JPH0637053A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0637053A JPH0637053A JP18907892A JP18907892A JPH0637053A JP H0637053 A JPH0637053 A JP H0637053A JP 18907892 A JP18907892 A JP 18907892A JP 18907892 A JP18907892 A JP 18907892A JP H0637053 A JPH0637053 A JP H0637053A
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- Japan
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- etched
- etching
- dry etching
- electrode
- lower electrode
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドライエッチング装置において被エッチング
体面内でのエッチング速度の均一性を向上させる。 【構成】 エッチング反応室内の下部電極１１としてス
テンレス製の平板電極を用い、その下部電極１１上に、
ガス通過孔１４を設けたステンレス製の整流部材１３を
設ける。この下部電極１１上に、被エッチング体１２を
載せ、ドライエッチングを行なう。このようにすれば、
被エッチング体１２とエッチャントとの化学反応により
生成した揮発性生成物の、被エッチング体１２表面から
のガス流を、整流部材１３により制御することにより、
新たなエッチャントの被エッチング体１２表面への供給
量を最適化し、被エッチング体１２面内でのエッチング
速度の均一性を向上させることができる。
体面内でのエッチング速度の均一性を向上させる。 【構成】 エッチング反応室内の下部電極１１としてス
テンレス製の平板電極を用い、その下部電極１１上に、
ガス通過孔１４を設けたステンレス製の整流部材１３を
設ける。この下部電極１１上に、被エッチング体１２を
載せ、ドライエッチングを行なう。このようにすれば、
被エッチング体１２とエッチャントとの化学反応により
生成した揮発性生成物の、被エッチング体１２表面から
のガス流を、整流部材１３により制御することにより、
新たなエッチャントの被エッチング体１２表面への供給
量を最適化し、被エッチング体１２面内でのエッチング
速度の均一性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ＩＣなどの製造
工程に用いられるドライエッチング装置に関するもので
ある。
工程に用いられるドライエッチング装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｓｉ、ＧａＡｓなどの半導体を用
いた集積回路の製造工程では、基板上に微細なパターン
を精度良く形成するために、ガスプラズマを用いたドラ
イエッチング装置が広く用いられている。
いた集積回路の製造工程では、基板上に微細なパターン
を精度良く形成するために、ガスプラズマを用いたドラ
イエッチング装置が広く用いられている。
【０００３】以下、そのドライエッチング装置およびそ
の装置を用いたドライエッチング方法について図５の装
置図を参照しながら説明する。
の装置を用いたドライエッチング方法について図５の装
置図を参照しながら説明する。
【０００４】まず、エッチング反応室５１内の下部電極
１１上に被エッチング体１２を置き、そのエッチング反
応室５１内を減圧状態にした後、フッ素、酸素、炭素、
塩素などからなるエッチングガスをガス導入口５３より
導入する。次に、エッチング反応室５１内の上部電極５
２、下部電極１１間に高周波電力を印加し、プラズマを
発生させる。このプラズマ中では活性な原子、分子、イ
オン（以下、エッチャントと呼ぶ）が生成し、被エッチ
ング体１２に到達して、被エッチング体１２表面と化学
反応を起こす。そして、その化学反応により生成した揮
発性生成物が、被エッチング体表面から取り除かれるこ
とにより、被エッチング体１２のエッチングが進行す
る。
１１上に被エッチング体１２を置き、そのエッチング反
応室５１内を減圧状態にした後、フッ素、酸素、炭素、
塩素などからなるエッチングガスをガス導入口５３より
導入する。次に、エッチング反応室５１内の上部電極５
２、下部電極１１間に高周波電力を印加し、プラズマを
発生させる。このプラズマ中では活性な原子、分子、イ
オン（以下、エッチャントと呼ぶ）が生成し、被エッチ
ング体１２に到達して、被エッチング体１２表面と化学
反応を起こす。そして、その化学反応により生成した揮
発性生成物が、被エッチング体表面から取り除かれるこ
とにより、被エッチング体１２のエッチングが進行す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようなドライエッ
チング装置では、被エッチング体１２の周辺部では中心
部に比べて、被エッチング体１２と被エッチング体１２
に到達したエッチャントとの化学反応により生成した揮
発性生成物が、被エッチング体１２表面から取り除かれ
易いので、新たなエッチャントが速く供給される。その
ため、図６に示すように、被エッチング体１２の周辺部
では中心部に比べて、エッチング速度が速くなり、エッ
チング速度は被エッチング体１２面内で不均一となる。
チング装置では、被エッチング体１２の周辺部では中心
部に比べて、被エッチング体１２と被エッチング体１２
に到達したエッチャントとの化学反応により生成した揮
発性生成物が、被エッチング体１２表面から取り除かれ
易いので、新たなエッチャントが速く供給される。その
ため、図６に示すように、被エッチング体１２の周辺部
では中心部に比べて、エッチング速度が速くなり、エッ
チング速度は被エッチング体１２面内で不均一となる。
【０００６】そこで本発明の目的は、被エッチング体面
内でのエッチング速度の均一性の良いドライエッチング
装置を提供することである。
内でのエッチング速度の均一性の良いドライエッチング
装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のドライエ
ッチング装置は、上記課題を解決するために、エッチン
グ反応室内に、被エッチング体を載置する電極と、被エ
ッチング体上のガス流を制御する整流部材とを備え、前
記整流部材を前記電極上の被エッチング体の周囲に設け
てドライエッチングを行なうものである。
ッチング装置は、上記課題を解決するために、エッチン
グ反応室内に、被エッチング体を載置する電極と、被エ
ッチング体上のガス流を制御する整流部材とを備え、前
記整流部材を前記電極上の被エッチング体の周囲に設け
てドライエッチングを行なうものである。
【０００８】請求項２記載のドライエッチング装置は、
上記課題を解決するために、エッチング反応室内に、被
エッチング体を載置する電極と、前記電極内部に温度制
御部材を備え、電極に温度勾配を与えてドライエッチン
グを行なうものである。
上記課題を解決するために、エッチング反応室内に、被
エッチング体を載置する電極と、前記電極内部に温度制
御部材を備え、電極に温度勾配を与えてドライエッチン
グを行なうものである。
【０００９】
【作用】請求項１記載のドライエッチング装置は、エッ
チング反応室内の電極上に載置した被エッチング体の周
囲に整流部材を設けてドライエッチングを行なうと、被
エッチング体と被エッチング体に到達したエッチャント
との化学反応により生成した揮発性生成物の被エッチン
グ体表面からのガス流が抑制され、新たなエッチャント
の供給が制御できることを利用するものである。
チング反応室内の電極上に載置した被エッチング体の周
囲に整流部材を設けてドライエッチングを行なうと、被
エッチング体と被エッチング体に到達したエッチャント
との化学反応により生成した揮発性生成物の被エッチン
グ体表面からのガス流が抑制され、新たなエッチャント
の供給が制御できることを利用するものである。
【００１０】請求項２記載のドライエッチング装置は、
エッチング反応室内の電極に温度勾配を与えてドライエ
ッチングを行なうと、電極の温度により被エッチング体
と被エッチング体に到達したエッチャントとの化学反応
の速度が制御できることを利用するものである。
エッチング反応室内の電極に温度勾配を与えてドライエ
ッチングを行なうと、電極の温度により被エッチング体
と被エッチング体に到達したエッチャントとの化学反応
の速度が制御できることを利用するものである。
【００１１】
【実施例】以下、本発明のドライエッチング装置の実施
例について図面を参照しながら説明する。
例について図面を参照しながら説明する。
【００１２】（第１の実施例）図１（ａ）に、本発明の
ドライエッチング装置の下部電極部のＡＡ’断面図を、
図１（ｂ）に上面図を示す。下部電極１１としてステン
レス製の平板電極を用い、その下部電極１１上に、図１
（ｂ）に示すように、等間隔にガス通過孔１４を設けた
ステンレス製の整流部材１３を設ける。この下部電極１
１上に、被エッチング体１２を載せ、従来の装置と同様
にドライエッチングを行なう。なおこの際、ガス通過孔
１４が被エッチング体１２によって塞がれることがない
ように、整流部材１３の下部電極１１に接している面か
らガス通過孔１４までの厚さは、被エッチング体１２の
厚さよりも厚くなるように設定する。
ドライエッチング装置の下部電極部のＡＡ’断面図を、
図１（ｂ）に上面図を示す。下部電極１１としてステン
レス製の平板電極を用い、その下部電極１１上に、図１
（ｂ）に示すように、等間隔にガス通過孔１４を設けた
ステンレス製の整流部材１３を設ける。この下部電極１
１上に、被エッチング体１２を載せ、従来の装置と同様
にドライエッチングを行なう。なおこの際、ガス通過孔
１４が被エッチング体１２によって塞がれることがない
ように、整流部材１３の下部電極１１に接している面か
らガス通過孔１４までの厚さは、被エッチング体１２の
厚さよりも厚くなるように設定する。
【００１３】図２に、電極上部のガスの流れを示す。図
２（ｂ）に示した従来例では、被エッチング体１２周辺
部のガス流２１は中心部に比べて速くなっているが、図
２（ａ）に示した実施例では、整流部材１３を設けたこ
とにより、被エッチング体１２周辺部のガス流２１が抑
制され、被エッチング体１２表面全体でガス流２１は均
一になっている。
２（ｂ）に示した従来例では、被エッチング体１２周辺
部のガス流２１は中心部に比べて速くなっているが、図
２（ａ）に示した実施例では、整流部材１３を設けたこ
とにより、被エッチング体１２周辺部のガス流２１が抑
制され、被エッチング体１２表面全体でガス流２１は均
一になっている。
【００１４】このように、第１の実施例によれば、整流
部材１３を下部電極１１上に設けることにより、被エッ
チング体１２表面全体でガス流２１が均一になり、被エ
ッチング体１２面内でのエッチング速度の均一性が向上
するという効果が得られる。
部材１３を下部電極１１上に設けることにより、被エッ
チング体１２表面全体でガス流２１が均一になり、被エ
ッチング体１２面内でのエッチング速度の均一性が向上
するという効果が得られる。
【００１５】（第２の実施例）図３（ａ）に、本発明の
ドライエッチング装置の下部電極部のＢＢ’断面図を、
図３（ｂ）に上面図を示す。下部電極１１としてステン
レス製の平板電極を用い、その下部電極１１内部に、冷
却水配管３１およびそれぞれ独立に制御することができ
るリング状のヒーター３２を設ける。この冷却水配管３
１およびヒーター３２を用いて、図４に示すような温度
勾配を下部電極１１に設定すると、被エッチング体１２
の温度は、被エッチング体１２中心に近いほど高くなる
ので、被エッチング体１２と被エッチング体１２に到達
したエッチャントとの化学反応の速度が被エッチング体
１２中心に近いほど速くなる。
ドライエッチング装置の下部電極部のＢＢ’断面図を、
図３（ｂ）に上面図を示す。下部電極１１としてステン
レス製の平板電極を用い、その下部電極１１内部に、冷
却水配管３１およびそれぞれ独立に制御することができ
るリング状のヒーター３２を設ける。この冷却水配管３
１およびヒーター３２を用いて、図４に示すような温度
勾配を下部電極１１に設定すると、被エッチング体１２
の温度は、被エッチング体１２中心に近いほど高くなる
ので、被エッチング体１２と被エッチング体１２に到達
したエッチャントとの化学反応の速度が被エッチング体
１２中心に近いほど速くなる。
【００１６】このように、第２の実施例によれば、下部
電極１１に温度勾配を与えることにより、被エッチング
体１２と被エッチング体１２に到達したエッチャントと
の化学反応の速度が制御できるため、被エッチング体１
２面内でのエッチング速度の均一性が向上するという効
果が得られる。
電極１１に温度勾配を与えることにより、被エッチング
体１２と被エッチング体１２に到達したエッチャントと
の化学反応の速度が制御できるため、被エッチング体１
２面内でのエッチング速度の均一性が向上するという効
果が得られる。
【００１７】
【発明の効果】請求項１記載のドライエッチング装置に
よれば、ドライエッチングを行なう際に、エッチング反
応室５１内の下部電極１１上に載置した被エッチング体
１２の周囲に整流部材１３を設けて、被エッチング体１
２周辺部と被エッチング体１２周辺部に到達したエッチ
ャントとの化学反応により生成した揮発性生成物の被エ
ッチング体１２周辺部表面からのガス流２１を抑制する
と、新たなエッチャントの供給が制御できるため、ガス
流２１の抑制量を最適に保つことにより、被エッチング
体１２周辺部のエッチング速度が被エッチング体１２中
心部に比べて速くなるのを抑え、被エッチング体１２面
内でのエッチング速度の均一性を向上させることができ
る。
よれば、ドライエッチングを行なう際に、エッチング反
応室５１内の下部電極１１上に載置した被エッチング体
１２の周囲に整流部材１３を設けて、被エッチング体１
２周辺部と被エッチング体１２周辺部に到達したエッチ
ャントとの化学反応により生成した揮発性生成物の被エ
ッチング体１２周辺部表面からのガス流２１を抑制する
と、新たなエッチャントの供給が制御できるため、ガス
流２１の抑制量を最適に保つことにより、被エッチング
体１２周辺部のエッチング速度が被エッチング体１２中
心部に比べて速くなるのを抑え、被エッチング体１２面
内でのエッチング速度の均一性を向上させることができ
る。
【００１８】請求項２記載のドライエッチング装置によ
れば、ドライエッチングを行なう際に、エッチング反応
室５１内の下部電極１１に温度勾配を与えると、被エッ
チング体１２と被エッチング体１２に到達したエッチャ
ントとの化学反応の速度が制御できるため、温度勾配を
最適に保つことにより、被エッチング体１２周辺部のエ
ッチング速度が被エッチング体１２中心部に比べて速く
なるのを抑え、被エッチング体１２面内でのエッチング
速度の均一性を向上させることができる。
れば、ドライエッチングを行なう際に、エッチング反応
室５１内の下部電極１１に温度勾配を与えると、被エッ
チング体１２と被エッチング体１２に到達したエッチャ
ントとの化学反応の速度が制御できるため、温度勾配を
最適に保つことにより、被エッチング体１２周辺部のエ
ッチング速度が被エッチング体１２中心部に比べて速く
なるのを抑え、被エッチング体１２面内でのエッチング
速度の均一性を向上させることができる。
【図１】本発明の実施例のドライエッチング装置の一例
を示す図
を示す図
【図２】本発明の実施例のドライエッチング装置と従来
のドライエッチング装置との相違点を示す断面図
のドライエッチング装置との相違点を示す断面図
【図３】本発明の実施例のドライエッチング装置の一例
を示す図
を示す図
【図４】本発明の実施例のドライエッチング装置の一例
の設定条件を示す設定条件図
の設定条件を示す設定条件図
【図５】従来のドライエッチング装置の一例を示す図
【図６】従来のドライエッチング装置のエッチング特性
の一例を示す特性図
の一例を示す特性図
１１ 下部電極 １２ 被エッチング体 １３ 整流部材 １４ ガス通過孔 ２１ ガス流 ３１ 冷却水配管 ３２ ヒーター ５１ エッチング反応室 ５２ 上部電極 ５３ ガス導入口 ５４ ガス排気口
Claims (2)
- 【請求項１】エッチング反応室内に、被エッチング体を
載置する電極と、前記被エッチング体上のガス流を制御
する整流部材とを備え、前記整流部材を前記電極上の被
エッチング体の周囲に設けることを特徴とするドライエ
ッチング装置。 - 【請求項２】エッチング反応室内に、被エッチング体を
載置する電極と、前記電極に温度勾配を与える温度制御
部材とを備え、前記温度制御部材を前記電極内部に設け
ることを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18907892A JPH0637053A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18907892A JPH0637053A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637053A true JPH0637053A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16234945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18907892A Pending JPH0637053A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637053A (ja) |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP18907892A patent/JPH0637053A/ja active Pending
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