JPS5855568A - 反応性イオンエツチング方法 - Google Patents
反応性イオンエツチング方法Info
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- JPS5855568A JPS5855568A JP15148781A JP15148781A JPS5855568A JP S5855568 A JPS5855568 A JP S5855568A JP 15148781 A JP15148781 A JP 15148781A JP 15148781 A JP15148781 A JP 15148781A JP S5855568 A JPS5855568 A JP S5855568A
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- film
- silicon
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- gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シリコンやシリコン化合物等を効果的にエツ
チングすることのできる反応性イオンエラチン！方法に
関する。
チングすることのできる反応性イオンエラチン！方法に
関する。
゛近年、ＩＣ等の製造プロセスでは、微細な・ぐターン
を形成するために反応性イオンエツチング方法が用いら
れている。この反応性イオンエツチング方法は、エツチ
ング室内に対向配置された一対の平行平板電極間に高周
波電力を印加すると共に、エツチング室内に反応性ガス
を導入し、上記各電極間にグロー放電を生起して被エツ
チング物をエツチングするものである。すなわち、高周
波電力が印加された電極（；は、電子とイオンとの易動
度の差＋：４づき電位が降下し亀の自己）ぐイアスが生
じる。この亀の自己バイアスは陰極降下電圧と称され、
接地電極から計ってＶｄｃで示される。エッチャントで
あるプラズマ中の正イオンは陰極降下゛電圧Ｖｄｃｌニ
ーより加速され、被エツチング物を照射しこれと反応し
てガス化され、これによって被エツチング物がエツチン
グされることになる。
を形成するために反応性イオンエツチング方法が用いら
れている。この反応性イオンエツチング方法は、エツチ
ング室内に対向配置された一対の平行平板電極間に高周
波電力を印加すると共に、エツチング室内に反応性ガス
を導入し、上記各電極間にグロー放電を生起して被エツ
チング物をエツチングするものである。すなわち、高周
波電力が印加された電極（；は、電子とイオンとの易動
度の差＋：４づき電位が降下し亀の自己）ぐイアスが生
じる。この亀の自己バイアスは陰極降下電圧と称され、
接地電極から計ってＶｄｃで示される。エッチャントで
あるプラズマ中の正イオンは陰極降下゛電圧Ｖｄｃｌニ
ーより加速され、被エツチング物を照射しこれと反応し
てガス化され、これによって被エツチング物がエツチン
グされることになる。
ところで、このような反応性イオンエツチング方法を行
なう場合、エツチングすべき被エツチング物の材質によ
りどのような反応性ガスを選択するかが重要な問題とな
る６例えば、被エツチング物としての酸化シリコン（８
１０，）にコンタクトホールを形成する場合にはｃｙ、
＋Ｈ３′やＣＨＦ、等を用いればよいが、この種の反応
性ガスではシリコンクニー八或いは電極配線材料として
多用される多結晶シリコンをアンダーカツトなくエツチ
ングすることは困難である。
なう場合、エツチングすべき被エツチング物の材質によ
りどのような反応性ガスを選択するかが重要な問題とな
る６例えば、被エツチング物としての酸化シリコン（８
１０，）にコンタクトホールを形成する場合にはｃｙ、
＋Ｈ３′やＣＨＦ、等を用いればよいが、この種の反応
性ガスではシリコンクニー八或いは電極配線材料として
多用される多結晶シリコンをアンダーカツトなくエツチ
ングすることは困難である。
しかも、他の下地材料となる８１０８等に対して十分な
エツチング速度比を得ることはできない。
エツチング速度比を得ることはできない。
そこで、反応性ガスとして曳く知られているＣ Ｉ！
４ ＋ ０ ＊ ’Ｆ’ ＣＦ ａ ＋ Ｃｊ ｍ等モ
試ミラレタが、この場合ＣＩ！４を用いることになりＣ
Ｆ ４ →ＣＦｓ 十Ｆ （ラジカｋ）＋ ６−
なる解離によって生じた反応性の強いＦ のため、高い
圧力下（大気圧に近い圧力下）ではアンダーカットを引
き起こす。また、Ｆ の影響を軽減するため低い圧力下
でＣＦ、 によるエツチング反応を進行させると、シ
リコン表面上にＣが堆積し残液物が生じるし、さらに８
１０．に対するエラ牛ング速度比も低下する等の問題を
招いた。
４ ＋ ０ ＊ ’Ｆ’ ＣＦ ａ ＋ Ｃｊ ｍ等モ
試ミラレタが、この場合ＣＩ！４を用いることになりＣ
Ｆ ４ →ＣＦｓ 十Ｆ （ラジカｋ）＋ ６−
なる解離によって生じた反応性の強いＦ のため、高い
圧力下（大気圧に近い圧力下）ではアンダーカットを引
き起こす。また、Ｆ の影響を軽減するため低い圧力下
でＣＦ、 によるエツチング反応を進行させると、シ
リコン表面上にＣが堆積し残液物が生じるし、さらに８
１０．に対するエラ牛ング速度比も低下する等の問題を
招いた。
そこで本発明者等は、ＣＦ、Ｂｒが放電するとＢ「が解
離しｒが発生し峻いと云う従来公知の現象に着目し、８
１のガス化により余した上記ＣをＯＦ、ＢｒのＢｒとＣ
Ｆ、ＢｒｃＤ他＆：導入したｒを発生しないハロ２７分
子１例えばＣ７，により積極的にガス化することにより
、比較的高い圧力下でもイオン性のエツチングを行なう
ことを可能にした。しかしながら、１記混合ガス（ＣＦ
、Ｂｒ ＋Ｃ）、）を不純物がドープされたシリコンの
エツチングガスとして適用した場合、圧力、流量および
流量比等を適正な条件１：設定しでも、アンダーカツト
や残渣の発生を確実に防止するまでには至らなかった。
離しｒが発生し峻いと云う従来公知の現象に着目し、８
１のガス化により余した上記ＣをＯＦ、ＢｒのＢｒとＣ
Ｆ、ＢｒｃＤ他＆：導入したｒを発生しないハロ２７分
子１例えばＣ７，により積極的にガス化することにより
、比較的高い圧力下でもイオン性のエツチングを行なう
ことを可能にした。しかしながら、１記混合ガス（ＣＦ
、Ｂｒ ＋Ｃ）、）を不純物がドープされたシリコンの
エツチングガスとして適用した場合、圧力、流量および
流量比等を適正な条件１：設定しでも、アンダーカツト
や残渣の発生を確実に防止するまでには至らなかった。
これは、上記エツチングガスの構成原子が種々あり、エ
ツチング室や残留ガスの状態変化等により、各々の原子
の解離度が変化するためにエツチング特性の信頼性が低
下したものと判断される。
ツチング室や残留ガスの状態変化等により、各々の原子
の解離度が変化するためにエツチング特性の信頼性が低
下したものと判断される。
本発明は１紀事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、ν９コンやシリコン化合物をアンダー
カットなく、かつ残液の発生なくエツチングす予ことの
できる反応性イオンエツチング方法を提供することにあ
る。
とするところは、ν９コンやシリコン化合物をアンダー
カットなく、かつ残液の発生なくエツチングす予ことの
できる反応性イオンエツチング方法を提供することにあ
る。
まず、本発明の詳細な説明する。本発明は。
エツチング室内に対向配置された平行平板電極間に高周
波電力を印加すると共に、エツチング案内に反応性ガス
を導入して上記各電極間に放−プラズマを生成し、この
プラズマによってＶリコン或いはシリコン化合物をエツ
チングするに際し、上記反応性ガスとしてＣｊ、とＨｌ
との混合ガスを用いるようにした方法である。すなわち
、エツチングガスとして単一のハロ２７分子であるｃ、
１．、ガスな用い、放電により生成されたＣＪ とＣｉ
（ラジカル）のうち、アンダーカットの原因となる
ＣＪ を、す、の導入により Ｈ−４−ＣＪ → ＨＯ２ の反応で積極的に除去し、高い圧力下でも高信頼性を有
したイオン性のエツチングを可能とした方法である。し
たがって本発明によれば、アンダーカットおよび残渣の
発生を未然に防止でき前記した目的を達成することがで
きる。
波電力を印加すると共に、エツチング案内に反応性ガス
を導入して上記各電極間に放−プラズマを生成し、この
プラズマによってＶリコン或いはシリコン化合物をエツ
チングするに際し、上記反応性ガスとしてＣｊ、とＨｌ
との混合ガスを用いるようにした方法である。すなわち
、エツチングガスとして単一のハロ２７分子であるｃ、
１．、ガスな用い、放電により生成されたＣＪ とＣｉ
（ラジカル）のうち、アンダーカットの原因となる
ＣＪ を、す、の導入により Ｈ−４−ＣＪ → ＨＯ２ の反応で積極的に除去し、高い圧力下でも高信頼性を有
したイオン性のエツチングを可能とした方法である。し
たがって本発明によれば、アンダーカットおよび残渣の
発生を未然に防止でき前記した目的を達成することがで
きる。
以下１本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
Ｉ’ｌ１図は本発明の一実施例方法に使用したドライエ
ツチング装置を示す概略構成図である。
ツチング装置を示す概略構成図である。
図中１はエツチング室を構成する真空容器（チャンバ）
であり、このチャンバ１内には上部電極２および下部電
極Ｊからなる平行平板電極が配置されている。上部電極
２は直接チャンバ１に取着され接地されており、下部電
極３は絶縁物４を介してチャンバ１に取着されている。
であり、このチャンバ１内には上部電極２および下部電
極Ｊからなる平行平板電極が配置されている。上部電極
２は直接チャンバ１に取着され接地されており、下部電
極３は絶縁物４を介してチャンバ１に取着されている。
そして、これら電極２，２間には、マツチングがツクス
５を介・して高周波・電源ｅが接続されている。また、
高周波印加の下部電極３土にはカーＩン板１を介して試
料８が載置されるものとなっている。
５を介・して高周波・電源ｅが接続されている。また、
高周波印加の下部電極３土にはカーＩン板１を介して試
料８が載置されるものとなっている。
一方、前記テヤンノぐ１には反応性ガスを導入するため
のガス導入口１ａおよびガス排気口１ｂが設けられてい
る。なお１図中９，１０はそれぞれ前記゛電極Ｊ、ｊを
冷却するための冷却Ｊイブを示している。
のガス導入口１ａおよびガス排気口１ｂが設けられてい
る。なお１図中９，１０はそれぞれ前記゛電極Ｊ、ｊを
冷却するための冷却Ｊイブを示している。
このような装置を用いガス導入口１ｍからＣｊ ！ ＋
Ｈ＊混合ガスを導入すると共に１．ｆス排気ロ１ｂか
らこの混合ガスを排気しながら電極２．３間に高周波電
力を印加してダロー放電を生起させた。ここで、上記試
料８としては第２図に′示す如きシリコンクエバ１１上
に熱酸化シリコン１１Ｉ（８１０，膜）１２およびＰド
ープ多結晶シリコン膜１３を堆積し、さらにこの多結晶
シリコン膜１３上Ｃニレジスト１４からなるレジストツ
ヤターンを形成したものを用いた。また。
Ｈ＊混合ガスを導入すると共に１．ｆス排気ロ１ｂか
らこの混合ガスを排気しながら電極２．３間に高周波電
力を印加してダロー放電を生起させた。ここで、上記試
料８としては第２図に′示す如きシリコンクエバ１１上
に熱酸化シリコン１１Ｉ（８１０，膜）１２およびＰド
ープ多結晶シリコン膜１３を堆積し、さらにこの多結晶
シリコン膜１３上Ｃニレジスト１４からなるレジストツ
ヤターンを形成したものを用いた。また。
このときの高周波電力は４００（Ｗ）、周波数は１８．
５６（ＭＨ菖〕、Ｃｊｌ流量は４０ （８ＣＣＭ ）。
５６（ＭＨ菖〕、Ｃｊｌ流量は４０ （８ＣＣＭ ）。
Ｈｔ ／ ｃ ｊ、流量比は４０〔％〕に設定した。そ
して、前記レジスト１４をマスクとして多結晶シリ、コ
ン膜１３を選択エツチングしたところ後述するような結
果が得られた。
して、前記レジスト１４をマスクとして多結晶シリ、コ
ン膜１３を選択エツチングしたところ後述するような結
果が得られた。
第３因は導入ガスとしてＣＩ、＋■、を用いＨ＊／Ｃｔ
、流量比に対するＰドープ多結晶シリコン、単結晶シリ
コンおよび酸化シリコンの各エツチング速度を示す特性
図である。なお、−／Ｃ４，ｆｌ量比の他の条件、一つ
まり高問波罐力、エツチング圧力等は実施例と同様にし
て測定した。
、流量比に対するＰドープ多結晶シリコン、単結晶シリ
コンおよび酸化シリコンの各エツチング速度を示す特性
図である。なお、−／Ｃ４，ｆｌ量比の他の条件、一つ
まり高問波罐力、エツチング圧力等は実施例と同様にし
て測定した。
第３図中曲線人はＰドープ多結晶ｖ９コン、曲線Ｂは単
結晶シリコン、曲線Ｃは酸化シリコンのそれぞれのエツ
チング速度を示している。単結晶シリコンのエツチング
速度はＨＪＣＪ、ｆｌｔ量比に関係なく略一定であり、
酸化ｖ９コンのエツチング速度はＨ３流量の増加に伴い
僅かながら単一に増加している。一方、Ｐドーグ多結晶
シリコンのエツチング速度はＨ３流量の増加に伴い減少
しているのが判る。
結晶シリコン、曲線Ｃは酸化シリコンのそれぞれのエツ
チング速度を示している。単結晶シリコンのエツチング
速度はＨＪＣＪ、ｆｌｔ量比に関係なく略一定であり、
酸化ｖ９コンのエツチング速度はＨ３流量の増加に伴い
僅かながら単一に増加している。一方、Ｐドーグ多結晶
シリコンのエツチング速度はＨ３流量の増加に伴い減少
しているのが判る。
第１図で示したエツチング特性については。
そのエツチング機構から次のように説明することができ
る。Ｆ （ラジカル）は単結晶シリコンや多結晶シリコ
ン中の８ｉと容易に反応しアｙ〆一カットの原因となる
が、ＣＩ （ラジカル）はこれらの８１とは全く反応し
ない。しかしながら、Ｐドープ多結晶シリコン中のＰと
反応してＰＣＪ、或い□はＰ、Ｃｊ、を形成し、その結
果Ｐドーグ多結多結晶シリコン中ｉの〆ンダツンダがン
ドが生じる。そのために８１はＣｊと反応し易くなる。
る。Ｆ （ラジカル）は単結晶シリコンや多結晶シリコ
ン中の８ｉと容易に反応しアｙ〆一カットの原因となる
が、ＣＩ （ラジカル）はこれらの８１とは全く反応し
ない。しかしながら、Ｐドープ多結晶シリコン中のＰと
反応してＰＣＪ、或い□はＰ、Ｃｊ、を形成し、その結
果Ｐドーグ多結多結晶シリコン中ｉの〆ンダツンダがン
ドが生じる。そのために８１はＣｊと反応し易くなる。
すなわち、不純物を含まないシリコンはエツチングガス
としてＣＪＩ、を用ればアンダーカットは生じないが、
Ｐ等′の不純賛、 物を含むシリコンではＣＩ との反応によりアンダーカ
ツトが生じ易くなる。
としてＣＪＩ、を用ればアンダーカットは生じないが、
Ｐ等′の不純賛、 物を含むシリコンではＣＩ との反応によりアンダーカ
ツトが生じ易くなる。
Ｈ，ガスの添加によりＣＩ はＨＣｊとしてエツチング
室外に排気される。このため、Ｐドーグ多結晶シリコン
のエツチング速度はＨ，ｔｌｌ量の増加に伴って減少し
、最終的には単結晶シリコンのそれと同等の値を示すよ
うになる。酸化シリコンのエツチング速度がＨ２流量（
二比例して増加するのは、Ｈ８添加により陰極降下電圧
が増大することに起因すると考えられる。
室外に排気される。このため、Ｐドーグ多結晶シリコン
のエツチング速度はＨ，ｔｌｌ量の増加に伴って減少し
、最終的には単結晶シリコンのそれと同等の値を示すよ
うになる。酸化シリコンのエツチング速度がＨ２流量（
二比例して増加するのは、Ｈ８添加により陰極降下電圧
が増大することに起因すると考えられる。
第４図（Ｍ） （ｂ）は前起第２図に示した試料を異な
るＨｔ ／ ＣＡｓ流量比でエツチングしたそれぞれの
エッチンググロファイルを示す図である。第４図（ａ）
は前記第３図に示す曲線五〇ａ３点、つまｙ １ ｏ
Ｏ（％）Ｃｊ＊でエツチングした状態である。この図か
ら明らかなようＣＰドープ多結晶シツコン膜１１にアン
〆一カットカを生じてＩ／）る第Ｖ図（ｂ）は上記曲線
人の１３点、すなわち本実施例と同じＨ＊／Ｃｊ＊流量
比４０〔％〕でエツチングした状態である。この図から
明らカミなようにアンダーカットもなく垂直なエツチン
グ壁カニ得られている。しかも、下地の熱酸化シリコン
膜１２には残渣もなく、そのエツチング面も非常に滑ら
かであった。つまり、ｉ述した条件の本実施例方法によ
れば、Ｐドープ多結晶シリコン膜ＩＪであっても効果的
にエツチングすることができる。なお、このときのＰド
ープ多結晶シラコン膜１３とＳｔＯ，膜１２とのエツチ
ング速度比は１００〔％〕Ｃ！、ガスの場合より小さい
ものの十分な値であった。また、第５図は従来のエツチ
ングガス、例えばＣを含むガスとしてＣ（、＃４により
前記試料８をエツチングした状態を示したもので、アン
ダーカットは生じていないが、熱酸化シラコン膜１２の
表Ｗ１１：多くの残渣１５が見られた。
るＨｔ ／ ＣＡｓ流量比でエツチングしたそれぞれの
エッチンググロファイルを示す図である。第４図（ａ）
は前記第３図に示す曲線五〇ａ３点、つまｙ １ ｏ
Ｏ（％）Ｃｊ＊でエツチングした状態である。この図か
ら明らかなようＣＰドープ多結晶シツコン膜１１にアン
〆一カットカを生じてＩ／）る第Ｖ図（ｂ）は上記曲線
人の１３点、すなわち本実施例と同じＨ＊／Ｃｊ＊流量
比４０〔％〕でエツチングした状態である。この図から
明らカミなようにアンダーカットもなく垂直なエツチン
グ壁カニ得られている。しかも、下地の熱酸化シリコン
膜１２には残渣もなく、そのエツチング面も非常に滑ら
かであった。つまり、ｉ述した条件の本実施例方法によ
れば、Ｐドープ多結晶シリコン膜ＩＪであっても効果的
にエツチングすることができる。なお、このときのＰド
ープ多結晶シラコン膜１３とＳｔＯ，膜１２とのエツチ
ング速度比は１００〔％〕Ｃ！、ガスの場合より小さい
ものの十分な値であった。また、第５図は従来のエツチ
ングガス、例えばＣを含むガスとしてＣ（、＃４により
前記試料８をエツチングした状態を示したもので、アン
ダーカットは生じていないが、熱酸化シラコン膜１２の
表Ｗ１１：多くの残渣１５が見られた。
したがって１本実施例方法のようにＨ＊ ／ Ｃｊ＊流
量比を４０〔％〕程一度にしてエツチングを行なえば、
被エツチング物としてのＰドープ多結晶シリコン化合物
にアンダーカツトや残渣等が発生するのを防止すること
ができ、信頼性の高いエツチングを行ない得る。
量比を４０〔％〕程一度にしてエツチングを行なえば、
被エツチング物としてのＰドープ多結晶シリコン化合物
にアンダーカツトや残渣等が発生するのを防止すること
ができ、信頼性の高いエツチングを行ない得る。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、〜前記被エツチング物としては、Ｐドーグ
多結晶νツコンに限るものではなく、不一物のドープさ
れたＶリコス或いは不純物のドープされていないシリコ
ンにも適用できる。さらに、シリコン化合物に適用する
ことも可能である。また、Ｈ＊／Ｃｊｍ１９ｉ量比は４
０〔％〕に限定されるものではなく、仕様に応じて適宜
定めればよい。ただし、残渣の発生を防止する点から見
ると不純物を含むシリコンの場合、上記Ｈ、／ Ｃノ、
流量比は２０（％〕以上とすることが望ましい。
い。例えば、〜前記被エツチング物としては、Ｐドーグ
多結晶νツコンに限るものではなく、不一物のドープさ
れたＶリコス或いは不純物のドープされていないシリコ
ンにも適用できる。さらに、シリコン化合物に適用する
ことも可能である。また、Ｈ＊／Ｃｊｍ１９ｉ量比は４
０〔％〕に限定されるものではなく、仕様に応じて適宜
定めればよい。ただし、残渣の発生を防止する点から見
ると不純物を含むシリコンの場合、上記Ｈ、／ Ｃノ、
流量比は２０（％〕以上とすることが望ましい。
また、実用化に際しては装置内の金属材料による汚染を
防ぐために、Ｃ１０＠ Ｃ＠ Ｐ ＠等のＣ−？系ブス
にＨ３を加えたガスで予めグロー放電させることにより
、弗素樹脂系高分子膜を陽極金体に堆積させたのち１本
発明方法を実施するとよい。
防ぐために、Ｃ１０＠ Ｃ＠ Ｐ ＠等のＣ−？系ブス
にＨ３を加えたガスで予めグロー放電させることにより
、弗素樹脂系高分子膜を陽極金体に堆積させたのち１本
発明方法を実施するとよい。
また％前記実施例方法に使用したドライエツチング装置
はこれに限定されるものではなく、適宜変更できるのは
勿論のことである。その他。
はこれに限定されるものではなく、適宜変更できるのは
勿論のことである。その他。
本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。
ることができる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用したドライエツチ
ング装置を示す概略構成図、第２図は上記実施例方法で
使用した試料を示す図、＠３図および＠４図（ａ）（ｂ
）はそれぞれ上記実施例の作用を説明するためのもので
第３図はＰドープ多結晶シリコン、単結晶シリコンおよ
び熱酸化シラコン膜のＨ＊ ／ Ｃｊ 型床量比に対す
るエツチング速度を示す特性図、第４図（ｍＨｂ）は上
記試料のエッチンググロファイルを示す断面図、第５図
はＶ前例として従来のＣＣｊ、ガスを用いて試料をエツ
チングした場合のエツチングｆａファイルを示す断面図
である。 １１・・・シリコンクニー八、１２・・・シリコン酸化
膜（８４０，）、ＩＳ・・・Ｐｒ−！多結晶シラコン膜
、１４・・・レジスト、１５・・・残渣。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦津１図 才２図 才３図 ；１− ０ ２０ ４０ ６０ ８０
１００Ｈ／２． （”／ｅ ） − 矛４図
ング装置を示す概略構成図、第２図は上記実施例方法で
使用した試料を示す図、＠３図および＠４図（ａ）（ｂ
）はそれぞれ上記実施例の作用を説明するためのもので
第３図はＰドープ多結晶シリコン、単結晶シリコンおよ
び熱酸化シラコン膜のＨ＊ ／ Ｃｊ 型床量比に対す
るエツチング速度を示す特性図、第４図（ｍＨｂ）は上
記試料のエッチンググロファイルを示す断面図、第５図
はＶ前例として従来のＣＣｊ、ガスを用いて試料をエツ
チングした場合のエツチングｆａファイルを示す断面図
である。 １１・・・シリコンクニー八、１２・・・シリコン酸化
膜（８４０，）、ＩＳ・・・Ｐｒ−！多結晶シラコン膜
、１４・・・レジスト、１５・・・残渣。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦津１図 才２図 才３図 ；１− ０ ２０ ４０ ６０ ８０
１００Ｈ／２． （”／ｅ ） − 矛４図
Claims (2)
- （１）エッチング室内に対向配置された平行平板電極間
に高周波電力を印加すると共に、該エッチング室内に反
応性ガスを導入して上記各電極間にプラズマを生成し、
このプラズマによってシリコン或いはシリコン化合物を
エツチングするに際し、前記反応性ガスとして塩素と水
素との混−合ガスを使用することを特徴とする反応性イ
オンエツチング方法。 - （２） ＩＱ記反応性ガスとしての塩素および水素の
流量比は、水素流量が塩素流量の１０（％〕以上である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の反応性イ
オンエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15148781A JPS5855568A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 反応性イオンエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15148781A JPS5855568A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 反応性イオンエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855568A true JPS5855568A (ja) | 1983-04-01 |
| JPH0251987B2 JPH0251987B2 (ja) | 1990-11-09 |
Family
ID=15519568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15148781A Granted JPS5855568A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 反応性イオンエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855568A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS619839A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光学的記録及び再生方法 |
| JPS61214524A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-24 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | 半導体デバイスの製造方法 |
| AT387989B (de) * | 1987-09-01 | 1989-04-10 | Miba Gleitlager Ag | Vorrichtung zur behandlung von als kathode geschalteten innenflaechen von gegenstaenden durch ionenbeschuss aus einer gasentladung |
| US4992134A (en) * | 1989-11-14 | 1991-02-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dopant-independent polysilicon plasma etch |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP15148781A patent/JPS5855568A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS619839A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光学的記録及び再生方法 |
| JPS61214524A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-24 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | 半導体デバイスの製造方法 |
| AT387989B (de) * | 1987-09-01 | 1989-04-10 | Miba Gleitlager Ag | Vorrichtung zur behandlung von als kathode geschalteten innenflaechen von gegenstaenden durch ionenbeschuss aus einer gasentladung |
| US4992134A (en) * | 1989-11-14 | 1991-02-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dopant-independent polysilicon plasma etch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0251987B2 (ja) | 1990-11-09 |
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