JPH02162730A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02162730A JPH02162730A JP31796388A JP31796388A JPH02162730A JP H02162730 A JPH02162730 A JP H02162730A JP 31796388 A JP31796388 A JP 31796388A JP 31796388 A JP31796388 A JP 31796388A JP H02162730 A JPH02162730 A JP H02162730A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にアルミ合金
膜の反応性イオンエツチング方法に間する。
膜の反応性イオンエツチング方法に間する。
半導体装置の高集積化に伴って、微細パターンを加工精
度良く形成するために、平行平板電極を用いた反応性イ
オンエツチング法が用いられている。第２図はこの反応
性イオンエツチング法を実施するエツチング装置を模式
的に示したものである。
度良く形成するために、平行平板電極を用いた反応性イ
オンエツチング法が用いられている。第２図はこの反応
性イオンエツチング法を実施するエツチング装置を模式
的に示したものである。
エツチング室１内に一対の平行平板電極２．３を配置し
、その一方の電極３上にウェハー４を載置するように構
成されており、ガス導入孔１ａから反応ガスをエツチン
グ室１内に導入すると共に、排気孔１ｂから排気し、こ
の状態で上記電極２．３間に高周波電源５を用いて高周
波電圧を印加して放電を起こさせ、プラズマを発生させ
て、ウェハー４をエツチングするようにしている。
、その一方の電極３上にウェハー４を載置するように構
成されており、ガス導入孔１ａから反応ガスをエツチン
グ室１内に導入すると共に、排気孔１ｂから排気し、こ
の状態で上記電極２．３間に高周波電源５を用いて高周
波電圧を印加して放電を起こさせ、プラズマを発生させ
て、ウェハー４をエツチングするようにしている。
この様な反応性イオンエツチング装置で半導体基板上の
ＳＬやＣｕ等を含むアルミ合金膜をエツチングする場合
、反応性ガスとしてはｃｃｉ４等の塩素系のガスがよく
用いられているが、この際、エツチング後にアルミ合金
膜側面に付着した塩素原子がアルミ合金膜腐食の原因と
なる。これを防止する方法として従来は、エツチング後
にＣＦ、のプラズマ放電による洗浄が行なわれていた。
ＳＬやＣｕ等を含むアルミ合金膜をエツチングする場合
、反応性ガスとしてはｃｃｉ４等の塩素系のガスがよく
用いられているが、この際、エツチング後にアルミ合金
膜側面に付着した塩素原子がアルミ合金膜腐食の原因と
なる。これを防止する方法として従来は、エツチング後
にＣＦ、のプラズマ放電による洗浄が行なわれていた。
以下第３図（ａ）〜（ｃ）を用い従来のアルミ合金膜の
エツチング方法を説明する。
エツチング方法を説明する。
まず第３図（ａ）に示すように、半導体基板１０上にシ
リコン酸化膜１１を介して導体としてのアルミ合金Ｗ！
Ａ１２をスパッタ法等により形成する。次でホトレジス
ト膜１３を形成したのちパターニングする。
リコン酸化膜１１を介して導体としてのアルミ合金Ｗ！
Ａ１２をスパッタ法等により形成する。次でホトレジス
ト膜１３を形成したのちパターニングする。
次に第３図（ｂ）に示すように、ホトレジスト膜１３を
マスクとし、塩素系ガス１４を用いる反応性エツチング
法によりアルミ合金膜１２をエツチングする。この際、
エッチャントである塩素原子１５はアルミ合金膜１２の
側壁に付着し、このまま大気開放すると、空気中の水分
と反応してアルミ合金膜の腐食を引き起こす。
マスクとし、塩素系ガス１４を用いる反応性エツチング
法によりアルミ合金膜１２をエツチングする。この際、
エッチャントである塩素原子１５はアルミ合金膜１２の
側壁に付着し、このまま大気開放すると、空気中の水分
と反応してアルミ合金膜の腐食を引き起こす。
そこでアルミ合金膜１２のエツチングが終了した時点で
、第３図（ｃ）に示すように、反応性ガスをＣＦ４１６
に切り換えて、後処理を行なう。
、第３図（ｃ）に示すように、反応性ガスをＣＦ４１６
に切り換えて、後処理を行なう。
この処理によりアルミ合金膜側壁に付着していた塩素原
子１５はＣＦ４のプラズマ洗浄によってフッ素原子１７
に置換される。このため、大気開放後のアルミ合金膜の
腐食を防止することができる。
子１５はＣＦ４のプラズマ洗浄によってフッ素原子１７
に置換される。このため、大気開放後のアルミ合金膜の
腐食を防止することができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上述した従来の半導体装置の製造方法に
おけるアルミ合金膜の洗浄方法では、アルミ合金膜の腐
食を防止するには不充分である。
おけるアルミ合金膜の洗浄方法では、アルミ合金膜の腐
食を防止するには不充分である。
即ち、ＣＦ４のプラズマ放電による洗浄を行った後にも
アルミ合金膜の側面には、エッチャントである塩素原子
が少量ではあるが付着しているので、エツチング後処理
後長い時間をおくと空気中の水分と反応して腐食が進み
半導体装置の信頼性を低下させるという欠点がある。
アルミ合金膜の側面には、エッチャントである塩素原子
が少量ではあるが付着しているので、エツチング後処理
後長い時間をおくと空気中の水分と反応して腐食が進み
半導体装置の信頼性を低下させるという欠点がある。
又、付着した塩素原子を完全に取り除くには多大の時間
を要するので、半導体装置製造期間を長くするという欠
点もある。
を要するので、半導体装置製造期間を長くするという欠
点もある。
本発明の半導体装置の製造方法は、塩素系ガスを用いる
反応性イオンエツチング法によりアルミ合金膜をエツチ
ングする半導体装置の製造方法において、エツチング後
のアルミ合金膜をフッ素ラジカル濃度の多いガスのプラ
ズマ放電により処理するものである。
反応性イオンエツチング法によりアルミ合金膜をエツチ
ングする半導体装置の製造方法において、エツチング後
のアルミ合金膜をフッ素ラジカル濃度の多いガスのプラ
ズマ放電により処理するものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図＜ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように、半導体基板１０上にシ
リコン酸化膜１１を介してアルミ合金膜１２を形成する
。次で、ホトレジスト膜１３をマスクとじＣＣ，！ｉｔ
４等の塩素系のガスを用いる反応性イオンエツチング法
によりアルミ合金膜をエツチングする。この時アルミ合
金膜の側面には塩素原子１５が付着する。
リコン酸化膜１１を介してアルミ合金膜１２を形成する
。次で、ホトレジスト膜１３をマスクとじＣＣ，！ｉｔ
４等の塩素系のガスを用いる反応性イオンエツチング法
によりアルミ合金膜をエツチングする。この時アルミ合
金膜の側面には塩素原子１５が付着する。
次に第１図（ｂ）の様に、反応性ガスを５Ｆ６１８に切
り換え、流量５０ＳＣＣＭ、圧力１０Ｐａの条件で後処
理を行う、ＳＦ６ガスプラズマは、ＣＦ４ガスプラズマ
に比べ、フッ素原子またはラジカルの発生効率が高い。
り換え、流量５０ＳＣＣＭ、圧力１０Ｐａの条件で後処
理を行う、ＳＦ６ガスプラズマは、ＣＦ４ガスプラズマ
に比べ、フッ素原子またはラジカルの発生効率が高い。
従って、エツチング装置内により多くのフッ素原子やラ
ジカルが散在することになる。
ジカルが散在することになる。
このため、第１図（Ｃ）の様に、アルミ合金膜１２の側
面に付着していた塩素原子１５はフッ素原子１７に置換
され残らない。
面に付着していた塩素原子１５はフッ素原子１７に置換
され残らない。
後は、反応性ガスを０２ガス１つに切り換え、酸素プラ
ズマを発生させることにより、アルミ合金膜上のホトレ
ジスト膜１３を取り除き、同時にアルミ合金膜１２の側
面に付着したフッ素原子１７も収り去り、第１図（ｄ）
に示すように、アルミ合金配線１２Ａを形成する。
ズマを発生させることにより、アルミ合金膜上のホトレ
ジスト膜１３を取り除き、同時にアルミ合金膜１２の側
面に付着したフッ素原子１７も収り去り、第１図（ｄ）
に示すように、アルミ合金配線１２Ａを形成する。
このように本実施例によれば、アルミ合金配線１２Ａが
形成されるまでのエツチング及び後処理等のプロセスを
一つのエツチング装置で連続して行うことが出来、しか
もアルミ合金配線の表面には塩素原子が残ることがない
ので、アルミ合金配線を形成した後、そのまま長時間大
気放置してもアルミ合金の腐食が起こることはない。
形成されるまでのエツチング及び後処理等のプロセスを
一つのエツチング装置で連続して行うことが出来、しか
もアルミ合金配線の表面には塩素原子が残ることがない
ので、アルミ合金配線を形成した後、そのまま長時間大
気放置してもアルミ合金の腐食が起こることはない。
尚、上記実施例においてはフッ素ラジカル濃度の多いガ
スとしてＳＦ６ガスを用いた場合について説明したが、
ＮＦ３ガスを用いてもよい。
スとしてＳＦ６ガスを用いた場合について説明したが、
ＮＦ３ガスを用いてもよい。
ＮＦ、ガスはＳＦ６ガスに比べ、フッ素原子またはラジ
カルの発生効率が更に高いため、アルミ合金膜側面の塩
素原子をより完全に除去できる利点がある。
カルの発生効率が更に高いため、アルミ合金膜側面の塩
素原子をより完全に除去できる利点がある。
以上説明したように本発明は、塩素系ガスを用いる反応
性イオンエツチング法によりアルミ合金膜をエツチング
した後にフッ素ラジカル濃度の多いガスのプラズマ放電
による洗浄を行なうことにより、より確実にアルミ合金
膜側壁に付着した塩素原子を取り除くことができるため
、半導体装置の信頼性向上及び製造時間の短縮に大きな
効果がある。
性イオンエツチング法によりアルミ合金膜をエツチング
した後にフッ素ラジカル濃度の多いガスのプラズマ放電
による洗浄を行なうことにより、より確実にアルミ合金
膜側壁に付着した塩素原子を取り除くことができるため
、半導体装置の信頼性向上及び製造時間の短縮に大きな
効果がある。
図、第３図（ａ）〜（ｃ）は従来の製造方法を説明する
ための工程順に示した半導体チップの断面図である。
ための工程順に示した半導体チップの断面図である。
１・・・エツチング室、２．３・・・平行平板電極、４
・・・ウェハー、５・・・高周波電源、１０・・・半導
体基板、１１・・・シリコン酸化膜、１２・・・アルミ
合金膜、１３・・・ホトレジスト膜、１４・・・塩素系
ガス、１５・・・塩素原子、１６・・・ＣＦ ４ガス、
１７・・・フッ素原子、１８・・・ＳＦ６ガス、１９・
・・０２ガス。
・・・ウェハー、５・・・高周波電源、１０・・・半導
体基板、１１・・・シリコン酸化膜、１２・・・アルミ
合金膜、１３・・・ホトレジスト膜、１４・・・塩素系
ガス、１５・・・塩素原子、１６・・・ＣＦ ４ガス、
１７・・・フッ素原子、１８・・・ＳＦ６ガス、１９・
・・０２ガス。
Claims (1)
- 塩素系ガスを用いる反応性イオンエッチング法によりア
ルミ合金膜をエッチングする半導体装置の製造方法にお
いて、エッチング後のアルミ合金膜をフッ素ラジカル濃
度の多いガスのプラズマ放電により処理することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31796388A JPH02162730A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31796388A JPH02162730A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02162730A true JPH02162730A (ja) | 1990-06-22 |
Family
ID=18093948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31796388A Pending JPH02162730A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02162730A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04164329A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-10 | Nec Corp | 配線形成工程におけるプラズマ処理方法 |
| US5312519A (en) * | 1991-07-04 | 1994-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of cleaning a charged beam apparatus |
| US5314576A (en) * | 1992-06-09 | 1994-05-24 | Sony Corporation | Dry etching method using (SN)x protective layer |
| US5466942A (en) * | 1991-07-04 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam irradiating apparatus having a cleaning means and a method of cleaning a charged beam irradiating apparatus |
-
1988
- 1988-12-15 JP JP31796388A patent/JPH02162730A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04164329A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-10 | Nec Corp | 配線形成工程におけるプラズマ処理方法 |
| US5312519A (en) * | 1991-07-04 | 1994-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of cleaning a charged beam apparatus |
| US5466942A (en) * | 1991-07-04 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam irradiating apparatus having a cleaning means and a method of cleaning a charged beam irradiating apparatus |
| US5314576A (en) * | 1992-06-09 | 1994-05-24 | Sony Corporation | Dry etching method using (SN)x protective layer |
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