JPS62238382A - ドライエツチングガス及びドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチングガス及びドライエツチング方法Info
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- JPS62238382A JPS62238382A JP7823986A JP7823986A JPS62238382A JP S62238382 A JPS62238382 A JP S62238382A JP 7823986 A JP7823986 A JP 7823986A JP 7823986 A JP7823986 A JP 7823986A JP S62238382 A JPS62238382 A JP S62238382A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はドライエツチングガス及びドライエツチング方
法に係り、更に詳しくは、シリコン及びその化合物等を
含む被エツチング材料のエツチングに適したドライエツ
チングガス及びドライエツチング方法に関する。
法に係り、更に詳しくは、シリコン及びその化合物等を
含む被エツチング材料のエツチングに適したドライエツ
チングガス及びドライエツチング方法に関する。
高集積化が進む半導体デバイスにおいてパターンの微細
化が要望されており、これに応えるため、マスク（レジ
スト）パターンに忠実なエツチング形状を得ることが課
題となっている。
化が要望されており、これに応えるため、マスク（レジ
スト）パターンに忠実なエツチング形状を得ることが課
題となっている。
従来の湿式エツチングやプラズマエツチング法は等方性
エツチングの為にエツチングマスク寸法に忠実にエツチ
ングする事は不可能である。又、リアクティブ・イオン
・エツチング法においても、エツチング圧力、エツチン
グ電力、エツチングガスの選択次第では異方性エツチン
グ形状を得る事が出来るが、エンチング速度や選択比を
犠牲にせざるを得なくなる。逆にエツチング速度や選択
比を大きくしようとすると、等方性エツチングの傾向が
強くなり、寸法の再現性が悪くなるという問題があった
。
エツチングの為にエツチングマスク寸法に忠実にエツチ
ングする事は不可能である。又、リアクティブ・イオン
・エツチング法においても、エツチング圧力、エツチン
グ電力、エツチングガスの選択次第では異方性エツチン
グ形状を得る事が出来るが、エンチング速度や選択比を
犠牲にせざるを得なくなる。逆にエツチング速度や選択
比を大きくしようとすると、等方性エツチングの傾向が
強くなり、寸法の再現性が悪くなるという問題があった
。
本発明は、従来の問題点を解決し、エツチング速度が高
く、しかも被エツチング材料と下地及びエツチングマス
クとの選択比が大きく、又加工寸法に忠実な異方性エツ
チング並びにテーパ制御を可能とするドライエツチング
ガス及びドライエソアンダ方法を提供すべくなされたも
のである。
く、しかも被エツチング材料と下地及びエツチングマス
クとの選択比が大きく、又加工寸法に忠実な異方性エツ
チング並びにテーパ制御を可能とするドライエツチング
ガス及びドライエソアンダ方法を提供すべくなされたも
のである。
本発明によって提供されるドライエ・ノチングガスは、
主たるエツチングガスにＣＯＣｌ３を配合せしめている
ことを特徴とするものである。
主たるエツチングガスにＣＯＣｌ３を配合せしめている
ことを特徴とするものである。
又、本発明によって提供されるドライエツチング方法は
、主たるエツチングガスにＣＩ（１！、を配合せしめた
ドライエツチングガスを用いてエツチングを行なうこと
を特徴とするものである。
、主たるエツチングガスにＣＩ（１！、を配合せしめた
ドライエツチングガスを用いてエツチングを行なうこと
を特徴とするものである。
本発明のドライエツチングガス及びドライエツチング方
法によれば、エツチング中に被エツチング材料の側壁に
重合物を付加させるとともに、余分なエツチング種と水
素が反応して除去される事により、アンダーエツチング
のない異方性形状が得られ、エツチングの際の圧力、電
力、ガス混合比を適宜選択する事によりテーバ制御も可
能となる。
法によれば、エツチング中に被エツチング材料の側壁に
重合物を付加させるとともに、余分なエツチング種と水
素が反応して除去される事により、アンダーエツチング
のない異方性形状が得られ、エツチングの際の圧力、電
力、ガス混合比を適宜選択する事によりテーバ制御も可
能となる。
〔実施例〕
本発明は、例えばプラズマエツチング、り了クチイブイ
オンエツチング、リアクティブイオンビームエソアンダ
、ＥＣＲエツチング等の化学的気相法によるドライエツ
チングに適用され、特にシリコン及びその化合物等を含
む、例えば電子回路基体、電子部品等の被エツチング材
Ｈのエツチングに官用される。
オンエツチング、リアクティブイオンビームエソアンダ
、ＥＣＲエツチング等の化学的気相法によるドライエツ
チングに適用され、特にシリコン及びその化合物等を含
む、例えば電子回路基体、電子部品等の被エツチング材
Ｈのエツチングに官用される。
第１図は、例えばプラズマエツチングによりドライエツ
チングを行なうための装置の１例を示したものであり、
■はエツチング室、２はエツチング室１内に設置された
高周波電極、２′は対向電極、３は電極２に電力を供給
するための高周波電源、４は電極２上に載置された被エ
ツチング材料下地、５は被エツチング材料、６はエツチ
ングマスクである。
チングを行なうための装置の１例を示したものであり、
■はエツチング室、２はエツチング室１内に設置された
高周波電極、２′は対向電極、３は電極２に電力を供給
するための高周波電源、４は電極２上に載置された被エ
ツチング材料下地、５は被エツチング材料、６はエツチ
ングマスクである。
７は、ドライエツチングガスの供給経路、８は排気口で
ある。また、９は電極２冷却用の冷却水貯留室である。
ある。また、９は電極２冷却用の冷却水貯留室である。
この様なドライエツチングに適用される本発明のドライ
エツチングガス及びドライエツチング方法において、主
たるエツチングガスとは、プラズマ中においてＣＦ３”
やＣＣ−等の活性化・イオンあるいはＦ”等のラジカル
種を発生し、被エツチング材料と反応して蒸気圧の高い
物質又は揮発性の高い物質を生成するものであり、具体
的には、例えばポリシリコン、ＷＳｉｚ、 Ｍｏ５ｉ
ｚ及びこれらのポリサイド構造の物質、ＳｉＯ□、５ｉ
Ｊａなどのシリコン及びシリコン化合物を被エツチング
材料として用いられる、Ｃ１ｚ 、 ＳＦｂ 、ＣＦａ
、Ｃ２Ｆ４、Ｃ：ＩｐＨ１ＮＦ３ 、ＣＣｌ２ ａ
、ＣＢｒＦ：＋、５ｉＣｊ’ｎ等の１種又は２種以上の
主たるエツチングガスとＣＯＣｌ、を組合せて用いるの
が好ましい。
エツチングガス及びドライエツチング方法において、主
たるエツチングガスとは、プラズマ中においてＣＦ３”
やＣＣ−等の活性化・イオンあるいはＦ”等のラジカル
種を発生し、被エツチング材料と反応して蒸気圧の高い
物質又は揮発性の高い物質を生成するものであり、具体
的には、例えばポリシリコン、ＷＳｉｚ、 Ｍｏ５ｉ
ｚ及びこれらのポリサイド構造の物質、ＳｉＯ□、５ｉ
Ｊａなどのシリコン及びシリコン化合物を被エツチング
材料として用いられる、Ｃ１ｚ 、 ＳＦｂ 、ＣＦａ
、Ｃ２Ｆ４、Ｃ：ＩｐＨ１ＮＦ３ 、ＣＣｌ２ ａ
、ＣＢｒＦ：＋、５ｉＣｊ’ｎ等の１種又は２種以上の
主たるエツチングガスとＣＯＣｌ、を組合せて用いるの
が好ましい。
ＣｌＩＣｌ ３の配合量は、主たるエツチングガス並び
に被エツチング材料の種類に応じて適宜選択することが
でき、また、主たるエツチングガスとの合計体積の１〜
７０シｏ１％の範囲で任意に選択することができる。通
常は、エツチングの効率とマスクの耐エツチング性との
バランスから１０〜４０νｏ１％の範囲とされるのが望
ましい。
に被エツチング材料の種類に応じて適宜選択することが
でき、また、主たるエツチングガスとの合計体積の１〜
７０シｏ１％の範囲で任意に選択することができる。通
常は、エツチングの効率とマスクの耐エツチング性との
バランスから１０〜４０νｏ１％の範囲とされるのが望
ましい。
本発明において、主たるエツチングガスとＣｌＩＣｆｆ
、は、例えば第１図の装置における様に、予め混合さ
れて使用されてもよいし、あるいはエンチング室１まで
は各々別々に供給され、工、チング室１内部で混合され
るといった配合方法も採り得る。
、は、例えば第１図の装置における様に、予め混合さ
れて使用されてもよいし、あるいはエンチング室１まで
は各々別々に供給され、工、チング室１内部で混合され
るといった配合方法も採り得る。
本発明のドライエツチングガスば、前記主たるエツチン
グガス及びＣＩＣＩ ３のみによって構成することもで
きるし、あるいは、このほか必要に応じて、ＣＣｆｌＦ
３、Ｃ１Ｊｚ 、ＣＣｌ３Ｆ、 Ｃ２Ｃ７！Ｆ５、Ｃ
ｌ１ｚＦｚ 、ＣＩＩＦ：ｌ、Ｃｌ１ｚＦｚ 、ＣＩｌ
：ＩＦｌｃｌｌｃｇ ３、＋１２．０２、ｔｉｅ、 Ａ
ｒ、 ＮＺなどを配合して構成することもできる。
グガス及びＣＩＣＩ ３のみによって構成することもで
きるし、あるいは、このほか必要に応じて、ＣＣｆｌＦ
３、Ｃ１Ｊｚ 、ＣＣｌ３Ｆ、 Ｃ２Ｃ７！Ｆ５、Ｃ
ｌ１ｚＦｚ 、ＣＩＩＦ：ｌ、Ｃｌ１ｚＦｚ 、ＣＩｌ
：ＩＦｌｃｌｌｃｇ ３、＋１２．０２、ｔｉｅ、 Ａ
ｒ、 ＮＺなどを配合して構成することもできる。
以下、具体的実施例を示して、本発明を更に具体的に説
明する。
明する。
実施例１、比較例１
第１図に示すリアクティブ・イオン・エツチングｇＨを
用いてエツチングを行なった。被エツチング材料５は多
結晶シリコン層（厚さ６０００人）、下地４は酸化ケイ
素層＜ｒｇ−さ４００人）、エツチングマスク６はフォ
トレジスト層（ＯＦＦＩ７−８００、厚さ１μｍ）を用
い、エツチングガスとしてＣ１２２２ＳＣ（：）１．、
Ｃｔｌ（１３８ＳＣＣ？ｌの割合で混合した混合ガスを
用い、工、アング圧力１０Ｐａ、エツチング電力２００
Ｗ、エツチング時間２分３５秒の条件下でエンチングを
行なった。
用いてエツチングを行なった。被エツチング材料５は多
結晶シリコン層（厚さ６０００人）、下地４は酸化ケイ
素層＜ｒｇ−さ４００人）、エツチングマスク６はフォ
トレジスト層（ＯＦＦＩ７−８００、厚さ１μｍ）を用
い、エツチングガスとしてＣ１２２２ＳＣ（：）１．、
Ｃｔｌ（１３８ＳＣＣ？ｌの割合で混合した混合ガスを
用い、工、アング圧力１０Ｐａ、エツチング電力２００
Ｗ、エツチング時間２分３５秒の条件下でエンチングを
行なった。
エツチング後の被エツチング材料部分を走査型電子顕微
鏡で観察した状態を第３図に示す。被エツチング材料の
エツチング速度は２３６０人／ｍｉｎであった。
鏡で観察した状態を第３図に示す。被エツチング材料の
エツチング速度は２３６０人／ｍｉｎであった。
又、比較として、エツチングガスとしてＣβ２を用いる
以外は上記と同じ条件でエツチングを行なった。エツチ
ング後の被エツチング材料部分を走査型電子顕微鏡で観
察した状態を第２図に示す。
以外は上記と同じ条件でエツチングを行なった。エツチ
ング後の被エツチング材料部分を走査型電子顕微鏡で観
察した状態を第２図に示す。
本発明のエツチングガスを用いた第３図においては、被
エツチング材料はエツチングマスクに対して忠実に異方
性のエツチング形状が得られている。エツチング前でフ
ォトレジスト寸法１．３５μｍの場合、エツチング後底
部で１．３５μｍであった。
エツチング材料はエツチングマスクに対して忠実に異方
性のエツチング形状が得られている。エツチング前でフ
ォトレジスト寸法１．３５μｍの場合、エツチング後底
部で１．３５μｍであった。
これに対し、エツチングガスとしてＣＮｚのみを用いた
第２図においては、被エツチング材料はエツチングマス
クの端から内側へ大きく入り込んだ等方性の形状をして
いた。
第２図においては、被エツチング材料はエツチングマス
クの端から内側へ大きく入り込んだ等方性の形状をして
いた。
本発明のドライエツチング方法及びドライエツチング方
法によれば、被エツチング材料の側壁に重合物を付着さ
せて保護膜とし１．さらに余分な塩素イオンやフッ素ラ
ジカルと水素を反応させて除去する結果、エツチングマ
スクの寸法に忠実な異方性のエツチング形状やテーパ制
御を可能にする事が出来る。
法によれば、被エツチング材料の側壁に重合物を付着さ
せて保護膜とし１．さらに余分な塩素イオンやフッ素ラ
ジカルと水素を反応させて除去する結果、エツチングマ
スクの寸法に忠実な異方性のエツチング形状やテーパ制
御を可能にする事が出来る。
第１図は本発明の実施例において用いた枚葉式平行平板
型ドライエツチング装置の概略を示した模式図、第２図
はエツチングガスとして（Ｊ□を用いて工・ノアングし
た後の被エツチング材料部分を走査型電子顕微鏡で観察
した際の状態を示した模式図、第３図は本発明のエツチ
ングガスを用いてエツチングした後の被エツチング材料
部分を走査顕微鏡で観察した際の状態を示した模式図で
ある。 １・・・エツチング室、２・・・高周波１掻、２′・・
・対向電極、３・・・電源、４・・・下地、５・・・被
エツチング材料、６・・・エツチングマスク、７・・・
ドライエツチングガス供給経路、８・・・排気口、９・
・・冷却水貯留室。
型ドライエツチング装置の概略を示した模式図、第２図
はエツチングガスとして（Ｊ□を用いて工・ノアングし
た後の被エツチング材料部分を走査型電子顕微鏡で観察
した際の状態を示した模式図、第３図は本発明のエツチ
ングガスを用いてエツチングした後の被エツチング材料
部分を走査顕微鏡で観察した際の状態を示した模式図で
ある。 １・・・エツチング室、２・・・高周波１掻、２′・・
・対向電極、３・・・電源、４・・・下地、５・・・被
エツチング材料、６・・・エツチングマスク、７・・・
ドライエツチングガス供給経路、８・・・排気口、９・
・・冷却水貯留室。
Claims (2)
- （１）主たるエッチングガスにＣＨＣｌ＿３を配合せし
めていることを特徴とするドライエッチングガス。 - （２）主たるエッチングガスにＣＨＣｌ＿３を配合せし
めたドライエッチングガスを用いてエッチングを行なう
ことを特徴とするドライエッチングガス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7823986A JPS62238382A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | ドライエツチングガス及びドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7823986A JPS62238382A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | ドライエツチングガス及びドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62238382A true JPS62238382A (ja) | 1987-10-19 |
Family
ID=13656477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7823986A Pending JPS62238382A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | ドライエツチングガス及びドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62238382A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022618A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544450A (en) * | 1978-09-21 | 1980-03-28 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | Container lid body loading*unloading device for dust treating device |
| JPS60198729A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | Sony Corp | シリコンの反応性イオンエツチング法 |
| JPS6110037A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバ母材の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-07 JP JP7823986A patent/JPS62238382A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544450A (en) * | 1978-09-21 | 1980-03-28 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | Container lid body loading*unloading device for dust treating device |
| JPS60198729A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | Sony Corp | シリコンの反応性イオンエツチング法 |
| JPS6110037A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバ母材の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022618A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
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