JPH0797575B2 - プラズマエツチング方法 - Google Patents
プラズマエツチング方法Info
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- JPH0797575B2 JPH0797575B2 JP61022893A JP2289386A JPH0797575B2 JP H0797575 B2 JPH0797575 B2 JP H0797575B2 JP 61022893 A JP61022893 A JP 61022893A JP 2289386 A JP2289386 A JP 2289386A JP H0797575 B2 JPH0797575 B2 JP H0797575B2
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- Japan
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- gas
- plasma etching
- etching
- mixed
- etching method
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は非晶質シリコン及び非晶質シリコン化合物等の
薄膜のプラズマエッチング方法に関するものである。
薄膜のプラズマエッチング方法に関するものである。
（従来の技術） 従来、非晶質シリコンを主体とする半導体装置の製造に
おいて、非晶質シリコンまたは非晶質シリコン化合物か
ら成る薄膜を選択的にエッチングする手段として、O2を
少量（０〜20％）含む四フッ化炭素（CF4）を用いるプ
ラズマエッチング法が採用されてきた。
おいて、非晶質シリコンまたは非晶質シリコン化合物か
ら成る薄膜を選択的にエッチングする手段として、O2を
少量（０〜20％）含む四フッ化炭素（CF4）を用いるプ
ラズマエッチング法が採用されてきた。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述の如くCF4＋O2混合ガスを用いてプ
ラズマエッチングを行なう場合、エッチング速度を十分
大きくするためにはプラズマエッチング装置に大きなRF
電力を印加しなければならないが、この時通常マスクと
して用いられる有機樹脂性のホトレジストもエッチング
されてしまい、目的のエッチング対象薄膜とホトレジス
トとのエッチング選択比を十分大きいものとすることが
できず、微細加工が困難であった。従って微細加工を可
能とするためには上述のエッチング選択比が十分大きく
取れるようにRF電力を下げる必要があり、このためエッ
チング速度が遅くなるという欠点があった。本発明は上
述の欠点を除去し、エッチング速度が速く且つ良好な微
細加工が可能なプラズマエッチング方法を提供すること
を目的とする。
ラズマエッチングを行なう場合、エッチング速度を十分
大きくするためにはプラズマエッチング装置に大きなRF
電力を印加しなければならないが、この時通常マスクと
して用いられる有機樹脂性のホトレジストもエッチング
されてしまい、目的のエッチング対象薄膜とホトレジス
トとのエッチング選択比を十分大きいものとすることが
できず、微細加工が困難であった。従って微細加工を可
能とするためには上述のエッチング選択比が十分大きく
取れるようにRF電力を下げる必要があり、このためエッ
チング速度が遅くなるという欠点があった。本発明は上
述の欠点を除去し、エッチング速度が速く且つ良好な微
細加工が可能なプラズマエッチング方法を提供すること
を目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明は上述の問題点を解決するために、非晶質水素化
シリコンまたは非晶質シリコン化合物の薄膜をプラズマ
エッチング装置を用いてプラズマエッチングする方法に
おいて、（CF4＋O2）の混合ガス（但し、（CF4＋O2）混
合ガス中のO2ガスの含有率は０％より大で、20％以下で
ある）に対し分圧比が0.01〜0.5のN2ガスをさらに混合
した混合ガスをエッチングガスとして用い、前記薄膜の
プラズマエッチングを行なうようにしたものである。
シリコンまたは非晶質シリコン化合物の薄膜をプラズマ
エッチング装置を用いてプラズマエッチングする方法に
おいて、（CF4＋O2）の混合ガス（但し、（CF4＋O2）混
合ガス中のO2ガスの含有率は０％より大で、20％以下で
ある）に対し分圧比が0.01〜0.5のN2ガスをさらに混合
した混合ガスをエッチングガスとして用い、前記薄膜の
プラズマエッチングを行なうようにしたものである。
（作用） 本発明によれば、上述の如きエッチングガスを用いてプ
ラズマエッチングを行なうため、N2ガスを含まない場合
に比べて格段にエッチング速度を速くでき、しかも良好
な微細加工パターンが得られる。
ラズマエッチングを行なうため、N2ガスを含まない場合
に比べて格段にエッチング速度を速くでき、しかも良好
な微細加工パターンが得られる。
（実施例） 第１図は本発明の一実施例を説明するためのものであ
り、本発明に係るプラズマエッチング方法を実施するた
めのプラズマエッチング装置の概略図である。
り、本発明に係るプラズマエッチング方法を実施するた
めのプラズマエッチング装置の概略図である。
第１図において、１はCF4ガスボンベ、２はO2ガスボン
ベ、３はN2ガスボンベ、4,5,6はそれぞれボンベ1,2,3に
対応して設けられたガス流量コントローラ、７は反応
室、８はアノード電極、９はカソード電極、10は被エッ
チング試料、11はRF電源、12は排気ポンプである。本装
置によるエッチング処理は以下の如く行なわれる。まず
カソード電極９上に被エッチング試料10をセットした
後、反応室７内を１×10-4torr以下の圧力に排気し、ガ
スボンベ1,2,3よりCF4,O2,N2ガスをそれぞれガス流量コ
ントローラ4,5,6を通して反応室内に導入し、RF電源11
よりRF電力を印加してプラズマを発生させエッチングを
行う。ここで両電極8,9の大きさは380×380mmで、両電
極の間隔は40mmに設定されている。
ベ、３はN2ガスボンベ、4,5,6はそれぞれボンベ1,2,3に
対応して設けられたガス流量コントローラ、７は反応
室、８はアノード電極、９はカソード電極、10は被エッ
チング試料、11はRF電源、12は排気ポンプである。本装
置によるエッチング処理は以下の如く行なわれる。まず
カソード電極９上に被エッチング試料10をセットした
後、反応室７内を１×10-4torr以下の圧力に排気し、ガ
スボンベ1,2,3よりCF4,O2,N2ガスをそれぞれガス流量コ
ントローラ4,5,6を通して反応室内に導入し、RF電源11
よりRF電力を印加してプラズマを発生させエッチングを
行う。ここで両電極8,9の大きさは380×380mmで、両電
極の間隔は40mmに設定されている。
第２図は上述の装置を用いて、非晶質水素化シリコンの
エッチングを行った結果である。エッチング条件は、ガ
ス流量CF4 190SCCM,O2 10SCCM,圧力0.2torr,RF電力120W
を固定条件とし、N2流量だけを可変量とした。第２図の
横軸はCF4＋O2に対するN2の分圧比をとり、縦軸はN2を
混合しない場合のエッチング速度に対する相対エッチン
グ速度である。
エッチングを行った結果である。エッチング条件は、ガ
ス流量CF4 190SCCM,O2 10SCCM,圧力0.2torr,RF電力120W
を固定条件とし、N2流量だけを可変量とした。第２図の
横軸はCF4＋O2に対するN2の分圧比をとり、縦軸はN2を
混合しない場合のエッチング速度に対する相対エッチン
グ速度である。
第２図から明らかなように（CF4＋O2）の混合ガスにN2
ガスを分圧比0.01〜0.5で混合したエッチングガスを用
いることにより、エッチング速度が増大し、N2ガスを混
合しない場合と比較して約３倍以上のエッチング速度が
得られ、しかも良好な微細加工パターンが得られた。ま
た、O2ガスに関し、上記エッチングガスにおける（CF4
＋O2）の混合ガス中のO2ガスの含有率を、０％＜O2ガス
の含有率≦20％の範囲内で変えたエッチングガスを用い
て、プラズマエッチング行なっても上記と同様の結果が
得られた。
ガスを分圧比0.01〜0.5で混合したエッチングガスを用
いることにより、エッチング速度が増大し、N2ガスを混
合しない場合と比較して約３倍以上のエッチング速度が
得られ、しかも良好な微細加工パターンが得られた。ま
た、O2ガスに関し、上記エッチングガスにおける（CF4
＋O2）の混合ガス中のO2ガスの含有率を、０％＜O2ガス
の含有率≦20％の範囲内で変えたエッチングガスを用い
て、プラズマエッチング行なっても上記と同様の結果が
得られた。
（発明の効果） 上述のごとく、本発明によれば、（CF4＋O2）の混合ガ
ス（ここで、（CF4＋O2）混合ガス中のO2ガスの含有率
は０％より大で、20％以下である）に対し分圧比が0.01
〜0.5のN2ガスを混合させたエッチングガスを用いてプ
ラズマエッチングを行なうことにより、N2を混合しない
場合と比べて約３倍以上のエッチング速度が得られしか
も良好な微細加工パターンを得ることができるという効
果を期待できる。
ス（ここで、（CF4＋O2）混合ガス中のO2ガスの含有率
は０％より大で、20％以下である）に対し分圧比が0.01
〜0.5のN2ガスを混合させたエッチングガスを用いてプ
ラズマエッチングを行なうことにより、N2を混合しない
場合と比べて約３倍以上のエッチング速度が得られしか
も良好な微細加工パターンを得ることができるという効
果を期待できる。
以上の説明には試料として非晶質水素化シリコンを用い
たが、非晶質シリコン化合物、例えばSiNx,SiCx,SiOx等
にも同様の効果が得られる。
たが、非晶質シリコン化合物、例えばSiNx,SiCx,SiOx等
にも同様の効果が得られる。
したがって本発明のプラズマエッチング方法を用いるこ
とにより非晶質シリコンを主体とする半導体装置（光セ
ンサ，薄膜トランジスタ、太陽電池等）の製造において
エッチング時間を短縮できるとともに従来より微細なエ
ッチング加工が可能となるものである。
とにより非晶質シリコンを主体とする半導体装置（光セ
ンサ，薄膜トランジスタ、太陽電池等）の製造において
エッチング時間を短縮できるとともに従来より微細なエ
ッチング加工が可能となるものである。
第１図は本発明に係るプラズマエッチング方法の実施に
用いるプラズマエッチング装置の概略図、第２図は（CF
4＋O2）混合ガスとN2ガスとの分圧比と相対エッチング
速度との関係を示した図である。 １……CF4ガスボンベ、２……O2ガスボンベ、３……N2
ガスボンベ、4,5,6……ガス流量コントローラ、７……
反応室、８……アノード電極、９……カソード電極、10
……被エッチング試料、11……RF電源、12……排気ポン
プ。
用いるプラズマエッチング装置の概略図、第２図は（CF
4＋O2）混合ガスとN2ガスとの分圧比と相対エッチング
速度との関係を示した図である。 １……CF4ガスボンベ、２……O2ガスボンベ、３……N2
ガスボンベ、4,5,6……ガス流量コントローラ、７……
反応室、８……アノード電極、９……カソード電極、10
……被エッチング試料、11……RF電源、12……排気ポン
プ。
Claims (1)
- 【請求項１】非晶質水素化シリコンまたは非晶質シリコ
ン化合物の薄膜をプラズマエッチング装置を用いてプラ
ズマエッチングする方法において、 （CF4＋O2）の混合ガス（但し、（CF4＋O2）混合ガス中
のO2ガスの含有率は０％より大で、20％以下である）に
対し分圧比が0.01〜0.5のN2ガスをさらに混合した混合
ガスをエッチングガスとして用い、前記薄膜のプラズマ
エッチングを行なうことを特徴とするプラズマエッチン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61022893A JPH0797575B2 (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | プラズマエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61022893A JPH0797575B2 (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | プラズマエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62194623A JPS62194623A (ja) | 1987-08-27 |
| JPH0797575B2 true JPH0797575B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=12095334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61022893A Expired - Lifetime JPH0797575B2 (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | プラズマエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797575B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0734109B2 (ja) * | 1987-12-22 | 1995-04-12 | 三菱電機株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
| JPH01214025A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| KR910010516A (ko) * | 1989-11-15 | 1991-06-29 | 아오이 죠이치 | 반도체 메모리장치 |
| JP2991192B1 (ja) | 1998-07-23 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6053459B2 (ja) * | 1977-05-25 | 1985-11-26 | 株式会社日立製作所 | プラズマエツチング方法 |
-
1986
- 1986-02-06 JP JP61022893A patent/JPH0797575B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62194623A (ja) | 1987-08-27 |
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