JP2000208491A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JP2000208491A JP2000208491A JP11007532A JP753299A JP2000208491A JP 2000208491 A JP2000208491 A JP 2000208491A JP 11007532 A JP11007532 A JP 11007532A JP 753299 A JP753299 A JP 753299A JP 2000208491 A JP2000208491 A JP 2000208491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate member
- dielectric
- plasma processing
- dielectric plate
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング均一性を向上させる。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置は、処理すべ
きウェハ１を載置するためのウェハ載置台２を収容して
いる反応容器３と、この反応容器３の上部に上下に所定
間隔をおいて配置されている上部誘電体板部材４と下部
誘電体板部材５と、上部誘電体板部材４にマイクロ波を
導入するためのマイクロ波供給装置６と、反応容器３の
内部上部に配置されている対向電極７とを有するプラズ
マ処理装置において、下部誘電体板部材５の中央部の下
面に固定されている誘電率調整用誘電体部材１２を有す
る。
きウェハ１を載置するためのウェハ載置台２を収容して
いる反応容器３と、この反応容器３の上部に上下に所定
間隔をおいて配置されている上部誘電体板部材４と下部
誘電体板部材５と、上部誘電体板部材４にマイクロ波を
導入するためのマイクロ波供給装置６と、反応容器３の
内部上部に配置されている対向電極７とを有するプラズ
マ処理装置において、下部誘電体板部材５の中央部の下
面に固定されている誘電率調整用誘電体部材１２を有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板等のエ
ッチングまたは薄膜形成等にマイクロ波を導入し、プラ
ズマ処理を行うプラズマ処理装置に関する。
ッチングまたは薄膜形成等にマイクロ波を導入し、プラ
ズマ処理を行うプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、プラズマ処理装置として図４
に示すものが知られている。このプラズマ処理装置は、
処理すべきウェハ１０１を載置するためのウェハ載置台
１０２を収容している反応容器１０３と、この反応容器
１０３の上部に上下に所定間隔をおいて配置されている
上部誘電体板部材１０４と下部誘電体板部材１０５と、
上部誘電体板部材１０４にマイクロ波を導入するための
マイクロ波供給装置１０６と、反応容器１０３の内部上
部に配置されている対向電極１０７とを有している。上
部誘電体板部材１０４は、テフロン板で構成されてい
る。下部誘電体板部材１０５は、石英板で構成されてい
る。
に示すものが知られている。このプラズマ処理装置は、
処理すべきウェハ１０１を載置するためのウェハ載置台
１０２を収容している反応容器１０３と、この反応容器
１０３の上部に上下に所定間隔をおいて配置されている
上部誘電体板部材１０４と下部誘電体板部材１０５と、
上部誘電体板部材１０４にマイクロ波を導入するための
マイクロ波供給装置１０６と、反応容器１０３の内部上
部に配置されている対向電極１０７とを有している。上
部誘電体板部材１０４は、テフロン板で構成されてい
る。下部誘電体板部材１０５は、石英板で構成されてい
る。
【０００３】反応容器１０３には、反応ガスを供給する
反応ガス供給管１０８が配置されている。また、反応容
器１０３には、内部の気体を排出する排気管１０９が配
置されている。さらに、反応容器１０３には、これを所
定の温度に保持するヒーター１１０が設けられている。
ウェハ載置台１０２のウェハ保持部には、これに高周波
電力を与える高周波電源１１１が接続されている。
反応ガス供給管１０８が配置されている。また、反応容
器１０３には、内部の気体を排出する排気管１０９が配
置されている。さらに、反応容器１０３には、これを所
定の温度に保持するヒーター１１０が設けられている。
ウェハ載置台１０２のウェハ保持部には、これに高周波
電力を与える高周波電源１１１が接続されている。
【０００４】マイクロ波供給装置１０６からのマイクロ
波が上部誘電体板部材１０４に導入されると、上部誘電
体板部材１０４上に定在波が形成され、下部誘電体板部
材１０５を通して反応容器１０３の内部に侵入しプラズ
マが生成する。この時、下部誘電体板部材１０５の厚み
が一定であるため、下部誘電体板部材１０５における誘
電率は一定であり、図５に示すように下部誘電体板部材
１０５の直下のプラズマ密度分布は均一になる。
波が上部誘電体板部材１０４に導入されると、上部誘電
体板部材１０４上に定在波が形成され、下部誘電体板部
材１０５を通して反応容器１０３の内部に侵入しプラズ
マが生成する。この時、下部誘電体板部材１０５の厚み
が一定であるため、下部誘電体板部材１０５における誘
電率は一定であり、図５に示すように下部誘電体板部材
１０５の直下のプラズマ密度分布は均一になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プラズマ処理装置においては、反応容器１０３の側壁で
のイオンや電子の消滅によりウェハの近傍でのプラズマ
密度分布は、図６に示すように非常に不均一になる。こ
れにより、エッチングも非常に不均一になる。例えばＣ
4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ｏ2 ／Ａｒ＝１０／２４／７／４５０ｓ
ｃｃｍ，Ｐｒｅｓｓｕｒｅ＝６０ｍＴｏｒｒ，マイクロ
波パワー＝１０００Ｗ，バイアスパワー＝１４００Ｗの
条件でウェハ１０１をエッチングした場合、酸化膜のウ
ェハ１０１の面内でのエッチングの均一性は、±９．８
％であった。すなわち、従来のプラズマ処理装置におい
ては、プラズマの均一性が悪く、エッチングの形状がウ
ェハの面内で異なるという問題がある。
プラズマ処理装置においては、反応容器１０３の側壁で
のイオンや電子の消滅によりウェハの近傍でのプラズマ
密度分布は、図６に示すように非常に不均一になる。こ
れにより、エッチングも非常に不均一になる。例えばＣ
4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ｏ2 ／Ａｒ＝１０／２４／７／４５０ｓ
ｃｃｍ，Ｐｒｅｓｓｕｒｅ＝６０ｍＴｏｒｒ，マイクロ
波パワー＝１０００Ｗ，バイアスパワー＝１４００Ｗの
条件でウェハ１０１をエッチングした場合、酸化膜のウ
ェハ１０１の面内でのエッチングの均一性は、±９．８
％であった。すなわち、従来のプラズマ処理装置におい
ては、プラズマの均一性が悪く、エッチングの形状がウ
ェハの面内で異なるという問題がある。
【０００６】本発明の目的は、エッチング均一性を向上
させることができるプラズマ処理装置を提供することに
ある。
させることができるプラズマ処理装置を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、処理すべきウェハを載置す
るためのウェハ載置台を収容している反応容器と、該反
応容器の上部に上下に所定間隔をおいて配置されている
上部誘電体板部材と下部誘電体板部材と、前記上部誘電
体板部材にマイクロ波を導入するためのマイクロ波供給
装置と、反応容器の内部上部に配置されている対向電極
とを有するプラズマ処理装置において、下部誘電体板部
材の中央部の下面に固定されている誘電率調整用誘電体
部材を有することを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、処理すべきウェハを載置す
るためのウェハ載置台を収容している反応容器と、該反
応容器の上部に上下に所定間隔をおいて配置されている
上部誘電体板部材と下部誘電体板部材と、前記上部誘電
体板部材にマイクロ波を導入するためのマイクロ波供給
装置と、反応容器の内部上部に配置されている対向電極
とを有するプラズマ処理装置において、下部誘電体板部
材の中央部の下面に固定されている誘電率調整用誘電体
部材を有することを特徴とする。
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、誘電率調整用誘電体部材はアルミナで構成
されていることを特徴とする。
明において、誘電率調整用誘電体部材はアルミナで構成
されていることを特徴とする。
【０００９】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、誘電率調整用誘電体部材はセラミックスで
構成されていることを特徴とする。
明において、誘電率調整用誘電体部材はセラミックスで
構成されていることを特徴とする。
【００１０】請求項４記載の発明は、処理すべきウェハ
を載置するためのウェハ載置台を収容している反応容器
と、該反応容器の上部に上下に所定間隔をおいて配置さ
れている上部誘電体板部材と下部誘電体板部材と、前記
上部誘電体板部材にマイクロ波を導入するためのマイク
ロ波供給装置と、反応容器の内部上部に配置されている
対向電極とを有するプラズマ処理装置において、下部誘
電体板部材の中央部の上面に固定されている誘電率調整
用誘電体部材を有することを特徴とする。
を載置するためのウェハ載置台を収容している反応容器
と、該反応容器の上部に上下に所定間隔をおいて配置さ
れている上部誘電体板部材と下部誘電体板部材と、前記
上部誘電体板部材にマイクロ波を導入するためのマイク
ロ波供給装置と、反応容器の内部上部に配置されている
対向電極とを有するプラズマ処理装置において、下部誘
電体板部材の中央部の上面に固定されている誘電率調整
用誘電体部材を有することを特徴とする。
【００１１】請求項５記載の発明は、請求項４記載の発
明において、誘電率調整用誘電体部材はアルミナで構成
されていることを特徴とする。
明において、誘電率調整用誘電体部材はアルミナで構成
されていることを特徴とする。
【００１２】請求項６記載の発明は、請求項４記載の発
明において、誘電率調整用誘電体部材はセラミックスで
構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
明において、誘電率調整用誘電体部材はセラミックスで
構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【００１３】請求項７記載の発明は、処理すべきウェハ
を載置するためのウェハ載置台を収容している反応容器
と、該反応容器の上部に上下に所定間隔をおいて配置さ
れている上部誘電体板部材と下部誘電体板部材と、前記
上部誘電体板部材にマイクロ波を導入するためのマイク
ロ波供給装置と、反応容器の内部上部に配置されている
対向電極とを有するプラズマ処理装置において、前記下
部誘電体板部材の中央部の下面または上面に固定されて
いる複数の誘電率調整用誘電体部材を有することを特徴
とする。
を載置するためのウェハ載置台を収容している反応容器
と、該反応容器の上部に上下に所定間隔をおいて配置さ
れている上部誘電体板部材と下部誘電体板部材と、前記
上部誘電体板部材にマイクロ波を導入するためのマイク
ロ波供給装置と、反応容器の内部上部に配置されている
対向電極とを有するプラズマ処理装置において、前記下
部誘電体板部材の中央部の下面または上面に固定されて
いる複数の誘電率調整用誘電体部材を有することを特徴
とする。
【００１４】請求項８記載の発明は、請求項７記載の発
明において、誘電率調整用誘電体部材はアルミナで構成
されていることを特徴とする。
明において、誘電率調整用誘電体部材はアルミナで構成
されていることを特徴とする。
【００１５】請求項９記載の発明は、請求項７記載の発
明において、誘電率調整用誘電体部材はセラミックスで
構成されていることを特徴とする。
明において、誘電率調整用誘電体部材はセラミックスで
構成されていることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施形態を図面に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
【００１７】図１に示すように、本発明のプラズマ処理
装置は、処理すべきウェハ１を載置するためのウェハ載
置台２を収容している反応容器３と、この反応容器３の
上部に上下に所定間隔をおいて配置されている上部誘電
体板部材４と下部誘電体板部材５と、上部誘電体板部材
４にマイクロ波を導入するためのマイクロ波供給装置６
と、反応容器３の内部上部に配置されている対向電極７
とを有している。上部誘電体板部材４は、テフロン板で
構成されている。下部誘電体板部材５は、石英板で構成
されている。
装置は、処理すべきウェハ１を載置するためのウェハ載
置台２を収容している反応容器３と、この反応容器３の
上部に上下に所定間隔をおいて配置されている上部誘電
体板部材４と下部誘電体板部材５と、上部誘電体板部材
４にマイクロ波を導入するためのマイクロ波供給装置６
と、反応容器３の内部上部に配置されている対向電極７
とを有している。上部誘電体板部材４は、テフロン板で
構成されている。下部誘電体板部材５は、石英板で構成
されている。
【００１８】反応容器３には、反応ガスを供給する反応
ガス供給管８が配置されている。また、反応容器３に
は、内部の気体を排出する排気管９が配置されている。
さらに、反応容器３には、これを所定の温度に保持する
ヒーター１０が設けられている。ウェハ載置台２のウェ
ハ保持部には、これに高周波電力を与える高周波電源１
１が接続されている。下部誘電体板部材５の中央部の下
面には、ネジの形に加工された誘電率調整用誘電体部材
１２が下部誘電体板部材にネジ込む形で固定されてい
る。誘電率調整用誘電体部材１２は、アルミナで構成さ
れている。
ガス供給管８が配置されている。また、反応容器３に
は、内部の気体を排出する排気管９が配置されている。
さらに、反応容器３には、これを所定の温度に保持する
ヒーター１０が設けられている。ウェハ載置台２のウェ
ハ保持部には、これに高周波電力を与える高周波電源１
１が接続されている。下部誘電体板部材５の中央部の下
面には、ネジの形に加工された誘電率調整用誘電体部材
１２が下部誘電体板部材にネジ込む形で固定されてい
る。誘電率調整用誘電体部材１２は、アルミナで構成さ
れている。
【００１９】次に、本発明のプラズマ処理装置の動作を
説明する。反応容器３の気体を排気管９から排気して反
応容器３の内部を所定の圧力に設定し、その後に反応ガ
ス供給管８から反応ガスを反応容器３の内部に供給す
る。次に、マイクロ波供給装置６からのマイクロ波が上
部誘電体板部材４に導入されると、上部誘電体板部材４
上に定在波が形成され、下部誘電体板部材５を通して反
応容器３の内部に侵入しプラズマが生成する。
説明する。反応容器３の気体を排気管９から排気して反
応容器３の内部を所定の圧力に設定し、その後に反応ガ
ス供給管８から反応ガスを反応容器３の内部に供給す
る。次に、マイクロ波供給装置６からのマイクロ波が上
部誘電体板部材４に導入されると、上部誘電体板部材４
上に定在波が形成され、下部誘電体板部材５を通して反
応容器３の内部に侵入しプラズマが生成する。
【００２０】本発明のプラズマ処理装置は、下部誘電体
板部材５の中央部の下面に誘電率調整用誘電体部材１２
を固定することにより、下部誘電体板部材５の中央部の
誘電率を変化させて、図２のように下部誘電体板部材５
の直下のプラズマ密度を人工的に不均一にし、反応容器
３の側壁でのイオンや電子の消滅を利用して、ウェハ１
の近傍におけるプラズマ密度分布を均一にしている。
板部材５の中央部の下面に誘電率調整用誘電体部材１２
を固定することにより、下部誘電体板部材５の中央部の
誘電率を変化させて、図２のように下部誘電体板部材５
の直下のプラズマ密度を人工的に不均一にし、反応容器
３の側壁でのイオンや電子の消滅を利用して、ウェハ１
の近傍におけるプラズマ密度分布を均一にしている。
【００２１】本発明のプラズマ処理装置における、ウェ
ハ１の近傍のプラズマ密度を測定した結果を図３に示し
た。図３に示すように、ウェハ１の近傍でのプラズマ密
度分布は非常に良好である。さらに、前述のエッチング
の条件で、本発明のプラズマ処理装置によりウェハ１の
エッチングをし、ウェハ１の酸化膜のエッチングの均一
性を測定した結果±２．８％であった。
ハ１の近傍のプラズマ密度を測定した結果を図３に示し
た。図３に示すように、ウェハ１の近傍でのプラズマ密
度分布は非常に良好である。さらに、前述のエッチング
の条件で、本発明のプラズマ処理装置によりウェハ１の
エッチングをし、ウェハ１の酸化膜のエッチングの均一
性を測定した結果±２．８％であった。
【００２２】なお、前記実施形態において、誘電率調整
用誘電体部材１２は、ＳｉＣ等のセラミックスで構成し
てもよい。また、誘電率調整用誘電体部材１２は、下部
誘電体板部材５に無機系接着剤または耐熱性の有機系接
着剤で接着してもよい。また、誘電率調整用誘電体部材
１２は、下部誘電体板部材５の中央部の上面に固定して
もよい。さらに、複数の誘電率調整用誘電体部材１２を
下部誘電体板部材５の下面および上面に固定してもよ
い。
用誘電体部材１２は、ＳｉＣ等のセラミックスで構成し
てもよい。また、誘電率調整用誘電体部材１２は、下部
誘電体板部材５に無機系接着剤または耐熱性の有機系接
着剤で接着してもよい。また、誘電率調整用誘電体部材
１２は、下部誘電体板部材５の中央部の上面に固定して
もよい。さらに、複数の誘電率調整用誘電体部材１２を
下部誘電体板部材５の下面および上面に固定してもよ
い。
【００２３】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置は、エッチン
グ均一性を向上させることができる。
グ均一性を向上させることができる。
【図１】本発明の１つの実施形態としてのプラズマ処理
装置を示す概略図である。
装置を示す概略図である。
【図２】図１のプラズマ処理装置の動作を説明するため
の図である。
の図である。
【図３】図１のプラズマ処理装置の動作を説明するため
の他の図である。
の他の図である。
【図４】従来のプラズマ処理装置を示す概略図である。
【図５】図４のプラズマ処理装置の動作を説明するため
の図である。
の図である。
【図６】図４のプラズマ処理装置の動作を説明するため
の他の図である。
の他の図である。
１ ウェハ ２ ウェハ載置台 ３ 反応容器 ４ 上部誘電体板部材 ５ 下部誘電体板部材 ６ マイクロ波供給装置 ７ 対向電極 ８ 反応ガス供給管 ９ 排気管 １０ ヒーター １１ 高周波電源 １２ 誘電率調整用誘電体部材
Claims (9)
- 【請求項１】 処理すべきウェハを載置するためのウェ
ハ載置台を収容している反応容器と、該反応容器の上部
に上下に所定間隔をおいて配置されている上部誘電体板
部材と下部誘電体板部材と、前記上部誘電体板部材にマ
イクロ波を導入するためのマイクロ波供給装置と、前記
反応容器の内部上部に配置されている対向電極とを有す
るプラズマ処理装置において、 前記下部誘電体板部材の中央部の下面に固定されている
誘電率調整用誘電体部材を有することを特徴とするプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のプラズマ処理装置にお
いて、 前記誘電率調整用誘電体部材はアルミナで構成されてい
ることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載のプラズマ処理装置にお
いて、 前記誘電率調整用誘電体部材はセラミックスで構成され
ていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 処理すべきウェハを載置するためのウェ
ハ載置台を収容している反応容器と、該反応容器の上部
に上下に所定間隔をおいて配置されている上部誘電体板
部材と下部誘電体板部材と、前記上部誘電体板部材にマ
イクロ波を導入するためのマイクロ波供給装置と、前記
反応容器の内部上部に配置されている対向電極とを有す
るプラズマ処理装置において、 前記下部誘電体板部材の中央部の上面に固定されている
誘電率調整用誘電体部材を有することを特徴とするプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載のプラズマ処理装置にお
いて、 前記誘電率調整用誘電体部材はアルミナで構成されてい
ることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 請求項４に記載のプラズマ処理装置にお
いて、 前記誘電率調整用誘電体部材はセラミックスで構成され
ていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 処理すべきウェハを載置するためのウェ
ハ載置台を収容している反応容器と、該反応容器の上部
に上下に所定間隔をおいて配置されている上部誘電体板
部材と下部誘電体板部材と、前記上部誘電体板部材にマ
イクロ波を導入するためのマイクロ波供給装置と、前記
反応容器の内部上部に配置されている対向電極とを有す
るプラズマ処理装置において、 前記下部誘電体板部材の中央部の下面または上面に固定
されている複数の誘電率調整用誘電体部材を有すること
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項８】 請求項７に記載のプラズマ処理装置にお
いて、 前記誘電率調整用誘電体部材はアルミナで構成されてい
ることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項９】 請求項７に記載のプラズマ処理装置にお
いて、前記誘電率調整用誘電体部材はセラミックスで構
成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00753299A JP3367439B2 (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00753299A JP3367439B2 (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208491A true JP2000208491A (ja) | 2000-07-28 |
| JP3367439B2 JP3367439B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=11668407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00753299A Expired - Fee Related JP3367439B2 (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3367439B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101341371B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2013-12-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
| US9263298B2 (en) | 2008-02-27 | 2016-02-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
-
1999
- 1999-01-14 JP JP00753299A patent/JP3367439B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9263298B2 (en) | 2008-02-27 | 2016-02-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
| KR101341371B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2013-12-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3367439B2 (ja) | 2003-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9263298B2 (en) | Plasma etching apparatus and plasma etching method | |
| JP5185251B2 (ja) | 汚染を低減したガス注入システム及びその使用方法 | |
| JP5600644B2 (ja) | ワークピース製造装置 | |
| US8152925B2 (en) | Baffle plate and substrate processing apparatus | |
| US7138067B2 (en) | Methods and apparatus for tuning a set of plasma processing steps | |
| WO2011021539A1 (ja) | プラズマ処理装置とプラズマ処理方法 | |
| WO2003096400A1 (fr) | Equipement et dispositif de traitement de plasma | |
| US20050145170A1 (en) | Substrate processing apparatus and cleaning method therefor | |
| KR20180076311A (ko) | 포커스 링 및 기판 처리 장치 | |
| TWI733838B (zh) | 電漿成膜裝置及基板載置台 | |
| US20080142159A1 (en) | Plasma Processing Apparatus | |
| KR20070098499A (ko) | 플라즈마 처리용의 전극판 및 플라즈마 처리 장치 | |
| JP5410882B2 (ja) | プラズマエッチング処理装置とプラズマエッチング処理方法 | |
| JP2019160846A (ja) | 被処理体の載置装置及び処理装置 | |
| TW307027B (en) | Process for reducing circuit damage during pecvd in single wafer pecvd system | |
| JPH09320798A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2007273773A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置のクリーニング方法 | |
| JP3367439B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH11149999A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3969907B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2005203709A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2978857B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP2003183860A (ja) | エッチング方法 | |
| JP3147769B2 (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
| JP3282326B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021008 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071108 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081108 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081108 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091108 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091108 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101108 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101108 Year of fee payment: 8 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101108 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111108 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111108 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121108 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121108 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131108 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |