JPH0223619A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0223619A JPH0223619A JP17411688A JP17411688A JPH0223619A JP H0223619 A JPH0223619 A JP H0223619A JP 17411688 A JP17411688 A JP 17411688A JP 17411688 A JP17411688 A JP 17411688A JP H0223619 A JPH0223619 A JP H0223619A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にシリコン
酸化膜のエツチング形状の制御に関する。
酸化膜のエツチング形状の制御に関する。
［従来の技術］
従来のシリコン酸化膜のエツチングで、テーパー角を制
御するには、例えば第１図のような構造の反応性イオン
エツチング（ＲＩ Ｅ）では、ガス流量やガス圧、及び
高周波パワーを変化させるという方法を用いていた。
御するには、例えば第１図のような構造の反応性イオン
エツチング（ＲＩ Ｅ）では、ガス流量やガス圧、及び
高周波パワーを変化させるという方法を用いていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来の技術では、フロローボンガスがプ
ラズマ状態のときに発生させる。耐エツチング性のカー
ボン系ポリマーの発生量を制御することが困難であり、
又、制御できる範囲も狭い。つまり、カーボン系ポリマ
ーの発生量によって決定されるテーパー角の制御が困難
となる。
ラズマ状態のときに発生させる。耐エツチング性のカー
ボン系ポリマーの発生量を制御することが困難であり、
又、制御できる範囲も狭い。つまり、カーボン系ポリマ
ーの発生量によって決定されるテーパー角の制御が困難
となる。
そこで本発明は、このような課題を解決するもので、そ
の目的とするところは、任意のテーパー角をもった形状
にエツチングする方法を提供するところにある。
の目的とするところは、任意のテーパー角をもった形状
にエツチングする方法を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置の製造方法は、フロロカボンを主ガ
スとして、該主ガスに２５％未満の酸素又は六フッ化硫
黄もしくは、２０％未満の酸素と六フッ化硫黄の混合ガ
スを添加ガスとして混合し、この混合の割合により、任
意のテーパー角をもった形状にエツチングすることを特
徴とする。
スとして、該主ガスに２５％未満の酸素又は六フッ化硫
黄もしくは、２０％未満の酸素と六フッ化硫黄の混合ガ
スを添加ガスとして混合し、この混合の割合により、任
意のテーパー角をもった形状にエツチングすることを特
徴とする。
［イ乍 用］
シリコン酸化膜をフロロカーボンでエツチングする場合
、発生するカーボン系ポリマーは、被エツチング部の側
壁に付着し、横方向へのエツチングを阻止する。このカ
ーボン系ポリマーの発生量が多いほどテーパー角の大き
な形状になる。ここで、カーボン系ポリマーの除去が可
能な六フッ化硫黄又は酸素を添加ガスとして混合すると
、エツチングを行いながら、カーボン系ポリマーの除去
が可能となり、カーボン系ポリマーの発生量を添加ガス
で制御することが可能となり、テーパー角を制御すると
いう事が可能となる。
、発生するカーボン系ポリマーは、被エツチング部の側
壁に付着し、横方向へのエツチングを阻止する。このカ
ーボン系ポリマーの発生量が多いほどテーパー角の大き
な形状になる。ここで、カーボン系ポリマーの除去が可
能な六フッ化硫黄又は酸素を添加ガスとして混合すると
、エツチングを行いながら、カーボン系ポリマーの除去
が可能となり、カーボン系ポリマーの発生量を添加ガス
で制御することが可能となり、テーパー角を制御すると
いう事が可能となる。
以上、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明の実施例で使用したエツチング装置の
構造で、カソード電極１０２上で被エツチング物を加工
するもので、一般に、反応性イオンエツチング（以下Ｒ
ＩＥと略す）と呼ばれる装置である。
構造で、カソード電極１０２上で被エツチング物を加工
するもので、一般に、反応性イオンエツチング（以下Ｒ
ＩＥと略す）と呼ばれる装置である。
第２図は、本実施例で用いたエツチングサンプルの断面
構造で、シリコン基板２０１上にＣＶＤによるシリコン
酸化膜２０３を２０００人形成し、拡散層２０２とコン
タクトをとるための穴をあけるため、フォトレジスト２
０５によるマスクを形成しである。
構造で、シリコン基板２０１上にＣＶＤによるシリコン
酸化膜２０３を２０００人形成し、拡散層２０２とコン
タクトをとるための穴をあけるため、フォトレジスト２
０５によるマスクを形成しである。
第１図のＲＩＥにおいて、ＣＨＦ５を５０ｓｅｃｍ、ガ
ス圧を５０ｍＴｏｒｒ、高周波パワーを２００ｗとして
、添加ガスとして酸素を５ｓｅｃｍと１０１０５ｅ混合
したときの形状を第３図に示す。このときのテーパー角
はそれぞれ７８″′８４°であった。
ス圧を５０ｍＴｏｒｒ、高周波パワーを２００ｗとして
、添加ガスとして酸素を５ｓｅｃｍと１０１０５ｅ混合
したときの形状を第３図に示す。このときのテーパー角
はそれぞれ７８″′８４°であった。
このようにシリコン酸化膜をエツチングする場合、酸素
の添加量によってテーパー角の制御が容易となる。
の添加量によってテーパー角の制御が容易となる。
なお、第３図に酸素を添加した場合の形状を示したが１
２、フッ化硫黄及び酸素と六フッ化硫黄を添加ガスとし
て混合した場合も第４図に示すように同様な効果がみら
れる。
２、フッ化硫黄及び酸素と六フッ化硫黄を添加ガスとし
て混合した場合も第４図に示すように同様な効果がみら
れる。
又、本実施例では第１図に示すＲＩＥでの結果を示した
が、他の装置、例えばマイクロ波によってプラズマを発
生させエツチングを行う装置でも同様な効果がみられる
。
が、他の装置、例えばマイクロ波によってプラズマを発
生させエツチングを行う装置でも同様な効果がみられる
。
又、被エツチング材料であるシリコン酸化膜は、本実施
例ではＣＶＤによって形成したものであったが、これに
限るものでなく、熱酸化膜でも同様な効果がみられる。
例ではＣＶＤによって形成したものであったが、これに
限るものでなく、熱酸化膜でも同様な効果がみられる。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明によれば、六フッ化硫黄又は
酸素の単独もしくは、これらを組み合せ、添加ガスとし
て混合したガスでエツチングする事で、テーパー角を７
２°〜９０°まで任意な角度にする事ができた。
酸素の単独もしくは、これらを組み合せ、添加ガスとし
て混合したガスでエツチングする事で、テーパー角を７
２°〜９０°まで任意な角度にする事ができた。
第１図は本実施例で用いたエツチング装置の構造を示す
図である。 第２図は本実施例で用いたエツチングサンプルの断面図
である。 第３図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ酸素を５ｓｅｃｍ、１
０１０５ｅ混合してエツチングしたときの形状を示す図
である。 第４図は本実施例における添加ガスの種類及び混合割合
と、テーパー角の関係を示すグラフである。 １０１ ・・・・・・・エツチング室 １０２・ ・ ・・・・・カソード電極１０３・・・・
・・・アノード電極 １０４・・・・・・・ガス導入口 １０５・・・・・・・ガス排出口 １０６・・・・・・・１３．５６ＭＨｚ高周波発生装置 ２０１．３０１・・・シリコン基板 ２０２．３０２・・・拡散層 ２０３．３０３・・・シリコン酸化膜 ２０４．３０４・・・ゲート電極 ２０５． ３０５ ・ フォトレジストマスク 以 上
図である。 第２図は本実施例で用いたエツチングサンプルの断面図
である。 第３図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ酸素を５ｓｅｃｍ、１
０１０５ｅ混合してエツチングしたときの形状を示す図
である。 第４図は本実施例における添加ガスの種類及び混合割合
と、テーパー角の関係を示すグラフである。 １０１ ・・・・・・・エツチング室 １０２・ ・ ・・・・・カソード電極１０３・・・・
・・・アノード電極 １０４・・・・・・・ガス導入口 １０５・・・・・・・ガス排出口 １０６・・・・・・・１３．５６ＭＨｚ高周波発生装置 ２０１．３０１・・・シリコン基板 ２０２．３０２・・・拡散層 ２０３．３０３・・・シリコン酸化膜 ２０４．３０４・・・ゲート電極 ２０５． ３０５ ・ フォトレジストマスク 以 上
Claims (1)
- フロロカーボンを主ガスとして、該主ガスに２５％未満
の酸素又は六フッ化硫黄もしくは、２０％未満の酸素と
六フッ化硫黄の混合ガスを添加ガスとして混合し、この
混合の割合により、任意のテーパー角をもった形状にエ
ッチングする事を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17411688A JPH0223619A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17411688A JPH0223619A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0223619A true JPH0223619A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15972920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17411688A Pending JPH0223619A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0223619A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0657606A (ja) * | 1991-12-19 | 1994-03-01 | Theodor Groz & Soehne & E Beckert Nadelfab Kg | ループを形成する織機のためのべら針 |
| JPH07150451A (ja) * | 1993-10-06 | 1995-06-13 | Theodor Groz & Soehne & E Beckert Nadelfab Kg | 繊維機械用のべら針 |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP17411688A patent/JPH0223619A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0657606A (ja) * | 1991-12-19 | 1994-03-01 | Theodor Groz & Soehne & E Beckert Nadelfab Kg | ループを形成する織機のためのべら針 |
| JPH07150451A (ja) * | 1993-10-06 | 1995-06-13 | Theodor Groz & Soehne & E Beckert Nadelfab Kg | 繊維機械用のべら針 |
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