JPH0223618A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0223618A JPH0223618A JP17411588A JP17411588A JPH0223618A JP H0223618 A JPH0223618 A JP H0223618A JP 17411588 A JP17411588 A JP 17411588A JP 17411588 A JP17411588 A JP 17411588A JP H0223618 A JPH0223618 A JP H0223618A
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- gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にシリコン
酸化膜のエツチングガスに関する。
酸化膜のエツチングガスに関する。
［従来の技術］
従来のシリコン酸化膜のエツチングガスは、ＣＦ４やＣ
ＨＦ３といったフロロカーボンガス単独であった。例え
ば、第１図のような構造の反応性イオンエツチング（Ｒ
ＩＥ）にて、ＣＨＦ５：５０ｓｃｃｍ、ガス圧：５０ｍ
Ｔｏｒｒ、高周波パワー：２００ｗで行った場合、エツ
チング速度が８００人／ｍｉｎ、ウェハー内均−性は±
１０％程度であり、第３図に示すような形状が得られた
。
ＨＦ３といったフロロカーボンガス単独であった。例え
ば、第１図のような構造の反応性イオンエツチング（Ｒ
ＩＥ）にて、ＣＨＦ５：５０ｓｃｃｍ、ガス圧：５０ｍ
Ｔｏｒｒ、高周波パワー：２００ｗで行った場合、エツ
チング速度が８００人／ｍｉｎ、ウェハー内均−性は±
１０％程度であり、第３図に示すような形状が得られた
。
しかし、前述の従来の技術では、フロロカーボンガスが
、プラズマ状態で、エツチングに関与するフッ素ラジカ
ルと同時にカーボン系ポリマーの発生が起る。このカー
ボン系ポリマーは耐エツチング性が高い事は周知で、そ
のためエツチングが進まなかったり、又、被エツチング
面積の増加とともに発生量も増大するため、パターンの
疎密によりエツチング速度の不均一が生じ、ウェハー内
での均一性が悪くなる。
、プラズマ状態で、エツチングに関与するフッ素ラジカ
ルと同時にカーボン系ポリマーの発生が起る。このカー
ボン系ポリマーは耐エツチング性が高い事は周知で、そ
のためエツチングが進まなかったり、又、被エツチング
面積の増加とともに発生量も増大するため、パターンの
疎密によりエツチング速度の不均一が生じ、ウェハー内
での均一性が悪くなる。
そこで本発明は、このような課題を解決するもので、そ
の目的とするところは、エツチング速度の向上及びウェ
ハー内均−性を向上させ、又、形状も向上させるエツチ
ングを提供することにある。
の目的とするところは、エツチング速度の向上及びウェ
ハー内均−性を向上させ、又、形状も向上させるエツチ
ングを提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置の製造方法は、フロロカーボンを主
ガスとして、該主ガスに２５％未満の六フッ化硫黄又は
酸素の単独もしくは、これらを組合せ、添加ガスとして
混合したガスでシリコン酸化膜をエツチングする事を特
徴とする。
ガスとして、該主ガスに２５％未満の六フッ化硫黄又は
酸素の単独もしくは、これらを組合せ、添加ガスとして
混合したガスでシリコン酸化膜をエツチングする事を特
徴とする。
［作 用］
シリコン酸化膜をフロロカーボンでエツチングする場合
、発生するカーボン系ポリマーは、六フッ化硫黄や酸素
のプラズマで除去が可能である。このことは、フロロカ
ーボン中に六フッ化硫黄や酸素を添加ガスとして混合し
た場合についても同様な作用がエツチングを進行しなが
ら可能である。又特に、六フッ化硫黄は、シリコン酸化
膜をエツチングする効果もあり、エツチング特性をより
向上する事が可能である。
、発生するカーボン系ポリマーは、六フッ化硫黄や酸素
のプラズマで除去が可能である。このことは、フロロカ
ーボン中に六フッ化硫黄や酸素を添加ガスとして混合し
た場合についても同様な作用がエツチングを進行しなが
ら可能である。又特に、六フッ化硫黄は、シリコン酸化
膜をエツチングする効果もあり、エツチング特性をより
向上する事が可能である。
［実 施 例］
以上、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明の実施例で使用したエツチング装置の
構造で、カソード電極１０３上で被エツチング物を加工
するもので、 Ｐ９に、反応性イオンエツチング（以下
ＲＩＥと略す）と呼ばれる装置である。
構造で、カソード電極１０３上で被エツチング物を加工
するもので、 Ｐ９に、反応性イオンエツチング（以下
ＲＩＥと略す）と呼ばれる装置である。
第２図は、本実施例で用いたエツチングサンプルの断面
構造で、シリコン基板２０１上に絶縁膜としてＣＶＤに
よるシリコン酸化膜２０２を２０００人有しフォトレジ
スト２０３をマスク材としてパターニングしである。
構造で、シリコン基板２０１上に絶縁膜としてＣＶＤに
よるシリコン酸化膜２０２を２０００人有しフォトレジ
スト２０３をマスク材としてパターニングしである。
第１図のＲＩＥにおいて、ＣＨＦ ３： ５０ ｓ ｃ
ＣｍにＳＦ ａ ： １０ｓｃｃｍを混合させエツチン
グガスとした。このガスで圧力を５０ｍＴｏｒｒ高周波
パワー：２００ｗとしてエツチングを行ったところ、結
果として、エツチング速度１３５０人／ ｍ ｉ ｎ、
ウェハー内駒−性±５％で、第４図に示すような形状が
得られた。
ＣｍにＳＦ ａ ： １０ｓｃｃｍを混合させエツチン
グガスとした。このガスで圧力を５０ｍＴｏｒｒ高周波
パワー：２００ｗとしてエツチングを行ったところ、結
果として、エツチング速度１３５０人／ ｍ ｉ ｎ、
ウェハー内駒−性±５％で、第４図に示すような形状が
得られた。
このように、シリコン酸化膜をエツチングする場合、フ
ロロカーボン単独によるエツチングに比べ、六フッ化硫
黄又は酸素の単独もしくは、これらを組合せ、添加ガス
として混合した場合、カーボン系ポリマーの発生が抑え
られるため、エツチング速度は５０％以上向上し、ウェ
ハー内駒−性も改善され、形状も安定する。
ロロカーボン単独によるエツチングに比べ、六フッ化硫
黄又は酸素の単独もしくは、これらを組合せ、添加ガス
として混合した場合、カーボン系ポリマーの発生が抑え
られるため、エツチング速度は５０％以上向上し、ウェ
ハー内駒−性も改善され、形状も安定する。
ただし、混合割合が２５％を越えると、カーボン系ポリ
マーによる最小限の側壁保護膜までも除去されてしまう
ため、形状が逆テーパーとなってしまう。
マーによる最小限の側壁保護膜までも除去されてしまう
ため、形状が逆テーパーとなってしまう。
なお、本実施例では詳しく述べないが、添加ガスとして
、酸素単独もしくは、六フッ化硫黄と酸素の混合も、第
一図に示すように同様の効果がある。
、酸素単独もしくは、六フッ化硫黄と酸素の混合も、第
一図に示すように同様の効果がある。
又、本実施例では第１図に示すＲＩＥでの結果を示した
が、他のタイプのＲＩＥ、例えば、プラズマをエツチン
グ室外でマイクロ波によって発生させるプラズマ分離型
ＲＩＥと呼ばれる装置でも同様な効果がみられ、エツチ
ング特性の向上は、エツチング装置によるものでなく、
エツチングガスによるものであることが本発明の特徴で
ある。
が、他のタイプのＲＩＥ、例えば、プラズマをエツチン
グ室外でマイクロ波によって発生させるプラズマ分離型
ＲＩＥと呼ばれる装置でも同様な効果がみられ、エツチ
ング特性の向上は、エツチング装置によるものでなく、
エツチングガスによるものであることが本発明の特徴で
ある。
又、被エツチング材料であるシリコン酸化膜は本実施例
ではＣＶＤによるものであったが、これに限るものでな
く、熱酸化膜でも同様な効果がみられる。
ではＣＶＤによるものであったが、これに限るものでな
く、熱酸化膜でも同様な効果がみられる。
又、マスク材も本実施例ではフォトレジストを用いてい
るが、これに限るものでなく、シリコン酸化膜に対し選
択比のとれるものなら何でも良く例えば、シリコン窒化
膜でも良い。
るが、これに限るものでなく、シリコン酸化膜に対し選
択比のとれるものなら何でも良く例えば、シリコン窒化
膜でも良い。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明によれば、シリコン酸化膜を
エツチングするのに、フロロカーボンに六フッ化硫黄又
は酸素の単独もしくはこれらを組合せ、添加ガスとして
混合してエツチングする事により、従来に比べ、エツチ
ング速度で３０〜８０％ウェハー内均−性で１０〜６０
％の向上がみられた。
エツチングするのに、フロロカーボンに六フッ化硫黄又
は酸素の単独もしくはこれらを組合せ、添加ガスとして
混合してエツチングする事により、従来に比べ、エツチ
ング速度で３０〜８０％ウェハー内均−性で１０〜６０
％の向上がみられた。
又、形状も垂直又は順テーパーでパターンの疎密による
変化はみられなかった。
変化はみられなかった。
【図面の簡単な説明】
第１図は本実施例で用いたエツチング装置の構造を示す
図である。 第２図は本実施例で用いたエツチングサンプルの断面図
である。 第３図は従来のエツチングによるエツチング形状を示す
図である。 第４図は本実施例のエツチングによるエツチング形状を
示す図である。 第５図は本実施例における添加ガスの種類及び割合と、
エツチング特性の関係を示すグラフである。 ・・・シリコン酸化膜 ２０３．３０３．４０３ ・・フォトレジストマスク ３０４・・・カーボン系ポリマー 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（化１名）１０１
・ １０３ ・ １０４ ・ １０５ ・ １０６ ・ ２０１． ２０２、 °エツチング室 ・・アノード電極 ・カソード電極 ・・ガス導入口 ・・ガス排出口 ・１３．５６ＭＨｚ高周波発生装置 ３０１．４０ト シリコン基板 ３０２．４０２
図である。 第２図は本実施例で用いたエツチングサンプルの断面図
である。 第３図は従来のエツチングによるエツチング形状を示す
図である。 第４図は本実施例のエツチングによるエツチング形状を
示す図である。 第５図は本実施例における添加ガスの種類及び割合と、
エツチング特性の関係を示すグラフである。 ・・・シリコン酸化膜 ２０３．３０３．４０３ ・・フォトレジストマスク ３０４・・・カーボン系ポリマー 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（化１名）１０１
・ １０３ ・ １０４ ・ １０５ ・ １０６ ・ ２０１． ２０２、 °エツチング室 ・・アノード電極 ・カソード電極 ・・ガス導入口 ・・ガス排出口 ・１３．５６ＭＨｚ高周波発生装置 ３０１．４０ト シリコン基板 ３０２．４０２
Claims (1)
- フロロカーボンを主ガスとして、該主ガスに２５％未満
の六フッ化硫黄又は酸素の単独もしくはこれらを組合せ
、添加ガスとして混合したガスでシリコン酸化膜をエッ
チングする事を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17411588A JPH0223618A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17411588A JPH0223618A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0223618A true JPH0223618A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15972902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17411588A Pending JPH0223618A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0223618A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04216070A (ja) * | 1990-02-21 | 1992-08-06 | Lexmark Internatl Inc | サーマル・プリント・ヘッドとその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP17411588A patent/JPH0223618A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04216070A (ja) * | 1990-02-21 | 1992-08-06 | Lexmark Internatl Inc | サーマル・プリント・ヘッドとその製造方法 |
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