JP2003007691A - エッチング装置、エッチング方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
エッチング装置、エッチング方法及び半導体装置の製造方法Info
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- JP2003007691A JP2003007691A JP2001194938A JP2001194938A JP2003007691A JP 2003007691 A JP2003007691 A JP 2003007691A JP 2001194938 A JP2001194938 A JP 2001194938A JP 2001194938 A JP2001194938 A JP 2001194938A JP 2003007691 A JP2003007691 A JP 2003007691A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 下地膜と反応したエッチング残渣が残ること
なく、ＢＡＲＣを精度良くエッチングできるエッチング
装置、エッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供
する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、
下地膜１上にＴｉＮ膜２を形成する工程と、このＴｉＮ
膜２上にＢＡＲＣ３を形成する工程と、このＢＡＲＣ３
上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜
を露光、現像する工程と、少なくともＣｌ2ガス及びＣ
ＨＦ3ガスを含むエッチングガスをプラズマ化し、フォ
トレジスト膜４ａをマスクとしてＢＡＲＣ３をエッチン
グする工程と、を具備するものである。
なく、ＢＡＲＣを精度良くエッチングできるエッチング
装置、エッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供
する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、
下地膜１上にＴｉＮ膜２を形成する工程と、このＴｉＮ
膜２上にＢＡＲＣ３を形成する工程と、このＢＡＲＣ３
上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜
を露光、現像する工程と、少なくともＣｌ2ガス及びＣ
ＨＦ3ガスを含むエッチングガスをプラズマ化し、フォ
トレジスト膜４ａをマスクとしてＢＡＲＣ３をエッチン
グする工程と、を具備するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＢＡＲＣをエッチ
ング加工するエッチング装置、エッチング方法及び半導
体装置の製造方法に関する。
ング加工するエッチング装置、エッチング方法及び半導
体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６（ａ），（ｂ）は、従来の半導体装
置の製造方法を示す断面図である。まず、図６（ａ）に
示すように、下地膜１０１の上にＴｉＮ膜１０２をスパ
ッタリングにより成膜する。この下地膜１０１は、種々
の膜を用いることが可能であるが、例えば下層がＴｉＮ
膜で上層がＡｌ合金膜からなる積層構造を有する膜を用
いることも可能である。次いで、このＴｉＮ膜２の上に
フォトレジスト膜を塗布し、 このフォトレジスト膜を
露光、現像することにより、ＴｉＮ膜１０２上にはレジ
ストパターン１０４ａが形成される。
置の製造方法を示す断面図である。まず、図６（ａ）に
示すように、下地膜１０１の上にＴｉＮ膜１０２をスパ
ッタリングにより成膜する。この下地膜１０１は、種々
の膜を用いることが可能であるが、例えば下層がＴｉＮ
膜で上層がＡｌ合金膜からなる積層構造を有する膜を用
いることも可能である。次いで、このＴｉＮ膜２の上に
フォトレジスト膜を塗布し、 このフォトレジスト膜を
露光、現像することにより、ＴｉＮ膜１０２上にはレジ
ストパターン１０４ａが形成される。
【０００３】この後、図６（ｂ）に示すように、このレ
ジストパターン１０４ａをマスクとしてＴｉＮ膜１０２
をドライエッチングにより加工する。
ジストパターン１０４ａをマスクとしてＴｉＮ膜１０２
をドライエッチングにより加工する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体素子
の微細化が進むにつれてＴｉＮ膜上に微細なレジストパ
ターンを形成する必要が生じる。この際、ＴｉＮ膜上に
反射防止膜として作用するＢＡＲＣを形成することが必
要となる。このＢＡＲＣを用いた場合について以下に説
明する。
の微細化が進むにつれてＴｉＮ膜上に微細なレジストパ
ターンを形成する必要が生じる。この際、ＴｉＮ膜上に
反射防止膜として作用するＢＡＲＣを形成することが必
要となる。このＢＡＲＣを用いた場合について以下に説
明する。
【０００５】図７（ａ），（ｂ）は、反射防止膜として
ＢＡＲＣを用いてＴｉＮ膜をパターニングする方法を示
す断面図である。まず、図７（ａ）に示すように、下地
膜１０１の上にＴｉＮ膜１０２をスパッタリングにより
成膜する。次いで、このＴｉＮ膜１０２の上に反射防止
膜として作用するＢＡＲＣ１０３を形成する。次いで、
このＢＡＲＣ１０３の上にフォトレジスト膜を塗布し、
このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、Ｂ
ＡＲＣ１０３上にはレジストパターン１０４ａが形成さ
れる。
ＢＡＲＣを用いてＴｉＮ膜をパターニングする方法を示
す断面図である。まず、図７（ａ）に示すように、下地
膜１０１の上にＴｉＮ膜１０２をスパッタリングにより
成膜する。次いで、このＴｉＮ膜１０２の上に反射防止
膜として作用するＢＡＲＣ１０３を形成する。次いで、
このＢＡＲＣ１０３の上にフォトレジスト膜を塗布し、
このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、Ｂ
ＡＲＣ１０３上にはレジストパターン１０４ａが形成さ
れる。
【０００６】この後、図７（ｂ）に示すように、このレ
ジストパターン１０４ａをマスクとしてＢＡＲＣ１０３
をドライエッチングにより加工する。この際、エッチン
グガスとしてＯ2系ガスを用いる。
ジストパターン１０４ａをマスクとしてＢＡＲＣ１０３
をドライエッチングにより加工する。この際、エッチン
グガスとしてＯ2系ガスを用いる。
【０００７】図７に示す半導体装置の製造方法では、Ｏ
2ガスがＴｉＮ膜１０２と反応し、ＴｉＮ膜１０２の上
にＴｉ酸化物１０５が生成されてしまうことがある。こ
のＴｉ酸化物１０５は、その後の下地膜などのエッチン
グ工程でエッチング残渣として残ってしまうおそれがあ
る。
2ガスがＴｉＮ膜１０２と反応し、ＴｉＮ膜１０２の上
にＴｉ酸化物１０５が生成されてしまうことがある。こ
のＴｉ酸化物１０５は、その後の下地膜などのエッチン
グ工程でエッチング残渣として残ってしまうおそれがあ
る。
【０００８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、ＢＡＲＣを精度良くエッ
チングできるエッチング装置、エッチング方法及び半導
体装置の製造方法を提供することにある。また、本発明
の他の目的は、ＴｉＮ膜と反応したエッチング残渣が残
ることのないエッチング装置、エッチング方法及び半導
体装置の製造方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、ＢＡＲＣを精度良くエッ
チングできるエッチング装置、エッチング方法及び半導
体装置の製造方法を提供することにある。また、本発明
の他の目的は、ＴｉＮ膜と反応したエッチング残渣が残
ることのないエッチング装置、エッチング方法及び半導
体装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るエッチング装置は、フォトレジスト膜
をマスクとしてＢＡＲＣをエッチングする装置であっ
て、エッチングチャンバと、 エッチングチャンバ内に
配置された被処理体を保持するホルダと、このホルダに
保持された被処理体の近傍にエッチングガスを導入する
ガス導入機構と、このガス導入機構により導入されたエ
ッチングガスをプラズマ化するプラズマ機構と、を具備
し、上記エッチングガスは、少なくともＣｌ2ガス及び
ＣＨＦ3ガスを含む混合ガスであることを特徴とする。
め、本発明に係るエッチング装置は、フォトレジスト膜
をマスクとしてＢＡＲＣをエッチングする装置であっ
て、エッチングチャンバと、 エッチングチャンバ内に
配置された被処理体を保持するホルダと、このホルダに
保持された被処理体の近傍にエッチングガスを導入する
ガス導入機構と、このガス導入機構により導入されたエ
ッチングガスをプラズマ化するプラズマ機構と、を具備
し、上記エッチングガスは、少なくともＣｌ2ガス及び
ＣＨＦ3ガスを含む混合ガスであることを特徴とする。
【００１０】上記エッチング装置によれば、少なくとも
Ｃｌ2ガス及びＣＨＦ3ガスを含むエッチングガスを用い
ているため、ＢＡＲＣを精度良くエッチングすることが
可能である。
Ｃｌ2ガス及びＣＨＦ3ガスを含むエッチングガスを用い
ているため、ＢＡＲＣを精度良くエッチングすることが
可能である。
【００１１】また、本発明に係るエッチング装置におい
て、上記エッチングガスにはＡｒガスがさらに含まれる
ことも可能である。
て、上記エッチングガスにはＡｒガスがさらに含まれる
ことも可能である。
【００１２】また、本発明に係るエッチング装置におい
て、上記被処理体は、下地膜上にＴｉＮ膜を形成し、こ
のＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成し、このＢＡＲＣ上にフ
ォトレジスト膜を形成したものであることが好ましい。
このようにＢＡＲＣの下にＴｉＮ膜が存在していても、
従来技術のようにＯ2ガスをエッチングガスとして用い
ていないので、ＴｉＮ膜とＯ2ガスが反応してＴｉ酸化
物が発生することがない。よって、エッチング残渣の発
生を防止することができる。
て、上記被処理体は、下地膜上にＴｉＮ膜を形成し、こ
のＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成し、このＢＡＲＣ上にフ
ォトレジスト膜を形成したものであることが好ましい。
このようにＢＡＲＣの下にＴｉＮ膜が存在していても、
従来技術のようにＯ2ガスをエッチングガスとして用い
ていないので、ＴｉＮ膜とＯ2ガスが反応してＴｉ酸化
物が発生することがない。よって、エッチング残渣の発
生を防止することができる。
【００１３】本発明に係るエッチング方法は、フォトレ
ジスト膜をマスクとしてＢＡＲＣをエッチングする方法
であって、エッチングチャンバ内に被処理体を配置し、
この被処理体の近傍に少なくともＣｌ2ガス及びＣＨＦ3
ガスを含むエッチングガスを導入し、この導入されたエ
ッチングガスをプラズマ化することにより、ＢＡＲＣを
エッチングすることを特徴とする。
ジスト膜をマスクとしてＢＡＲＣをエッチングする方法
であって、エッチングチャンバ内に被処理体を配置し、
この被処理体の近傍に少なくともＣｌ2ガス及びＣＨＦ3
ガスを含むエッチングガスを導入し、この導入されたエ
ッチングガスをプラズマ化することにより、ＢＡＲＣを
エッチングすることを特徴とする。
【００１４】上記エッチング方法によれば、少なくとも
Ｃｌ2ガス及びＣＨＦ3ガスを含むエッチングガスを用い
ているため、ＢＡＲＣを精度良くエッチングすることが
可能である。
Ｃｌ2ガス及びＣＨＦ3ガスを含むエッチングガスを用い
ているため、ＢＡＲＣを精度良くエッチングすることが
可能である。
【００１５】また、本発明に係るエッチング方法におい
て、上記エッチングガスにはＡｒガスがさらに含まれる
ことも可能である。
て、上記エッチングガスにはＡｒガスがさらに含まれる
ことも可能である。
【００１６】また、本発明に係るエッチング方法におい
て、上記被処理体は、下地膜上にＴｉＮ膜を形成し、こ
のＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成し、このＢＡＲＣ上にフ
ォトレジスト膜を形成したものであることが好ましい。
このようにＢＡＲＣの下にＴｉＮ膜が存在していても、
従来技術のようにＯ2ガスをエッチングガスとして用い
ていないので、ＴｉＮ膜とＯ2ガスが反応してＴｉ酸化
物が発生することがない。よって、エッチング残渣の発
生を防止することができる。
て、上記被処理体は、下地膜上にＴｉＮ膜を形成し、こ
のＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成し、このＢＡＲＣ上にフ
ォトレジスト膜を形成したものであることが好ましい。
このようにＢＡＲＣの下にＴｉＮ膜が存在していても、
従来技術のようにＯ2ガスをエッチングガスとして用い
ていないので、ＴｉＮ膜とＯ2ガスが反応してＴｉ酸化
物が発生することがない。よって、エッチング残渣の発
生を防止することができる。
【００１７】本発明に係る半導体装置の製造方法は、下
地膜上にＴｉＮ膜を形成する工程と、 このＴｉＮ膜上
にＢＡＲＣを形成する工程と、このＢＡＲＣ上にフォト
レジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現
像する工程と、少なくともＣｌ2ガス及びＣＨＦ3ガスを
含むエッチングガスをプラズマ化し、フォトレジスト膜
をマスクとしてＢＡＲＣをエッチングする工程と、を具
備することを特徴とする。
地膜上にＴｉＮ膜を形成する工程と、 このＴｉＮ膜上
にＢＡＲＣを形成する工程と、このＢＡＲＣ上にフォト
レジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現
像する工程と、少なくともＣｌ2ガス及びＣＨＦ3ガスを
含むエッチングガスをプラズマ化し、フォトレジスト膜
をマスクとしてＢＡＲＣをエッチングする工程と、を具
備することを特徴とする。
【００１８】上記半導体装置の製造方法によれば、少な
くともＣｌ2ガス及びＣＨＦ3ガスを含むエッチングガス
を用いているため、ＢＡＲＣを精度良くエッチングする
ことが可能である。また、ＢＡＲＣの下にＴｉＮ膜が存
在していても、従来技術のようにＯ2ガスをエッチング
ガスとして用いていないので、ＴｉＮ膜とＯ2ガスが反
応してＴｉ酸化物が発生することがない。よって、エッ
チング残渣の発生を防止することができる。
くともＣｌ2ガス及びＣＨＦ3ガスを含むエッチングガス
を用いているため、ＢＡＲＣを精度良くエッチングする
ことが可能である。また、ＢＡＲＣの下にＴｉＮ膜が存
在していても、従来技術のようにＯ2ガスをエッチング
ガスとして用いていないので、ＴｉＮ膜とＯ2ガスが反
応してＴｉ酸化物が発生することがない。よって、エッ
チング残渣の発生を防止することができる。
【００１９】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
において、上記エッチングガスにはＡｒガスがさらに含
まれることも可能である。
において、上記エッチングガスにはＡｒガスがさらに含
まれることも可能である。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１〜図４は、本発明の実
施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。図５は、図３に示すＢＡＲＣ（反射防止膜）をエッ
チングする際に用いるエッチング装置を示す構成図であ
る。
施の形態について説明する。図１〜図４は、本発明の実
施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。図５は、図３に示すＢＡＲＣ（反射防止膜）をエッ
チングする際に用いるエッチング装置を示す構成図であ
る。
【００２１】まず、図１に示すように、下地膜１の上に
ＴｉＮ膜２をスパッタリングにより成膜する。この下地
膜１は、種々の膜を用いることが可能であるが、例えば
下層がＴｉＮ膜で上層がＡｌ合金膜からなる積層構造を
有する膜を用いることも可能である。次いで、このＴｉ
Ｎ膜２の上に反射防止膜として作用するＢＡＲＣ３を形
成する。次いで、このＢＡＲＣ３の上にフォトレジスト
膜４を塗布する。
ＴｉＮ膜２をスパッタリングにより成膜する。この下地
膜１は、種々の膜を用いることが可能であるが、例えば
下層がＴｉＮ膜で上層がＡｌ合金膜からなる積層構造を
有する膜を用いることも可能である。次いで、このＴｉ
Ｎ膜２の上に反射防止膜として作用するＢＡＲＣ３を形
成する。次いで、このＢＡＲＣ３の上にフォトレジスト
膜４を塗布する。
【００２２】次に、図２に示すように、このフォトレジ
スト膜４を露光、現像することにより、ＢＡＲＣ３上に
はレジストパターン４ａが形成される。
スト膜４を露光、現像することにより、ＢＡＲＣ３上に
はレジストパターン４ａが形成される。
【００２３】この後、図３に示すように、このレジスト
パターン４ａをマスクとしてＢＡＲＣ３をドライエッチ
ングにより加工する。この際のエッチング条件は、エッ
チングガスとしてＣｌ2／ＣＨＦ3／Ａｒの混合ガスを用
い、ガス流量をＣｌ2ガス４０〜８０ｓｃｃｍ、ＣＨＦ3
ガス０〜１０ｓｃｃｍ、Ａｒガス０〜１００ｓｃｃｍと
する。また、この際のエッチングには、図５に示すエッ
チング装置を用いる。このエッチング装置については後
述する。ただし、このエッチング装置は一例であり、他
のエッチング装置を用いることも可能である。また、エ
ッチングガスの中にＡｒガスを用いているが、Ａｒガス
を用いることなくエッチングを行うことも可能である。
パターン４ａをマスクとしてＢＡＲＣ３をドライエッチ
ングにより加工する。この際のエッチング条件は、エッ
チングガスとしてＣｌ2／ＣＨＦ3／Ａｒの混合ガスを用
い、ガス流量をＣｌ2ガス４０〜８０ｓｃｃｍ、ＣＨＦ3
ガス０〜１０ｓｃｃｍ、Ａｒガス０〜１００ｓｃｃｍと
する。また、この際のエッチングには、図５に示すエッ
チング装置を用いる。このエッチング装置については後
述する。ただし、このエッチング装置は一例であり、他
のエッチング装置を用いることも可能である。また、エ
ッチングガスの中にＡｒガスを用いているが、Ａｒガス
を用いることなくエッチングを行うことも可能である。
【００２４】次に、図４に示すように、レジストパター
ン４ａをマスクとしてＴｉＮ膜２をドライエッチングに
より加工する。この際のエッチングは、図５に示すエッ
チング装置でＢＡＲＣ３と連続的にエッチングすること
も可能である。次いで、Ａｌ合金膜及びＴｉＮ膜からな
る下地膜１を図５に示すエッチング装置でさらに連続的
にエッチングすることも可能である。
ン４ａをマスクとしてＴｉＮ膜２をドライエッチングに
より加工する。この際のエッチングは、図５に示すエッ
チング装置でＢＡＲＣ３と連続的にエッチングすること
も可能である。次いで、Ａｌ合金膜及びＴｉＮ膜からな
る下地膜１を図５に示すエッチング装置でさらに連続的
にエッチングすることも可能である。
【００２５】図５に示すように、エッチング装置はエッ
チングチャンバ１１を有しており、このエッチングチャ
ンバ１１には排気口が設けられており、この排気口は真
空ポンプ（図示せず）に接続されている。また、エッチ
ングチャンバ１１にはガス導入口が設けられており、こ
のガス導入口にはガスライン１２の一端が接続されてい
る。
チングチャンバ１１を有しており、このエッチングチャ
ンバ１１には排気口が設けられており、この排気口は真
空ポンプ（図示せず）に接続されている。また、エッチ
ングチャンバ１１にはガス導入口が設けられており、こ
のガス導入口にはガスライン１２の一端が接続されてい
る。
【００２６】ガスライン１２の他端には第１〜第４の流
量コントローラ１３〜１６が接続されている。第１の流
量コントローラ１３にはＣｌ2ガスボンベ１７が接続さ
れており、第２の流量コントローラ１４にはＣＨＦ3ガ
スボンベ１８が接続されている。第３の流量コントロー
ラ１５にはＡｒガスボンベ１９が接続されており、第４
の流量コントローラ１６にはＢＣｌ3ガスボンベ２０が
接続されている。ＢＣｌ3ガスボンベ２０はＡｌ合金膜
及びＴｉＮ膜をエッチングする際に用いられ、このエッ
チング装置はＡｌ合金膜及びＴｉＮ膜をエッチングする
エッチング装置としても用いられる。
量コントローラ１３〜１６が接続されている。第１の流
量コントローラ１３にはＣｌ2ガスボンベ１７が接続さ
れており、第２の流量コントローラ１４にはＣＨＦ3ガ
スボンベ１８が接続されている。第３の流量コントロー
ラ１５にはＡｒガスボンベ１９が接続されており、第４
の流量コントローラ１６にはＢＣｌ3ガスボンベ２０が
接続されている。ＢＣｌ3ガスボンベ２０はＡｌ合金膜
及びＴｉＮ膜をエッチングする際に用いられ、このエッ
チング装置はＡｌ合金膜及びＴｉＮ膜をエッチングする
エッチング装置としても用いられる。
【００２７】エッチングチャンバ１１の内部には被処理
体であるウエハ２３を載置するためのウエハボルダ２１
が配置されている。このウエハホルダ２１には高周波電
源２２が接続されている。また、エッチングチャンバ１
１の内部には、ウエハホルダ２１と対向する位置に平板
電極２４が配置されている。この平板電極２４は接地電
位に接続されている。
体であるウエハ２３を載置するためのウエハボルダ２１
が配置されている。このウエハホルダ２１には高周波電
源２２が接続されている。また、エッチングチャンバ１
１の内部には、ウエハホルダ２１と対向する位置に平板
電極２４が配置されている。この平板電極２４は接地電
位に接続されている。
【００２８】次に、図５に示すエッチング装置を用いた
エッチング方法について説明する。まず、図２に示すよ
うなＢＡＲＣ３の上にレジストパターン４ａが形成され
たウエハ２３をエッチングチャンバ１１に投入し、この
ウエハ２３をウエハホルダ２１上に保持させる。次い
で、エッチングチャンバ１１を所定の圧力に減圧し、Ｃ
ｌ2ガスボンベ１７、ＣＨＦ3ガスボンベ１８、Ａｒガス
ボンベ１９からＣｌ2ガス、ＣＨＦ3ガス、Ａｒガスを、
ガスライン１２を通してエッチングチャンバ１１の内部
に矢印のように導入する。これにより、Ｃｌ2／ＣＨＦ3
／Ａｒの混合ガスがウエハ２３の上方に導入される。こ
の際のガス流量は、第１〜第４の流量コントローラ１４
〜１６によって制御される。そして、高周波電源２２に
より高周波電力を印加することにより、上記ガスをプラ
ズマ化してＢＡＲＣ３をエッチングする。このようにし
て図３に示すようにＢＡＲＣ３がエッチング加工され
る。
エッチング方法について説明する。まず、図２に示すよ
うなＢＡＲＣ３の上にレジストパターン４ａが形成され
たウエハ２３をエッチングチャンバ１１に投入し、この
ウエハ２３をウエハホルダ２１上に保持させる。次い
で、エッチングチャンバ１１を所定の圧力に減圧し、Ｃ
ｌ2ガスボンベ１７、ＣＨＦ3ガスボンベ１８、Ａｒガス
ボンベ１９からＣｌ2ガス、ＣＨＦ3ガス、Ａｒガスを、
ガスライン１２を通してエッチングチャンバ１１の内部
に矢印のように導入する。これにより、Ｃｌ2／ＣＨＦ3
／Ａｒの混合ガスがウエハ２３の上方に導入される。こ
の際のガス流量は、第１〜第４の流量コントローラ１４
〜１６によって制御される。そして、高周波電源２２に
より高周波電力を印加することにより、上記ガスをプラ
ズマ化してＢＡＲＣ３をエッチングする。このようにし
て図３に示すようにＢＡＲＣ３がエッチング加工され
る。
【００２９】この後、図４に示すように、ＢＡＲＣ３の
下のＴｉＮ膜２を連続的にエッチングすることも可能で
ある。次いで、Ａｌ合金膜及びＴｉＮ膜からなる下地膜
１をさらに連続的にエッチングすることも可能である。
これらの場合、ＢＣｌ3ガスボンベ２０によりＢＣｌ3ガ
スもエッチングガスとして用いる。
下のＴｉＮ膜２を連続的にエッチングすることも可能で
ある。次いで、Ａｌ合金膜及びＴｉＮ膜からなる下地膜
１をさらに連続的にエッチングすることも可能である。
これらの場合、ＢＣｌ3ガスボンベ２０によりＢＣｌ3ガ
スもエッチングガスとして用いる。
【００３０】上記実施の形態によれば、少なくともＣｌ
2ガス及びＣＨＦ3ガスを含むエッチングガスを用いてい
るため、ＢＡＲＣを精度良くエッチングすることが可能
である。
2ガス及びＣＨＦ3ガスを含むエッチングガスを用いてい
るため、ＢＡＲＣを精度良くエッチングすることが可能
である。
【００３１】また、上記実施の形態では、少なくともＣ
ｌ2ガス及びＣＨＦ3ガスを含むエッチングガスを用いて
ＢＡＲＣをエッチングしている。従って、従来のように
Ｏ2ガスをエッチングガスとして用いていないので、Ｔ
ｉＮ膜２とＯ2ガスが反応してＴｉ酸化物が発生するこ
とがない。よって、エッチング残渣の発生を防止するこ
とができる。
ｌ2ガス及びＣＨＦ3ガスを含むエッチングガスを用いて
ＢＡＲＣをエッチングしている。従って、従来のように
Ｏ2ガスをエッチングガスとして用いていないので、Ｔ
ｉＮ膜２とＯ2ガスが反応してＴｉ酸化物が発生するこ
とがない。よって、エッチング残渣の発生を防止するこ
とができる。
【００３２】また、上記実施の形態によるエッチング装
置はＡｌ合金膜をエッチングするエッチング装置として
も用いることができるものである。このため、Ａｌ合金
膜用のエッチング装置でもＢＡＲＣをエッチングするこ
とが可能となる。
置はＡｌ合金膜をエッチングするエッチング装置として
も用いることができるものである。このため、Ａｌ合金
膜用のエッチング装置でもＢＡＲＣをエッチングするこ
とが可能となる。
【００３３】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
エッチングガスの流量などのエッチング条件は適宜変更
可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
エッチングガスの流量などのエッチング条件は適宜変更
可能である。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、少
なくともＣｌ2ガス及びＣＨＦ3ガスを含むエッチングガ
スを用いている。したがって、ＢＡＲＣを精度良くエッ
チングできるエッチング装置、エッチング方法及び半導
体装置の製造方法を提供することができる。また、本発
明によれば、ＴｉＮ膜と反応したエッチング残渣が残る
ことのないエッチング装置、エッチング方法及び半導体
装置の製造方法を提供することができる。
なくともＣｌ2ガス及びＣＨＦ3ガスを含むエッチングガ
スを用いている。したがって、ＢＡＲＣを精度良くエッ
チングできるエッチング装置、エッチング方法及び半導
体装置の製造方法を提供することができる。また、本発
明によれば、ＴｉＮ膜と反応したエッチング残渣が残る
ことのないエッチング装置、エッチング方法及び半導体
装置の製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を示すものであり、図１の次の工程を示す断面図であ
る。
法を示すものであり、図１の次の工程を示す断面図であ
る。
【図３】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を示すものであり、図２の次の工程を示す断面図であ
る。
法を示すものであり、図２の次の工程を示す断面図であ
る。
【図４】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を示すものであり、図３の次の工程を示す断面図であ
る。
法を示すものであり、図３の次の工程を示す断面図であ
る。
【図５】図３に示すＢＡＲＣ（反射防止膜）をエッチン
グする際に用いるエッチング装置を示す構成図である。
グする際に用いるエッチング装置を示す構成図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は、従来の半導体装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図７】（ａ），（ｂ）は、反射防止膜としてＢＡＲＣ
を用いてＴｉＮ膜をパターニングする方法を示す断面図
である。
を用いてＴｉＮ膜をパターニングする方法を示す断面図
である。
１，１０１…下地膜
２，１０２…ＴｉＮ膜
３，１０３…ＢＡＲＣ
４…フォトレジスト膜
４ａ，１０４ａ…レジストパターン
１１…エッチングチャンバ
１２…ガスライン
１３〜１６…第１〜第４の流量コントローラ
１７…Ｃｌ2ガスボンベ
１８…ＣＨＦ3ガスボンベ
１９…Ａｒガスボンベ
２０…ＢＣｌ3ガスボンベ
２１…ウエハホルダ
２２…高周波電源
２３…ウエハ
２４…平板電極
１０５…Ｔｉ酸化物
Claims (8)
- 【請求項１】 フォトレジスト膜をマスクとしてＢＡＲ
Ｃをエッチングする装置であって、 エッチングチャンバと、 このエッチングチャンバ内に配置された被処理体を保持
するホルダと、 このホルダに保持された被処理体の近傍にエッチングガ
スを導入するガス導入機構と、 このガス導入機構により導入されたエッチングガスをプ
ラズマ化するプラズマ機構と、 を具備し、 上記エッチングガスは、少なくともＣｌ2ガス及びＣＨ
Ｆ3ガスを含む混合ガスであることを特徴とするエッチ
ング装置。 - 【請求項２】 上記エッチングガスにはＡｒガスがさら
に含まれることを特徴とする請求項１に記載のエッチン
グ装置。 - 【請求項３】 上記被処理体は、下地膜上にＴｉＮ膜を
形成し、このＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成し、このＢＡ
ＲＣ上にフォトレジスト膜を形成したものであることを
特徴とする請求項１又は２に記載のエッチング装置。 - 【請求項４】 フォトレジスト膜をマスクとしてＢＡＲ
Ｃをエッチングする方法であって、 エッチングチャンバ内に被処理体を配置し、 この被処理体の近傍に少なくともＣｌ2ガス及びＣＨＦ3
ガスを含むエッチングガスを導入し、 この導入されたエッチングガスをプラズマ化することに
より、ＢＡＲＣをエッチングすることを特徴とするエッ
チング方法。 - 【請求項５】 上記エッチングガスにはＡｒガスがさら
に含まれることを特徴とする請求項４に記載のエッチン
グ方法。 - 【請求項６】 上記被処理体は、下地膜上にＴｉＮ膜を
形成し、このＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成し、このＢＡ
ＲＣ上にフォトレジスト膜を形成したものであることを
特徴とする請求項４又は５に記載のエッチング方法。 - 【請求項７】 下地膜上にＴｉＮ膜を形成する工程と、 このＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成する工程と、 このＢＡＲＣ上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォ
トレジスト膜を露光、現像する工程と、 少なくともＣｌ2ガス及びＣＨＦ3ガスを含むエッチング
ガスをプラズマ化し、フォトレジスト膜をマスクとして
ＢＡＲＣをエッチングする工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 上記エッチングガスにはＡｒガスがさら
に含まれることを特徴とする請求項７に記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194938A JP2003007691A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | エッチング装置、エッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194938A JP2003007691A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | エッチング装置、エッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007691A true JP2003007691A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19032989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001194938A Withdrawn JP2003007691A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | エッチング装置、エッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003007691A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111696859A (zh) * | 2019-03-15 | 2020-09-22 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 使用等离子体刻蚀进行超窄沟道图案化 |
-
2001
- 2001-06-27 JP JP2001194938A patent/JP2003007691A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111696859A (zh) * | 2019-03-15 | 2020-09-22 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 使用等离子体刻蚀进行超窄沟道图案化 |
| CN111696859B (zh) * | 2019-03-15 | 2023-04-25 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 使用等离子体刻蚀进行超窄沟道图案化 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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