマエッチング装置に適用した
例について詳細に説明する。本実施例の高周波誘導結合
型プラズマ処理装置１の略断面図および略平面図を、そ
れぞれ図１および図２に示す。図示のように、略円筒形
状の処理室２は、例えばステンレス等の導電性材料から
気密に構成されており、その処理室２の上面は、中央部
３が石英やアルミナなどの絶縁材料により形成され、そ
の周縁部４が処理室２と同様の導電性材料により形成さ
れている。なお、本実施例においては、中央部３とし
て、外径約２３０ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの寸法の石英板
を使用したが、寸法および材質はこれに限定されない。
処理装置を誘導結合プラズマエッチング装置に適用した
例について詳細に説明する。本実施例の高周波誘導結合
型プラズマ処理装置１の略断面図および略平面図を、そ
れぞれ図１および図２に示す。図示のように、略円筒形
状の処理室２は、例えばステンレス等の導電性材料から
気密に構成されており、その処理室２の上面は、中央部
３が石英やアルミナなどの絶縁材料により形成され、そ
の周縁部４が処理室２と同様の導電性材料により形成さ
れている。なお、本実施例においては、中央部３とし
て、外径約２３０ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの寸法の石英板
を使用したが、寸法および材質はこれに限定されない。
【００１３】上記処理室２の絶縁中央部３の外側上面に
は、例えば厚み０．５ｍｍの薄い銅板などから形成され
た、例えば１ターンのアンテナ手段５が設置されてい
る。このアンテナ手段５はマッチング回路６を介して高
周波電源７に接続されている。処理時には、このアンテ
ナ手段５を介して高周波を処理室２内の処理ガス中に発
信し、この高周波の電磁エネルギーによって処理ガスを
プラズマ化して、例えば１０11ｃｍ-3台の高密度プラズ
マを処理室中に発生させることができるように構成され
ている。なお、アンテナ手段５としては、所定の高周波
を処理室２内に供給できればよく、その材質および形
状、特に巻き数は上記例に限定されない。
は、例えば厚み０．５ｍｍの薄い銅板などから形成され
た、例えば１ターンのアンテナ手段５が設置されてい
る。このアンテナ手段５はマッチング回路６を介して高
周波電源７に接続されている。処理時には、このアンテ
ナ手段５を介して高周波を処理室２内の処理ガス中に発
信し、この高周波の電磁エネルギーによって処理ガスを
プラズマ化して、例えば１０11ｃｍ-3台の高密度プラズ
マを処理室中に発生させることができるように構成され
ている。なお、アンテナ手段５としては、所定の高周波
を処理室２内に供給できればよく、その材質および形
状、特に巻き数は上記例に限定されない。
【００１４】上記処理室２の側面上方および上面中央部
には、図示しないガス源から所定の処理ガス、例えばＣ
ＨＦ3ガスを供給するためのガス供給部８が設置されて
いる。このガス供給部８は、図２に示すように、処理室
２の周面上方で周方向に等間隔で放射状に配設された４
つのガス供給管路８Ａ、８Ｂ、８Ｃおよび８Ｄと、処理
室の上面中央に配置された１つのガス供給管路８Ｅから
なり、処理室２内に処理ガスを均等に供給することがで
きるように構成されている。
には、図示しないガス源から所定の処理ガス、例えばＣ
ＨＦ3ガスを供給するためのガス供給部８が設置されて
いる。このガス供給部８は、図２に示すように、処理室
２の周面上方で周方向に等間隔で放射状に配設された４
つのガス供給管路８Ａ、８Ｂ、８Ｃおよび８Ｄと、処理
室の上面中央に配置された１つのガス供給管路８Ｅから
なり、処理室２内に処理ガスを均等に供給することがで
きるように構成されている。
【００１５】また上記処理室２の側面下方には、図示し
ない真空ポンプなどの排気手段により処理室２内を減圧
することが可能な排気管路９が設置されている。この排
気管路９は、図２に示すように、処理室２の周面下方で
周方向に等間隔で放射状に配設された４つの排気管路９
Ａ、９Ｂ、９Ｃ、９Ｄからなり、各排気管路から処理室
２内のガスを偏りなく外部へ排気することができるよう
に構成されている。
ない真空ポンプなどの排気手段により処理室２内を減圧
することが可能な排気管路９が設置されている。この排
気管路９は、図２に示すように、処理室２の周面下方で
周方向に等間隔で放射状に配設された４つの排気管路９
Ａ、９Ｂ、９Ｃ、９Ｄからなり、各排気管路から処理室
２内のガスを偏りなく外部へ排気することができるよう
に構成されている。
【００１６】さらに上記処理室２内には被処理体、例え
ば半導体ウェハＷを載置するためのサセプタ１０が設置
されている。このサセプタ１０にはブロッキングコンデ
ンサ１１を介して高周波電源１２が接続されており、サ
セプタ１０にバイアス電位をかけることができるように
構成されている。さらに、サセプタ１０には図示しない
冷媒循環路が形成されており、冷媒供給管路１３から供
給された冷媒によりサセプタ１０を介して被処理体Ｗを
所望の温度に冷却した後、冷媒排出管路１４から排出す
ることができるように構成されている。
ば半導体ウェハＷを載置するためのサセプタ１０が設置
されている。このサセプタ１０にはブロッキングコンデ
ンサ１１を介して高周波電源１２が接続されており、サ
セプタ１０にバイアス電位をかけることができるように
構成されている。さらに、サセプタ１０には図示しない
冷媒循環路が形成されており、冷媒供給管路１３から供
給された冷媒によりサセプタ１０を介して被処理体Ｗを
所望の温度に冷却した後、冷媒排出管路１４から排出す
ることができるように構成されている。
【００１７】また上記サセプタ１０は、図示しない昇降
装置により、処理室２内を昇降させることが可能であ
り、被処理体Ｗの処理面とプラズマを発生するためのア
ンテナ手段５の下面との間の距離Ｚを所望に調整するこ
とができる。このアンテナ手段５の下面から被処理体の
処理面までの距離Ｚは、本実施例によれば、５０ｍｍ以
上２００ｍｍ以下、好ましくは５０ｍｍ超１２５ｍｍ未
満に設定することが可能である。このように、本発明の
要旨は、本願発明者らが知見したプラズマ特性のアンテ
ナからの距離依存性を応用し、高エッチング速度、高選
択比のエッチング処理を行うことにあり、そのために、
以下に詳細に説明するように、アンテナ下面から被処理
体の処理面までの距離Ｚが最適に調整される。
装置により、処理室２内を昇降させることが可能であ
り、被処理体Ｗの処理面とプラズマを発生するためのア
ンテナ手段５の下面との間の距離Ｚを所望に調整するこ
とができる。このアンテナ手段５の下面から被処理体の
処理面までの距離Ｚは、本実施例によれば、５０ｍｍ以
上２００ｍｍ以下、好ましくは５０ｍｍ超１２５ｍｍ未
満に設定することが可能である。このように、本発明の
要旨は、本願発明者らが知見したプラズマ特性のアンテ
ナからの距離依存性を応用し、高エッチング速度、高選
択比のエッチング処理を行うことにあり、そのために、
以下に詳細に説明するように、アンテナ下面から被処理
体の処理面までの距離Ｚが最適に調整される。
【００１８】かかる原理を理解するために、まず、本発
明を適用可能なプラズマ処理装置１の処理室２内の電子
密度（Ｎｅ）およびイオン電流密度（Ｊｉ）の密度分布
について考察することにする。なお、本明細書中におい
ては、プラズマ発生手段、すなわちアンテナ５側を上流
と称し、被処理体Ｗが載置されたサセプタ１０側を下流
と称することにする。
明を適用可能なプラズマ処理装置１の処理室２内の電子
密度（Ｎｅ）およびイオン電流密度（Ｊｉ）の密度分布
について考察することにする。なお、本明細書中におい
ては、プラズマ発生手段、すなわちアンテナ５側を上流
と称し、被処理体Ｗが載置されたサセプタ１０側を下流
と称することにする。
【００１９】上記のように構成されたプラズマ処理装置
１の石英板３上の１巻きアンテナ５に高周波電源７より
マッチング回路６を介して、例えば１３．５６ＭＨｚ、
１２ＫＷの高周波を印加する。処理ガスとしてＣＨＦ3
ガスを用い、２０ｍＴｏｒｒの処理圧力でプラズマを発
生させた場合の電子密度（Ｎｅ）とイオン電流密度（Ｊ
ｉ）のアンテナ５からの下流方向分布をラングミュアー
プローブにより測定した。その結果を図３に示す。図示
のように、電子密度（Ｎｅ）は石英板３付近では低く、
一旦上昇後減衰する。これに対して、イオン電流密度
（Ｊｉ）はアンテナ５より９０ｍｍまでは一定で、その
後減衰していく。以上の結果より、高密度プラズマ生成
がアンテナ５付近で行われており、そのプラズマは、下
流に向かって急激に減衰するシート状、すなわち処理面
に対して略平行な層状の空間構造を有していることが分
かる。またイオン電流密度（Ｊｉ）の下流での比較的穏
やかな減少に対し、電子密度（Ｎｅ）のアンテナ近傍と
下流での急激な減少は、おそらく処理室２の壁部へのプ
ラズマの損失とＦの負イオンの生成による電子数の減少
によるものと考えられる。
１の石英板３上の１巻きアンテナ５に高周波電源７より
マッチング回路６を介して、例えば１３．５６ＭＨｚ、
１２ＫＷの高周波を印加する。処理ガスとしてＣＨＦ3
ガスを用い、２０ｍＴｏｒｒの処理圧力でプラズマを発
生させた場合の電子密度（Ｎｅ）とイオン電流密度（Ｊ
ｉ）のアンテナ５からの下流方向分布をラングミュアー
プローブにより測定した。その結果を図３に示す。図示
のように、電子密度（Ｎｅ）は石英板３付近では低く、
一旦上昇後減衰する。これに対して、イオン電流密度
（Ｊｉ）はアンテナ５より９０ｍｍまでは一定で、その
後減衰していく。以上の結果より、高密度プラズマ生成
がアンテナ５付近で行われており、そのプラズマは、下
流に向かって急激に減衰するシート状、すなわち処理面
に対して略平行な層状の空間構造を有していることが分
かる。またイオン電流密度（Ｊｉ）の下流での比較的穏
やかな減少に対し、電子密度（Ｎｅ）のアンテナ近傍と
下流での急激な減少は、おそらく処理室２の壁部へのプ
ラズマの損失とＦの負イオンの生成による電子数の減少
によるものと考えられる。
【００２０】次に、ＣＨＦ3プラズマ中のＣ2（５１６５
オングストローム）とＦ（６８５６オングストローム）
の発光の強度比のアンテナからの距離依存性を測定し
た。なお、実験はアンテナ５から対向電極までの距離
（Ｚ）を３００ｍｍ、圧力を２０ｍＴｏｒｒと設定して
行った。その結果、図４に示すように、Ｃ2のＦ原子に
対するピーク相対強度がアンテナ５から遠ざかるに従い
増加していき、前述の結果と一致している。これは、Ｆ
が処理ガス中に存在するＨと反応しＨＦガスとして、漸
次排気されていくために生じたものと考えられる。ここ
で、一般に、Ｃの存在はシリコン酸化膜の表面でＣ−Ｏ
を作り、Ｓｉ−Ｏの結合を切ったり、弱めたりする作用
があり、Ｃの存在はシリコン酸化膜をエッチングする上
で重要であることが知られている。これに対して、シリ
コンはシリコン酸化膜以上にフッ素イオンと反応しやす
いことから、エッチング表面においてＦの存在量をＣに
相対して少なくすることは、下地シリコンに対するシリ
コン酸化膜の選択比を高める上で重要である。以上の結
果より、プラズマによるエッチング特性がプラズマ発生
手段から被処理体の処理面までの距離に大きく依存して
いることが分かる。
オングストローム）とＦ（６８５６オングストローム）
の発光の強度比のアンテナからの距離依存性を測定し
た。なお、実験はアンテナ５から対向電極までの距離
（Ｚ）を３００ｍｍ、圧力を２０ｍＴｏｒｒと設定して
行った。その結果、図４に示すように、Ｃ2のＦ原子に
対するピーク相対強度がアンテナ５から遠ざかるに従い
増加していき、前述の結果と一致している。これは、Ｆ
が処理ガス中に存在するＨと反応しＨＦガスとして、漸
次排気されていくために生じたものと考えられる。ここ
で、一般に、Ｃの存在はシリコン酸化膜の表面でＣ−Ｏ
を作り、Ｓｉ−Ｏの結合を切ったり、弱めたりする作用
があり、Ｃの存在はシリコン酸化膜をエッチングする上
で重要であることが知られている。これに対して、シリ
コンはシリコン酸化膜以上にフッ素イオンと反応しやす
いことから、エッチング表面においてＦの存在量をＣに
相対して少なくすることは、下地シリコンに対するシリ
コン酸化膜の選択比を高める上で重要である。以上の結
果より、プラズマによるエッチング特性がプラズマ発生
手段から被処理体の処理面までの距離に大きく依存して
いることが分かる。
【００２１】次いで、このプラズマによるエッチング特
性のアンテナからの距離依存性を調べるために、同じプ
ラズマ処理装置を用い、処理ガスとしてＣ4Ｆ8にＨ2を
付加して、アンテナから処理面までの距離（Ｚ）をＺ＝
５０ｍｍ（図５）、Ｚ＝７５ｍｍ（図６）、Ｚ＝１００
ｍｍ（図７）、Ｚ＝１２５ｍｍ（図８）として、シリコ
ン（Ｓｉ）および酸化シリコン（ＳｉＯ2）のエッチン
グ速度と選択比を測定した。なお実験は圧力１０ｍＴｏ
ｒｒ、Ｖｄｃ＝２００Ｖで行い、試料としてレジストマ
スクの熱酸化膜を使用した。
性のアンテナからの距離依存性を調べるために、同じプ
ラズマ処理装置を用い、処理ガスとしてＣ4Ｆ8にＨ2を
付加して、アンテナから処理面までの距離（Ｚ）をＺ＝
５０ｍｍ（図５）、Ｚ＝７５ｍｍ（図６）、Ｚ＝１００
ｍｍ（図７）、Ｚ＝１２５ｍｍ（図８）として、シリコ
ン（Ｓｉ）および酸化シリコン（ＳｉＯ2）のエッチン
グ速度と選択比を測定した。なお実験は圧力１０ｍＴｏ
ｒｒ、Ｖｄｃ＝２００Ｖで行い、試料としてレジストマ
スクの熱酸化膜を使用した。
【００２２】その結果、Ｚ＝５０ｍｍ（図５）付近の高
密度プラズマ領域ではＳｉ、ＳｉＯ2共にエッチング速
度は早いが、選択性は低く、Ｈ2の付加量を増やしてい
くと、急激にＳｉＯ2のエッチング速度が減少してい
る。しかし、下流側、Ｚ＝７５ｍｍ（図６）またはＺ＝
１００ｍｍ（図７）においては、ＳｉＯ2のエッチング
速度は緩やかに減少し、かつＳｉのエッチング速度も単
調に減少し、さらにＨ2の付加量が３０％以上ではＳｉ
のみに選択的に堆積を生じ選択比が無限大になる。しか
しながら、さらに下流側、Ｚ＝１２５ｍｍ（図８）で
は、エッチング速度の低下が見られる。この原因は、プ
ラズマの生成源から離れるにしたがい、ＳｉＯ2をエッ
チングする化学種も減少していくため、あまり下流では
十分なエッチングを達成できないことを示している。こ
のため、処理面とアンテナまたはプラズマ生成領域から
の距離を最適化することができる。
密度プラズマ領域ではＳｉ、ＳｉＯ2共にエッチング速
度は早いが、選択性は低く、Ｈ2の付加量を増やしてい
くと、急激にＳｉＯ2のエッチング速度が減少してい
る。しかし、下流側、Ｚ＝７５ｍｍ（図６）またはＺ＝
１００ｍｍ（図７）においては、ＳｉＯ2のエッチング
速度は緩やかに減少し、かつＳｉのエッチング速度も単
調に減少し、さらにＨ2の付加量が３０％以上ではＳｉ
のみに選択的に堆積を生じ選択比が無限大になる。しか
しながら、さらに下流側、Ｚ＝１２５ｍｍ（図８）で
は、エッチング速度の低下が見られる。この原因は、プ
ラズマの生成源から離れるにしたがい、ＳｉＯ2をエッ
チングする化学種も減少していくため、あまり下流では
十分なエッチングを達成できないことを示している。こ
のため、処理面とアンテナまたはプラズマ生成領域から
の距離を最適化することができる。
【００２３】上記結果より、本発明に基づいて構成され
たプラズマ処理装置１のように、処理室２の外側上部に
設置されたプラズマ発生手段、すなわちアンテナ５の下
面から被処理体Ｗの処理面までの距離（Ｚ）を５０ｍｍ
以上２００ｍｍ以下、好ましくは５０ｍｍ超１２５ｍｍ
未満に設定することにより、被処理体の処理面がプラズ
マの高密度領域から遠ざけられるため、高エッチング速
度、高選択比で、しかもシリコン基板へのダメージの少
ないエッチングを行うことができる。
たプラズマ処理装置１のように、処理室２の外側上部に
設置されたプラズマ発生手段、すなわちアンテナ５の下
面から被処理体Ｗの処理面までの距離（Ｚ）を５０ｍｍ
以上２００ｍｍ以下、好ましくは５０ｍｍ超１２５ｍｍ
未満に設定することにより、被処理体の処理面がプラズ
マの高密度領域から遠ざけられるため、高エッチング速
度、高選択比で、しかもシリコン基板へのダメージの少
ないエッチングを行うことができる。
【００２４】次にガス流量の増大が選択比に与える影響
について図９を参照しながら説明する。図示のように、
ガス流量の大きさはＳｉおよびＳｉＯ2のエッチング速
度、すなわち選択比に大きな影響を与える。すなわち、
本発明装置によれば、プラズマ発生手段、すなわちアン
テナ５の下面から被処理体Ｗの処理面までの距離（Ｚ）
が大きくとられるので、処理室２内のＦがＨと反応して
ＨＦが形成されるが、ある程度ガス流量を大きくとり、
形成されたＨＦを処理室２内より速やかに除去せねば、
ＨＦが再分解し、再びＦによる下地シリコンのエッチン
グが開始され、選択比が低下してしまう。したがって、
本発明装置により処理を行う場合にはガス流量を大きく
とることが必要であり、少なくとも全流量を４０ＳＣＣ
Ｍ以上とすることが好ましい。なおこのガス流量が大き
すぎて問題を生じることは考えにくく、流量は大きけれ
ば大きいほどシリコン酸化膜のエッチング速度が向上
し、下地シリコンのエッチング速度は低下するため、本
発明装置によれば、高い選択比の処理を実施可能であ
る。
について図９を参照しながら説明する。図示のように、
ガス流量の大きさはＳｉおよびＳｉＯ2のエッチング速
度、すなわち選択比に大きな影響を与える。すなわち、
本発明装置によれば、プラズマ発生手段、すなわちアン
テナ５の下面から被処理体Ｗの処理面までの距離（Ｚ）
が大きくとられるので、処理室２内のＦがＨと反応して
ＨＦが形成されるが、ある程度ガス流量を大きくとり、
形成されたＨＦを処理室２内より速やかに除去せねば、
ＨＦが再分解し、再びＦによる下地シリコンのエッチン
グが開始され、選択比が低下してしまう。したがって、
本発明装置により処理を行う場合にはガス流量を大きく
とることが必要であり、少なくとも全流量を４０ＳＣＣ
Ｍ以上とすることが好ましい。なおこのガス流量が大き
すぎて問題を生じることは考えにくく、流量は大きけれ
ば大きいほどシリコン酸化膜のエッチング速度が向上
し、下地シリコンのエッチング速度は低下するため、本
発明装置によれば、高い選択比の処理を実施可能であ
る。
【００２５】上記実施例では誘導結合プラズマ処理装置
に即して、本発明に基づいて構成されたプラズマ処理装
置を説明したが、本発明装置はかかる構成に限定され
ず、例えば図９に示すようなヘリコン波プラズマ処理装
置などにも適用することが可能である。図示のヘリコン
波プラズマ処理装置２０は、処理ガスＧを供給するガス
供給部２１および処理後のガスを排気するガス排気部２
２を有し、かつ所定の真空度に保持可能な処理室２３
と、この処理室２３の一部を形成する印加部２３Ａを囲
むヘリコン波プラズマ発生手段２４とを備え、このヘリ
コン波プラズマ発生手段２４によるヘリコン波プラズマ
により、サセプタ２５に保持された半導体ウェハＷをプ
ラズマ処理するように構成されている。
に即して、本発明に基づいて構成されたプラズマ処理装
置を説明したが、本発明装置はかかる構成に限定され
ず、例えば図９に示すようなヘリコン波プラズマ処理装
置などにも適用することが可能である。図示のヘリコン
波プラズマ処理装置２０は、処理ガスＧを供給するガス
供給部２１および処理後のガスを排気するガス排気部２
２を有し、かつ所定の真空度に保持可能な処理室２３
と、この処理室２３の一部を形成する印加部２３Ａを囲
むヘリコン波プラズマ発生手段２４とを備え、このヘリ
コン波プラズマ発生手段２４によるヘリコン波プラズマ
により、サセプタ２５に保持された半導体ウェハＷをプ
ラズマ処理するように構成されている。
【００２６】さらに上記処理室２３の印加部２３Ａは、
石英等の電磁波を透過する絶縁材料によって形成され、
この印加部２３Ａの下端開口に連設された本体２３Ｃは
ステンレス等の導電性材料によって形成されている。ま
た、上記ヘリコン波プラズマ発生手段２４は、上記印加
部２３Ａの外周面に配設されたアンテナ２４Ａと、この
アンテナ２４Ａのさらに外側で印加部２３Ａを囲む電磁
コイル２４Ｂとを備え、この電磁コイル２４Ｂで形成さ
れた磁場に対して、アンテナ２４Ａからの電磁波が平行
して進行し、この電磁波がプラズマ中を伝搬する間に、
この磁場の作用を受けてヘリコン波を発生し、このヘリ
コン波がプラズマ中を伝搬する間にヘリコン波プラズマ
を発生するように構成されている。なお、図中、２６は
ブロッキングコンデンサ、２７は高周波電源である。
石英等の電磁波を透過する絶縁材料によって形成され、
この印加部２３Ａの下端開口に連設された本体２３Ｃは
ステンレス等の導電性材料によって形成されている。ま
た、上記ヘリコン波プラズマ発生手段２４は、上記印加
部２３Ａの外周面に配設されたアンテナ２４Ａと、この
アンテナ２４Ａのさらに外側で印加部２３Ａを囲む電磁
コイル２４Ｂとを備え、この電磁コイル２４Ｂで形成さ
れた磁場に対して、アンテナ２４Ａからの電磁波が平行
して進行し、この電磁波がプラズマ中を伝搬する間に、
この磁場の作用を受けてヘリコン波を発生し、このヘリ
コン波がプラズマ中を伝搬する間にヘリコン波プラズマ
を発生するように構成されている。なお、図中、２６は
ブロッキングコンデンサ、２７は高周波電源である。
【００２７】したがって、ＣＨＦ3ガスを用いて半導体
ウェハＷを物理的にエッチングする際には、まず半導体
ウェハＷをサセプタ２５で保持した状態で、ガス供給部
２１からＣＨＦ3ガスを供給して、そのガス圧を例えば
１０ｍＴｏｒｒに調整する。この状態でアンテナ２４Ａ
に高周波電圧を印加し、このアンテナ２４Ａから処理容
器２３内で軸芯方向に進行する電磁波を発生すると、こ
の電磁波からＣＨＦ3ガスが活性化エネルギーを得てプ
ラズマ化してプラズマを発生する。またこの電磁波に電
磁コイル２４Ｂによる平行磁場が作用して電磁波から低
周波のヘリコン波が発生して高密度プラズマを形成す
る。
ウェハＷを物理的にエッチングする際には、まず半導体
ウェハＷをサセプタ２５で保持した状態で、ガス供給部
２１からＣＨＦ3ガスを供給して、そのガス圧を例えば
１０ｍＴｏｒｒに調整する。この状態でアンテナ２４Ａ
に高周波電圧を印加し、このアンテナ２４Ａから処理容
器２３内で軸芯方向に進行する電磁波を発生すると、こ
の電磁波からＣＨＦ3ガスが活性化エネルギーを得てプ
ラズマ化してプラズマを発生する。またこの電磁波に電
磁コイル２４Ｂによる平行磁場が作用して電磁波から低
周波のヘリコン波が発生して高密度プラズマを形成す
る。
【００２８】その際、本発明によれば、上記アンテナ２
４Ａの下面から上記サセプタ２５に載置された半導体ウ
ェハＷの処理面までの距離Ｚが、５０ｍｍ以上２００ｍ
ｍ以下、好ましくは５０超１２５未満に設定されている
ので、エッチング処理を高密度プラズマ領域から離れた
場所で行うことが可能となり、上述したものと同じ原理
により、高エッチング速度、高選択比でかるシリコン層
へのダメージの少ないエッチング処理を行うことが可能
である。
４Ａの下面から上記サセプタ２５に載置された半導体ウ
ェハＷの処理面までの距離Ｚが、５０ｍｍ以上２００ｍ
ｍ以下、好ましくは５０超１２５未満に設定されている
ので、エッチング処理を高密度プラズマ領域から離れた
場所で行うことが可能となり、上述したものと同じ原理
により、高エッチング速度、高選択比でかるシリコン層
へのダメージの少ないエッチング処理を行うことが可能
である。
【００２９】上記実施例においては、シリコン酸化膜
（ＳｉＯ2）にＣＨＦ3ガスまたはＣ4Ｆ8ガスにＨ2を添
加したガスによりエッチングした例を挙げて説明を行っ
ているが、本発明はこれに限定されず、例えばシリコン
窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）に対しても適用することが可能であ
る。さらにまた、処理ガスとしては、炭素（Ｃ）、フッ
素（Ｆ）または水素（Ｈ）からなる群から選択された任
意の元素の組合わせからなる単体ガスまたは化合物ガス
であってかつ前記群を構成する全ての元素が前記処理室
内に導入されるように選択された１または２以上の単体
ガスまたは化合物ガスを用いることが可能であり、例え
ば主ガス成分として、ＣＦ系ガス、例えばＣＦ4、ＣＨ
Ｆ3、ＣＨ3Ｆ2、Ｃ2Ｆ6、Ｃ2Ｈ2Ｆ2、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8を
使用し、混合ガス成分として、Ｈ2、ＣＯ、ＣＨ4、Ｃ2
Ｈ4ガスを使用することが可能である。
（ＳｉＯ2）にＣＨＦ3ガスまたはＣ4Ｆ8ガスにＨ2を添
加したガスによりエッチングした例を挙げて説明を行っ
ているが、本発明はこれに限定されず、例えばシリコン
窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）に対しても適用することが可能であ
る。さらにまた、処理ガスとしては、炭素（Ｃ）、フッ
素（Ｆ）または水素（Ｈ）からなる群から選択された任
意の元素の組合わせからなる単体ガスまたは化合物ガス
であってかつ前記群を構成する全ての元素が前記処理室
内に導入されるように選択された１または２以上の単体
ガスまたは化合物ガスを用いることが可能であり、例え
ば主ガス成分として、ＣＦ系ガス、例えばＣＦ4、ＣＨ
Ｆ3、ＣＨ3Ｆ2、Ｃ2Ｆ6、Ｃ2Ｈ2Ｆ2、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8を
使用し、混合ガス成分として、Ｈ2、ＣＯ、ＣＨ4、Ｃ2
Ｈ4ガスを使用することが可能である。
【００３０】さらにまた本発明は、上記実施例で説明し
た誘導結合プラズマ処理装置、あるいはヘリコンはプラ
ズマ処理装置に限定されず、他のタイプのプラズマ処理
装置にも適用することが可能である。さらにまた本発明
に基づいて構成されたプラズマ処理装置は、エッチング
装置に限定されず、ＣＶＤ装置、アッシング装置などに
も適用することが可能である。
た誘導結合プラズマ処理装置、あるいはヘリコンはプラ
ズマ処理装置に限定されず、他のタイプのプラズマ処理
装置にも適用することが可能である。さらにまた本発明
に基づいて構成されたプラズマ処理装置は、エッチング
装置に限定されず、ＣＶＤ装置、アッシング装置などに
も適用することが可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づいて
構成されたプラズマ処理装置によれば、高密度プラズマ
領域から離れた下流領域でプラズマ処理を行うので、高
エッチング速度、高選択比でかつ下地層に対するダメー
ジの少ないプラズマ処理を行うことが可能である。ま
た、本発明装置によれば、プラズマ発生手段から処理面
までの空間を大きくとることが可能なので、その空間部
分に被処理体の搬入搬出用のゲートバルブを設置し、処
理領域に直接被処理体を載置することが可能となるの
で、従来のように別位置にて被処理体を載置したサセプ
タを昇降させてプラズマ発生領域にまで被処理体を移動
させる必要がなくなる。さらにまた、本発明装置によれ
ば、その空間部分にシャワーヘッドなどの処理ガスを均
一に拡散させるための装置を設置することが可能なので
エッチング精度を高める装置構成を採用することも可能
になる。
構成されたプラズマ処理装置によれば、高密度プラズマ
領域から離れた下流領域でプラズマ処理を行うので、高
エッチング速度、高選択比でかつ下地層に対するダメー
ジの少ないプラズマ処理を行うことが可能である。ま
た、本発明装置によれば、プラズマ発生手段から処理面
までの空間を大きくとることが可能なので、その空間部
分に被処理体の搬入搬出用のゲートバルブを設置し、処
理領域に直接被処理体を載置することが可能となるの
で、従来のように別位置にて被処理体を載置したサセプ
タを昇降させてプラズマ発生領域にまで被処理体を移動
させる必要がなくなる。さらにまた、本発明装置によれ
ば、その空間部分にシャワーヘッドなどの処理ガスを均
一に拡散させるための装置を設置することが可能なので
エッチング精度を高める装置構成を採用することも可能
になる。
【図１】本発明に基づいて構成された誘導結合プラズマ
処理装置の一実施例を示す概略的な断面図である。
処理装置の一実施例を示す概略的な断面図である。
【図２】図１の装置の平面図である。
【図３】処理室内の電子密度（Ｎｅ）とイオン電子密度
（Ｊｉ）のアンテナからの下流方向分布を示すグラフで
ある。
（Ｊｉ）のアンテナからの下流方向分布を示すグラフで
ある。
【図４】ＣＨＦ3プラズマ中のＣ2とＦの発光強度比のア
ンテナからの距離依存性を示すグラフである。
ンテナからの距離依存性を示すグラフである。
【図５】Ｓｉ、ＳｉＯ2エッチング速度および選択比の
水素濃度依存性を示すアンテナからの距離Ｚ＝５０ｍｍ
の場合のグラフである。
水素濃度依存性を示すアンテナからの距離Ｚ＝５０ｍｍ
の場合のグラフである。
【図６】Ｓｉ、ＳｉＯ2エッチング速度および選択比の
水素濃度依存性を示すアンテナからの距離Ｚ＝７５ｍｍ
の場合のグラフである。
水素濃度依存性を示すアンテナからの距離Ｚ＝７５ｍｍ
の場合のグラフである。
【図７】Ｓｉ、ＳｉＯ2エッチング速度および選択比の
水素濃度依存性を示すアンテナからの距離Ｚ＝１００ｍ
ｍの場合のグラフである。
水素濃度依存性を示すアンテナからの距離Ｚ＝１００ｍ
ｍの場合のグラフである。
【図８】Ｓｉ、ＳｉＯ2エッチング速度および選択比の
水素濃度依存性を示すアンテナからの距離Ｚ＝１２５ｍ
ｍの場合のグラフである。
水素濃度依存性を示すアンテナからの距離Ｚ＝１２５ｍ
ｍの場合のグラフである。
【図９】Ｓｉ、とＳｉＯ2のエッチング速度と総ガス流
量との関係を示すグラフである。
量との関係を示すグラフである。
【図１０】本発明に基づいて構成されたヘリコン波プラ
ズマ処理装置の一実施例を示す概略的な断面図である。
ズマ処理装置の一実施例を示す概略的な断面図である。
１ プラズマ処理装置 ２ 処理室 ３ 中央部（石英板） ４ 周縁部 ５ アンテナ ６ マッチング回路 ７ 高周波電源 ８ ガス供給部 ９ 排気部 １０ サセプタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 // Ｃ２３Ｆ 4/00 Ｅ 8417−4Ｋ Ａ 8417−4Ｋ
Claims (4)
- 【請求項１】 所定の減圧雰囲気に調整可能な気密に構
成された処理室と、その処理室内に所定の処理ガスを供
給するガス供給手段と、その処理室内を排気するための
排気手段と、前記処理室内に被処理体を載置固定するた
めのサセプタ手段と、その処理室の外側上部に設置され
て前記処理室内において前記被処理体の処理面よりも上
方にプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と、
を備えたプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生
手段の下面から前記被処理体の処理面までの距離を５０
ｍｍ以上２００ｍｍ以下に設定したことを特徴とする、
プラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記プラズマ発生手段の下面から前記被
処理体の処理面までの距離を５０ｍｍ超１２５ｍｍ未満
に設定したことを特徴とする、請求項１に記載のプラズ
マ処理装置。 - 【請求項３】 前記プラズマ発生手段が、誘導結合プラ
ズマ発生手段またはヘリコン波プラズマ発生手段である
ことを特徴とする、請求項１または２に記載のプラズマ
処理装置。 - 【請求項４】 前記処理ガスとして、炭素（Ｃ）、フッ
素（Ｆ）または水素（Ｈ）からなる群から選択された任
意の元素の組合わせからなる単体ガスまたは化合物ガス
であってかつ前記群を構成する全ての元素が前記処理室
内に導入されるように選択された１または２以上の単体
ガスまたは化合物ガスを用い、シリコン（Ｓｉ）基板ま
たはシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）上に形成されたシリコ
ン酸化膜（ＳｉＯ2）をエッチングすることを特徴とす
る、請求項１、２または３のいずれかに記載のプラズマ
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22213293A JP3172340B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22213293A JP3172340B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758087A true JPH0758087A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3172340B2 JP3172340B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=16777675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22213293A Expired - Lifetime JP3172340B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3172340B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999067816A1 (fr) * | 1998-06-24 | 1999-12-29 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de gravure a sec et procede de production de dispositifs a semi-conducteurs |
| US7632379B2 (en) | 2003-05-30 | 2009-12-15 | Toshio Goto | Plasma source and plasma processing apparatus |
| JP2013118359A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-06-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング方法 |
| EP2224468B1 (en) * | 2002-06-19 | 2013-08-14 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus, plasma processing method |
-
1993
- 1993-08-12 JP JP22213293A patent/JP3172340B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999067816A1 (fr) * | 1998-06-24 | 1999-12-29 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de gravure a sec et procede de production de dispositifs a semi-conducteurs |
| US6506687B1 (en) | 1998-06-24 | 2003-01-14 | Hitachi, Ltd. | Dry etching device and method of producing semiconductor devices |
| EP2224468B1 (en) * | 2002-06-19 | 2013-08-14 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus, plasma processing method |
| US8662010B2 (en) | 2002-06-19 | 2014-03-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus, plasma processing method, plasma film deposition apparatus, and plasma film deposition method |
| US7632379B2 (en) | 2003-05-30 | 2009-12-15 | Toshio Goto | Plasma source and plasma processing apparatus |
| JP2013118359A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-06-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3172340B2 (ja) | 2001-06-04 |
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