JPH0346326A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0346326A JPH0346326A JP18197489A JP18197489A JPH0346326A JP H0346326 A JPH0346326 A JP H0346326A JP 18197489 A JP18197489 A JP 18197489A JP 18197489 A JP18197489 A JP 18197489A JP H0346326 A JPH0346326 A JP H0346326A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法、特にドライエツチング
方法に関する。
方法に関する。
従来、エツチングは平行平板型反応性イオンエツチング
装置（以下ＲＩＥと呼ぶ）と呼ばれる平行に置かれた電
極のどちらかにウェハを置き、電極に高周波を印加して
、導入したガスをプラズマ化する装置で、被エツチング
物をエツチング除去していた。この場合ガスとして、被
エツチング物がシリコン系のものの場合、主にフレオン
系のガスを用い、メタル系のものでは主に塩素系のガス
を用いていた。しかし、これらのガスだけではプラズマ
への解離に限界があり、エツチング速度にも限界があっ
た。又、これらのガス単独ではアンダーカットが入りや
すかった。
装置（以下ＲＩＥと呼ぶ）と呼ばれる平行に置かれた電
極のどちらかにウェハを置き、電極に高周波を印加して
、導入したガスをプラズマ化する装置で、被エツチング
物をエツチング除去していた。この場合ガスとして、被
エツチング物がシリコン系のものの場合、主にフレオン
系のガスを用い、メタル系のものでは主に塩素系のガス
を用いていた。しかし、これらのガスだけではプラズマ
への解離に限界があり、エツチング速度にも限界があっ
た。又、これらのガス単独ではアンダーカットが入りや
すかった。
例えば、図１の装置を用いて、窒化シリコンのエツチン
グを最適と思われる表１の条件で行なった場合、表２の
ような特性が得られる。
グを最適と思われる表１の条件で行なった場合、表２の
ような特性が得られる。
表１
表２
〔発明が解決しようとする課題及び目的〕年々ＩＣの集
積度が上がってきており、それに伴い工程数が増え、ス
ループットが問題となってきている。そこで本発明の目
的は、主に用いられるエツチングガスに主ガスの２５％
未満の水蒸気を添加ガスとして混合したガスを用いるこ
とで、従来より高速のエツチングを行なう方法を提供す
ることにある。
積度が上がってきており、それに伴い工程数が増え、ス
ループットが問題となってきている。そこで本発明の目
的は、主に用いられるエツチングガスに主ガスの２５％
未満の水蒸気を添加ガスとして混合したガスを用いるこ
とで、従来より高速のエツチングを行なう方法を提供す
ることにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、
１）反応室にガスを導入し、高周波を印加してガスをプ
ラズマ化し、エツチングするドライエツチング装置にお
いて、主ガスの２５％未満の水蒸気を添加ガスとして混
合したガスで、エツチングを行なうことを特徴とする。
ラズマ化し、エツチングするドライエツチング装置にお
いて、主ガスの２５％未満の水蒸気を添加ガスとして混
合したガスで、エツチングを行なうことを特徴とする。
主にエツチングに用いられるフレオン系のガスや塩素系
のガスのみではプラズマへの解離に限界があったが、２
５％未満の水蒸気を添加すると水素と酸素の影響でプラ
ズマへの解離が促進されエッチャントが増加しエツチン
グ速度が増加する。
のガスのみではプラズマへの解離に限界があったが、２
５％未満の水蒸気を添加すると水素と酸素の影響でプラ
ズマへの解離が促進されエッチャントが増加しエツチン
グ速度が増加する。
又、フレオン系のガスや塩素系のガスを単独で使用する
と、アンダーカットが入りやすかったが、水蒸気を添加
することで側壁保護膜が形成され、異方性形状が得られ
る。
と、アンダーカットが入りやすかったが、水蒸気を添加
することで側壁保護膜が形成され、異方性形状が得られ
る。
以上、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の実施例で使用したエツチング装置の構
造で、平行に置かれた平板型の電極があり、上部電極（
１０１）に高周波（１０３）を印加し、ウェハ（１０４
）を置く下部電極（１０２）をアースにおとしたもので
ある。
造で、平行に置かれた平板型の電極があり、上部電極（
１０１）に高周波（１０３）を印加し、ウェハ（１０４
）を置く下部電極（１０２）をアースにおとしたもので
ある。
本実施例では被エツチング物として窒化シリコンを用い
、表３の条件で表４の特性を得た。
、表３の条件で表４の特性を得た。
表３
表４
二の実施例の場合、水蒸気を１２．５％添加させたが、
図２に示すように、２５％未満であれば添加しないとき
より、エツチング速度を上げることができる。
図２に示すように、２５％未満であれば添加しないとき
より、エツチング速度を上げることができる。
なお、ここでは一実施例（ＲＩＥによる窒化シリコンの
エツチング）しか示さなかったが、条件。
エツチング）しか示さなかったが、条件。
被エツチング物及びエツチング装置はこれに限るもので
はない。
はない。
以上のように、主ガス（実施例の場合、５Ｆ６）に２５
％未満の水蒸気を添加することで（実施例の場合、１２
．５％）エツチング速度を添加しないときの１．５倍程
度まで上げることができる。
％未満の水蒸気を添加することで（実施例の場合、１２
．５％）エツチング速度を添加しないときの１．５倍程
度まで上げることができる。
又、アンダーカットも防ぐことができる。
以上述べたように、本発明によれば、エツチングに使わ
れる主ガスの２５％未満の水蒸気を添加ガスとして混合
したガスで、エツチングを行なうことで、従来に比ベエ
ッチング速度が１．５倍程度まで上昇し、アンダーカッ
トを防ぐことができる。
れる主ガスの２５％未満の水蒸気を添加ガスとして混合
したガスで、エツチングを行なうことで、従来に比ベエ
ッチング速度が１．５倍程度まで上昇し、アンダーカッ
トを防ぐことができる。
第１図は従来技術及び本実施例で用いたエツチング装置
の構造を示す図である。 第２図は本実施例で用いたＲＩＥで窒化シリコンを表３
の条件でエツチングした場合、水蒸気の混合率を変化さ
せたときの混合比とエツチング速度の関係の図である。 第３図は本実ｙ１例で用いたＲＩＥで窒化シリコンを表
３の条件でエツチングした場合、水蒸気の混合率を変化
させたときの混合比とアンダーカットの関係の図である
。 １０１・・・上部電極 １０２・・・下部電極 １０３・・・高周波 １０４・・・ウェハ ｌ○５・・・ガス導入口 １０６・・・ガス排気口
の構造を示す図である。 第２図は本実施例で用いたＲＩＥで窒化シリコンを表３
の条件でエツチングした場合、水蒸気の混合率を変化さ
せたときの混合比とエツチング速度の関係の図である。 第３図は本実ｙ１例で用いたＲＩＥで窒化シリコンを表
３の条件でエツチングした場合、水蒸気の混合率を変化
させたときの混合比とアンダーカットの関係の図である
。 １０１・・・上部電極 １０２・・・下部電極 １０３・・・高周波 １０４・・・ウェハ ｌ○５・・・ガス導入口 １０６・・・ガス排気口
Claims (1)
- 反応室にガスを導入し、高周波を印加してガスをプラズ
マ化し、エッチングするドライエッチング装置において
、主ガスの２５％未満の水蒸気を添加ガスとして混合し
たガスで、エッチングを行なうことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18197489A JPH0346326A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18197489A JPH0346326A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346326A true JPH0346326A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16110124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18197489A Pending JPH0346326A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0346326A (ja) |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP18197489A patent/JPH0346326A/ja active Pending
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