JPH06163478A - 半導体のドライエッチング方法 - Google Patents
半導体のドライエッチング方法Info
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- JPH06163478A JPH06163478A JP43A JP33363992A JPH06163478A JP H06163478 A JPH06163478 A JP H06163478A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 33363992 A JP33363992 A JP 33363992A JP H06163478 A JPH06163478 A JP H06163478A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】シリコン基板に形状の整った非常に深い深溝を
効率良く高精度に形成すること。 【構成】ドライエッチング装置に、RIE(反応性イオン・
エッチング）装置を用い、エッチングガスには、Br系ガ
スとしてHBr 、F 系ガスとしてSF6 とSiF4、それからHe
ガスを含むO2ガスを用いた。結果として対SiO2選択比が
飛躍的に増大して、側壁角度がほぼ90度のわずかなテー
パー性を保ちつつ、今まで実現できなかったより深い深
溝を再現性良く形状良好に形成することができた。例と
して、ＳＯＩ基板上に全く良好な深さ２０μｍの深溝が
形成できた。
効率良く高精度に形成すること。 【構成】ドライエッチング装置に、RIE(反応性イオン・
エッチング）装置を用い、エッチングガスには、Br系ガ
スとしてHBr 、F 系ガスとしてSF6 とSiF4、それからHe
ガスを含むO2ガスを用いた。結果として対SiO2選択比が
飛躍的に増大して、側壁角度がほぼ90度のわずかなテー
パー性を保ちつつ、今まで実現できなかったより深い深
溝を再現性良く形状良好に形成することができた。例と
して、ＳＯＩ基板上に全く良好な深さ２０μｍの深溝が
形成できた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン(Si)基板をド
ライエッチングによって深溝形状や深孔形状などを加工
する方法に関し、特にDRAM半導体装置などのSiを材料と
した製品を製造する分野に役立つ。
ライエッチングによって深溝形状や深孔形状などを加工
する方法に関し、特にDRAM半導体装置などのSiを材料と
した製品を製造する分野に役立つ。
【０００２】
【従来の技術】本発明が解決しようとして対象としてい
る、表面を選択的に深く掘り下げる深溝（トレンチ）の
形状は、半導体の高集積化、高耐圧化を実現させるため
に必要とされている。この形状は、半導体製造過程上お
よび半導体特性上から、図１の（ａ）に示すように、側
面がわずかにテ−パ−状に傾きかつ滑らかで、底部の形
状も半円形であることが望ましく、その形成技術の確立
が必要となっている。望ましくない形状は、図１の
（ｂ）から（ｈ）に示すような形状である。
る、表面を選択的に深く掘り下げる深溝（トレンチ）の
形状は、半導体の高集積化、高耐圧化を実現させるため
に必要とされている。この形状は、半導体製造過程上お
よび半導体特性上から、図１の（ａ）に示すように、側
面がわずかにテ−パ−状に傾きかつ滑らかで、底部の形
状も半円形であることが望ましく、その形成技術の確立
が必要となっている。望ましくない形状は、図１の
（ｂ）から（ｈ）に示すような形状である。
【０００３】従来、Siのドライエッチングは、深溝（深
孔形状も同様、以下深溝のみをあげる）に限らず、特公
昭57-11954号公報や特公昭59-22374号公報で開示されて
いるごとく、フッ素を含有するガス（以下「 F系ガス」
と記す）、塩素を含有するガス（以下「Cl系ガス」と記
す）、臭素を含有するガス（以下「Br系ガス」と記す）
などが一般に用いられている。通常、深溝の形成は、図
２に示すように，Si基板２０１上に絶縁体SiO2のマスク
２０２を形成した後（図２の（ａ））、マスクをパタ−
ン形成し（図２の（ｂ））、エッチングを行う（図２の
（ｃ））。なお、集積回路形成等の工程は省略してあ
る。
孔形状も同様、以下深溝のみをあげる）に限らず、特公
昭57-11954号公報や特公昭59-22374号公報で開示されて
いるごとく、フッ素を含有するガス（以下「 F系ガス」
と記す）、塩素を含有するガス（以下「Cl系ガス」と記
す）、臭素を含有するガス（以下「Br系ガス」と記す）
などが一般に用いられている。通常、深溝の形成は、図
２に示すように，Si基板２０１上に絶縁体SiO2のマスク
２０２を形成した後（図２の（ａ））、マスクをパタ−
ン形成し（図２の（ｂ））、エッチングを行う（図２の
（ｃ））。なお、集積回路形成等の工程は省略してあ
る。
【０００４】現在、深溝の形成は、例えばRIE(Reactive
Ion Etching: 反応性イオン・エッチング）装置を用い
てBr系ガス、F 系ガス、Cl系ガスなどのガス雰囲気中で
エッチングすることでその実現が試みられているけれど
も、まだ生産に結びつく確実な安定した製造方法は確立
していない。また通常、多結晶Siのエッチングでは酸素
ガスが使用されるが、単結晶Siのエッチングでは酸素ガ
スはエッチング残渣が発生しやすく、等方的になりやす
いので使用されることはなかった。
Ion Etching: 反応性イオン・エッチング）装置を用い
てBr系ガス、F 系ガス、Cl系ガスなどのガス雰囲気中で
エッチングすることでその実現が試みられているけれど
も、まだ生産に結びつく確実な安定した製造方法は確立
していない。また通常、多結晶Siのエッチングでは酸素
ガスが使用されるが、単結晶Siのエッチングでは酸素ガ
スはエッチング残渣が発生しやすく、等方的になりやす
いので使用されることはなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２の
（ｃ）の深溝の形成の時、この工程で、Si基板２０１部
分だけではなく、SiO2マスク２０２もわずかにエッチン
グされ薄くなる（図２の２０３）。このマスクの減少の
しにくさの程度を示すのが「対SiO2選択比」で、この値
が大きいほど深溝が作りやすい。対SiO2選択比が小さい
値だと所定の深さまでエッチングされる前にマスクが無
くなり基板のＳｉが浸食されてしまうからである。従っ
て対SiO2選択比の大きいエッチングガスが求められる
が、一般的にエッチング生成物が高揮発性となる F系ガ
スは対SiO2選択比が低く、かつ全方向へ反応がすすむと
いう等方性エッチングになりやすいという問題がある。
また、一般的に F系ガス、Cl系ガス、Br系ガスの順でエ
ッチング残留物の量が増えるという問題がある。けれど
も、上記の順で、後者ほど側壁形状は整ってくるという
利点はある。
（ｃ）の深溝の形成の時、この工程で、Si基板２０１部
分だけではなく、SiO2マスク２０２もわずかにエッチン
グされ薄くなる（図２の２０３）。このマスクの減少の
しにくさの程度を示すのが「対SiO2選択比」で、この値
が大きいほど深溝が作りやすい。対SiO2選択比が小さい
値だと所定の深さまでエッチングされる前にマスクが無
くなり基板のＳｉが浸食されてしまうからである。従っ
て対SiO2選択比の大きいエッチングガスが求められる
が、一般的にエッチング生成物が高揮発性となる F系ガ
スは対SiO2選択比が低く、かつ全方向へ反応がすすむと
いう等方性エッチングになりやすいという問題がある。
また、一般的に F系ガス、Cl系ガス、Br系ガスの順でエ
ッチング残留物の量が増えるという問題がある。けれど
も、上記の順で、後者ほど側壁形状は整ってくるという
利点はある。
【０００６】従来の技術では、特公昭59-67635号公報に
開示されているように、Siを垂直にエッチングする一般
的な方法が提供されているが、この方法による深溝は５
μｍ程度までで、これ以上深くエッチングしようとする
と、深溝の形状が一様でなくなったり、逆に形状を追求
すると、エッチング残渣が発生したりする問題があった
りして、必ずしも安定した形状の、かつ高精度な満足の
行く深溝を形成するに至っていなかった。このため、様
々なエッチングガスの特徴を引き出せるようにガスを混
合して用いている場合もあるが、やはり生産に結びつく
確実な方法は提案されていない。
開示されているように、Siを垂直にエッチングする一般
的な方法が提供されているが、この方法による深溝は５
μｍ程度までで、これ以上深くエッチングしようとする
と、深溝の形状が一様でなくなったり、逆に形状を追求
すると、エッチング残渣が発生したりする問題があった
りして、必ずしも安定した形状の、かつ高精度な満足の
行く深溝を形成するに至っていなかった。このため、様
々なエッチングガスの特徴を引き出せるようにガスを混
合して用いている場合もあるが、やはり生産に結びつく
確実な方法は提案されていない。
【０００７】また、米国特許4784720 に、深溝の側壁に
堆積物を選択的に付着させて深溝の形状を制御すること
が開示されているが、形状のみの追求であり、他の特性
（選択比、エッチング残渣など）については考慮されて
おらず、量産化するのは難しい。
堆積物を選択的に付着させて深溝の形状を制御すること
が開示されているが、形状のみの追求であり、他の特性
（選択比、エッチング残渣など）については考慮されて
おらず、量産化するのは難しい。
【０００８】本発明は上記の問題点を解決するために、
形状の整った非常に深い深溝形成を効率良く高精度に実
現することが目的である。
形状の整った非常に深い深溝形成を効率良く高精度に実
現することが目的である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、シリコン基板のエッチングガスとして、臭素を
含有するガスと、SF6 又はNF3 の少なくとも一種を含有
するガスと、酸素を含むガス（以下「O2系ガス」と記
す）とを混合したガスを構成し、ドライエッチングす
る。
ために、シリコン基板のエッチングガスとして、臭素を
含有するガスと、SF6 又はNF3 の少なくとも一種を含有
するガスと、酸素を含むガス（以下「O2系ガス」と記
す）とを混合したガスを構成し、ドライエッチングす
る。
【００１０】
【作用】上記の構成によるエッチングガスで、後述の実
施例で明らかにされるような各種のパラメ−タを設計に
合わせて適切な値に設定してエッチングすると、主とし
て、Brを含むガスによってSi基板のエッチングが進み、
SF6 又はNF3 ガスによって生成物が除去され、O2系ガス
によってSiO2マスクが保護され、結果として対SiO2選択
比が増大されて目標の深溝形状が形成される。
施例で明らかにされるような各種のパラメ−タを設計に
合わせて適切な値に設定してエッチングすると、主とし
て、Brを含むガスによってSi基板のエッチングが進み、
SF6 又はNF3 ガスによって生成物が除去され、O2系ガス
によってSiO2マスクが保護され、結果として対SiO2選択
比が増大されて目標の深溝形状が形成される。
【００１１】
【発明の効果】後述の実施例で明らかにされるように、
当実施例に示すガス構成によって対SiO2選択比を飛躍的
に高める事ができ、深溝の側壁の角度をほぼ９０度近く
のわずかのテーパー性を保ちつつ、今まで実現できなか
ったより深い深溝を再現性良く形状良好に形成する方法
を提供できた。
当実施例に示すガス構成によって対SiO2選択比を飛躍的
に高める事ができ、深溝の側壁の角度をほぼ９０度近く
のわずかのテーパー性を保ちつつ、今まで実現できなか
ったより深い深溝を再現性良く形状良好に形成する方法
を提供できた。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。ドライエッチング装置として、図３の模式断面
図に示すようなRIE(Reactive IonEtching: 反応性イオ
ン・エッチング）装置を用いた。RIE 装置の代わりにEC
R(Electron Cyclotron Resonance）装置でも良い。図３
において、エッチング槽３０１に上部電極３０４と下部
電極３０５があり、この下部電極３０５に対象とするSi
基板３０８を配置し、ガス導入口３０２より下記に述べ
るエッチングガスが導入され、排気口３０３から排出さ
れる。この電極間に高周波電源３０６より１３．５６Ｍ
Ｈｚの電力が供給され、電極間でガスプラズマが生じて
Si基板３０８のエッチングが行われる。なお、このRIE
装置はエッチング槽の周りにマグネットコイル３０７が
配置してあり、マグネトロン方式である。
明する。ドライエッチング装置として、図３の模式断面
図に示すようなRIE(Reactive IonEtching: 反応性イオ
ン・エッチング）装置を用いた。RIE 装置の代わりにEC
R(Electron Cyclotron Resonance）装置でも良い。図３
において、エッチング槽３０１に上部電極３０４と下部
電極３０５があり、この下部電極３０５に対象とするSi
基板３０８を配置し、ガス導入口３０２より下記に述べ
るエッチングガスが導入され、排気口３０３から排出さ
れる。この電極間に高周波電源３０６より１３．５６Ｍ
Ｈｚの電力が供給され、電極間でガスプラズマが生じて
Si基板３０８のエッチングが行われる。なお、このRIE
装置はエッチング槽の周りにマグネットコイル３０７が
配置してあり、マグネトロン方式である。
【００１３】上記RIE 装置において、実施例として用い
たエッチングガスは、ＨＢｒ、ＳＦ6 とＳｉＦ4 、それ
からHeガスを含むO2ガス（以下、「He,O2 ガス」と記
す）である。比較例として、からに、ＨＢｒを主と
して、F 系ガス、Cl系ガス、O2ガスを混合したもの、
にCl系ガスを主としたもの、にF 系ガスとCl系ガスを
主としたものを用いた。He,O2 ガスは、He:O2 が 7:3の
構成の混合ガスを使用したが、流量が制御できればO2ガ
ス単独でも良く、また他の不活性ガスを含んでいても良
い。
たエッチングガスは、ＨＢｒ、ＳＦ6 とＳｉＦ4 、それ
からHeガスを含むO2ガス（以下、「He,O2 ガス」と記
す）である。比較例として、からに、ＨＢｒを主と
して、F 系ガス、Cl系ガス、O2ガスを混合したもの、
にCl系ガスを主としたもの、にF 系ガスとCl系ガスを
主としたものを用いた。He,O2 ガスは、He:O2 が 7:3の
構成の混合ガスを使用したが、流量が制御できればO2ガ
ス単独でも良く、また他の不活性ガスを含んでいても良
い。
【００１４】上記の実施例の構成で図５に示す条件にて
エッチングを行い、実施例と比較例とのデ−タを図４に
示した。この図４からわかるように、当実施例がずば抜
けて対SiO2選択比が高く、形状も良好であることが明ら
かである。これは、比較例から明らかなように、エッ
チングにより生成されるＳｉＢｒx を揮発させるための
F 系ガスとしてＳｉＦ4 を混合させるだけでは不十分
で、既に知られている図６、図７に示すデ−タから、分
解エネルギ−が小さいＳＦ6 を混合することが有効であ
ることが考えられ、当実施例の結果が得られた。
エッチングを行い、実施例と比較例とのデ−タを図４に
示した。この図４からわかるように、当実施例がずば抜
けて対SiO2選択比が高く、形状も良好であることが明ら
かである。これは、比較例から明らかなように、エッ
チングにより生成されるＳｉＢｒx を揮発させるための
F 系ガスとしてＳｉＦ4 を混合させるだけでは不十分
で、既に知られている図６、図７に示すデ−タから、分
解エネルギ−が小さいＳＦ6 を混合することが有効であ
ることが考えられ、当実施例の結果が得られた。
【００１５】また、O2ガスは、エッチングにおいて化１
式に示す反応によりＳｉＯ2 を生成し、さらに化２式に
よってもＳｉＯ2 を生成するため、このＳｉＯ2 がマス
ク材のＳｉＯ2 の消滅を阻止し、あるいは選択的にマス
ク材に堆積して対SiO2選択比を飛躍的に向上させた。
式に示す反応によりＳｉＯ2 を生成し、さらに化２式に
よってもＳｉＯ2 を生成するため、このＳｉＯ2 がマス
ク材のＳｉＯ2 の消滅を阻止し、あるいは選択的にマス
ク材に堆積して対SiO2選択比を飛躍的に向上させた。
【００１６】
【化１】ＳｉＢｒx ＋ Ｏ2 → ＳｉＯ2 ＋ Ｂｒx
【００１７】
【化２】ＳｉＦ4 ＋ Ｏ2 → ＳｉＯ2 ＋ ４Ｆ
【００１８】化１式の効果は、図８の（ａ）マスクパタ
−ン有りと（ｂ）パタ−ンなしとの比較実験にて、図９
及び図１０に示す結果により、Ｓｉがエッチング対象と
なることでＳｉＯ2 のエッチング速度が減少しているこ
とから明白となった。また化２式についても、図１１に
示すように、ＳｉＯ2 のエッチング速度が減少している
ことから、He,O2 ガスが含められることにより、ＳｉＦ
4 はＳｉＯ2 のエッチング速度を抑制していて対SiO2選
択比を大きくしていることが確かめられた。
−ン有りと（ｂ）パタ−ンなしとの比較実験にて、図９
及び図１０に示す結果により、Ｓｉがエッチング対象と
なることでＳｉＯ2 のエッチング速度が減少しているこ
とから明白となった。また化２式についても、図１１に
示すように、ＳｉＯ2 のエッチング速度が減少している
ことから、He,O2 ガスが含められることにより、ＳｉＦ
4 はＳｉＯ2 のエッチング速度を抑制していて対SiO2選
択比を大きくしていることが確かめられた。
【００１９】更にHe,O2 ガスの流量及びエッチングガス
圧力に対する依存性は、図１２、図１３に示すようにな
り、He,O2 ガス流量、エッチングガス圧力が増大するに
つれて対SiO2選択比が急激に増大している。これから明
らかなように、He,O2 ガス流量を２(SCCM)以上、望まし
くは５(SCCM)以上にすることで従来の対SiO2選択比の上
限値およそ２５をはるかに凌ぎ、より深い深溝形成に有
効である。
圧力に対する依存性は、図１２、図１３に示すようにな
り、He,O2 ガス流量、エッチングガス圧力が増大するに
つれて対SiO2選択比が急激に増大している。これから明
らかなように、He,O2 ガス流量を２(SCCM)以上、望まし
くは５(SCCM)以上にすることで従来の対SiO2選択比の上
限値およそ２５をはるかに凌ぎ、より深い深溝形成に有
効である。
【００２０】さらに、磁界強度のみを変化させて対SiO2
選択比を求めた所、図１４のようにやはり対SiO2選択比
が増大していることが明らかにされた。従って、この特
性からもより深い深溝に充分対応できることが明白であ
る。
選択比を求めた所、図１４のようにやはり対SiO2選択比
が増大していることが明らかにされた。従って、この特
性からもより深い深溝に充分対応できることが明白であ
る。
【００２１】深溝形状に対しては、図１５に示す範囲内
で、側壁角度、底形状共に良好であり、かつ再現性が充
分にあることが確認された。
で、側壁角度、底形状共に良好であり、かつ再現性が充
分にあることが確認された。
【００２２】以上のように、当実施例のガス構成が最も
９０度に近いテーパー状である上に対SiO2選択比が圧倒
的に大きくでき、最も深溝形成に優れていることが明ら
かである。
９０度に近いテーパー状である上に対SiO2選択比が圧倒
的に大きくでき、最も深溝形成に優れていることが明ら
かである。
【００２３】なお、当実施例においてＳＦ6 に代えて、
ＮＦ3 でも同様な効果が得られた。また、SiO2マスクに
限らず、窒化ケイ素(Si3N4) をマスクとしたものでも同
様の効果がある。
ＮＦ3 でも同様な効果が得られた。また、SiO2マスクに
限らず、窒化ケイ素(Si3N4) をマスクとしたものでも同
様の効果がある。
【００２４】他の実施例として、エッチングプロセス安
定性を調べた結果、図１６に示すように、深溝形成を１
００回繰り返しても側壁角度は８９．２±０．５度と安
定しており、充分生産等に対応できることも示された。
定性を調べた結果、図１６に示すように、深溝形成を１
００回繰り返しても側壁角度は８９．２±０．５度と安
定しており、充分生産等に対応できることも示された。
【００２５】他の実施例として、ＳＯＩ( Silicon On I
nsulator) 基板上に深溝を形成した例を図１７に示す。
ＳＯＩ基板は、図１７の(a) に示す構造をしており、Ｓ
ｉ基板１７０１の上に絶縁層１７０２の膜１μｍがあ
り、その上にＳｉ層１７０３（２０μｍ）がある。この
Ｓｉ層１７０３の上にマスクパタ−ンを形成したもの図
１７の(b) で、ここに深溝を形成したところ、全く良好
な深さ２０μｍの深溝１７０６が形成された（図１７の
(c) ）。さらに確認の為、２０％の過剰なエッチングを
行ったが、対SiO2選択比が圧倒的に大きいため絶縁層１
７０２の膜１μｍはエッチングされることがなかった。
nsulator) 基板上に深溝を形成した例を図１７に示す。
ＳＯＩ基板は、図１７の(a) に示す構造をしており、Ｓ
ｉ基板１７０１の上に絶縁層１７０２の膜１μｍがあ
り、その上にＳｉ層１７０３（２０μｍ）がある。この
Ｓｉ層１７０３の上にマスクパタ−ンを形成したもの図
１７の(b) で、ここに深溝を形成したところ、全く良好
な深さ２０μｍの深溝１７０６が形成された（図１７の
(c) ）。さらに確認の為、２０％の過剰なエッチングを
行ったが、対SiO2選択比が圧倒的に大きいため絶縁層１
７０２の膜１μｍはエッチングされることがなかった。
【００２６】また深溝の幅に対しても、１μｍから１２
０μｍまでの幅でほとんど同一の良好な形状が得られ、
実際のＩＣ製造等で設計の自由度が大きく得られること
が確かめられた。
０μｍまでの幅でほとんど同一の良好な形状が得られ、
実際のＩＣ製造等で設計の自由度が大きく得られること
が確かめられた。
【図１】様々な深溝の形状を示した断面図。そのうち
（ａ）は理想的な形状の断面図。（ｂ）から（ｈ）は好
ましくない形状の断面図。
（ａ）は理想的な形状の断面図。（ｂ）から（ｈ）は好
ましくない形状の断面図。
【図２】深溝形成の簡略工程図。
【図３】本発明の実施例に用いたマグネトロンRIE(Reac
tive Ion Etching: 反応性イオン・エッチング）装置の
模式的構造断面図。
tive Ion Etching: 反応性イオン・エッチング）装置の
模式的構造断面図。
【図４】当実施例の構成ガスと他のエッチングガスとの
比較結果図。
比較結果図。
【図５】当実施例の構成ガスと他のエッチングガスのエ
ッチング条件の構成図。
ッチング条件の構成図。
【図６】ＳｉＢｒx ＦY のＢｒ, Ｆ量による蒸気圧比較
図。
図。
【図７】各Ｆ系ガスの特性図。
【図８】SiO2マスクパターン有無の効果確認のためのサ
ンプル構成図。
ンプル構成図。
【図９】SiO2マスクパターン有無のエッチング速度比較
図。
図。
【図１０】SiO2マスクパターン有無のエッチング生成物
発生比較図。
発生比較図。
【図１１】SiF4ガス有無のエッチング速度比較図。
【図１２】対SiO2選択比のHe,O2 ガス流量依存性をしめ
す特性図。
す特性図。
【図１３】対SiO2選択比のガス圧力依存性をしめす特性
図。
図。
【図１４】対SiO2選択比の磁界強度依存性をしめす特性
図。
図。
【図１５】深溝形状の良好な状態の設定範囲特性図。
【図１６】深溝角度のエッチング回数依存性をしめす特
性図。
性図。
【図１７】他の実施例における深溝エッチングのサンプ
ル構成図。
ル構成図。
１０１ Ｓｉ基板 １０２ 深溝の側壁角度 ２０１ Ｓｉ基板 ２０２ ＳｉＯ2 マスク ２０３ エッチングによって薄くなったＳｉＯ2 マスク ３０１ ＲＩＥ装置のエッチング槽 ３０８ 深溝を形成したいＳｉ基板 ８０１ Ｓｉ基板 ８０２ ＳｉＯ2 マスク １７０１ Ｓｉ基板 １７０２ ＳｉＯ2 層 １７０３ Ｓｉ層 １７０４ ＳｉＯ2 マスク １７０５ マスクパターン １７０６ 形成された深溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 昭二 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 三瓶 哲彦 千葉県成田市郷部1212 ソフィティル306 (72)発明者 金 啓逸 神奈川県愛甲郡愛川町中津3827−１ コー ポ愛川103
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン基板をドライエッチングする方
法において、 臭素(Br)を含有するガスと、 六フッ化硫黄(SF6) または三フッ化窒素(NF3) の少なく
とも一種を含有するガスと、 酸素(O2)を含有するガスとから成るガスでエッチングす
ることを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のドライエッチング方法
において、前記酸素を含有するガスが、臭素を含有する
ガスに対して、１％以上含まれていることを特徴とする
請求項１に記載のドライエッチング方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のドライエッチング方法
において、エッチングガスはさらにSiF4を含有すること
を特徴とする請求項１に記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4333639A JP2734915B2 (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体のドライエッチング方法 |
| US08/152,896 US5423941A (en) | 1992-11-18 | 1993-11-17 | Dry etching process for semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4333639A JP2734915B2 (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体のドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163478A true JPH06163478A (ja) | 1994-06-10 |
| JP2734915B2 JP2734915B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=18268305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4333639A Expired - Lifetime JP2734915B2 (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体のドライエッチング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5423941A (ja) |
| JP (1) | JP2734915B2 (ja) |
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