JPS59181539A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59181539A JPS59181539A JP5396583A JP5396583A JPS59181539A JP S59181539 A JPS59181539 A JP S59181539A JP 5396583 A JP5396583 A JP 5396583A JP 5396583 A JP5396583 A JP 5396583A JP S59181539 A JPS59181539 A JP S59181539A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、さらに詳しく
は、半導体装置におけるシリコン甘たはシリコン化合物
の部分のドライエツチング方法に関するものである。
は、半導体装置におけるシリコン甘たはシリコン化合物
の部分のドライエツチング方法に関するものである。
半導体装置の製造工程においては、基板、配線等に使用
されているシリコンや絶縁膜等に使用されている窒化シ
リコン、酸化シリコン、炭化シリコンのようなシリコン
化合物を所望の形状にエツチングすることが行われてい
る。例えば電極や配線のために絶縁膜にコンタクトホー
ルやスルーホールをエツチングする場合には、ホール側
壁にテーパを付けて配線の段切れを防止するようにして
いる。
されているシリコンや絶縁膜等に使用されている窒化シ
リコン、酸化シリコン、炭化シリコンのようなシリコン
化合物を所望の形状にエツチングすることが行われてい
る。例えば電極や配線のために絶縁膜にコンタクトホー
ルやスルーホールをエツチングする場合には、ホール側
壁にテーパを付けて配線の段切れを防止するようにして
いる。
従来エツチングには蝕刻液による湿式法が行われ、比較
的バラツキのない安定したテーパ形状が得られていたが
、近時素子の微測化に伴ないプラズマ状態の反応ガスに
よる乾式（ドライエツチング９法を採用する必要が生じ
てきた。ところが、ドライエツチング法では、湿式法に
おけるテーパエツチングの手法を転用することが不可能
であるか転用しても湿式法のように安定したテーパ形状
が１（Ｉられず、そのためテーパエツチングなどに好適
な改良されたドライエツチング法が強く求められている
。。
的バラツキのない安定したテーパ形状が得られていたが
、近時素子の微測化に伴ないプラズマ状態の反応ガスに
よる乾式（ドライエツチング９法を採用する必要が生じ
てきた。ところが、ドライエツチング法では、湿式法に
おけるテーパエツチングの手法を転用することが不可能
であるか転用しても湿式法のように安定したテーパ形状
が１（Ｉられず、そのためテーパエツチングなどに好適
な改良されたドライエツチング法が強く求められている
。。
〔背ｆ２技術の問題点〕
従来のデーパエツチング法には、被エツチング１模とフ
ォトレジストとの密着性を制ｊ１１１］する方法と被エ
ツチング膜に対しエツチング速度の速い膜を積層する方
法がある。
ォトレジストとの密着性を制ｊ１１１］する方法と被エ
ツチング膜に対しエツチング速度の速い膜を積層する方
法がある。
「）′１丁者の方法は、第１ｄ図で説明すると、抜工。
チング膜１２（波エツチング膜１２は基板１０の熱酸化
膜１１上ｆ／（ｍ被覆されている）とフォトレジスト１
６の界面１４の密着性を低下させ、毛細管現象によって
界面１４にエツチング液のしみ込みを１４ユしさせ、界
面１４近傍のエツチング速度を増加さぜデ〜バ角αを形
成する方法である。しかし彦がら、ドライエツチングの
場合には、被エツチング１模１２とフォトレジスト１６
との密着性がかなり低下しても、この界面１４にエツチ
ングガスの浸入は起こらない。そのためフォトレジスト
の密着力を制御ｉ１′＋１する方法によって、ドライエ
ツチングにおいてテーパ角αを制御することは不１−Ｉ
Ｊ能であった。
膜１１上ｆ／（ｍ被覆されている）とフォトレジスト１
６の界面１４の密着性を低下させ、毛細管現象によって
界面１４にエツチング液のしみ込みを１４ユしさせ、界
面１４近傍のエツチング速度を増加さぜデ〜バ角αを形
成する方法である。しかし彦がら、ドライエツチングの
場合には、被エツチング１模１２とフォトレジスト１６
との密着性がかなり低下しても、この界面１４にエツチ
ングガスの浸入は起こらない。そのためフォトレジスト
の密着力を制御ｉ１′＋１する方法によって、ドライエ
ツチングにおいてテーパ角αを制御することは不１−Ｉ
Ｊ能であった。
後者の方法は、第１ｂ図に示すように、被エツチング膜
１２とフォトレジスト１６との（１４」に、波エツチン
グ膜１２よりもエツチング速度の大きな膜１５を介在さ
せ、膜１５が波エツチング膜１２より速くエツチングさ
れることを利用して被エツチング膜１２ヲテーパエツチ
ングするものである。しかしながら、この後者の方法に
おいては、テーパ角αは被エツチング膜１２とエツチン
グ速度の大きな膜１５のエツチング速度比によって決丑
るグこめに、ドライエツチング条件が変動すると速度比
が敏感に変化し、その結果テーパ角αが一定しないとい
う欠点がある。′−またこの方法においては、エツチン
グ工程終了後、膜１５ｆ：除去する工程が必要になる場
合があり、そのため工程が繁鼾１になるという欠点もあ
る。
１２とフォトレジスト１６との（１４」に、波エツチン
グ膜１２よりもエツチング速度の大きな膜１５を介在さ
せ、膜１５が波エツチング膜１２より速くエツチングさ
れることを利用して被エツチング膜１２ヲテーパエツチ
ングするものである。しかしながら、この後者の方法に
おいては、テーパ角αは被エツチング膜１２とエツチン
グ速度の大きな膜１５のエツチング速度比によって決丑
るグこめに、ドライエツチング条件が変動すると速度比
が敏感に変化し、その結果テーパ角αが一定しないとい
う欠点がある。′−またこの方法においては、エツチン
グ工程終了後、膜１５ｆ：除去する工程が必要になる場
合があり、そのため工程が繁鼾１になるという欠点もあ
る。
例えば、被エツチング膜１２をＱ、５７１ｍ厚の窒化シ
リコン膜、そしてエツチング速度の大きなＪ換１５を０
．０−３μｍ厚のＭＯ膜で形成し、ＣＦ４１０２ガスで
ケミノノルドライエッチングをし／ヒ場合（工、チング
条・１′−１：カスｊ下刃Ｐ （ＣＦ４）＝ １６ Ｐ
ａ 、 Ｐ （０２）”’４８Ｐａ 。
リコン膜、そしてエツチング速度の大きなＪ換１５を０
．０−３μｍ厚のＭＯ膜で形成し、ＣＦ４１０２ガスで
ケミノノルドライエッチングをし／ヒ場合（工、チング
条・１′−１：カスｊ下刃Ｐ （ＣＦ４）＝ １６ Ｐ
ａ 、 Ｐ （０２）”’４８Ｐａ 。
−ｌイクロ彼′ｉｌｉ力ｔ： ｏ ＯＷ ）、テーパ角
αは３１１均１９度で最大２６度、最小１０度とばらつ
く、これは、窒化’ｙ′ｌＪコン膜のエツチング速度に
対して１ＶＩｏ膜工ツチング速度が変動する／こめと巧
えられる。そしてエアーＪノグ終了？７ベｉｌｌ ’７
にリン酸系のエツチング液によってＭ ｏ膜を除去して
いる。
αは３１１均１９度で最大２６度、最小１０度とばらつ
く、これは、窒化’ｙ′ｌＪコン膜のエツチング速度に
対して１ＶＩｏ膜工ツチング速度が変動する／こめと巧
えられる。そしてエアーＪノグ終了？７ベｉｌｌ ’７
にリン酸系のエツチング液によってＭ ｏ膜を除去して
いる。
〔発１す］の目的」
本発明の目的（、、よ、シリコン苔たはシリコン化合′
４′／／Ｊ′（Ｌ−プラズマ励起状態のフッ化炭素およ
び酸素からなるカスＩｆｃＪ：リドライエッチングする
工程において、シリコンまた１は７リコン化合物のエツ
チング速度を制御し、所望のエツチング形状を有する半
導体装置の新規々製造方法を提供することにある１、そ
して傍た、エツチング形状として電極またけ配線のコン
タク！・ポール・スルーホールなどにおけるテーパ形状
を安定して加工できる半導体装置のηｉ規な製造力ａ、
を提供することにある。
４′／／Ｊ′（Ｌ−プラズマ励起状態のフッ化炭素およ
び酸素からなるカスＩｆｃＪ：リドライエッチングする
工程において、シリコンまた１は７リコン化合物のエツ
チング速度を制御し、所望のエツチング形状を有する半
導体装置の新規々製造方法を提供することにある１、そ
して傍た、エツチング形状として電極またけ配線のコン
タク！・ポール・スルーホールなどにおけるテーパ形状
を安定して加工できる半導体装置のηｉ規な製造力ａ、
を提供することにある。
本発明は、所望のエツチング形状を必要とするシリコン
丑たはシリコン化合物の部分にあらかじめ水素イオンを
加速注入しておき、次いでシリコンまたはシリコン化合
物の表向にフ、、＋トレジスト膜や金属膜などのドライ
エツチング用マスクパクーンを形成し、しかる後プラズ
マ励起状態のフッ灰 化泳素および酸素からなるガスによりンリコン丑グこは
シリコン化合物をドライエツチングする工程を含むこと
を特徴とする彫導体装置の製造方法である。
丑たはシリコン化合物の部分にあらかじめ水素イオンを
加速注入しておき、次いでシリコンまたはシリコン化合
物の表向にフ、、＋トレジスト膜や金属膜などのドライ
エツチング用マスクパクーンを形成し、しかる後プラズ
マ励起状態のフッ灰 化泳素および酸素からなるガスによりンリコン丑グこは
シリコン化合物をドライエツチングする工程を含むこと
を特徴とする彫導体装置の製造方法である。
本発明におけるドライエツチング工程でに１、あらかじ
め注入しておいた水素原子が、高周波放電のプラズマ励
起した反しガスのエツチング速度を大きくさせるのであ
る。このエツチング機（−１４の詳細は不明であるが、
次の様な推測ができる。即ち、注入された水素原子（ｉ
−Ｉ）とプラズマ励起（ｌこよって生じたフッ素ラジカ
ル（Ｆ＊）及び酸素ラジカル（じ）とは、次式 ％式％ の反応により１刊（゛と■■２０を４４＝成し、さらに
このＨＦと［Ｉ２０とが反１．ｉ； して■パ−′を生
成し、このＦ−が工。
め注入しておいた水素原子が、高周波放電のプラズマ励
起した反しガスのエツチング速度を大きくさせるのであ
る。このエツチング機（−１４の詳細は不明であるが、
次の様な推測ができる。即ち、注入された水素原子（ｉ
−Ｉ）とプラズマ励起（ｌこよって生じたフッ素ラジカ
ル（Ｆ＊）及び酸素ラジカル（じ）とは、次式 ％式％ の反応により１刊（゛と■■２０を４４＝成し、さらに
このＨＦと［Ｉ２０とが反１．ｉ； して■パ−′を生
成し、このＦ−が工。
チングに関Ｊ−Ｉすることによってエツチング速度が人
きくなると考えられる。
きくなると考えられる。
そして、加速ｔｔ人する水素原子の注入個所や注入ｉ−
＋ｉ’、 ＶＪｌ、加速′１ｔ Ｉ：ｉ−やドーズ句に
Ｊ：って正確に制御−Ｃきるから、エツチング速度を所
望のとおり広い１１・ｎ囲てかつ／・ラソキなく制σ中
することができる、。
＋ｉ’、 ＶＪｌ、加速′１ｔ Ｉ：ｉ−やドーズ句に
Ｊ：って正確に制御−Ｃきるから、エツチング速度を所
望のとおり広い１１・ｎ囲てかつ／・ラソキなく制σ中
することができる、。
例え（、」、水素原子を洲エッチングノ摸の表＋Ｔ＋ｉ
近傍にあるように加１朱′？１賢Ｆを制御して注入すれ
は、抜工。
近傍にあるように加１朱′？１賢Ｆを制御して注入すれ
は、抜工。
チング）模の表１］））のエツチング、ａｌｕが深い部
分のエツチング速１１ンよりも大となり、その結果コン
タクトホールなどに３１スするテーパエツチングが可能
である１、その十ドーズ量を制御づ−れば、任意のテー
パ角度のエツチング形状にドライエツチングができる５
、さらに注入水素原子の存在が他のドライエツチング条
ｒ（よりも強いパラン−りになりしかも注入の制［１件
がよいので、テーパ角度のバラツキが極めて小さくなる
ことが確認された。
分のエツチング速１１ンよりも大となり、その結果コン
タクトホールなどに３１スするテーパエツチングが可能
である１、その十ドーズ量を制御づ−れば、任意のテー
パ角度のエツチング形状にドライエツチングができる５
、さらに注入水素原子の存在が他のドライエツチング条
ｒ（よりも強いパラン−りになりしかも注入の制［１件
がよいので、テーパ角度のバラツキが極めて小さくなる
ことが確認された。
本発明に適用できる反応ガスは、）、化炭素及び酸素か
らなるブシズマ励、・シの反応ガスであるか、フッ化炭
素としてはＣＦ４ 、Ｃ２Ｆ６． Ｃ３ＦＢ１．ＣＣｌ
２Ｆ２ 。
らなるブシズマ励、・シの反応ガスであるか、フッ化炭
素としてはＣＦ４ 、Ｃ２Ｆ６． Ｃ３ＦＢ１．ＣＣｌ
２Ｆ２ 。
Ｃ）１．Ｆ ＣＢ ｒ Ｆ３などがあり、フッ化炭素
及び酸素Ｉ 以外にＮ２． Ｃ］、、 Ｃ２Ｈ，、’ＣＣｌ４などの
不活性ガスや反応性ガスを含イーすること−、差支えな
い１．丑たプラズマ励起状態にする方法ば、放電室分離
型ケミカルドライエツチング、円筒型プラズマエツチン
グ、平行平板型反応１クーイオンエ、チングなと高周波
放電により反応ガスをプラズマ励起状態にするものでち
ればよいが、プラズマか被エツチング物の近傍にない放
電室分離型ケミカルドライエツチングの場合に特に有効
である。。
及び酸素Ｉ 以外にＮ２． Ｃ］、、 Ｃ２Ｈ，、’ＣＣｌ４などの
不活性ガスや反応性ガスを含イーすること−、差支えな
い１．丑たプラズマ励起状態にする方法ば、放電室分離
型ケミカルドライエツチング、円筒型プラズマエツチン
グ、平行平板型反応１クーイオンエ、チングなと高周波
放電により反応ガスをプラズマ励起状態にするものでち
ればよいが、プラズマか被エツチング物の近傍にない放
電室分離型ケミカルドライエツチングの場合に特に有効
である。。
以下図面を参照し、一実施例について説明する。。
第２ａ図および第２ｂ図は、この実施例の工程を説明す
るための素子断面図であり、従来方法を説明した第１ａ
図および第１ｂ図と同−ｌＩｇｉ号で表示されている部
分は第１ａ図および第１ｂ図における部分と同一である
のでその説明を省略する。
るための素子断面図であり、従来方法を説明した第１ａ
図および第１ｂ図と同−ｌＩｇｉ号で表示されている部
分は第１ａ図および第１ｂ図における部分と同一である
のでその説明を省略する。
壕ず、第２ａ図において熱酸化膜１１を０１μ７７１厚
ＶＣ形成したンリコン基板１０を用意しく熱酸化膜１１
のイ〕無（−ｉ不発りｊに関係がない９、熱酸化膜１１
上にＣ’ＶＤ法により窒化／リコンｊ換２２を０５／Ｌ
１ｎ厚に形成する。１この窒化ンシーコン膜２２の中
に水素イオン２６を、加速型Ｅ７： ２０１（ＣＶ、注
入ドーズ−ｔｒｉ、 １ン（，０１２〜１゛・、１０１
６ａｒｔ−２の範囲で５政仙の条件で加速注入をｑ”ｊ
、た。、 次に、第２ｂ区に示すよう（Ｃ、フメトリノグラフィ法
によりレジストパターン（金１〈膜でもよい９１６を形
成し、これをマスク（・でして高周波励起されプこＣＩ
＝”、１０２ガス２７によりｈ【化／リコン膜２２の工
、グーングを行−１た。エツチング乗用はガス圧カニ
Ｐ （ＣＩ＝”υ−１（うＰａ、Ｐ（Ｏ□）＝ ３７Ｐ
ａ、 マイクロ波′ｒｊ４．’力６００ＡＶて、放心室
分離型ケミカルドライエツチング装置を使用シフ／こ、
。
ＶＣ形成したンリコン基板１０を用意しく熱酸化膜１１
のイ〕無（−ｉ不発りｊに関係がない９、熱酸化膜１１
上にＣ’ＶＤ法により窒化／リコンｊ換２２を０５／Ｌ
１ｎ厚に形成する。１この窒化ンシーコン膜２２の中
に水素イオン２６を、加速型Ｅ７： ２０１（ＣＶ、注
入ドーズ−ｔｒｉ、 １ン（，０１２〜１゛・、１０１
６ａｒｔ−２の範囲で５政仙の条件で加速注入をｑ”ｊ
、た。、 次に、第２ｂ区に示すよう（Ｃ、フメトリノグラフィ法
によりレジストパターン（金１〈膜でもよい９１６を形
成し、これをマスク（・でして高周波励起されプこＣＩ
＝”、１０２ガス２７によりｈ【化／リコン膜２２の工
、グーングを行−１た。エツチング乗用はガス圧カニ
Ｐ （ＣＩ＝”υ−１（うＰａ、Ｐ（Ｏ□）＝ ３７Ｐ
ａ、 マイクロ波′ｒｊ４．’力６００ＡＶて、放心室
分離型ケミカルドライエツチング装置を使用シフ／こ、
。
第６図は、水素イオンの′／ｌ：入彊と被エツチング膜
（’：１７−ハ角、 Ｑとの関係とテーパ角のバラツギ
を示したグラフである。この実施例における窒化シリコ
ンＩｊＱの結果は第６図の面側！（Ｉ）に示し／ζが、
テーパ角のバラツキは標準偏差３σで約２度であり従来
方法（背景技術の間鴫点の項で説明したｉ％４０層を積
層する方法〕では３σで約７門であったのに比較して極
めて少なくなった。：、丑グζ、水素イオンの注入媚、
を制御することによりｆｌ−石、のデーパ角のエツチン
グ形状が得られることがわかる３、次に第６図の直線（
Ｉ［）は、ソ化シリコンＩｔ！２の結果を示（−だもの
である３、イオン注入とエツチング条件は窒化シリコン
）摸における場合と同一である、−１酸化シリコン膜の
場合にも窒化ンリコン膜の場合と同ｆｉ！度のバラツギ
であり、１グこテーパ角の匍１償１１Ｖトも俊めてよい
ことが確認きれた、 〔発明の効果〕 以上説明したところから明らか々ように、シリコン又は
／リコン化合物のドライエ、チングにおいて、被エツチ
ング膜に水素イオンを加速注入することにより、プラズ
マ励起状態のフッ化炭素及び酸素からなるガスのエツチ
ング速度を制御することができ、またエツチング速度の
バラツギを少さくすることができる。そしてこの現象を
利用して電極または配線のコンタクトホール・スルーホ
−ル合安定したテーパ形１）、に加ゴーするなど、所望
のエツチング形状に牛導体装ＶＬを加工する新規な製造
方／７：を提供することができた１、
（’：１７−ハ角、 Ｑとの関係とテーパ角のバラツギ
を示したグラフである。この実施例における窒化シリコ
ンＩｊＱの結果は第６図の面側！（Ｉ）に示し／ζが、
テーパ角のバラツキは標準偏差３σで約２度であり従来
方法（背景技術の間鴫点の項で説明したｉ％４０層を積
層する方法〕では３σで約７門であったのに比較して極
めて少なくなった。：、丑グζ、水素イオンの注入媚、
を制御することによりｆｌ−石、のデーパ角のエツチン
グ形状が得られることがわかる３、次に第６図の直線（
Ｉ［）は、ソ化シリコンＩｔ！２の結果を示（−だもの
である３、イオン注入とエツチング条件は窒化シリコン
）摸における場合と同一である、−１酸化シリコン膜の
場合にも窒化ンリコン膜の場合と同ｆｉ！度のバラツギ
であり、１グこテーパ角の匍１償１１Ｖトも俊めてよい
ことが確認きれた、 〔発明の効果〕 以上説明したところから明らか々ように、シリコン又は
／リコン化合物のドライエ、チングにおいて、被エツチ
ング膜に水素イオンを加速注入することにより、プラズ
マ励起状態のフッ化炭素及び酸素からなるガスのエツチ
ング速度を制御することができ、またエツチング速度の
バラツギを少さくすることができる。そしてこの現象を
利用して電極または配線のコンタクトホール・スルーホ
−ル合安定したテーパ形１）、に加ゴーするなど、所望
のエツチング形状に牛導体装ＶＬを加工する新規な製造
方／７：を提供することができた１、
【図面の簡単な説明】
第１ａ図及び第１ｂ図は従来のテーパエツチング法を説
明する／ζめの半導体素子断面図、第２ａ図及び第２ｂ
図は本発明のテーパエツチング法の工Ｒｊを説り」ずる
ための半導体素子断面図、第６図は本発明における水素
イオンｔ１−人１′Ｌとテーパ角の関係を示すグラフで
ある，。 １口・・・基板、１２．２２・彼エッチング膜（／リコ
ン丑た（はシリコン化合物つ、１３・・・フメトレジス
ｌ・、２６・・注入水素イオン、２７・・・プラズマ励
起状態のガス。 ’ｌ易′ｒ出願人 東京芝浦？し−気株式会社代埋人
弁理士諸田英二 第ｌａ図 第１ｂ図 Ｍ２ａ図
明する／ζめの半導体素子断面図、第２ａ図及び第２ｂ
図は本発明のテーパエツチング法の工Ｒｊを説り」ずる
ための半導体素子断面図、第６図は本発明における水素
イオンｔ１−人１′Ｌとテーパ角の関係を示すグラフで
ある，。 １口・・・基板、１２．２２・彼エッチング膜（／リコ
ン丑た（はシリコン化合物つ、１３・・・フメトレジス
ｌ・、２６・・注入水素イオン、２７・・・プラズマ励
起状態のガス。 ’ｌ易′ｒ出願人 東京芝浦？し−気株式会社代埋人
弁理士諸田英二 第ｌａ図 第１ｂ図 Ｍ２ａ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコンまたはシリコン化合物の部分に水素イオン
を加速注入し、次いで上記シリコン甘たはシリコン化合
物の表面にマスクパターンを形成し、しかる後プラズマ
励起状態のフッ化炭素および酸素からなるガスにより」
二記シリコンまたはシリコン化合物をドライエツチング
する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
。 ２ 注入水素イオン量を制御し、所望のテーパー角度を
もった断面形状にシリコンまたはシリコン化合物をドラ
イエツチングする特許請求の範囲第１項記載の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5396583A JPS59181539A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5396583A JPS59181539A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181539A true JPS59181539A (ja) | 1984-10-16 |
Family
ID=12957381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5396583A Pending JPS59181539A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181539A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4956314A (en) * | 1989-05-30 | 1990-09-11 | Motorola, Inc. | Differential etching of silicon nitride |
| EP2750170A1 (fr) * | 2012-12-28 | 2014-07-02 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procédé de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5773941A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-08 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS584932A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5396583A patent/JPS59181539A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5773941A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-08 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS584932A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4956314A (en) * | 1989-05-30 | 1990-09-11 | Motorola, Inc. | Differential etching of silicon nitride |
| EP2750170A1 (fr) * | 2012-12-28 | 2014-07-02 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procédé de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor |
| FR3000601A1 (fr) * | 2012-12-28 | 2014-07-04 | Commissariat Energie Atomique | Procede de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor |
| US9583339B2 (en) | 2012-12-28 | 2017-02-28 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Method for forming spacers for a transistor gate |
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