JP2663824B2 - ＳｉＣのパターンエッチング方法 - Google Patents
ＳｉＣのパターンエッチング方法Info
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- JP2663824B2 JP2663824B2 JP2674793A JP2674793A JP2663824B2 JP 2663824 B2 JP2663824 B2 JP 2663824B2 JP 2674793 A JP2674793 A JP 2674793A JP 2674793 A JP2674793 A JP 2674793A JP 2663824 B2 JP2663824 B2 JP 2663824B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば青色半導体レー
ザ用材料や耐環境性半導体材料としてのＳｉＣやＳｉＣ
回折格子等を作成する際に用いることのできるＳｉＣ
（シリコンカーバイド）の高効率なエッチング方法に関
する。
ザ用材料や耐環境性半導体材料としてのＳｉＣやＳｉＣ
回折格子等を作成する際に用いることのできるＳｉＣ
（シリコンカーバイド）の高効率なエッチング方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】シンクロトロン放射光（ＳＲ光）や短波
長・高出力レーザ用の回折格子としては、これらの高エ
ネルギー放射による温度上昇に対して比較的高温まで安
定であり、かつ、熱伝導率が高いために冷却効率の良い
ＳｉＣ回折格子が理想的とされている。しかし、イオン
ビーム法等のドライエッチングによりＳｉＣ基板に直
接、回折格子パターンを刻線しようとしても、ＳｉＣ基
板よりもレジストの方がより速くエッチングされてしま
うため、ＳｉＣ基板に直接回折格子パターンを形成する
ことは困難であった。そこで、従来、次のような方法が
考案されていた。
長・高出力レーザ用の回折格子としては、これらの高エ
ネルギー放射による温度上昇に対して比較的高温まで安
定であり、かつ、熱伝導率が高いために冷却効率の良い
ＳｉＣ回折格子が理想的とされている。しかし、イオン
ビーム法等のドライエッチングによりＳｉＣ基板に直
接、回折格子パターンを刻線しようとしても、ＳｉＣ基
板よりもレジストの方がより速くエッチングされてしま
うため、ＳｉＣ基板に直接回折格子パターンを形成する
ことは困難であった。そこで、従来、次のような方法が
考案されていた。
【０００３】一つは図５に示すように、ＳｉＣ５ｌ上に
一旦フォトマスク５４によりレジストパターン５５（５
３は原レジスト層）を形成した後、リフトオフによりＡ
ｌ逆パターン５６を形成するものである。
一旦フォトマスク５４によりレジストパターン５５（５
３は原レジスト層）を形成した後、リフトオフによりＡ
ｌ逆パターン５６を形成するものである。
【０００４】このＡｌパターン５６をマスクとしてＣＦ
4 とＣＦ4 ＋Ｏ2 イオンビーム５７による反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）を行なうことにより、ＳｉＣ上に
所望のパターン５８を得る（ J. W. Palmour et al.,"
Dry Etching of β-SiC inCF4 and CF4+02 mixtures",
J. Vac. Sci.Technol. A4(3), May/Jun 1986, p.590-5
93 ）。
4 とＣＦ4 ＋Ｏ2 イオンビーム５７による反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）を行なうことにより、ＳｉＣ上に
所望のパターン５８を得る（ J. W. Palmour et al.,"
Dry Etching of β-SiC inCF4 and CF4+02 mixtures",
J. Vac. Sci.Technol. A4(3), May/Jun 1986, p.590-5
93 ）。
【０００５】別の方法では、図６に示すように、ＳｉＣ
基板６２上にＰＭＭＡ６３を塗布し、回折格子パターン
を形成するように電子ビーム６５を照射することにより
（電子ビームリソグラフィ）、ＰＭＭＡの回折格子パタ
ーン６４を作成する。このレジストパターン６４から同
様にリフトオフによりＣｒの逆パターン６６を形成し、
ＣＦ4 ＋Ｏ2 の反応性イオンビーム６７による反応性イ
オンビームエッチング（ＲＩＢＥ）を行なってＳｉＣ６
２上に回折格子パターンを得る（ Shinji Matsui et a
l.,"Reactive Ion-Beam Etching of Silicon Carbid
e",Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 20,No.
1, January, 1981, pp.L38-L40）。
基板６２上にＰＭＭＡ６３を塗布し、回折格子パターン
を形成するように電子ビーム６５を照射することにより
（電子ビームリソグラフィ）、ＰＭＭＡの回折格子パタ
ーン６４を作成する。このレジストパターン６４から同
様にリフトオフによりＣｒの逆パターン６６を形成し、
ＣＦ4 ＋Ｏ2 の反応性イオンビーム６７による反応性イ
オンビームエッチング（ＲＩＢＥ）を行なってＳｉＣ６
２上に回折格子パターンを得る（ Shinji Matsui et a
l.,"Reactive Ion-Beam Etching of Silicon Carbid
e",Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 20,No.
1, January, 1981, pp.L38-L40）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５の方法では、Ｓｉ
ＣのエッチングをＲＩＥで行なっているため、エッチン
グ中にＳｉＣ５１がプラズマにさらされており、エッチ
ング表面が非常に荒れる。このため、回折格子しとて使
用した場合、高精度の分光を行なうことができないとい
う問題がある。
ＣのエッチングをＲＩＥで行なっているため、エッチン
グ中にＳｉＣ５１がプラズマにさらされており、エッチ
ング表面が非常に荒れる。このため、回折格子しとて使
用した場合、高精度の分光を行なうことができないとい
う問題がある。
【０００７】また、図６の方法では、レジストパターン
６４の形成を電子ビームリソグラフィーで行なっている
ため、パターンの描画に時間がかかるという欠点があ
る。特に、ＳＲ（放射光）用の回折格子は大面積のもの
が必要であるため、電子ビームリソグラフィーの使用は
生産能率の点から採用することが難しい。また、図５、
図６の両方法とも、マスクに対するＳｉＣ基板のエッチ
ング選択比（［ＳｉＣ基板のエッチング速度］／［マス
クのエッチング速度］）を上げるために、フォトレジス
ト５５、６４からリフトオフによりＡｌ或いはＣｒのマ
スク５６、６６を作成しており、このためのリフトオフ
工程が余分に必要であるという欠点を有する。
６４の形成を電子ビームリソグラフィーで行なっている
ため、パターンの描画に時間がかかるという欠点があ
る。特に、ＳＲ（放射光）用の回折格子は大面積のもの
が必要であるため、電子ビームリソグラフィーの使用は
生産能率の点から採用することが難しい。また、図５、
図６の両方法とも、マスクに対するＳｉＣ基板のエッチ
ング選択比（［ＳｉＣ基板のエッチング速度］／［マス
クのエッチング速度］）を上げるために、フォトレジス
ト５５、６４からリフトオフによりＡｌ或いはＣｒのマ
スク５６、６６を作成しており、このためのリフトオフ
工程が余分に必要であるという欠点を有する。
【０００８】本発明はこのような課題を解決するために
成されたものであり、その目的とするところは、単純な
工程で迅速にＳｉＣ基板を所望のパターンにエッチング
することができるＳｉＣのパターンエッチング方法を提
供することにある。
成されたものであり、その目的とするところは、単純な
工程で迅速にＳｉＣ基板を所望のパターンにエッチング
することができるＳｉＣのパターンエッチング方法を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明に係るＳｉＣのパターンエッチング方
法は、ＳｉＣの基板上にレジスト材料によりパターンマ
スクを形成し、（ＣＢｒＦ3 ＋Ａｒ）に対するＡｒの分
圧比を５０〜９５％としたＣＢｒＦ3 とＡｒとの混合ガ
スから生成される反応性イオンビーム等の異方性プラズ
マエッチングを該基板の垂直上方から照射することによ
りＳｉＣ基板のエッチングを行なうというものである。
に成された本発明に係るＳｉＣのパターンエッチング方
法は、ＳｉＣの基板上にレジスト材料によりパターンマ
スクを形成し、（ＣＢｒＦ3 ＋Ａｒ）に対するＡｒの分
圧比を５０〜９５％としたＣＢｒＦ3 とＡｒとの混合ガ
スから生成される反応性イオンビーム等の異方性プラズ
マエッチングを該基板の垂直上方から照射することによ
りＳｉＣ基板のエッチングを行なうというものである。
【００１０】
【作用】図１に、各種組成比を有する（ＣＢｒＦ3 ＋Ａ
ｒ）混合ガスを用いて反応性イオンビームエッチングを
行なった場合の、混合ガス中のＡｒ含有量と、イオン電
流密度で規格化したフォトレジスト（ここでは、東京応
化社製ＯＦＰＲ５０００を用いた）及びＳｉＣのエッチ
ング速度との関係を示す。図１に示される通り、ＣＢｒ
Ｆ3 のみの場合（［Ａｒ／（ＣＢｒＦ3 ＋Ａｒ）］＝０
％）、或いはＡｒのみの場合（［Ａｒ／（ＣＢｒＦ3 ＋
Ａｒ）］＝１００％）には、レジストのエッチング速度
はＳｉＣの倍以上となっている。すなわち、このような
条件の下では、エッチングの目的物であるＳｉＣはほと
んどエッチングされない一方、レジストの方がその倍以
上の速度でエッチングされてゆくという状態となる。こ
のため従来は、上記の通り、リフトオフによりＡｌ又は
Ｃｒのマスクを形成するという余分な工程を入れてい
た。このような現象は、ＳｉＣに対して反応性イオンビ
ームエッチングを行なう場合には、他のフォトレジスト
材料を用いても同様に生じる。
ｒ）混合ガスを用いて反応性イオンビームエッチングを
行なった場合の、混合ガス中のＡｒ含有量と、イオン電
流密度で規格化したフォトレジスト（ここでは、東京応
化社製ＯＦＰＲ５０００を用いた）及びＳｉＣのエッチ
ング速度との関係を示す。図１に示される通り、ＣＢｒ
Ｆ3 のみの場合（［Ａｒ／（ＣＢｒＦ3 ＋Ａｒ）］＝０
％）、或いはＡｒのみの場合（［Ａｒ／（ＣＢｒＦ3 ＋
Ａｒ）］＝１００％）には、レジストのエッチング速度
はＳｉＣの倍以上となっている。すなわち、このような
条件の下では、エッチングの目的物であるＳｉＣはほと
んどエッチングされない一方、レジストの方がその倍以
上の速度でエッチングされてゆくという状態となる。こ
のため従来は、上記の通り、リフトオフによりＡｌ又は
Ｃｒのマスクを形成するという余分な工程を入れてい
た。このような現象は、ＳｉＣに対して反応性イオンビ
ームエッチングを行なう場合には、他のフォトレジスト
材料を用いても同様に生じる。
【００１１】それに対し、［Ａｒ／（ＣＢｒＦ3 ＋Ａ
ｒ）］が５０〜９５％の範囲にあるときには、ＳｉＣの
エッチング速度が特異的に大きくなり、レジストのエッ
チング速度とほぼ同等程度になる。従って、選択比
（［ＳｉＣのエッチング速度］／［レジストのエッチン
グ速度］）も図２に示すように、それ以外の範囲では
０．５以下であるのに対し、この範囲ではほぼ１に近い
値となる。そこで、このような条件の下で反応性イオン
ビームエッチングを行なうことにより、リフトオフとい
う余分な工程を必要とすることなく、フォトレジストの
みでＳｉＣ基板のパターンエッチングを高速に行なうこ
とができる。
ｒ）］が５０〜９５％の範囲にあるときには、ＳｉＣの
エッチング速度が特異的に大きくなり、レジストのエッ
チング速度とほぼ同等程度になる。従って、選択比
（［ＳｉＣのエッチング速度］／［レジストのエッチン
グ速度］）も図２に示すように、それ以外の範囲では
０．５以下であるのに対し、この範囲ではほぼ１に近い
値となる。そこで、このような条件の下で反応性イオン
ビームエッチングを行なうことにより、リフトオフとい
う余分な工程を必要とすることなく、フォトレジストの
みでＳｉＣ基板のパターンエッチングを高速に行なうこ
とができる。
【００１２】
【実施例】本発明の第１実施例として、ラミナー型Ｓｉ
Ｃ回折格子を製造する方法を図３により説明する。ま
ず、焼結体のＳｉＣ基板３１を用意し（ａ）、その表面
に、ＣＶＤによりβ−ＳｉＣ単結晶層３２をデポジット
する。この表面を光学研磨し、表面に（２，２，０）配
向面を現わす（ｂ）。更にこの表面に、スピンコーティ
ングにより３００ｎｍの厚さのフォトレジスト（ここで
は東京応化社製ＯＦＰＲ５０００を使用）層３３を形成
する（ｃ）。コーティング後、基板を９０℃のフレッシ
ュエアオーブンに入れ、３０分のベーキングを行なう。
なお、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３２はβ−ＳｉＣではなくα−
ＳｉＣとしてもよく、配向面も（２，２，０）には限定
されず、（１，１，１）或いは混合配向膜としてもよ
い。更には、非晶質ＳｉＣを用いてもよい。また、フォ
トレジストの材料は上記ＯＦＰＲ５０００に限定され
ず、その他のフォトレジストを用いても構わない。
Ｃ回折格子を製造する方法を図３により説明する。ま
ず、焼結体のＳｉＣ基板３１を用意し（ａ）、その表面
に、ＣＶＤによりβ−ＳｉＣ単結晶層３２をデポジット
する。この表面を光学研磨し、表面に（２，２，０）配
向面を現わす（ｂ）。更にこの表面に、スピンコーティ
ングにより３００ｎｍの厚さのフォトレジスト（ここで
は東京応化社製ＯＦＰＲ５０００を使用）層３３を形成
する（ｃ）。コーティング後、基板を９０℃のフレッシ
ュエアオーブンに入れ、３０分のベーキングを行なう。
なお、ＣＶＤ−ＳｉＣ層３２はβ−ＳｉＣではなくα−
ＳｉＣとしてもよく、配向面も（２，２，０）には限定
されず、（１，１，１）或いは混合配向膜としてもよ
い。更には、非晶質ＳｉＣを用いてもよい。また、フォ
トレジストの材料は上記ＯＦＰＲ５０００に限定され
ず、その他のフォトレジストを用いても構わない。
【００１３】次に、ラミナー型回折格子のパターンを形
成するために、ホログラフィック露光を行なう。すなわ
ち、平面波３４を２方向から照射し、レジスト３３上で
干渉縞を形成することにより、レジスト層３３内に断面
の露光密度が正弦波状である平行線状の潜像を形成する
（ｄ）。ここでは、露光光として、Ｈｅ−Ｃｄレーザ光
（波長λ＝４４１．６ｎｍ）を使用し、１２００本／ｍ
ｍの平行線パターンを作成する。露光後、専用の現像液
で処理することにより、基板３２上には平行線状、断面
正弦半波状のレジストマスク３５が残される（ｅ）。こ
こで、露光時間及び現象時間を適当に調整することによ
り、基板３２上においてレジスト３５で覆われた部分と
覆われていない部分（すなわち、ＳｉＣ基板３２が露出
している部分）との比（Ｌ＆Ｓ比）を任意に設定するこ
とができる。ここでは、Ｌ＆Ｓ比を１：１とする。本実
施例の方法では、ホログラフィック露光により回折格子
パターンを作成するため、回折格子の最も重要な特性で
ある周期誤差が発生しにくく（図６の方法で行われる電
子ビームリソグラフィーではこれが生じやすい）、高精
度の回折格子を製造することができる。
成するために、ホログラフィック露光を行なう。すなわ
ち、平面波３４を２方向から照射し、レジスト３３上で
干渉縞を形成することにより、レジスト層３３内に断面
の露光密度が正弦波状である平行線状の潜像を形成する
（ｄ）。ここでは、露光光として、Ｈｅ−Ｃｄレーザ光
（波長λ＝４４１．６ｎｍ）を使用し、１２００本／ｍ
ｍの平行線パターンを作成する。露光後、専用の現像液
で処理することにより、基板３２上には平行線状、断面
正弦半波状のレジストマスク３５が残される（ｅ）。こ
こで、露光時間及び現象時間を適当に調整することによ
り、基板３２上においてレジスト３５で覆われた部分と
覆われていない部分（すなわち、ＳｉＣ基板３２が露出
している部分）との比（Ｌ＆Ｓ比）を任意に設定するこ
とができる。ここでは、Ｌ＆Ｓ比を１：１とする。本実
施例の方法では、ホログラフィック露光により回折格子
パターンを作成するため、回折格子の最も重要な特性で
ある周期誤差が発生しにくく（図６の方法で行われる電
子ビームリソグラフィーではこれが生じやすい）、高精
度の回折格子を製造することができる。
【００１４】なお、ホログラフィック露光法による露光
波面は、凹面回折格子では２光束球面波、収差補正形回
折格子を製造する際等には、２光束のうち少なくとも一
方を非球面波とする。また、露光光はＨｅ−Ｃｄレーザ
に限定されず、レジストの感度があり、コヒーレンシイ
ーを有するホログラフィック露光が可能な光源であれば
よい。
波面は、凹面回折格子では２光束球面波、収差補正形回
折格子を製造する際等には、２光束のうち少なくとも一
方を非球面波とする。また、露光光はＨｅ−Ｃｄレーザ
に限定されず、レジストの感度があり、コヒーレンシイ
ーを有するホログラフィック露光が可能な光源であれば
よい。
【００１５】このようにして作成した回折格子パターン
のレジスト３５をマスクとして、基板３２に垂直な方向
からＣＢｒＦ3 とＡｒとの混合ガスを用いた反応性イオ
ンビーム３６を照射し、ドライエッチングを行なう
（ｆ）。この混合ガスの組成は、［Ａｒ／（ＣＢｒＦ3
＋Ａｒ）］＝７５％とする。このイオンビームエッチン
グは、エッチング溝が所定の深さ（１０ｎｍ）となるま
で（予め、エッチング時間と溝深さとの関係を実験によ
り求めておく）行なう。最後に、表面に残存するフォト
レジスト３５をＯ2 プラズマで灰化除去し（レジスト剥
離液又は溶剤を用いてもよい）、目的とするラミナー型
回折格子３７を得る。
のレジスト３５をマスクとして、基板３２に垂直な方向
からＣＢｒＦ3 とＡｒとの混合ガスを用いた反応性イオ
ンビーム３６を照射し、ドライエッチングを行なう
（ｆ）。この混合ガスの組成は、［Ａｒ／（ＣＢｒＦ3
＋Ａｒ）］＝７５％とする。このイオンビームエッチン
グは、エッチング溝が所定の深さ（１０ｎｍ）となるま
で（予め、エッチング時間と溝深さとの関係を実験によ
り求めておく）行なう。最後に、表面に残存するフォト
レジスト３５をＯ2 プラズマで灰化除去し（レジスト剥
離液又は溶剤を用いてもよい）、目的とするラミナー型
回折格子３７を得る。
【００１６】こうして作成したラミナー型回折格子３７
は、ＳｉＣの反射率が十分高い波長領域ではそのままの
表面で用いることができる。また、ＳｉＣの反射率が低
い波長領域では、金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）等のコーテ
ィングを施すか、或いはＸ線多層膜をコーティングする
ことにより反射率を上げて使用する。
は、ＳｉＣの反射率が十分高い波長領域ではそのままの
表面で用いることができる。また、ＳｉＣの反射率が低
い波長領域では、金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）等のコーテ
ィングを施すか、或いはＸ線多層膜をコーティングする
ことにより反射率を上げて使用する。
【００１７】本発明に係る方法は、ラミナー型回折格子
を作成する場合に限らず、任意のパターンを作成するた
めに用いることができる。例えば、図４に示すように、
上記実施例の工程（ｃ）で作成したレジスト膜付のＳｉ
Ｃ基板３２（図４（ａ））に、任意のパターンのフォト
マスク４１によりパターン露光を行ない、所期のパター
ンのレジスト４４を形成する（ｃ）。そして、同様に、
（ＣＢｒＦ3 ＋Ａｒ）反応性イオンビーム４５（［Ａｒ
／（ＣＢｒＦ3 ＋Ａｒ）］＝５０〜９５％）でエッチン
グを行なうことにより、従来は困難であったＳｉＣ基板
３２上に、簡単かつ高能率にパターン４６を作成するこ
とができる。
を作成する場合に限らず、任意のパターンを作成するた
めに用いることができる。例えば、図４に示すように、
上記実施例の工程（ｃ）で作成したレジスト膜付のＳｉ
Ｃ基板３２（図４（ａ））に、任意のパターンのフォト
マスク４１によりパターン露光を行ない、所期のパター
ンのレジスト４４を形成する（ｃ）。そして、同様に、
（ＣＢｒＦ3 ＋Ａｒ）反応性イオンビーム４５（［Ａｒ
／（ＣＢｒＦ3 ＋Ａｒ）］＝５０〜９５％）でエッチン
グを行なうことにより、従来は困難であったＳｉＣ基板
３２上に、簡単かつ高能率にパターン４６を作成するこ
とができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明に係るＳｉＣのパターンエッチン
グ方法では、ＳｉＣのエッチング速度がレジストのエッ
チング速度と同等程度になるため、リフトオフという余
分な工程を含めることなく、レジストマスクによる直接
のＳｉＣ基板のパターンエッチングが可能となる。ま
た、ＳｉＣ基板がプラズマにさらされることがないた
め、スムーズな表面が得られる。このため、簡単かつ短
時間の工程によりＳｉＣ上に所望のパターンのエッチン
グを行なうことができ、例えば、耐熱性に優れ、かつ、
冷却効率の良いＳｉＣのみで形成されるラミナー型回折
格子を製作することができる。また、混合ガス中に含ま
れるＡｒは、エッチングの際にチャンバ内からスパッタ
される不純物を除去し、装置内をクリーニングする作用
も持っている。このため、エッチング装置のメンテナン
ス間隔が長くなり、メンテナンスも容易となる。
グ方法では、ＳｉＣのエッチング速度がレジストのエッ
チング速度と同等程度になるため、リフトオフという余
分な工程を含めることなく、レジストマスクによる直接
のＳｉＣ基板のパターンエッチングが可能となる。ま
た、ＳｉＣ基板がプラズマにさらされることがないた
め、スムーズな表面が得られる。このため、簡単かつ短
時間の工程によりＳｉＣ上に所望のパターンのエッチン
グを行なうことができ、例えば、耐熱性に優れ、かつ、
冷却効率の良いＳｉＣのみで形成されるラミナー型回折
格子を製作することができる。また、混合ガス中に含ま
れるＡｒは、エッチングの際にチャンバ内からスパッタ
される不純物を除去し、装置内をクリーニングする作用
も持っている。このため、エッチング装置のメンテナン
ス間隔が長くなり、メンテナンスも容易となる。
【図１】（ＣＢｒＦ3 ＋Ａｒ）混合ガスを用いた反応性
イオンエッチングにおける、混合ガス中のＡｒ含有量
と、イオン電流密度で規格化したフォトレジスト及びＳ
ｉＣのエッチング速度との関係のグラフ。
イオンエッチングにおける、混合ガス中のＡｒ含有量
と、イオン電流密度で規格化したフォトレジスト及びＳ
ｉＣのエッチング速度との関係のグラフ。
【図２】図１のデータを、選択比を縦軸にプロットし直
したグラフ。
したグラフ。
【図３】本発明の第１実施例である、ラミナー型ＳｉＣ
回折格子を作成する工程の説明図。
回折格子を作成する工程の説明図。
【図４】本発明の第２実施例である、ＳｉＣ基板上に任
意のパターンを作成する工程の説明図。
意のパターンを作成する工程の説明図。
【図５】従来の方法でＳｉＣ基板上にパターンエッチン
グを行なう工程の説明図。
グを行なう工程の説明図。
【図６】別の従来の方法でＳｉＣ基板上にパターンエッ
チングを行なう工程の説明図。
チングを行なう工程の説明図。
３１…ＳｉＣ基板 ３２…β−ＳｉＣ
単結晶層 ３３、３５…フォトレジスト ３４…ホログラフ
ィック露光用平面波 ３６…（ＣＢｒＦ3 ＋Ａｒ）反応性イオンビーム ３７…ラミナー型回折格子 ４１…フォトマス
ク ４４…フォトレジストパターン ４６…ＳｉＣ基板
上のパターン
単結晶層 ３３、３５…フォトレジスト ３４…ホログラフ
ィック露光用平面波 ３６…（ＣＢｒＦ3 ＋Ａｒ）反応性イオンビーム ３７…ラミナー型回折格子 ４１…フォトマス
ク ４４…フォトレジストパターン ４６…ＳｉＣ基板
上のパターン
Claims (1)
- 【請求項１】 ＳｉＣ基板上にレジスト材料によりパタ
ーンマスクを形成し、（ＣＢｒＦ3 ＋Ａｒ）に対するＡ
ｒの分圧比を５０〜９５％としたＣＢｒＦ3とＡｒとの
混合ガスから生成される反応性イオンビーム等の異方性
プラズマエッチングを該基板の垂直上方から照射するこ
とによりＳｉＣ基板のエッチングを行なうことを特徴と
するＳｉＣのパターンエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2674793A JP2663824B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | ＳｉＣのパターンエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2674793A JP2663824B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | ＳｉＣのパターンエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244149A JPH06244149A (ja) | 1994-09-02 |
| JP2663824B2 true JP2663824B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=12201894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2674793A Expired - Fee Related JP2663824B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | ＳｉＣのパターンエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2663824B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6491784B1 (ja) * | 2018-08-03 | 2019-03-27 | 株式会社日立パワーソリューションズ | 単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、および半導体レーザ |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP2674793A patent/JP2663824B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06244149A (ja) | 1994-09-02 |
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