JP2000159531A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- JP2000159531A JP2000159531A JP33145598A JP33145598A JP2000159531A JP 2000159531 A JP2000159531 A JP 2000159531A JP 33145598 A JP33145598 A JP 33145598A JP 33145598 A JP33145598 A JP 33145598A JP 2000159531 A JP2000159531 A JP 2000159531A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2203/00—Fibre product details, e.g. structure, shape
- C03B2203/36—Dispersion modified fibres, e.g. wavelength or polarisation shifted, flattened or compensating fibres (DSF, DFF, DCF)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長多重伝送用光ファイバを製造するための
光ファイバ母材の製造方法を提供する。 【解決手段】 ＶＡＤ法によってコア部用の屈折率増加
ドーパント添加ＳｉＯ2ガラスとデプレスト部用の無添
加ＳｉＯ2 ガラスを一括合成し、かつ同程度の低カサ密
度で堆積させ、次いで脱水処理し、さらに透明ガラス化
温度より低温度で半焼結熱処理してコア部スートのカサ
密度を１．１ｇ／ｃｍ3 以上に、デプレスト部スートの
カサ密度を０．７ｇ／ｃｍ3 以下に調整し、次いでハロ
ゲン含有ガスを含む雰囲気ガス中で透明ガラス化焼結す
る。
光ファイバ母材の製造方法を提供する。 【解決手段】 ＶＡＤ法によってコア部用の屈折率増加
ドーパント添加ＳｉＯ2ガラスとデプレスト部用の無添
加ＳｉＯ2 ガラスを一括合成し、かつ同程度の低カサ密
度で堆積させ、次いで脱水処理し、さらに透明ガラス化
温度より低温度で半焼結熱処理してコア部スートのカサ
密度を１．１ｇ／ｃｍ3 以上に、デプレスト部スートの
カサ密度を０．７ｇ／ｃｍ3 以下に調整し、次いでハロ
ゲン含有ガスを含む雰囲気ガス中で透明ガラス化焼結す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ母材の
製造方法に関する。本発明は、詳しくは複雑な屈折率分
布を有する低損失光ファイバ用母材の製造方法に関する
ものである。
製造方法に関する。本発明は、詳しくは複雑な屈折率分
布を有する低損失光ファイバ用母材の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】１．５５μｍ帯の波長多重伝送技術の進
歩により、１本の光ファイバ中を同時に伝搬する波長数
が大きくなっている。このため、光ファイバにおける光
のパワー密度が増大し、その結果非線型光学効果を誘起
するので、パルス歪みやノイズを生じ、伝送距離を制限
する要因となっている。これを解決するために、さまざ
まなモードフィールド径拡大光ファイバの開発が行われ
ている。これは、光ファイバのモードフィールド径が大
きくなるほど、光ファイバ中を伝送する光のパワー密度
は低下するので、非線型光学効果を抑制することができ
るからである。
歩により、１本の光ファイバ中を同時に伝搬する波長数
が大きくなっている。このため、光ファイバにおける光
のパワー密度が増大し、その結果非線型光学効果を誘起
するので、パルス歪みやノイズを生じ、伝送距離を制限
する要因となっている。これを解決するために、さまざ
まなモードフィールド径拡大光ファイバの開発が行われ
ている。これは、光ファイバのモードフィールド径が大
きくなるほど、光ファイバ中を伝送する光のパワー密度
は低下するので、非線型光学効果を抑制することができ
るからである。
【０００３】図１にモードフィールド径拡大光ファイバ
における屈折率分布例を示す。殊に、図１中の（ｄ）、
（ｅ）及び（ｆ）に示される様な、コア最外部に最外ク
ラッドよりも低い屈折率を持つデプレストクラッド構造
は、他の構造に比べて遮断波長が低くなる特長がある。
この様なデプレストクラッド構造を達成するためには、
プリフォームの所定の部位にフッ素やボロンなどの屈折
率減少のための不純物を添加して屈折率を下げる必要が
ある。
における屈折率分布例を示す。殊に、図１中の（ｄ）、
（ｅ）及び（ｆ）に示される様な、コア最外部に最外ク
ラッドよりも低い屈折率を持つデプレストクラッド構造
は、他の構造に比べて遮断波長が低くなる特長がある。
この様なデプレストクラッド構造を達成するためには、
プリフォームの所定の部位にフッ素やボロンなどの屈折
率減少のための不純物を添加して屈折率を下げる必要が
ある。
【０００４】上記の如きデプレスト構造を有するファイ
バ用のプリフォームを作製する方法の一つとしては、予
め作製したコア部のスートを透明ガラス化焼結した後、
デプレストクラッド部分のスートをＶＡＤ法で外付けし
て作製する方法がある。他の方法としては、コア部・デ
プレスト部のスートをＶＡＤ法によって一括で作製した
後、得られたコア部・デプレスト部スートを透明ガラス
化焼結してプリフォームとする方法がある。いずれの方
法においてもフッ素の添加は、ＶＡＤ法工程あるいはス
ートの透明ガラス化焼結工程において行われる。フッ素
含有ガスとしてはＳＦ6 ，ＳｉＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 等が用い
られる。ＶＡＤ法工程でフッ素を添加する場合には、上
記のフッ素含有ガスを他の原料ガスとともに火炎中で加
水分解してスートを堆積しつつ、フッ素添加をする。ま
た、透明ガラス化焼結工程でフッ素を添加する場合に
は、上記フッ素含有ガスを含んだ雰囲気ガス中でガラス
化焼結を行う。
バ用のプリフォームを作製する方法の一つとしては、予
め作製したコア部のスートを透明ガラス化焼結した後、
デプレストクラッド部分のスートをＶＡＤ法で外付けし
て作製する方法がある。他の方法としては、コア部・デ
プレスト部のスートをＶＡＤ法によって一括で作製した
後、得られたコア部・デプレスト部スートを透明ガラス
化焼結してプリフォームとする方法がある。いずれの方
法においてもフッ素の添加は、ＶＡＤ法工程あるいはス
ートの透明ガラス化焼結工程において行われる。フッ素
含有ガスとしてはＳＦ6 ，ＳｉＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 等が用い
られる。ＶＡＤ法工程でフッ素を添加する場合には、上
記のフッ素含有ガスを他の原料ガスとともに火炎中で加
水分解してスートを堆積しつつ、フッ素添加をする。ま
た、透明ガラス化焼結工程でフッ素を添加する場合に
は、上記フッ素含有ガスを含んだ雰囲気ガス中でガラス
化焼結を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来方法は何れも欠点を有する。即ち、段階的にコア部
及びデプレスト部を作製した場合には、デプレスト部と
コア部の界面にＯＨ基が残りやすく、光ファイバ線引後
に、この界面のＯＨ基がコア部分に拡散してしまうの
で、光ファイバのＯＨ基による吸収損失増加の原因とな
る。
従来方法は何れも欠点を有する。即ち、段階的にコア部
及びデプレスト部を作製した場合には、デプレスト部と
コア部の界面にＯＨ基が残りやすく、光ファイバ線引後
に、この界面のＯＨ基がコア部分に拡散してしまうの
で、光ファイバのＯＨ基による吸収損失増加の原因とな
る。
【０００６】また、コア部・デプレスト部を同時に作製
した場合には、デプレスト部のみならずコア部にまでフ
ッ素が添加される結果、コア部分材質が例えばＧｅ，Ｆ
ガラスとなってしまう。このため、フッ素で低下する屈
折率を相殺するために、予めより多くのゲルマニウム
（Ｇｅ）をコアに添加する必要がある。さらに、Ｇｅ，
Ｆガラスはガラス中の添加物濃度が高くなるために散乱
損失が大きくなってしまう。
した場合には、デプレスト部のみならずコア部にまでフ
ッ素が添加される結果、コア部分材質が例えばＧｅ，Ｆ
ガラスとなってしまう。このため、フッ素で低下する屈
折率を相殺するために、予めより多くのゲルマニウム
（Ｇｅ）をコアに添加する必要がある。さらに、Ｇｅ，
Ｆガラスはガラス中の添加物濃度が高くなるために散乱
損失が大きくなってしまう。
【０００７】本発明の目的は、デプレストクラッド構造
を有する光ファイバ母材をＶＡＤ法によって製造する方
法を提供することにある。本発明の目的は、さらに詳し
くは、ＶＡＤ法によって低損失の波長多重伝送光ファイ
バ用のデプレスト構造を有する光ファイバ母材を製造す
る方法を提供することにある。
を有する光ファイバ母材をＶＡＤ法によって製造する方
法を提供することにある。本発明の目的は、さらに詳し
くは、ＶＡＤ法によって低損失の波長多重伝送光ファイ
バ用のデプレスト構造を有する光ファイバ母材を製造す
る方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、ＶＡＤ法によってコア部スート及びデ
プレスト部スートを一括合成し、得られたコア部・デプ
レスト部一括合成スートをハロゲン含有ガスの存在下に
透明ガラス化焼結してハロゲン添加と透明ガラス化焼結
を行う方法において、上記ガラス化焼結前のコア部のカ
サ密度を１．１ｇ／ｃｍ3 以上とし、デプレスト部のカ
サ密度を０．７ｇ／ｃｍ3 以下とするように多孔質カサ
密度制御を行うようにする。
めに、本発明は、ＶＡＤ法によってコア部スート及びデ
プレスト部スートを一括合成し、得られたコア部・デプ
レスト部一括合成スートをハロゲン含有ガスの存在下に
透明ガラス化焼結してハロゲン添加と透明ガラス化焼結
を行う方法において、上記ガラス化焼結前のコア部のカ
サ密度を１．１ｇ／ｃｍ3 以上とし、デプレスト部のカ
サ密度を０．７ｇ／ｃｍ3 以下とするように多孔質カサ
密度制御を行うようにする。
【０００９】上記ハロゲン含有ガスの好ましい例として
は、ＳＦ6 及びＳｉＦ4 が挙げられる。
は、ＳＦ6 及びＳｉＦ4 が挙げられる。
【００１０】上記多孔質カサ密度制御の方法として好ま
しい一例は、上記コア部・デプレスト部一括合成スート
を、透明ガラス化焼結の前に、かつ透明ガラス化温度よ
り低い温度で少なくとも１回熱処理する方法である。
しい一例は、上記コア部・デプレスト部一括合成スート
を、透明ガラス化焼結の前に、かつ透明ガラス化温度よ
り低い温度で少なくとも１回熱処理する方法である。
【００１１】また、上記多孔質カサ密度制御をより効果
的に行うための好ましい一例は、コア部のガラス組成と
デプレスト部のガラス組成を多孔質カサ密度分布が拡大
するように調整する方法である。
的に行うための好ましい一例は、コア部のガラス組成と
デプレスト部のガラス組成を多孔質カサ密度分布が拡大
するように調整する方法である。
【００１２】透明ガラス化焼結工程においてフッ素等を
添加する際のフッ素等の添加量は、一面において焼結雰
囲気ガス中のフッ素等の濃度に依存している。しかし、
焼結するスートのカサ密度が大きくなるとスートの表面
積が小さくなり、またフッ素ガス等の拡散速度も小さく
なるために添加されるフッ素等の量が急激に小さくな
る。従って、上記のフッ素等の添加量は焼結されるスー
トのカサ密度にも依存している。本発明は、殊にこの点
に着目したものである。
添加する際のフッ素等の添加量は、一面において焼結雰
囲気ガス中のフッ素等の濃度に依存している。しかし、
焼結するスートのカサ密度が大きくなるとスートの表面
積が小さくなり、またフッ素ガス等の拡散速度も小さく
なるために添加されるフッ素等の量が急激に小さくな
る。従って、上記のフッ素等の添加量は焼結されるスー
トのカサ密度にも依存している。本発明は、殊にこの点
に着目したものである。
【００１３】図２はスートカサ密度とフッ素添加・焼結
後の屈折率を表すグラフである。ここにおけるスート材
質はＳｉＯ2 のみからなり、焼結条件は温度を１４５０
℃、雰囲気ガスをＨｅ２０リットル／分＋ＳｉＦ4 １リ
ットル／分と一定にした。図２のグラフから、スートカ
サ密度が０．７ｇ／ｃｍ3 以下の場合にはフッ素添加に
よる屈折率低下量はほぼ一定となることが判る。また、
スートカサ密度が１．１ｇ／ｃｍ3 以上の場合には、フ
ッ素添加による屈折率低下はほとんどないことが判る。
スートカサ密度を０．７〜１．１ｇ／ｃｍ3 に制御する
ことにより、それぞれのスートカサ密度に対応した屈折
率低下量を得ることができる。
後の屈折率を表すグラフである。ここにおけるスート材
質はＳｉＯ2 のみからなり、焼結条件は温度を１４５０
℃、雰囲気ガスをＨｅ２０リットル／分＋ＳｉＦ4 １リ
ットル／分と一定にした。図２のグラフから、スートカ
サ密度が０．７ｇ／ｃｍ3 以下の場合にはフッ素添加に
よる屈折率低下量はほぼ一定となることが判る。また、
スートカサ密度が１．１ｇ／ｃｍ3 以上の場合には、フ
ッ素添加による屈折率低下はほとんどないことが判る。
スートカサ密度を０．７〜１．１ｇ／ｃｍ3 に制御する
ことにより、それぞれのスートカサ密度に対応した屈折
率低下量を得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】上記のように、本発明の方法にお
いて、透明ガラス化焼結に供されるコア部・デプレスト
部スートのカサ密度は、コア部については１．１ｇ／ｃ
ｍ3 以上、デプレスト部については０．７ｇ／ｃｍ3 以
下に制御される。このようなカサ密度分布を持ったスー
トの作製法としては、ＶＡＤ法によるスート作製時に密
度分布を形成する方法と、ＶＡＤ法によるスート作製後
に密度分布を形成する方法とが考えられる。前者の方法
は、ＶＡＤ法においてバーナの火力を大きくすると堆積
するスートのカサ密度が大きくなることを利用する。即
ち、コア部堆積バーナの火力を大きくしてコア部スート
のカサ密度を高め、デプレスト部堆積バーナの火力を小
さくしてデプレスト部スートのカサ密度を低くすること
によって、スート断面内のカサ密度分布を形成する。ま
た後者の方法は、コアとデプレスト部のカサ密度がほと
んど同程度のコア部・デプレスト部スートを透明ガラス
化焼結温度より低い温度、例えば１２００℃程度で熱処
理して、コア部スートのカサ密度及びデプレスト部スー
トのカサ密度をそれぞれ所定の範囲に制御することによ
って行われる。ここに、上記熱処理によるスートカサ密
度調整は、例えばデプレスト部の材質がＳｉＯ2 のみで
構成されるのに対して、コア部の材質はＳｉＯ2 ＋Ｇｅ
Ｏ2 の如くにＳｉＯ2 に屈折率増加のための不純物が添
加されるので、コア部の方の透明ガラス化焼結温度がよ
り低く、従ってより低温でカサ密度上昇が開始するため
に可能となる。
いて、透明ガラス化焼結に供されるコア部・デプレスト
部スートのカサ密度は、コア部については１．１ｇ／ｃ
ｍ3 以上、デプレスト部については０．７ｇ／ｃｍ3 以
下に制御される。このようなカサ密度分布を持ったスー
トの作製法としては、ＶＡＤ法によるスート作製時に密
度分布を形成する方法と、ＶＡＤ法によるスート作製後
に密度分布を形成する方法とが考えられる。前者の方法
は、ＶＡＤ法においてバーナの火力を大きくすると堆積
するスートのカサ密度が大きくなることを利用する。即
ち、コア部堆積バーナの火力を大きくしてコア部スート
のカサ密度を高め、デプレスト部堆積バーナの火力を小
さくしてデプレスト部スートのカサ密度を低くすること
によって、スート断面内のカサ密度分布を形成する。ま
た後者の方法は、コアとデプレスト部のカサ密度がほと
んど同程度のコア部・デプレスト部スートを透明ガラス
化焼結温度より低い温度、例えば１２００℃程度で熱処
理して、コア部スートのカサ密度及びデプレスト部スー
トのカサ密度をそれぞれ所定の範囲に制御することによ
って行われる。ここに、上記熱処理によるスートカサ密
度調整は、例えばデプレスト部の材質がＳｉＯ2 のみで
構成されるのに対して、コア部の材質はＳｉＯ2 ＋Ｇｅ
Ｏ2 の如くにＳｉＯ2 に屈折率増加のための不純物が添
加されるので、コア部の方の透明ガラス化焼結温度がよ
り低く、従ってより低温でカサ密度上昇が開始するため
に可能となる。
【００１５】本発明の方法であって、具体化された方法
の一例は、コア部用のゲルマニウム添加ＳｉＯ2 ガラス
とデプレスト部用の無添加ＳｉＯ2 ガラスをＶＡＤ法を
用いて一括合成し、かつ両者のカサ密度が同程度となる
よう堆積してコア部・デプレスト部２層ガラス多孔質母
材を製造し、上記多孔質母材を脱水処理し、脱水処理後
多孔質母材を透明ガラス化焼結温度以下の温度で熱処理
してコア部のカサ密度が１．１ｇ／ｃｍ3 以上となり、
かつデプレスト部のカサ密度が０．７ｇ／ｃｍ3 以下と
なるようにカサ密度分布を形成し、カサ密度分布を形成
された多孔質母材をＳＦ6 及びＳｉＦ4 のいずれかを含
む雰囲気ガス中で透明ガラス化焼結を行うことを特徴と
する光ファイバ母材の製造方法である。
の一例は、コア部用のゲルマニウム添加ＳｉＯ2 ガラス
とデプレスト部用の無添加ＳｉＯ2 ガラスをＶＡＤ法を
用いて一括合成し、かつ両者のカサ密度が同程度となる
よう堆積してコア部・デプレスト部２層ガラス多孔質母
材を製造し、上記多孔質母材を脱水処理し、脱水処理後
多孔質母材を透明ガラス化焼結温度以下の温度で熱処理
してコア部のカサ密度が１．１ｇ／ｃｍ3 以上となり、
かつデプレスト部のカサ密度が０．７ｇ／ｃｍ3 以下と
なるようにカサ密度分布を形成し、カサ密度分布を形成
された多孔質母材をＳＦ6 及びＳｉＦ4 のいずれかを含
む雰囲気ガス中で透明ガラス化焼結を行うことを特徴と
する光ファイバ母材の製造方法である。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いな
がら説明する。
がら説明する。
【００１７】コア部・デプレスト部スートの作製：ま
ず、ＶＡＤ法によってコア部及びデプレスト部のスート
を一括合成した。この時のスートカサ密度はコア部及び
デプレスト部ともに０．３ｇ／ｃｍ3 であった。図３に
このスートをＨｅ雰囲気中、１４５０℃で電気炉にて透
明ガラス化焼結して得られたプリフォームの屈折率分布
を示す。
ず、ＶＡＤ法によってコア部及びデプレスト部のスート
を一括合成した。この時のスートカサ密度はコア部及び
デプレスト部ともに０．３ｇ／ｃｍ3 であった。図３に
このスートをＨｅ雰囲気中、１４５０℃で電気炉にて透
明ガラス化焼結して得られたプリフォームの屈折率分布
を示す。
【００１８】コア部・デプレスト部スートの脱水処理：
上記のスートを電気炉により脱水処理のため加熱した。
加熱条件は、温度を８００℃、雰囲気ガスをＨｅ２０リ
ットル／分＋Ｃｌ2 ０．３リットル／分とした。脱水処
理後におけるスートのカサ密度は、コア部及びデプレス
ト部ともに変化がなく、両者間に差はなかった。
上記のスートを電気炉により脱水処理のため加熱した。
加熱条件は、温度を８００℃、雰囲気ガスをＨｅ２０リ
ットル／分＋Ｃｌ2 ０．３リットル／分とした。脱水処
理後におけるスートのカサ密度は、コア部及びデプレス
ト部ともに変化がなく、両者間に差はなかった。
【００１９】脱水処理後コア部・デプレスト部スートの
カサ密度調整：上記の脱水処理されたコア部・デプレス
ト部スートをカサ密度を調整するために熱処理を行っ
た。加熱条件は温度を１２００℃、雰囲気ガスをＨｅ２
０リットル／分とした。この熱処理によって、コア部ス
ートのカサ密度は１．１ｇ／ｃｍ3 、デプレスト部スー
トのカサ密度は０．６ｇ／ｃｍ3 に調整された。
カサ密度調整：上記の脱水処理されたコア部・デプレス
ト部スートをカサ密度を調整するために熱処理を行っ
た。加熱条件は温度を１２００℃、雰囲気ガスをＨｅ２
０リットル／分とした。この熱処理によって、コア部ス
ートのカサ密度は１．１ｇ／ｃｍ3 、デプレスト部スー
トのカサ密度は０．６ｇ／ｃｍ3 に調整された。
【００２０】カサ密度調整後コア・デプレストスートの
ガラス化焼結：上記のカサ密度調整されたコア部・デプ
レスト部スートを電気炉により透明ガラス化焼結した。
加熱条件は温度を１４５０℃、雰囲気ガスをＨｅ２０リ
ットル／分＋ＳｉＦ4 １リットル／分とした。この透明
ガラス化焼結によって得られたプリフォームの屈折率を
図４に示す（実施例）。比較のため同じスートをカサ密
度調整を行わずに透明ガラス化焼結して得られたプリフ
ォームの屈折率を図５に示す（比較例）。上記の実施例
及び比較例のプリフォームに同様にクラッド部を形成
後、線引した光ファイバを評価した結果、１．５５μｍ
における損失が、実施例の場合には０．２０１ｄＢ／ｋ
ｍ、比較例の場合には０．２３０ｄＢ／ｋｍであった。
ガラス化焼結：上記のカサ密度調整されたコア部・デプ
レスト部スートを電気炉により透明ガラス化焼結した。
加熱条件は温度を１４５０℃、雰囲気ガスをＨｅ２０リ
ットル／分＋ＳｉＦ4 １リットル／分とした。この透明
ガラス化焼結によって得られたプリフォームの屈折率を
図４に示す（実施例）。比較のため同じスートをカサ密
度調整を行わずに透明ガラス化焼結して得られたプリフ
ォームの屈折率を図５に示す（比較例）。上記の実施例
及び比較例のプリフォームに同様にクラッド部を形成
後、線引した光ファイバを評価した結果、１．５５μｍ
における損失が、実施例の場合には０．２０１ｄＢ／ｋ
ｍ、比較例の場合には０．２３０ｄＢ／ｋｍであった。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、低損失で遮断波長の小
さい波長多重伝送用光ファイバ製造用の光ファイバ母材
を効率よく製造することができる。
さい波長多重伝送用光ファイバ製造用の光ファイバ母材
を効率よく製造することができる。
【図１】モードフィールド径拡大光ファイバの屈折率分
布の例を示すグラフである。
布の例を示すグラフである。
【図２】スートカサ密度と透明ガラス化焼結時のフッ素
添加による屈折率変化量の関係を示すグラフである。
添加による屈折率変化量の関係を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施例におけるフッ素添加前のプリ
フォームの屈折率分布を示すグラフである。
フォームの屈折率分布を示すグラフである。
【図４】本発明の一実施例におけるフッ素添加後のプリ
フォームの屈折率分布を示すグラフである。
フォームの屈折率分布を示すグラフである。
【図５】従来法によるフッ素添加後のプリフォームの屈
折率分布を示すグラフである。
折率分布を示すグラフである。
１ コア部 ２ デプレスト部
Claims (7)
- 【請求項１】 コア部及びデプレスト部を一括合成して
堆積したガラス多孔質母材を熱処理により透明化して光
ファイバ母材を得る光ファイバの製造方法において、上
記熱処理を少なくとも１種類の屈折率低下用ガスを含む
雰囲気ガス中で行い、上記屈折率低下用ガスの上記ガラ
ス多孔質母材への断面内拡散濃度分布を制御するために
多孔質カサ密度の制御を行うことを特徴とする光ファイ
バ母材の製造方法。 - 【請求項２】 上記多孔質カサ密度の制御が、上記熱処
理による透明化の前に、かつ透明化する温度より低い温
度で、上記ガラス多孔質母材を少なくとも１度熱処理す
ることによって行われることを特徴とする請求項１記載
の光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項３】 上記ガラス多孔質母材が、屈折率低下用
ガスが拡散しないコア部と拡散するデプレスト部との２
層構造を形成し、上記拡散しないコア部のカサ密度を
１．１ｇ／ｃｍ3 以上とし、上記拡散するデプレスト部
のカサ密度を０．７ｇ／ｃｍ3 以下とすることを特徴と
する請求項１記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項４】 上記屈折率低下用ガスがハロゲン含有ガ
スであることを特徴とする請求項１記載の光ファイバ母
材の製造方法。 - 【請求項５】 上記ハロゲン含有ガスがＳＦ6 ，ＳｉＦ
4 のいずれかであることを特徴とする請求項４記載の光
ファイバ母材の製造方法。 - 【請求項６】 上記多孔質カサ密度の制御における断面
内の多孔質カサ密度分布の拡大が、断面内のガラス組成
を調整して透明ガラス化温度分布を形成することによっ
て行われることを特徴とする請求項１記載の光ファイバ
母材の製造方法。 - 【請求項７】 コア部用のゲルマニウム添加ＳｉＯ2 ガ
ラスとデプレスト部用の無添加ＳｉＯ2 ガラスを、ＶＡ
Ｄ法を用いて一括合成し、かつ両者のカサ密度が同程度
となるよう堆積してコア部・デプレスト部２層のガラス
多孔質母材を製造し、次いで上記多孔質母材を脱水処理
し、脱水処理後多孔質母材を透明ガラス化焼結温度以下
の温度で熱処理してコア部のカサ密度が１．１ｇ／ｃｍ
3 以上となり、かつデプレスト部のカサ密度が０．７ｇ
／ｃｍ3 以下となるようにカサ密度分布を形成し、カサ
密度分布を形成されたガラス多孔質母材をＳＦ6 ，Ｓｉ
Ｆ4 のいずれかを含む雰囲気ガス中で透明ガラス化焼結
を行うことを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33145598A JP2000159531A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33145598A JP2000159531A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 光ファイバ母材の製造方法 |
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|---|---|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1281682A2 (en) * | 2001-07-30 | 2003-02-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Process for producing optical fiber preform by vapour axial deposition |
| WO2010052163A1 (de) * | 2008-11-06 | 2010-05-14 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren und zylinderförmiges halbzeug zur herstellung eines optischen bauteils |
| CN104402213A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-03-11 | 浙江富通光纤技术有限公司 | 一种纯二氧化硅松散体玻璃化掺氟方法 |
| US9458429B2 (en) | 2010-06-01 | 2016-10-04 | Pias Corporation | Mesenchymal stem cell attractant and method for attracting mesenchymal stem cell |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP33145598A patent/JP2000159531A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1281682A2 (en) * | 2001-07-30 | 2003-02-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Process for producing optical fiber preform by vapour axial deposition |
| EP1281682A3 (en) * | 2001-07-30 | 2003-12-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Process for producing optical fiber preform by vapour axial deposition |
| WO2010052163A1 (de) * | 2008-11-06 | 2010-05-14 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren und zylinderförmiges halbzeug zur herstellung eines optischen bauteils |
| US9458429B2 (en) | 2010-06-01 | 2016-10-04 | Pias Corporation | Mesenchymal stem cell attractant and method for attracting mesenchymal stem cell |
| CN104402213A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-03-11 | 浙江富通光纤技术有限公司 | 一种纯二氧化硅松散体玻璃化掺氟方法 |
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