JPS62269318A - シリコン酸化膜のエツチング方法 - Google Patents
シリコン酸化膜のエツチング方法Info
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- JPS62269318A JPS62269318A JP11261086A JP11261086A JPS62269318A JP S62269318 A JPS62269318 A JP S62269318A JP 11261086 A JP11261086 A JP 11261086A JP 11261086 A JP11261086 A JP 11261086A JP S62269318 A JPS62269318 A JP S62269318A
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- etching
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- oxide film
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコン酸化膜のエツチング方法に係り、特
にシリコンおよびレジストとの高選択性エツチングに好
適なシリコン酸化膜のエツチング方法に関するものであ
る。
にシリコンおよびレジストとの高選択性エツチングに好
適なシリコン酸化膜のエツチング方法に関するものであ
る。
シリコン酸化膜をプラズマによりエツチングするに際し
、エツチングガスとしては、ＣＨＦ ａやＣＦ４＋Ｈ２
混合ガス等が用いられている。
、エツチングガスとしては、ＣＨＦ ａやＣＦ４＋Ｈ２
混合ガス等が用いられている。
なお、この種の技術に関連するものとしては、例えば、
ソリッド・ステート・エレクトロニクス。
ソリッド・ステート・エレクトロニクス。
１８巻（１９７５）、第１１４６頁から第１１４７頁（
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、
Ｖｏｌ、 ｌ ８ （１９７５）、ＰＰ１１４６−１１
４７）、特開昭５０−３６０７５号、特開昭５６−１５
８８７３号等が挙げられる。
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、
Ｖｏｌ、 ｌ ８ （１９７５）、ＰＰ１１４６−１１
４７）、特開昭５０−３６０７５号、特開昭５６−１５
８８７３号等が挙げられる。
従来のＣＨＦ３やＣＦ４＋Ｈ２混合ガスをエツチングガ
スに用いたシリコン酸化膜のエツチングでは。
スに用いたシリコン酸化膜のエツチングでは。
シリコンとの選択比が１０前後、レジストとの選択比は
３前後であり、半導体素子デバイスの信頼ぐ 性γ歩留りが低下する要因となっていた。
３前後であり、半導体素子デバイスの信頼ぐ 性γ歩留りが低下する要因となっていた。
本発明の目的は、シリコン酸化膜のシリコンおよびレジ
ストとの高選択性エツチングを可能とすることで、半導
体素子デバイスの信頼性や歩留りを向上できるシリコン
酸化膜のエツチング方法を提供することにある。
ストとの高選択性エツチングを可能とすることで、半導
体素子デバイスの信頼性や歩留りを向上できるシリコン
酸化膜のエツチング方法を提供することにある。
上記目的は、シリコン酸化膜のエツチングガスとして、
ＣＨＦ３とＣＨ２Ｆ２と０２との混合ガス若しくはＣＨ
ＦａとＣＨ３Ｆと０２ との混合ガスを用いることに
より、達成される。
ＣＨＦ３とＣＨ２Ｆ２と０２との混合ガス若しくはＣＨ
ＦａとＣＨ３Ｆと０２ との混合ガスを用いることに
より、達成される。
シリコン酸化膜をエツチングする場合、シリコンおよび
レジストとの選択比を得るために、重合物を生成し易い
ガスをエツチングガスに用いるが、該エツチングガスが
ＣＨＦ３単独ガスでは、その制御性に限界がある。そこ
で、さらに重合物を生成し易いＣＨ２Ｆ２若しくはＣＨ
３ＦをＣＨＦ’３に添加し、また、生成された重合物を
除去するために０２を添加することで、シリコン酸化膜
のシリコンおよびレジストとの高選択性エツチングを行
うことができる。
レジストとの選択比を得るために、重合物を生成し易い
ガスをエツチングガスに用いるが、該エツチングガスが
ＣＨＦ３単独ガスでは、その制御性に限界がある。そこ
で、さらに重合物を生成し易いＣＨ２Ｆ２若しくはＣＨ
３ＦをＣＨＦ’３に添加し、また、生成された重合物を
除去するために０２を添加することで、シリコン酸化膜
のシリコンおよびレジストとの高選択性エツチングを行
うことができる。
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。
ＣＨＦ５ガス６、ＣＨ２Ｆ２若し畷はＣＨ３Ｆガス７゜
〆 ０２ガス８をそえぞれ、マスフローコントローラ２を介
し、エツチングチャンバ１に導入し、コンダクタンスバ
ルブ３により圧力を調整し、高周波電源４によりエツチ
ングチャンバ１内擾こプラズマを発生させエツチングを
行う。第１図は平行平板型バッチ式ドライエツチング装
置を例としたが、その他のドライエツチング装置におい
ても適用可能である。
〆 ０２ガス８をそえぞれ、マスフローコントローラ２を介
し、エツチングチャンバ１に導入し、コンダクタンスバ
ルブ３により圧力を調整し、高周波電源４によりエツチ
ングチャンバ１内擾こプラズマを発生させエツチングを
行う。第１図は平行平板型バッチ式ドライエツチング装
置を例としたが、その他のドライエツチング装置におい
ても適用可能である。
発生したプラズマ中の種々のイオンの化学反応およびス
パッタ作用によりエツチングが進行すると同時に、Ｃ−
Ｈの結合により重合物が形成され、エツチングを阻止し
ようとする機能をもたし、そのバランスなＣＨ２Ｆ’２
ガス７と０２ガス８あるいはＣＨ３Ｆガス７と０２ガス
８の流量を調整することにより、ウェハ５のシリコン酸
化膜のエツチングにおいて、シリコンおよびレジストと
の選択性が向上する。
パッタ作用によりエツチングが進行すると同時に、Ｃ−
Ｈの結合により重合物が形成され、エツチングを阻止し
ようとする機能をもたし、そのバランスなＣＨ２Ｆ’２
ガス７と０２ガス８あるいはＣＨ３Ｆガス７と０２ガス
８の流量を調整することにより、ウェハ５のシリコン酸
化膜のエツチングにおいて、シリコンおよびレジストと
の選択性が向上する。
の混合ガスをエツチングガスに用い、また、第１図のエ
ツチング装置を用いてシリコン酸化膜のエツチングを実
施した結果、シリコンとの選択比は約１５、またレジス
トとの選択比は約５を得た。
ツチング装置を用いてシリコン酸化膜のエツチングを実
施した結果、シリコンとの選択比は約１５、またレジス
トとの選択比は約５を得た。
本実施例では、例えば、シリコンとの選択比が約１５、
レジストとの選択比が約５となり、シリフン酸化膜のシ
リコンおよびレジストとの高選択性エツチングな達成で
きるため、半導体素子デノ（イスの信頼性や歩留りを向
上させることができる。
レジストとの選択比が約５となり、シリフン酸化膜のシ
リコンおよびレジストとの高選択性エツチングな達成で
きるため、半導体素子デノ（イスの信頼性や歩留りを向
上させることができる。
本発明によれば、シリコン酸化膜のプラズマによるエツ
チングでシリコンおよびレジストとの高選択性エツチン
グを達成できるので、半導体素子デバイスの信頼性や歩
留りを向上できるという効果がある。
チングでシリコンおよびレジストとの高選択性エツチン
グを達成できるので、半導体素子デバイスの信頼性や歩
留りを向上できるという効果がある。
第１図は、本発明を実施した平行平板型バッチ式ドライ
エツチング装置の一例を示す装置構成図である。 ｌ・・・・・・エツチングチャンバ、２・・・・・・マ
スフローコントローラ、３・・・・・・フンダクタンス
ノくルブ、４才 １図
エツチング装置の一例を示す装置構成図である。 ｌ・・・・・・エツチングチャンバ、２・・・・・・マ
スフローコントローラ、３・・・・・・フンダクタンス
ノくルブ、４才 １図
Claims (1)
- １、シリコン酸化膜をプラズマによりエッチングする方
法において、エッチングガスにＣＨＦ＿３とＣＨ＿２Ｆ
＿２とＯ＿２との混合ガス若しくはＣＨＦ＿３とＣＨ＿
３ＦとＯ＿２との混合ガスを用いることを特徴とするシ
リコン酸化膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11261086A JPH0680643B2 (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | シリコン酸化膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11261086A JPH0680643B2 (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | シリコン酸化膜のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269318A true JPS62269318A (ja) | 1987-11-21 |
| JPH0680643B2 JPH0680643B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=14591039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11261086A Expired - Lifetime JPH0680643B2 (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | シリコン酸化膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680643B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19707886A1 (de) * | 1997-02-27 | 1998-09-10 | Micronas Semiconductor Holding | Verfahren zum Erzeugen von Kontaktlöchern in einer Halbleiteranordnung |
| WO1999021218A1 (en) * | 1997-10-23 | 1999-04-29 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned contact etch using difluoromethane and trifluoromethane |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP11261086A patent/JPH0680643B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19707886A1 (de) * | 1997-02-27 | 1998-09-10 | Micronas Semiconductor Holding | Verfahren zum Erzeugen von Kontaktlöchern in einer Halbleiteranordnung |
| DE19707886C2 (de) * | 1997-02-27 | 2003-12-18 | Micronas Semiconductor Holding | Verfahren zum Erzeugen von Kontaktlöchern in einer Halbleiteranordnung |
| WO1999021218A1 (en) * | 1997-10-23 | 1999-04-29 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned contact etch using difluoromethane and trifluoromethane |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680643B2 (ja) | 1994-10-12 |
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