KR930014829A - 에칭방법 - Google Patents

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요시오 이시카와
히로시 고지마
마사히토 히라쓰카
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이노우에 아키라
도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤
이노우에 쥰이치
도오교오 에레구토론 야마나시 가부시끼가이샤
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Abstract

주파수전계와 그의 전계에 직교하는 전계에 의하여 마그네트론 방전을 발생시키어 에칭가스의 플라즈마를 발생시키고 폴리 실리콘층에 대표되는 실리콘 함유층을 가지는(피처리체를 플라즈마 중에 노출하여 실리콘 함유층을 에칭할때에 에칭가스와 HBr 가스, HBr가스와 Cl2가스와 혼합 가스, 또는 HBr 가스와 Cl2가스의 혼합가스를 주체로 하는 것, 또는 여기에 O2와 같은 산소를 포함하는 가스를 첨가하는 것을 사용한다.

Description

에칭방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명을 실시하기 위한 장치의 1예을 나타낸 단면도.
제2도는 제1도의 장치에 에칭가스를 공급하는 공급게를 나타낸 도면.
제3도는 내지 제5도는 웨이퍼의 에칭상태를 설명하기 위한 단면도.
제6도는 에칭가스로서 HBr가스와 Cl2가스와 혼합 가스를 사용한 경우에 있어서의 유량과 폴리실리콘의 선택비와의 관계를 나타낸 그래프.
제7도는 에칭가스로서 HBr가스와 O2가스와의 혼합 가스를 사용한 경우에 있어서의 O2가스의 첨가량을 변화시킨 경우의 폴리실리콘의 에칭비, SiO2의 에칭비, 폴리실리콘의 SiO2에 대한 선택비, 및 폴리실리콘의 면내균일성을 나타낸 그래피이다.

Claims (8)

  1. 실리콘 함유층을 가지는 피처리물체에 있어서의 실리콘 함유층의 에칭방법에 있어 고주파 전계와 그 전계에 직교하는 전계에 의하여 마그네트론 방전을 발생시켜 에칭가스에 플라즈마를 생성하는 공정과 상기의 피처리체를 상기 플라즈마중에 노출하여 상기 실리콘 함유칭을 에칭하는 공정을 가지며 상기 에칭가스는 HBr가스, HBr가스와 Cl2가스의 혼합 가스를 주체로하는 에칭방법.
  2. 제1항에 있어서 에칭가스로서 HBr가스와 Cl2가스의 혼합 가스를 사용하는 경우에, HBr가스와 Cl2가스에 대한 유량비는 20/80이상인 에칭방법.
  3. 제2항에 있어서 HBr가스의 Cl2가스에 대한 유량비는 40/60이상인 에칭방법.
  4. 제1항에 있어서 실리콘 함유층은 폴리실리콘층인 에칭방법.
  5. 실리콘 함유층을 가지는 피처리물체에 있어서의 실리콘 함유층의 에칭방법에 있어 고주파 전계와 이 전계에 직교하는 전계에 의하여 마그네트론 방전을 발생시켜 에칭가스의 플라즈마를 생성하는 공정과 상기의 피처리체를 상기 플라즈마중에 노출하여 상기 실리콘 함유칭을 에칭하는 공정을 가지며 상기 에칭가스는 HBr가스, HBr가스와 Cl2가스의 혼합 가스 또는 HBr가스와 Cl2가스의 혼합 가스를 주체로하고 이들에 산소를 포함하는 혼합가스를 함유한 에칭방법.
  6. 제5항에 있어서 상기 산소를 함유하는 가스는 O2가스인 에칭방법.
  7. 제6항에 있어서 O2가스의 첨가량은 0.5~2%인 에칭방법.
  8. 제5항에 있어서 실리콘 함유층은 폴리실리콘층인 에칭방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920024811A 1991-12-19 1992-12-19 에칭방법 KR0179384B1 (ko)

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