JPS62250643A - プラズマエツチング方法 - Google Patents
プラズマエツチング方法Info
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- JPS62250643A JPS62250643A JP9509186A JP9509186A JPS62250643A JP S62250643 A JPS62250643 A JP S62250643A JP 9509186 A JP9509186 A JP 9509186A JP 9509186 A JP9509186 A JP 9509186A JP S62250643 A JPS62250643 A JP S62250643A
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- Japan
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- gas
- etching
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- etched
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、六ふっ化硫黄（ＳＦ６）ガス中にプラズマを
発生させてシリコンのエツチングを行うプラズマエツチ
ング方法に関する。
発生させてシリコンのエツチングを行うプラズマエツチ
ング方法に関する。
ＳＦ、ガスを用いてプラズマエツチングを行う場合、被
エツチング部材の表面において均一なエツチング量を得
るためには、反応槽内の真空度、電極間隔、放電電力等
のパラメータの調整が行われる。しかしこれらのパラメ
ータの調整のみでは限界があり、満足な均一度を得るこ
とは期待できない、特に半導体圧力センサの製造のため
に、ＩＣラインに適合する４インチ径で約４５０−の厚
さのシリコンウェハから中央に２５ｎ厚さ程度のダイヤ
フラム部を有する多数のセンサチップの形成をプラズマ
エツチングで行う場合、エツチング量のばらつきは感度
を決定するダイヤフラム部の厚さのばらつきとなり、Ｓ
Ｆａによるプラズマエツチングの実用化のさまたげとな
っていた。
エツチング部材の表面において均一なエツチング量を得
るためには、反応槽内の真空度、電極間隔、放電電力等
のパラメータの調整が行われる。しかしこれらのパラメ
ータの調整のみでは限界があり、満足な均一度を得るこ
とは期待できない、特に半導体圧力センサの製造のため
に、ＩＣラインに適合する４インチ径で約４５０−の厚
さのシリコンウェハから中央に２５ｎ厚さ程度のダイヤ
フラム部を有する多数のセンサチップの形成をプラズマ
エツチングで行う場合、エツチング量のばらつきは感度
を決定するダイヤフラム部の厚さのばらつきとなり、Ｓ
Ｆａによるプラズマエツチングの実用化のさまたげとな
っていた。
本発明は、上記の欠点を除去して大きな面積をもつシリ
コンよりなる被エツチング部材の全面にわたって均一な
エツチング量でのエツチングを可能にするＳＦ、ガスを
用いたプラズマエツチング方法を提供することを目的と
する。
コンよりなる被エツチング部材の全面にわたって均一な
エツチング量でのエツチングを可能にするＳＦ、ガスを
用いたプラズマエツチング方法を提供することを目的と
する。
本発明は、ＳＰ、ガスと０諺ガスの混合気体中にプラズ
マを発生させてプラズマエツチングを行う際に、被エツ
チング部材の表面の中央部と周辺部とのエツチング速度
の関係が０３ガスの含有量によって変化するとの認識に
基づくもので、中央部と周辺部とのエツチング速度が等
しくなる０８ガス含育量を予め見出しておき、そのよう
な０８ガスを含有する混合気体を用いることにより、被
エツチング材の面内で均一なエツチング量が得ることが
でき、上述の目的が達成される。
マを発生させてプラズマエツチングを行う際に、被エツ
チング部材の表面の中央部と周辺部とのエツチング速度
の関係が０３ガスの含有量によって変化するとの認識に
基づくもので、中央部と周辺部とのエツチング速度が等
しくなる０８ガス含育量を予め見出しておき、そのよう
な０８ガスを含有する混合気体を用いることにより、被
エツチング材の面内で均一なエツチング量が得ることが
でき、上述の目的が達成される。
第１図は本発明の一実施例に用いるプラズマエツチング
装置を示し、反応槽１内には陽極板２と陰極板３が対向
配置されている。陰極板上にＭよりなるマスクを被着し
たシリコンウェハ４を置き、槽内を排気管５より真空排
気し、ガス導入管６からは、尋人ロアからのＳＰ＆ガス
、導入口８からのＯ２ガスを混合導入し、電源９により
１３．５６ＭＨ２の高周波電力を両極板２．３間に印加
して両極板間の空間１０にプラズマを発生させ、ウェハ
４のマスクに覆われない面をエツチングする。今、第２
図に示すように、厚さｔが４５５−の４インチシリコン
ウェハ４に深さｄが４３０Ｉ１ｍで直径りが２鶴の凹部
４１を３．５ｆｉピンチで多数形成する場合、Ｏ！ガス
の添加はＳＦ、の分解により生ずるＳを酸化してＳＯｘ
にし、Ｓの作用を阻止するのでエツチング速度が高まる
が、０．の含有量を次第に増加させていくと、面内のエ
ツチング量のばらつき、すなわち外周部のエツチング量
と中心部のエツチング量の差は第３図のように変化する
。＋は外周部が中心部よりエツチング速度が早いこと、
−は中心部が外周部よりエツチング速度が速いことを示
している。０雪含有量が少ない間は中心付近のエツチン
グ速度が速く、０．含ｆｌｉｔの増加と共にエツチング
量のばらつきは減少し、含有ＮＡにおいてＯになる。こ
れを過ぎると外周部の方がエツチング速度が速くなり、
含有ｆｉＢにおいてばらつきが最大となる。それを過ぎ
ると０８含有量の増加と共に減少して含を量Ｃにおいて
再びばらつきが０になる。さらにこの点を過ぎると、再
びエツチング速度は中心部が早い領域となり、Ｏ８含存
量の増加と共にエツチング量のばらつきが増加していく
、この結果より得られたエツチング量の面内ばらつきが
ＯとなるＡ。 Ｃ付近になるようにＯ８量を制御してシリコンウェハの
プラズマエツチングを行ワた結果、エツチング量が４３
０±５．ｎの範囲に入る領域は第４図に斜線で示した領
域１１となり、点線１２で示したウニ八面内の育効利用
領域の面積に対して１１５％の面積を有する。これは、
ＳＦ、ガスのみを用いてプラズマエツチングした場合の
第５図に示した結果、すなわちエツチング量が４３０±
５＃ｓの範囲に入る面？ｆｆ１ｌが面内有効面積１２の
２６％になったのに比較すれば著しく改善されたことが
わかる。
装置を示し、反応槽１内には陽極板２と陰極板３が対向
配置されている。陰極板上にＭよりなるマスクを被着し
たシリコンウェハ４を置き、槽内を排気管５より真空排
気し、ガス導入管６からは、尋人ロアからのＳＰ＆ガス
、導入口８からのＯ２ガスを混合導入し、電源９により
１３．５６ＭＨ２の高周波電力を両極板２．３間に印加
して両極板間の空間１０にプラズマを発生させ、ウェハ
４のマスクに覆われない面をエツチングする。今、第２
図に示すように、厚さｔが４５５−の４インチシリコン
ウェハ４に深さｄが４３０Ｉ１ｍで直径りが２鶴の凹部
４１を３．５ｆｉピンチで多数形成する場合、Ｏ！ガス
の添加はＳＦ、の分解により生ずるＳを酸化してＳＯｘ
にし、Ｓの作用を阻止するのでエツチング速度が高まる
が、０．の含有量を次第に増加させていくと、面内のエ
ツチング量のばらつき、すなわち外周部のエツチング量
と中心部のエツチング量の差は第３図のように変化する
。＋は外周部が中心部よりエツチング速度が早いこと、
−は中心部が外周部よりエツチング速度が速いことを示
している。０雪含有量が少ない間は中心付近のエツチン
グ速度が速く、０．含ｆｌｉｔの増加と共にエツチング
量のばらつきは減少し、含有ＮＡにおいてＯになる。こ
れを過ぎると外周部の方がエツチング速度が速くなり、
含有ｆｉＢにおいてばらつきが最大となる。それを過ぎ
ると０８含有量の増加と共に減少して含を量Ｃにおいて
再びばらつきが０になる。さらにこの点を過ぎると、再
びエツチング速度は中心部が早い領域となり、Ｏ８含存
量の増加と共にエツチング量のばらつきが増加していく
、この結果より得られたエツチング量の面内ばらつきが
ＯとなるＡ。 Ｃ付近になるようにＯ８量を制御してシリコンウェハの
プラズマエツチングを行ワた結果、エツチング量が４３
０±５．ｎの範囲に入る領域は第４図に斜線で示した領
域１１となり、点線１２で示したウニ八面内の育効利用
領域の面積に対して１１５％の面積を有する。これは、
ＳＦ、ガスのみを用いてプラズマエツチングした場合の
第５図に示した結果、すなわちエツチング量が４３０±
５＃ｓの範囲に入る面？ｆｆ１ｌが面内有効面積１２の
２６％になったのに比較すれば著しく改善されたことが
わかる。
本発明によれば、プラズマエツチングによるシリコンの
エツチング量の面内のばらつきがＳＦ、ガスにある含有
量の０．ガスを添加した場合に０となることを利用して
、０！ガス含を量を制御することにより大口径のシリコ
ンウェハから同じ深さのエツチングが行われた多数のチ
ップを得ることが可能となった。特に、感度を決定する
ダイでフラム部の厚さが均一なことを要求される半導体
圧力センサのチップの製造に極めて有効である。
エツチング量の面内のばらつきがＳＦ、ガスにある含有
量の０．ガスを添加した場合に０となることを利用して
、０！ガス含を量を制御することにより大口径のシリコ
ンウェハから同じ深さのエツチングが行われた多数のチ
ップを得ることが可能となった。特に、感度を決定する
ダイでフラム部の厚さが均一なことを要求される半導体
圧力センサのチップの製造に極めて有効である。
第１図は本発明の一実施例に用いる装置の断面図、第２
図はこの装置でシリコンウェハに形成される凹部の断面
図、第３図はシリコンウェハ面内のエツチング量のばら
つきとＳｆ’６ガス中の０鵞ガス含有量との関係曲線図
、第４図は本発明の一実施例によるシリコンウェハのエ
ツチング量が所定の範囲にある領域を示す平面図、第５
図は従来の方法による場合の同様な領域を示す平面図で
ある。 ｌ：反応槽、２：陽極板、３：陰極板、４：Ｓｉウェハ
、７：ＳＦ、ガス導入口、８：ｏ、ガス導入口、９：高
周波電源。 ＠１図 第２図 ０２言冶１計 七Ｉン０１０ ｓ３図 第４図 哨５図
図はこの装置でシリコンウェハに形成される凹部の断面
図、第３図はシリコンウェハ面内のエツチング量のばら
つきとＳｆ’６ガス中の０鵞ガス含有量との関係曲線図
、第４図は本発明の一実施例によるシリコンウェハのエ
ツチング量が所定の範囲にある領域を示す平面図、第５
図は従来の方法による場合の同様な領域を示す平面図で
ある。 ｌ：反応槽、２：陽極板、３：陰極板、４：Ｓｉウェハ
、７：ＳＦ、ガス導入口、８：ｏ、ガス導入口、９：高
周波電源。 ＠１図 第２図 ０２言冶１計 七Ｉン０１０ ｓ３図 第４図 哨５図
Claims (1)
- １）六ふっ化硫黄（ＳＦ＿６）ガス中にプラズマを発生
させてシリコンのエッチングを行う方法において、ＳＦ
＿６ガスに酸素（Ｏ＿２）ガスを混合した場合に被エッ
チング部材表面の中央部と周辺部とのエッチング速度が
等しくなるＯ＿２ガス含有量を予め見出し、該Ｏ＿２ガ
ス含有量を有する混合気体を用いることを特徴とするプ
ラズマエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61095091A JPH0666301B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | プラズマエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61095091A JPH0666301B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | プラズマエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62250643A true JPS62250643A (ja) | 1987-10-31 |
| JPH0666301B2 JPH0666301B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=14128240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61095091A Expired - Lifetime JPH0666301B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | プラズマエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666301B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02201925A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Fuji Electric Co Ltd | 深掘りエッチング方法 |
| JPH02275626A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-11-09 | Fuji Electric Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH03155622A (ja) * | 1989-08-05 | 1991-07-03 | Fuji Electric Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH0418726A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Fuji Electric Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| US5401359A (en) * | 1990-07-27 | 1995-03-28 | Sony Corporation | Dry etching method |
| JP2004087896A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JP2006295031A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ITTV940060U1 (it) * | 1994-11-23 | 1996-05-23 | Tecnica Spa | Struttura di calzatura impermeabile. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61171127A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング方法 |
-
1986
- 1986-04-24 JP JP61095091A patent/JPH0666301B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61171127A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02275626A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-11-09 | Fuji Electric Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH02201925A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Fuji Electric Co Ltd | 深掘りエッチング方法 |
| JPH03155622A (ja) * | 1989-08-05 | 1991-07-03 | Fuji Electric Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH0418726A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Fuji Electric Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| US5401359A (en) * | 1990-07-27 | 1995-03-28 | Sony Corporation | Dry etching method |
| JP2004087896A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JP2006295031A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666301B2 (ja) | 1994-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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