JPS6110037A - 光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ母材の製造方法Info
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- JPS6110037A JPS6110037A JP12908384A JP12908384A JPS6110037A JP S6110037 A JPS6110037 A JP S6110037A JP 12908384 A JP12908384 A JP 12908384A JP 12908384 A JP12908384 A JP 12908384A JP S6110037 A JPS6110037 A JP S6110037A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、水素の浸入を防止するようにした光ファイバ
母材の製造方法に関するものである。
母材の製造方法に関するものである。
従来、ＶＡＤ法による光ファイバ母材は、コア用多孔質
母材を合成し、これを１５００°Ｃ以上の高温ヘリウム
雰囲気中で焼結することによって透明化して得ていた。
母材を合成し、これを１５００°Ｃ以上の高温ヘリウム
雰囲気中で焼結することによって透明化して得ていた。
単一モードファイバ用または全合成用ファイバ用の母材
を得る場合には、前記コア用多孔質母材の合成と同時に
クラッド用多孔質層を形成することも行われていた。
を得る場合には、前記コア用多孔質母材の合成と同時に
クラッド用多孔質層を形成することも行われていた。
さらに１これらの方法によって４＋４た６明な母料は、
必要に応じて、石英ガラス管中に封入されてコア／クラ
ツド比を調整した後に線引きされ、ファイバとされてい
た。
必要に応じて、石英ガラス管中に封入されてコア／クラ
ツド比を調整した後に線引きされ、ファイバとされてい
た。
ところが、近年、この様にして得た母材から製Ｍした光
ファイバにおいて、布設後の経年変化および２００°Ｃ
以上での高温雰囲気中または水素雰囲気中処理などに起
因して、ＯＨ基による吸収損失の増大現象が生じること
が見出された（ Ｕｃｈｉｄａｅｔ ａｌ。９ ｔｈ
Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｏｐ
ｔｉｃａｌＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ）。この現象
は光ファイバ用ガラス中に拡散したＨ２がガラス中でＳ
ｉ −ＯＨｒ Ｇｅ −ＯＨ，Ｐ−Ｏｎなどの化学結合
を形成し、それにより光吸収が増大すると考えられてい
る。
ファイバにおいて、布設後の経年変化および２００°Ｃ
以上での高温雰囲気中または水素雰囲気中処理などに起
因して、ＯＨ基による吸収損失の増大現象が生じること
が見出された（ Ｕｃｈｉｄａｅｔ ａｌ。９ ｔｈ
Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｏｐ
ｔｉｃａｌＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ）。この現象
は光ファイバ用ガラス中に拡散したＨ２がガラス中でＳ
ｉ −ＯＨｒ Ｇｅ −ＯＨ，Ｐ−Ｏｎなどの化学結合
を形成し、それにより光吸収が増大すると考えられてい
る。
さらにまた、コア中に浸入したＨ２が化学結合に用いら
れないときにも、Ｈ２赤外吸収の高調波吸収が１．２４
μｍなどの光ファイバ使用波長域で生じることも明らか
にされている。
れないときにも、Ｈ２赤外吸収の高調波吸収が１．２４
μｍなどの光ファイバ使用波長域で生じることも明らか
にされている。
これらの現象を防ぐため、ガラス材料、被覆材料の両面
から多くの検討が行われてきたが、未だ、長期的な信頼
性を保証するまでには至っていない。
から多くの検討が行われてきたが、未だ、長期的な信頼
性を保証するまでには至っていない。
その理由の内の最大なものは、石英ガラスが他の材料と
異なり、Ｈ２に対する拡散係数が極めて大きい点にある
。従って、光ファイバのコア周囲に存在する僅かなＨ２
も容易にコア中にまで拡散し、したがって、従来の母材
製造方法ではこれを防ぐことは不可能に近かった。
異なり、Ｈ２に対する拡散係数が極めて大きい点にある
。従って、光ファイバのコア周囲に存在する僅かなＨ２
も容易にコア中にまで拡散し、したがって、従来の母材
製造方法ではこれを防ぐことは不可能に近かった。
そこで、本発明の目的は、これらの欠点を除去するため
、コア周囲に水素の拡散防止用ガラス層を形成して光フ
ァイバ母材を製造する方法を提供することＫある。
、コア周囲に水素の拡散防止用ガラス層を形成して光フ
ァイバ母材を製造する方法を提供することＫある。
かかる目的を達成するために、本発明では、中心のコア
部およびその外周の第１クラッド部を有する中心母材の
外周に、ボロン、ゲルマニウム。
部およびその外周の第１クラッド部を有する中心母材の
外周に、ボロン、ゲルマニウム。
リン、フッ素、アルカリ金属、アルカリ土類金属。
アルミニウムおよび鉛のうちの少なくとも一種類の元素
を含有するＳｉＯ２の多孔質層を堆積させた後に、その
全体を透明ガラス化する。
を含有するＳｉＯ２の多孔質層を堆積させた後に、その
全体を透明ガラス化する。
本発明の他の形態では、中心のコア部およびその外周の
第１クラッド部を有する中心母材の外周ニ、ホロン、ケ
ルマニウム、リン、フッ素、アルカリ金属、アルカリ土
類金属、アルミニウムおよび鉛のうちの少なくとも一種
類の元素を含有するＳｉＯ２の多孔質層を堆積させ、更
に該多孔質層の外側に第２クラッド層を形成し、ついで
その全体を透明ガラス化する。
第１クラッド部を有する中心母材の外周ニ、ホロン、ケ
ルマニウム、リン、フッ素、アルカリ金属、アルカリ土
類金属、アルミニウムおよび鉛のうちの少なくとも一種
類の元素を含有するＳｉＯ２の多孔質層を堆積させ、更
に該多孔質層の外側に第２クラッド層を形成し、ついで
その全体を透明ガラス化する。
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
実施例１゜
第１図は本発明の一実施例を示し、ここで、ｌはコア用
バーナ、２はバーナ１によシ堆積したコア用多孔質母材
、３はクラッド用バーナ、４はバーナ３によりコア用多
孔質母材２のまわりに堆積したクラッド層、５はクラッ
ド用バーナ、６はバーナ５によりクラッドＮ４のまわシ
に堆積した水素拡散防止用クラッド層、７はコア／クラ
ツド比調整用バーナ、８はバーナ７によりクラッド層６
の捷わりに堆積したクラッド層、９１，９２．９３およ
び９４は各バーナ１，３．５および７からの火炎、１０
１；１．種棒である。
バーナ、２はバーナ１によシ堆積したコア用多孔質母材
、３はクラッド用バーナ、４はバーナ３によりコア用多
孔質母材２のまわりに堆積したクラッド層、５はクラッ
ド用バーナ、６はバーナ５によりクラッドＮ４のまわシ
に堆積した水素拡散防止用クラッド層、７はコア／クラ
ツド比調整用バーナ、８はバーナ７によりクラッド層６
の捷わりに堆積したクラッド層、９１，９２．９３およ
び９４は各バーナ１，３．５および７からの火炎、１０
１；１．種棒である。
本例では、コア用バーナ１にはＳｉＯ！４＋ Ｇｅ０１
４ガどの気相原料をＨ２，０２ガスと共に供給した。
４ガどの気相原料をＨ２，０２ガスと共に供給した。
ここで、コア用多孔質母材２を堆積する工程は、通常の
ＶＡＤ法と同様とした。バーナ３は原料としてＳｉＣｌ
２を使用したものであシ、薄い多孔質をりラッド層４を
形成するだめのものである。バーナ５には原料としてＳ
ｉＣｌ２． ＢＧＩ、を導入した。バーナ５によってク
ラッド層４の外側にさらに水素拡散防止用多孔質クラッ
ド層６が形成された。コア／クラツド比調整用バーナ７
には原料としては５ｉＯ１４のみを導入し、多孔質クラ
ッド層８を形成した。
ＶＡＤ法と同様とした。バーナ３は原料としてＳｉＣｌ
２を使用したものであシ、薄い多孔質をりラッド層４を
形成するだめのものである。バーナ５には原料としてＳ
ｉＣｌ２． ＢＧＩ、を導入した。バーナ５によってク
ラッド層４の外側にさらに水素拡散防止用多孔質クラッ
ド層６が形成された。コア／クラツド比調整用バーナ７
には原料としては５ｉＯ１４のみを導入し、多孔質クラ
ッド層８を形成した。
各原料の流量およびＨ２，０２ガス流量は、多孔質母材
２およびクラッド層４，６．８の多孔質全体の表面温度
を２次元温度計によって検知し、多孔質母材密度の急激
な変化が起こることによって多孔質母材が割れないよう
に留意しながら調整した。この様にして合成した多孔質
母材を図示していない電気炉内においてヘリウムとフッ
素の混合ガス雰囲気中で高温で焼結して透明な光ファイ
バ用母材とした。
２およびクラッド層４，６．８の多孔質全体の表面温度
を２次元温度計によって検知し、多孔質母材密度の急激
な変化が起こることによって多孔質母材が割れないよう
に留意しながら調整した。この様にして合成した多孔質
母材を図示していない電気炉内においてヘリウムとフッ
素の混合ガス雰囲気中で高温で焼結して透明な光ファイ
バ用母材とした。
本実施例によって製造した透明母材の半径方向の屈折率
差比の分布を第２図に示す。
差比の分布を第２図に示す。
透明母材コア部にはＧｅＯ２がドープされているため、
第２図のコア部分布２１かられかるように、その屈折率
差比は約１％高くなっている。クラッド部４の幅、すな
わち第２図の分布４１の幅はコア部半径の１．１倍でア
シ、多モード形ファイバの構造的原因による伝送損失劣
化を防ぐには十分であった。水素拡散防止用クラッド層
６にはボロンがドープされているため、その屈折率差比
の分布６１は石英ガラスよりも約０．３％低くなってい
た。
第２図のコア部分布２１かられかるように、その屈折率
差比は約１％高くなっている。クラッド部４の幅、すな
わち第２図の分布４１の幅はコア部半径の１．１倍でア
シ、多モード形ファイバの構造的原因による伝送損失劣
化を防ぐには十分であった。水素拡散防止用クラッド層
６にはボロンがドープされているため、その屈折率差比
の分布６１は石英ガラスよりも約０．３％低くなってい
た。
クラッドＮ８によって、第２図の分布８１に示すように
、コア／クラッド外径比は約１／２．５となシ、これは
、現在広く使用されている代表的な多モード形ファイバ
に合致するものであった。
、コア／クラッド外径比は約１／２．５となシ、これは
、現在広く使用されている代表的な多モード形ファイバ
に合致するものであった。
本実施例で得られた母材を外径１２５μｍ１コア径５０
μｍのファイバに線引きしてから水素雰囲気中で熱処理
試験を行った。ここで、ファイバはガラス製容器の中に
コイル状にして入れ、その容器中へＨ２ガスを１１／分
で送υ込んだ。容器と光ファイバをオープン中に入れて
２００℃に加熱後その状態を６時間保持した。この場合
に、光ファイバの伝送損失をかかる加熱処理前および処
理後について測定した結果を第３図に示す。測定は室温
で行つ九。従来の手法による母材から線引いた光ファイ
バの加熱処理後の特性も参考のため点線で示した。本発
明による光ファイバでは、一点鎖線で示す加熱処理前の
初期値に対して、加熱処理後には実線で示すように損失
増加量が１ｄＢ／ｌａ１以下に抑えられていた。これに
対して、従来法では、点線で示すように、１５ｄＢ／ｋ
ｌｌの損失増加が生じた０ なお、本実施例は全合成ファイバ用母材の場合を示した
が、バーナ７は必ずしも必要なものではなく、透明ガラ
ス母材に適当な寸法の石英ガラス管をジャケットしても
全く同様な効果が得られる。
μｍのファイバに線引きしてから水素雰囲気中で熱処理
試験を行った。ここで、ファイバはガラス製容器の中に
コイル状にして入れ、その容器中へＨ２ガスを１１／分
で送υ込んだ。容器と光ファイバをオープン中に入れて
２００℃に加熱後その状態を６時間保持した。この場合
に、光ファイバの伝送損失をかかる加熱処理前および処
理後について測定した結果を第３図に示す。測定は室温
で行つ九。従来の手法による母材から線引いた光ファイ
バの加熱処理後の特性も参考のため点線で示した。本発
明による光ファイバでは、一点鎖線で示す加熱処理前の
初期値に対して、加熱処理後には実線で示すように損失
増加量が１ｄＢ／ｌａ１以下に抑えられていた。これに
対して、従来法では、点線で示すように、１５ｄＢ／ｋ
ｌｌの損失増加が生じた０ なお、本実施例は全合成ファイバ用母材の場合を示した
が、バーナ７は必ずしも必要なものではなく、透明ガラ
ス母材に適当な寸法の石英ガラス管をジャケットしても
全く同様な効果が得られる。
さらにまた、単一モードファイバ用母材の場合には、バ
ーナ３によるクラッド層４をコア径の５倍〜８倍に厚く
することが重要であり、そのためにはバーナ３と類似の
バーナを多段に並べればよい。
ーナ３によるクラッド層４をコア径の５倍〜８倍に厚く
することが重要であり、そのためにはバーナ３と類似の
バーナを多段に並べればよい。
実施例２゜
通常のＶＡＤ法であらかじめ合成したコア部分のみから
成る透明母材（直径１０ ｗａ 、長さ３００ ｗ ）
を実施例１で述べたコア用多孔質母材２の代わシに用い
た。バーナ３および７には実施例１と同様の原料を供給
した。バーナ５には５ｉＯｊ４． ＢＯＩ。
成る透明母材（直径１０ ｗａ 、長さ３００ ｗ ）
を実施例１で述べたコア用多孔質母材２の代わシに用い
た。バーナ３および７には実施例１と同様の原料を供給
した。バーナ５には５ｉＯｊ４． ＢＯＩ。
Ｃｒｅｅ１４． ＰＣＩ、を原料として導入した。本実
施例で得られた母材の半径方向の屈折率差比の分布を第
４図に示す。水素拡散防止用クラッド層６の分布６１は
石英ガラスの屈折率にほぼ等しく々っていた。これはＩ
Ｂ２０Ａの添加によって屈折率を下げると共に、屈折
率を上げるのに寄与するＧｅ０２ ＋Ｐ２０．の共存に
よりＢ２Ｏ３による屈折率の低下傾向を相殺させた結果
である。
施例で得られた母材の半径方向の屈折率差比の分布を第
４図に示す。水素拡散防止用クラッド層６の分布６１は
石英ガラスの屈折率にほぼ等しく々っていた。これはＩ
Ｂ２０Ａの添加によって屈折率を下げると共に、屈折
率を上げるのに寄与するＧｅ０２ ＋Ｐ２０．の共存に
よりＢ２Ｏ３による屈折率の低下傾向を相殺させた結果
である。
本実施例によシ得られた多孔質母料を透明化し、その透
明母材から実施例１と同様に光ファイバを線引きしてＨ
２雰囲気中で熱処理試験を行った。この場合、水素拡散
防止層６には実施例１よりも多くの元素が含まれている
ため、よシ多成分ガラスに近くなり、Ｈ２の浸入を防止
する効果が顕著となった。ＯＨの吸収損失が現われる波
長１．４μｍでの損失変化はｔｌとんと発生しないこと
が確認された。
明母材から実施例１と同様に光ファイバを線引きしてＨ
２雰囲気中で熱処理試験を行った。この場合、水素拡散
防止層６には実施例１よりも多くの元素が含まれている
ため、よシ多成分ガラスに近くなり、Ｈ２の浸入を防止
する効果が顕著となった。ＯＨの吸収損失が現われる波
長１．４μｍでの損失変化はｔｌとんと発生しないこと
が確認された。
なお、本実施例で使用したコア部分のみから成る透明母
材の代わシに、薄いクラッド層付きの透切母材、または
ＭＣＶＤ法など他の製法による透明母材に対しても、本
発明により水素拡散防止層を形成することができること
は明らかである。
材の代わシに、薄いクラッド層付きの透切母材、または
ＭＣＶＤ法など他の製法による透明母材に対しても、本
発明により水素拡散防止層を形成することができること
は明らかである。
さらにまた、バーナ５に導く原料ガスとしては、５ｉｃ
ｚ４と共に、上述したＢｅ１３． Ｇｅ０ｊ４． ＰＧ
／３の他にＳＦ６． ＮａＮＯ３，Ｂａｄ／２． Ａｔ
（３１６，ＰｂＧ／２などを用いることもでき、それに
より、ボロン、ゲルマニウム、リン、フッ素、アルカリ
金属、アルカリ土類金属、アルミニウム、鉛のうちの少
なくとも−ａｔ類以上の元素を含有するＳｉＯ２の多孔
質ガラス層を水素拡散防止ｒｆ４６としてクラッド層４
上に堆積させればよい。
ｚ４と共に、上述したＢｅ１３． Ｇｅ０ｊ４． ＰＧ
／３の他にＳＦ６． ＮａＮＯ３，Ｂａｄ／２． Ａｔ
（３１６，ＰｂＧ／２などを用いることもでき、それに
より、ボロン、ゲルマニウム、リン、フッ素、アルカリ
金属、アルカリ土類金属、アルミニウム、鉛のうちの少
なくとも−ａｔ類以上の元素を含有するＳｉＯ２の多孔
質ガラス層を水素拡散防止ｒｆ４６としてクラッド層４
上に堆積させればよい。
なお、得られた多孔質母材の透明化にあたっての高温処
理を行う際の雰囲気としては、上述したヘリウムとフッ
素との混合ガスに限られず、 ｌ（ｅガス雰囲気、ある
いはＨｅとＣ１２＋ ０２ ＋フッ素系ガスまたはボロ
ン系ガスのうちの少くとも１種類以上のガスとの混合ガ
スを用いろこともできる。
理を行う際の雰囲気としては、上述したヘリウムとフッ
素との混合ガスに限られず、 ｌ（ｅガス雰囲気、ある
いはＨｅとＣ１２＋ ０２ ＋フッ素系ガスまたはボロ
ン系ガスのうちの少くとも１種類以上のガスとの混合ガ
スを用いろこともできる。
以上説明した様に、本発明によれば、光ファイバの外側
からＨ２ガスが拡散して来た場合に、Ｈ２がコアを含む
内側部分に拡散することは拡散防止層により抑制される
ため、極めて信頼性の高い光ファイバを製造することが
できる。さらにまた、本発明によれば、コア部分の組成
や構造については何らの変更を加えるものでないため、
通常の光伝送特性は従来通シ保持できることになシ、そ
の利点は極めて大きい。
からＨ２ガスが拡散して来た場合に、Ｈ２がコアを含む
内側部分に拡散することは拡散防止層により抑制される
ため、極めて信頼性の高い光ファイバを製造することが
できる。さらにまた、本発明によれば、コア部分の組成
や構造については何らの変更を加えるものでないため、
通常の光伝送特性は従来通シ保持できることになシ、そ
の利点は極めて大きい。
第１図は本発明による実施例１の説明図、第２図は実施
例１によって得られた母材の屈折率差比の分布図、 第３図は実施例１による光ファイバに対するＨ２雰囲気
処理の結果の損失スペクトルを示す特性曲線図、 第４図は本発明の実施例２によって得られた母材の屈折
率差比の分布図である。 １・・・コア用バーナ、 ２・・・コア用多孔質母材、 ３・・・クラッド用バーナ、 ４・・・クラッド層、 ５・・・バーナ、 ６・・・水素拡散防止用クラッド層、 ７・・・クラッド用バーナ、 ８・・・クラッド層、 ９１〜９４・・・火炎、 １０・・・種棒。 特許出願人 日本電信を話公社 代理人 弁理士 谷 義 −第１図 第２図 逮１ （μ倒） 第４図
例１によって得られた母材の屈折率差比の分布図、 第３図は実施例１による光ファイバに対するＨ２雰囲気
処理の結果の損失スペクトルを示す特性曲線図、 第４図は本発明の実施例２によって得られた母材の屈折
率差比の分布図である。 １・・・コア用バーナ、 ２・・・コア用多孔質母材、 ３・・・クラッド用バーナ、 ４・・・クラッド層、 ５・・・バーナ、 ６・・・水素拡散防止用クラッド層、 ７・・・クラッド用バーナ、 ８・・・クラッド層、 ９１〜９４・・・火炎、 １０・・・種棒。 特許出願人 日本電信を話公社 代理人 弁理士 谷 義 −第１図 第２図 逮１ （μ倒） 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）中心のコア部およびその外周の第１クラッド部を有
する中心母材の外周に、ボロン、ゲルマニウム、リン、
フッ素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルミニウ
ムおよび鉛のうちの少なくとも一種類の元素を含有する ＳｉＯ＿２の多孔質層を堆積させた後に、その全体を透
明ガラス化することを特徴とする光ファイバ母材の製造
方法。 ２）中心のコア部およびその外周の第１クラッド部を有
する中心母材の外周に、ボロン、ゲルマニウム、リン、
フッ素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルミニウ
ムおよび鉛のうちの少なくとも一種類の元素を含有する ＳｉＯ＿２の多孔質層を堆積させ、更に該多孔質層の外
側に第２クラッド層を形成し、ついでその全体を透明ガ
ラス化することを特徴とする光ファイバ母材の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12908384A JPS6110037A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12908384A JPS6110037A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110037A true JPS6110037A (ja) | 1986-01-17 |
Family
ID=15000659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12908384A Pending JPS6110037A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6110037A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62238382A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-19 | Canon Inc | ドライエツチングガス及びドライエツチング方法 |
| US5028246A (en) * | 1986-02-03 | 1991-07-02 | Ensign-Bickford Optical Technologies, Inc. | Methods of making optical waveguides |
| JPH04284628A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-09 | Shibaura Eng Works Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| US5318611A (en) * | 1992-03-13 | 1994-06-07 | Ensign-Bickford Optical Technologies, Inc. | Methods of making optical waveguides and waveguides made thereby |
| JPH08239247A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP12908384A patent/JPS6110037A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5028246A (en) * | 1986-02-03 | 1991-07-02 | Ensign-Bickford Optical Technologies, Inc. | Methods of making optical waveguides |
| US5364430A (en) * | 1986-02-03 | 1994-11-15 | Cal-Optics, Inc. | Methods of making optical waveguides |
| US5558693A (en) * | 1986-02-03 | 1996-09-24 | Spectran Communications Fiber Technologies, Inc. | Methods of making optical waveguides |
| JPS62238382A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-19 | Canon Inc | ドライエツチングガス及びドライエツチング方法 |
| JPH04284628A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-09 | Shibaura Eng Works Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| US5318611A (en) * | 1992-03-13 | 1994-06-07 | Ensign-Bickford Optical Technologies, Inc. | Methods of making optical waveguides and waveguides made thereby |
| JPH08239247A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ及びその製造方法 |
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