JPH0629255A - プラズマエッチング方法及び装置 - Google Patents
プラズマエッチング方法及び装置Info
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- JPH0629255A JPH0629255A JP4183416A JP18341692A JPH0629255A JP H0629255 A JPH0629255 A JP H0629255A JP 4183416 A JP4183416 A JP 4183416A JP 18341692 A JP18341692 A JP 18341692A JP H0629255 A JPH0629255 A JP H0629255A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造プロセスにおいて、プラズマエッ
チングのプラズマ中の荷電成分たるイオン（エッチング
種）の密度を高めて良好な異方性エッチングを可能にす
ると共に、エッチング効率を向上させる。 【構成】 放電室３に放電電極１，２が配置され、この
うち一方の電極上に被エッチング加工物がセットされ
る。放電室３を真空装置７により低圧にしつつ供給配管
８からＨｅ又はＮｅを、供給配管１１から反応ガス（プ
ラズマ生成ガス）を供給して混合したガスを放電室３に
送り、高周波電源６により、放電電極１，２を印加して
プラズマを発生させる。Ｈｅ又はＮｅの供給の替わりに
放電室３にＨｅ又はＮｅ放電管を設けて、これより生じ
る真空紫外光をプラズマ１２に照射してもよい。
チングのプラズマ中の荷電成分たるイオン（エッチング
種）の密度を高めて良好な異方性エッチングを可能にす
ると共に、エッチング効率を向上させる。 【構成】 放電室３に放電電極１，２が配置され、この
うち一方の電極上に被エッチング加工物がセットされ
る。放電室３を真空装置７により低圧にしつつ供給配管
８からＨｅ又はＮｅを、供給配管１１から反応ガス（プ
ラズマ生成ガス）を供給して混合したガスを放電室３に
送り、高周波電源６により、放電電極１，２を印加して
プラズマを発生させる。Ｈｅ又はＮｅの供給の替わりに
放電室３にＨｅ又はＮｅ放電管を設けて、これより生じ
る真空紫外光をプラズマ１２に照射してもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子製造
のためのプラズマ微細加工（エッチング）技術に関す
る。
のためのプラズマ微細加工（エッチング）技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】減圧下での高周波電力による放電により
プラズマを発生させ、このプラズマを用いた半導体素子
製造用のプラズマ処理装置は、例えば特公平３−５５５
４９号公報に開示されている。また半導体素子製造プロ
セスにおけるプラズマ技術の位置づけとプラズマによる
エッチングの原理とについては、産業図書・菅野 卓雄
編著・半導体プラズマプロセス技術に詳細に論じられて
いる。
プラズマを発生させ、このプラズマを用いた半導体素子
製造用のプラズマ処理装置は、例えば特公平３−５５５
４９号公報に開示されている。また半導体素子製造プロ
セスにおけるプラズマ技術の位置づけとプラズマによる
エッチングの原理とについては、産業図書・菅野 卓雄
編著・半導体プラズマプロセス技術に詳細に論じられて
いる。
【０００３】この種のプラズマエッチング技術は、プラ
ズマ中の荷電成分の物理作用及び化学作用により基板
（例えばシリコンウェーハ）上に形成された薄膜層（例
えば窒化シリコン又はポリシリコン）を、フォトレジス
ト（感光性有機化合物）で形成されたマスクパターンに
そって深さ方向に取り除く（エッチング）ことで、目的
とする形状を得ている。
ズマ中の荷電成分の物理作用及び化学作用により基板
（例えばシリコンウェーハ）上に形成された薄膜層（例
えば窒化シリコン又はポリシリコン）を、フォトレジス
ト（感光性有機化合物）で形成されたマスクパターンに
そって深さ方向に取り除く（エッチング）ことで、目的
とする形状を得ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体の高密度
集積化に伴い、微細加工技術の精度向上がさらに求めら
れてきている。シリコンウェーハ上に形成された薄膜を
高精度で微細加工するためには、少なくとも次の３つの
条件を満足することが必要である。
集積化に伴い、微細加工技術の精度向上がさらに求めら
れてきている。シリコンウェーハ上に形成された薄膜を
高精度で微細加工するためには、少なくとも次の３つの
条件を満足することが必要である。
【０００５】（１）シリコンウェーハの平坦面に対して
垂直にエッチングできること （２）被エッチング面に結晶欠陥などの損傷を与えない
こと （３）目的とする被エッチング物質のみをエッチングし
て、マスク材などをエッチングしないこと しかし従来の高周波電力による放電でのプラズマによる
エッチングでは、上記の３つの条件を同時に達成するこ
とは困難である。以下、その理由を詳述する。
垂直にエッチングできること （２）被エッチング面に結晶欠陥などの損傷を与えない
こと （３）目的とする被エッチング物質のみをエッチングし
て、マスク材などをエッチングしないこと しかし従来の高周波電力による放電でのプラズマによる
エッチングでは、上記の３つの条件を同時に達成するこ
とは困難である。以下、その理由を詳述する。
【０００６】ウェーハ平坦面に対して垂直にエッチング
作用を起こさせるには、プラズマの成分がウェーハの垂
直方向に運動を起こす力の場が必要である。この力の場
は一対の平衡平板電極間での放電に伴う自己バイアス電
位である。一方、この電位によって運動方向が規制され
るプラズマの成分は荷電成分である。すなわち、荷電成
分が電界の影響を受けて運動方向が規制され、一方向
（異方性）へ運動するもので、これが多く存在すること
が上記の条件を満足させることになる。
作用を起こさせるには、プラズマの成分がウェーハの垂
直方向に運動を起こす力の場が必要である。この力の場
は一対の平衡平板電極間での放電に伴う自己バイアス電
位である。一方、この電位によって運動方向が規制され
るプラズマの成分は荷電成分である。すなわち、荷電成
分が電界の影響を受けて運動方向が規制され、一方向
（異方性）へ運動するもので、これが多く存在すること
が上記の条件を満足させることになる。
【０００７】ところで気体の放電によって得られるプラ
ズマは、イオン化された原子や分子のような荷電成分の
ほかに電気的に中性な基底状態あるいは準安定状態（励
起状態）の原子や分子から構成されている。
ズマは、イオン化された原子や分子のような荷電成分の
ほかに電気的に中性な基底状態あるいは準安定状態（励
起状態）の原子や分子から構成されている。
【０００８】例えば、プラズマの生成に使用される気体
は、炭素と弗素との化合物や、炭素、弗素及び塩素の３
元素からなる化合物などであり、テトラフロロカーボン
（ＣＦ4）とかトリフロロクロロカーボン（ＣＦ3Ｃｌ）
などがある。これらの気体での放電によって得られるプ
ラズマの成分には、上記のように荷電成分や中性成分が
多数の形態で存在しており、荷電成分として最も有力視
されているプラズマ成分が、
は、炭素と弗素との化合物や、炭素、弗素及び塩素の３
元素からなる化合物などであり、テトラフロロカーボン
（ＣＦ4）とかトリフロロクロロカーボン（ＣＦ3Ｃｌ）
などがある。これらの気体での放電によって得られるプ
ラズマの成分には、上記のように荷電成分や中性成分が
多数の形態で存在しており、荷電成分として最も有力視
されているプラズマ成分が、
【０００９】
【外１】
【００１０】一方、電気的に中性なプラズマ成分の運動
は、電界に影響されないので、方向性がなく等方向性を
持つことになる。ウェーハの表面に形成された薄膜層の
エッチングは、プラズマの荷電成分による場合は理想的
に方向性を持って起こるが、電気的に中性な成分による
場合は、好ましくない等方向で起こり、これが上記条件
を妨げる要因となっている。
は、電界に影響されないので、方向性がなく等方向性を
持つことになる。ウェーハの表面に形成された薄膜層の
エッチングは、プラズマの荷電成分による場合は理想的
に方向性を持って起こるが、電気的に中性な成分による
場合は、好ましくない等方向で起こり、これが上記条件
を妨げる要因となっている。
【００１１】また、プラズマの荷電成分がバイアス電位
の電気力線に沿って、ウェーハ平面に垂直に運動しエッ
チング作用を起こすには、電気的に中性なプラズマ成分
との衝突を起こさない条件が必要である。すなわち、分
子が他の分子と衝突せずに運動できる距離（平均自由行
程）が必要である。この平均自由行程はプラズマ発生室
の圧力が低いほど大になる。従来のプラズマによるエッ
チングでは、プラズマ発生室の圧力が１．３Ｐａ〜１３
Ｐａで行なわれている。しかし、プラズマ発生室の圧力
を低くするとプラズマ中のイオン成分の絶対量が減少す
るため、エッチング効率が減少する傾向を示すなどの問
題がある。具体的には、プラズマ発生室の圧力が１３Ｐ
ａでは、プラズマ成分の平均自由行程が小さく、理想的
な異方性のエッチングが得がたい。一方プラズマ発生室
の圧力を１．３Ｐａ以下にするとエッチングの効率低下
が起こる。
の電気力線に沿って、ウェーハ平面に垂直に運動しエッ
チング作用を起こすには、電気的に中性なプラズマ成分
との衝突を起こさない条件が必要である。すなわち、分
子が他の分子と衝突せずに運動できる距離（平均自由行
程）が必要である。この平均自由行程はプラズマ発生室
の圧力が低いほど大になる。従来のプラズマによるエッ
チングでは、プラズマ発生室の圧力が１．３Ｐａ〜１３
Ｐａで行なわれている。しかし、プラズマ発生室の圧力
を低くするとプラズマ中のイオン成分の絶対量が減少す
るため、エッチング効率が減少する傾向を示すなどの問
題がある。具体的には、プラズマ発生室の圧力が１３Ｐ
ａでは、プラズマ成分の平均自由行程が小さく、理想的
な異方性のエッチングが得がたい。一方プラズマ発生室
の圧力を１．３Ｐａ以下にするとエッチングの効率低下
が起こる。
【００１２】本発明は以上の点に鑑みてなされ、その目
的は、プラズマエッチングのプラズマ中の荷電成分たる
イオン（エッチング種）の密度を高めて良好な異方性エ
ッチングを可能にすると共に、エッチング効率を向上さ
せることにある。
的は、プラズマエッチングのプラズマ中の荷電成分たる
イオン（エッチング種）の密度を高めて良好な異方性エ
ッチングを可能にすると共に、エッチング効率を向上さ
せることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基本的には次のようなプラズマエッチン
グ法を提案する。
成するために、基本的には次のようなプラズマエッチン
グ法を提案する。
【００１４】すなわち、減圧下で高周波放電によるプラ
ズマを発生させて、目的物をエッチングするプラズマエ
ッチング方法において、プラズマ源となる反応ガスにヘ
リウム（Ｈｅ）又はネオン（Ｎｅ）を混合し、この混合
ガス雰囲気で放電させてエッチングを行うか（これを第
１の方式とする）或いは、プラズマにヘリウム放電管又
はネオン放電管から発生する真空紫外光を照射してエッ
チングを行う（これを第２の方式とする）。
ズマを発生させて、目的物をエッチングするプラズマエ
ッチング方法において、プラズマ源となる反応ガスにヘ
リウム（Ｈｅ）又はネオン（Ｎｅ）を混合し、この混合
ガス雰囲気で放電させてエッチングを行うか（これを第
１の方式とする）或いは、プラズマにヘリウム放電管又
はネオン放電管から発生する真空紫外光を照射してエッ
チングを行う（これを第２の方式とする）。
【００１５】
【作用】ウェーハ（被エッチング対象物）表面に形成さ
れたポリシリコンや窒化シリコンの薄膜層に理想的な異
方性のエッチングを行なうには、プラズマ発生室の圧力
が少なくとも１．３Ｐａ以下であることが望ましい。し
かしプラズマ発生室を低圧（１．３Ｐａ以下）にする
と、プラズマ中の荷電成分の絶対量が不足し、エッチン
グ処理時間が長くなる。この課題を解消するため、本発
明では次のような作用がなされる。
れたポリシリコンや窒化シリコンの薄膜層に理想的な異
方性のエッチングを行なうには、プラズマ発生室の圧力
が少なくとも１．３Ｐａ以下であることが望ましい。し
かしプラズマ発生室を低圧（１．３Ｐａ以下）にする
と、プラズマ中の荷電成分の絶対量が不足し、エッチン
グ処理時間が長くなる。この課題を解消するため、本発
明では次のような作用がなされる。
【００１６】第１の方式の作用…プラズマ発生ガス（反
応ガス、例えばＣＦ4）に化学的に不活性な希ガスたる
Ｈｅ又はＮｅを混合した気体雰囲気での放電では、ペニ
ング効果といわれる現象が起こる。例えばＣＦ4とＨｅ
との混合ガス雰囲気で放電させると、ＣＦ4から生ずる
プラズマ成分とＨｅの励起状態（Ｈｅ＊）とが生成す
る。このＨｅ＊が基底状態に戻る時に約２１エレクトロ
ンボルト（ｅＶ）のエネルギーに相当する真空紫外光
（〜６０ｎｍ）を発生する。
応ガス、例えばＣＦ4）に化学的に不活性な希ガスたる
Ｈｅ又はＮｅを混合した気体雰囲気での放電では、ペニ
ング効果といわれる現象が起こる。例えばＣＦ4とＨｅ
との混合ガス雰囲気で放電させると、ＣＦ4から生ずる
プラズマ成分とＨｅの励起状態（Ｈｅ＊）とが生成す
る。このＨｅ＊が基底状態に戻る時に約２１エレクトロ
ンボルト（ｅＶ）のエネルギーに相当する真空紫外光
（〜６０ｎｍ）を発生する。
【００１７】この真空紫外光はＨｅ以外のガス成分をイ
オン化することができる。したがって、放電によってＣ
Ｆ4から生ずるプラズマ成分の全てをイオン化できる。
すなわちプラズマ中の電気的に中性なプラズマ成分もイ
オン化することになり、プラズマ中の荷電成分濃度を極
端に高くすることができる。したがって、放電室を高真
空度状態（低圧力下）にしても、プラズマ中の荷電成分
の濃度を高めることができ、その結果、エッチング処理
時間を短縮できると共に、異方性エッチングを主体とし
て、かつプラズマ成分の自由行程を大きくして、理想的
なエッチングが可能となる。
オン化することができる。したがって、放電によってＣ
Ｆ4から生ずるプラズマ成分の全てをイオン化できる。
すなわちプラズマ中の電気的に中性なプラズマ成分もイ
オン化することになり、プラズマ中の荷電成分濃度を極
端に高くすることができる。したがって、放電室を高真
空度状態（低圧力下）にしても、プラズマ中の荷電成分
の濃度を高めることができ、その結果、エッチング処理
時間を短縮できると共に、異方性エッチングを主体とし
て、かつプラズマ成分の自由行程を大きくして、理想的
なエッチングが可能となる。
【００１８】なお、上記作用において、混合ガスとして
Ｎｅを用いた場合にも同様な現象が起こる。Ｎｅが放電
によって発光する光エネルギーは１６．８ｅＶであり、
Ｈｅを除いた他の炭素化合物のイオン化が可能である。
Ｎｅを用いた場合にも同様な現象が起こる。Ｎｅが放電
によって発光する光エネルギーは１６．８ｅＶであり、
Ｈｅを除いた他の炭素化合物のイオン化が可能である。
【００１９】第２の方式の作用…本方式では、第１の方
式のような混合ガスを用いず、放電室には反応ガス（プ
ラズマ生成ガス）が供給され、このガス雰囲気で生じる
プラズマに対して、Ｈｅ放電管及びＮｅ放電管から発生
する真空紫外光をプラズマに照射することで、プラズマ
中の電気的に中性なプラズマ成分もイオン化することに
なり、プラズマ中の荷電成分濃度を極端に高くすること
ができ、第１の方式同様にエッチング効率の向上と理想
的な異方性エッチングの両立を図り得る。
式のような混合ガスを用いず、放電室には反応ガス（プ
ラズマ生成ガス）が供給され、このガス雰囲気で生じる
プラズマに対して、Ｈｅ放電管及びＮｅ放電管から発生
する真空紫外光をプラズマに照射することで、プラズマ
中の電気的に中性なプラズマ成分もイオン化することに
なり、プラズマ中の荷電成分濃度を極端に高くすること
ができ、第１の方式同様にエッチング効率の向上と理想
的な異方性エッチングの両立を図り得る。
【００２０】
【実施例】本発明の実施例を図面により説明する。
【００２１】図１は本発明の第１の方式を具体化したプ
ラズマエッチング装置の構成図である。
ラズマエッチング装置の構成図である。
【００２２】図１においてプラズマを発生させる放電室
３は側断面図で示してある。プラズマエッチング装置
は、放電室３、一対の放電電極（平行平板電極）１と
２、高周波電源６及び真空装置７等で構成されている。
放電電極１，２は放電室３に配置され、このうち、一方
の電極（上部電極）１は接地され、他方の電極（下部電
極）２には高周波電源６が接続される。
３は側断面図で示してある。プラズマエッチング装置
は、放電室３、一対の放電電極（平行平板電極）１と
２、高周波電源６及び真空装置７等で構成されている。
放電電極１，２は放電室３に配置され、このうち、一方
の電極（上部電極）１は接地され、他方の電極（下部電
極）２には高周波電源６が接続される。
【００２３】８はヘリウム（Ｈｅ）の供給配管、１１は
反応ガス（例えばＣＦ4）の供給配管で、各配管に流量
制御バルブ９，１０がそれぞれ配設してある。
反応ガス（例えばＣＦ4）の供給配管で、各配管に流量
制御バルブ９，１０がそれぞれ配設してある。
【００２４】次に本実施例の動作を説明する。
【００２５】放電室３を真空装置７で連続的に吸引した
状態で、放電室３が一定圧力になるように、ガス供給配
管８及び１１より反応ガス（例えばＣＦ4）及びＨｅを
供給する。例えばＣＦ4中にＨｅを１〜５％混合する。
反応ガスとＨｅとの混合割合は、流量制御バルブ９と１
０との調整によって行なわれる。この状態で、下部電極
２に高周波電力を印加することによって放電室３内にプ
ラズマ１２が発生する。下部電極２には試料（ウェー
ハ）が設置され、プラズマ１２によりエッチングが行な
われる。
状態で、放電室３が一定圧力になるように、ガス供給配
管８及び１１より反応ガス（例えばＣＦ4）及びＨｅを
供給する。例えばＣＦ4中にＨｅを１〜５％混合する。
反応ガスとＨｅとの混合割合は、流量制御バルブ９と１
０との調整によって行なわれる。この状態で、下部電極
２に高周波電力を印加することによって放電室３内にプ
ラズマ１２が発生する。下部電極２には試料（ウェー
ハ）が設置され、プラズマ１２によりエッチングが行な
われる。
【００２６】本実施例によれば、発明の作用の項で述べ
たように、ペニング効果により、ＣＦ4から生ずるプラ
ズマ成分とＨｅの励起状態（Ｈｅ＊）とが生成され、Ｈ
ｅ＊が基底状態に戻る時に約２１エレクトロンボルト
（ｅＶ）のエネルギーに相当する真空紫外光（〜６０ｎ
ｍ）を発生し、この真空紫外光によりプラズマ中の電気
的に中性な成分もイオン化でき、プラズマ中の荷電成分
濃度を高めることができる。そのため、プラズマ発生室
を高真空度状態にしても、プラズマ中の荷電成分の濃度
を高めることができ、低圧力下でプラズマを発生させる
ことが可能となり、理想的な異方性エッチングとその処
理時間の短縮の両立を図り得る。なお、上記Ｈｅガスに
替えてＮｅガスを用いてもよい。
たように、ペニング効果により、ＣＦ4から生ずるプラ
ズマ成分とＨｅの励起状態（Ｈｅ＊）とが生成され、Ｈ
ｅ＊が基底状態に戻る時に約２１エレクトロンボルト
（ｅＶ）のエネルギーに相当する真空紫外光（〜６０ｎ
ｍ）を発生し、この真空紫外光によりプラズマ中の電気
的に中性な成分もイオン化でき、プラズマ中の荷電成分
濃度を高めることができる。そのため、プラズマ発生室
を高真空度状態にしても、プラズマ中の荷電成分の濃度
を高めることができ、低圧力下でプラズマを発生させる
ことが可能となり、理想的な異方性エッチングとその処
理時間の短縮の両立を図り得る。なお、上記Ｈｅガスに
替えてＮｅガスを用いてもよい。
【００２７】図２は本発明の第２実施例で、図中、図１
に用いた符号と同一の符号は同一或いは共通する要素を
示す。
に用いた符号と同一の符号は同一或いは共通する要素を
示す。
【００２８】本実施例において、第１実施例と異なる点
は、Ｈｅ又はＮｅを反応ガスに混合する替わりに、放電
室３内にＨｅ又はＮｅ放電管１６を設置したことであ
る。１３は放電管１６のガラス枠、１４は電源、１５は
アース線である。
は、Ｈｅ又はＮｅを反応ガスに混合する替わりに、放電
室３内にＨｅ又はＮｅ放電管１６を設置したことであ
る。１３は放電管１６のガラス枠、１４は電源、１５は
アース線である。
【００２９】本実施例によれば、Ｈｅ又はＮｅ放電管１
６より発生する真空紫外光をプラズマ１２に照射するこ
とにより、プラズマ中の電気的に中性な成分をイオン化
し、第１実施例同様にプラズマ中のイオン成分の濃度を
高め、エッチングの効率を高めると同時に理想的な異方
性エッチングを達成できる。
６より発生する真空紫外光をプラズマ１２に照射するこ
とにより、プラズマ中の電気的に中性な成分をイオン化
し、第１実施例同様にプラズマ中のイオン成分の濃度を
高め、エッチングの効率を高めると同時に理想的な異方
性エッチングを達成できる。
【００３０】放電管１６の窓材１３は弗化リチウム（Ｌ
ｉＦ）又は弗化マグネシウム（ＭｇＦ2）であり、９〜
１６ｅＶの光エネルギーを透過させることが可能であ
る。この領域の光エネルギーは、プラズマ成分をイオン
化するのに十分なエネルギーである。
ｉＦ）又は弗化マグネシウム（ＭｇＦ2）であり、９〜
１６ｅＶの光エネルギーを透過させることが可能であ
る。この領域の光エネルギーは、プラズマ成分をイオン
化するのに十分なエネルギーである。
【００３１】なお、上記各実施例において、付記すれ
ば、Ｈｅの放電によって得られる光エネルギーは上記の
ように２１ｅＶである。Ｎｅの場合は１６．８ｅＶであ
る。炭素化合物でイオン化ポテンシャルの高い化合物は
二酸化炭素の１３．８ｅＶであり、メタンで１３ｅＶ、
四塩化炭素で１１．５ｅＶである。これらに比較して例
えばＣＦ4のイオン化エネルギーはメタンと四塩化炭素
との間にあると予想される。また例えばＣＦ4の放電に
よって生ずるプラズマの電気的中性な成分のイオン化ポ
テンシャルも十数ｅＶである。したがって、ペニング効
果及び真空紫外光のプラズマへの照射は、プラズマ中の
イオン成分濃度を高めることができる。
ば、Ｈｅの放電によって得られる光エネルギーは上記の
ように２１ｅＶである。Ｎｅの場合は１６．８ｅＶであ
る。炭素化合物でイオン化ポテンシャルの高い化合物は
二酸化炭素の１３．８ｅＶであり、メタンで１３ｅＶ、
四塩化炭素で１１．５ｅＶである。これらに比較して例
えばＣＦ4のイオン化エネルギーはメタンと四塩化炭素
との間にあると予想される。また例えばＣＦ4の放電に
よって生ずるプラズマの電気的中性な成分のイオン化ポ
テンシャルも十数ｅＶである。したがって、ペニング効
果及び真空紫外光のプラズマへの照射は、プラズマ中の
イオン成分濃度を高めることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１の方
式，第２の方式いずれの場合も、プラズマの荷電成分濃
度を高め、その結果、低圧力下でのプラズマエッチング
を可能として、プラズマ成分の平均自由行程が大とな
り、理想的な異方性エッチングを可能にすると共に、そ
のエッチング効率を高めることができる。
式，第２の方式いずれの場合も、プラズマの荷電成分濃
度を高め、その結果、低圧力下でのプラズマエッチング
を可能として、プラズマ成分の平均自由行程が大とな
り、理想的な異方性エッチングを可能にすると共に、そ
のエッチング効率を高めることができる。
【図１】本発明の第１実施例に係るプラズマエッチング
装置の構成図
装置の構成図
【図２】本発明の第２実施例に係るプラズマエッチング
装置の構成図
装置の構成図
１，２…プラズマ発生用放電電極、３…放電室、６…高
周波電源、７…真空装置、８…Ｈｅ又はＮｅ供給配管、
９，１０…流量制御バルブ、１１…反応ガス供給配管、
１２…プラズマ、１３…光透過窓、１６…Ｈｅ又はＮｅ
放電管
周波電源、７…真空装置、８…Ｈｅ又はＮｅ供給配管、
９，１０…流量制御バルブ、１１…反応ガス供給配管、
１２…プラズマ、１３…光透過窓、１６…Ｈｅ又はＮｅ
放電管
フロントページの続き (72)発明者 武藤 宏史 茨城県勝田市市毛1040番地 株式会社日立 サイエンスシステムズ内
Claims (4)
- 【請求項１】 減圧下で高周波放電によるプラズマを発
生させて、目的物をエッチングするプラズマエッチング
方法において、プラズマ源となる反応ガスにヘリウム
（Ｈｅ）又はネオン（Ｎｅ）を混合し、この混合ガス雰
囲気で放電させてエッチングを行うことを特徴とするプ
ラズマエッチング方法。 - 【請求項２】 減圧下で高周波放電によるプラズマを発
生させて、目的物をエッチングするプラズマエッチング
方法において、プラズマにヘリウム放電管又はネオン放
電管から発生する真空紫外光を照射してエッチングを行
うことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 【請求項３】 プラズマ発生用の一対の放電電極を有す
る放電室と、前記放電室を低圧状態にする真空装置とを
備えたプラズマエッチング装置において、 前記放電室にプラズマ源となる反応ガスとヘリウム（Ｈ
ｅ）又はネオン（Ｎｅ）を混合して供給する手段を備え
たことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項４】 プラズマ発生用の一対の放電電極を有す
る放電室と、前記放電室を低圧状態にする真空装置とを
備えたプラズマエッチング装置において、 前記放電室の内部にヘリウム放電管又はネオン放電管を
設けたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183416A JPH0629255A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183416A JPH0629255A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629255A true JPH0629255A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16135401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4183416A Pending JPH0629255A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629255A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100227367A1 (en) * | 2007-10-12 | 2010-09-09 | Novozymes A/S | Process of Producing a Fermentation Product |
| JP2016103632A (ja) * | 2014-11-12 | 2016-06-02 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | エネルギー吸収体ガスへの衝突共鳴エネルギー伝達によるプラズマのｖｕｖ放出の調節 |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP4183416A patent/JPH0629255A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100227367A1 (en) * | 2007-10-12 | 2010-09-09 | Novozymes A/S | Process of Producing a Fermentation Product |
| JP2016103632A (ja) * | 2014-11-12 | 2016-06-02 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | エネルギー吸収体ガスへの衝突共鳴エネルギー伝達によるプラズマのｖｕｖ放出の調節 |
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