KR20030024717A - 유기실리케이트 유전층을 포함하는 반도체 웨이퍼에서에칭 후에 수소로 포토레지스트를 박리하는 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 유기실리케이트 유전층을 포함하는 반도체 웨이퍼에서 포토레지스트를 박리하는 방법으로서,적어도 하나의 반응관을 포함하는 반도체 제조 시스템에 상기 웨이퍼를 배치하는 단계와,상기 반응관에 환원 생성 가스의 흐름을 유입시키는 단계 - 상기 환원 생성 가스의 유입은 상기 반응관에 놓인 상기 웨이퍼상에서 수행된 반도체 제조 단계에 후속하여 수행된다 - 와,상기 환원 생성 가스로, 상기 웨이퍼의 적어도 일부에 근접하게 상기 반응관에서 환원성 플라즈마를 형성하는 단계, 및상기 환원성 플라즈마를 이용하여, 상기 반도체 장치 내의 웨이퍼에서 포토레지스트의 적어도 일부를 인시튜 박리하는 단계를 포함하는 포토레지스트 박리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 방법은 복수의 반응관을 포함하는 반도체 제조 시스템에 적용되며, 상기 반도체 제조 단계 및 박리 단계는 상기 복수의 반응관 중 단일 반응관에서 수행되는 것인 포토레지스트 박리 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 환원 생성 가스의 흐름은 불활성 희석제와수소의 혼합물을 함유하는 것인 포토레지스트 박리 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 불활성 희석제와 수소의 혼합 가스는 약 80∼약 20 %의 질소와 약 20 %의 수소 내지 약 80 %의 수소의 혼합물을 함유하는 것인 포토레지스트 박리 방법.
- 제3항 또는 제4항에 있어서, 수소 흐름은 약 150∼5000 sccm이고, 불활성 희석제의 흐름은 150∼5000 sccm의 질소 흐름을 포함하는 것인 포토레지스트 박리 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 환원성 플라즈마의 형성 단계는 RF 전력을 상기 반응관의 전극에 인가하는 단계를 더 포함하고, 상기 RF 전력은 주파수의 범위가 약 100 kHz∼약 30 MHz이고, 전력 레벨은 약 150 W∼약 5000 W인 것인 포토레지스트 박리 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 약 20 mTorr∼약 1 Torr에서 웨이퍼 면적 압력을 유지하는 단계를 더 포함하는 포토레지스트 박리 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 챔버 압력을 약 30 mTorr∼약 5 Torr로 유지하는 단계를 더 포함하는 포토레지스트 박리 방법.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 포토레지스트 박리 과정에서 바닥 전극 온도를 약 -10 ℃∼+40 ℃로 유지하는 단계를 더 포함하는 포토레지스트 박리 방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 웨이퍼 후면 냉각제 헬륨 가스의 흐름을 약 2 Torr∼약 15 Torr의 압력에서 인가하는 단계를 더 포함하는 포토레지스트 박리 방법.
- 제10항에 있어서, 플라즈마 및 후면 냉각제 헬륨 가스의 제1 흐름을 필요로 하는 또다른 반도체 제조 공정에 후속하여 반도체 웨이퍼에서 포토레지스트를 박리하기 위해서, 상기 방법은 상기 후면 냉각제 헬륨 가스의 제1 흐름을 약 2∼약 15 Torr의 흐름 비율로 후면 냉각제 헬륨 가스의 제2 흐름에 인가하는 단계를 포함하고, 바닥 전극 온도는 포토레지스트 박리 과정에서 -10 ℃∼+40 ℃로 유지되는 것인 포토레지스트 박리 방법.
- 유기실리케이트 유전층을 포함하는 반도체 웨이퍼에서 포토레지스트를 박리하는 방법으로서,적어도 하나의 반응관을 포함하는 반도체 제조 시스템에 상기 웨이퍼를 배치하는 단계와,환원 생성 가스 흐름을 상기 반응관에 유입시키는 단계와,상기 환원 생성 가스로, 상기 웨이퍼의 적어도 일부에 근접하여 상기 반응관에 환원성 플라즈마를 형성하는 단계와,상기 웨이퍼로부터 상기 포토레지스트의 적어도 일부를 상기 환원성 플라즈마를 사용하여 박리하는 단계, 및포토레지스트 박리 과정에서 웨이퍼 온도를 약 -10 ℃∼+40 ℃로 유지하는 단계를 포함하는 포토레지스트 박리 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 환원 생성 가스는 불활성 희석제와 적어도 약 20 %의 수소를 포함하는 것인 포토레지스트 박리 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 불활성 희석제는 질소인 것인 포토레지스트 박리 방법.
- 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 제조 시스템에 상기 웨이퍼를 배치하는 단계에 후속해서, 상기 환원 생성 가스의 흐름을 유입하기 전에 상기 반응관에 놓인 웨이퍼상에 반도체 제조 단계를 수행하는 단계를 더 포함하는 포토레지스트 박리 방법.
- 유기실리케이트 유전층을 포함하는 반도체 웨이퍼로부터 포토레지스트를 박리하는 방법으로서,적어도 하나의 반응관을 포함하는 반도체 제조 시스템에 상기 웨이퍼를 배치하는 단계와,불활성 희석제와 적어도 약 20 %의 수소를 함유하는 환원 생성 가스 흐름을 상기 반응관에 유입시키는 단계와,상기 환원 생성 가스로, 상기 웨이퍼의 적어도 일부에 근접하게 상기 반응관에 환원성 플라즈마를 형성하는 단계, 및상기 환원 생성 플라즈마를 이용하여 상기 웨이퍼로부터 상기 포토레지스트의 적어도 일부를 박리하는 단계를 포함하는 포토레지스트 박리 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 반도체 제조 시스템에 상기 웨이퍼를 배치하는 단계에 후속해서, 상기 환원 생성 가스의 흐름을 유입하기 전에 상기 반응관에 놓인 웨이퍼상에 반도체 제조 단계를 수행하는 단계를 더 포함하는 포토레지스트 박리 방법.
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