KR970017207A - 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막 자기 헤드의 하부 자성층을 패터닝시키기 위한 방법에 관한 것으로 하부 기판상에 제1절연층, 하부 자성층 및 제2절연층을 순차적으로 형성시키는 단계와, 상기 제2절연층의 표면상에 감광층을 형성시키고 상기 감광층을 제1패턴으로 형성시키는 단계와, 상기 제1패턴의 감광층을 마스크로하여 습식 식각 공정에 의해서 상기 제2절연층을 1차적으로 식각시키는 단계와, 상기 감광층을 다른 형상의 제2패턴으로 형성시키는 단계와, 상기 제2패턴의 감광층을 마스크로하여 상기 제2절연층을 2차적으로 식각시키는 단계와, 상기 제2절연층상에 제2패턴의 형상으로 잔존하는 감광층을 제거하는 단계와, 건식 식각 공정에 의하여 소정 형상으로 패터닝된 상기 제2절연층을 마스크로하여 상기 하부 자성층을 패터닝시키는 단계와, 그리고 상기 하부 자성층상에 소정 형상으로 패터닝된 갭층을 형성시키는 단계로 이루어지며 상기 습식 식각 공정은 불소화 암모늄을 완충용액으로 사용하는 에칭 용액에 에칭 작용에 의하여 수행되며 이에 의해서 상기 하부 자성층상에 적층되는 갭층의 적층 두께를 일정하게 유지시킬 수 있고 또한 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있으며 그 결과 박막 자기 헤드의 성능을 향상시킨다.

Description

박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 (가) 내지 (마)는 본 발명에 따라서 박막 자기 헤드의 하부 자성층을 패터닝시키는 방법을 순차적으로 도시한 공정도.

Claims (8)

  1. 박막 자기 헤드의 하부 자성층을 패터닝시키기 위한 방법에 있어서, 하부 기판(31)상에 제1절연층(32), 하부 자성층(33) 및 제2절연층(34)을 순차적으로 형성시키는 단계와, 상기 제2절연층(34)의 표면상에 감광층(35)을 형성시키고 상기 감광층(35)을 제1패턴으로 형성시키는 단계와, 상기 제1패턴의 감광층(35)을 마스크로하여 습식 식각 공정에 의해서 상기 제2절연층(34)을 1차적으로 식각시키는 단계와, 상기 감광층(35)을 다른 형상의 제2패턴으로 형성시키는 단계와, 상기 제2패턴의 감광층(35)을 마스크로하여 상기 제2절연층(34)을 2차적으로 식각시키는 단계와, 상기 제2절연층(34)상에 제2패턴의 형상으로 잔존하는 감광층(35)을 제거하는 단계와, 건식 식각 공정에 의하여 소정 형상으로 패터닝된 상기 제2절연층(34)을 마스크로하여 상기 하부 자성층(33)을 패터닝시키는 단계와, 그리고 상기 하부 자성층(33)상에 소정 형상으로 패터닝된 갭층(36)을 형성시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 1차 식각 공정에 의하여 제거되는 상기 제2절연층(34)의 식각 두께는 (상기 하부 자성층(33)에 대한 상기 제2절연층(34)의 식각 선택비)x(박막 자기 헤드의 자기 코어를 구성하는 하부 자성층(33)의 두께(x))의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2절연층(34)은 실리콘 산화물로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2절연층(34)은 불소화 암모늄을 완충 용액으로 첨가시킨 불화 수소 함유 에칭 용액의 식각 작용에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 불화 수소 함유 에칭 용액은 상기 불소화 암모늄에 대한 상기 불화 수소의 완충비를 20:1 내지 30:1의 범위로 한정시키는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2절연층(34)의 적층 두께는 상기 하부 자성층(33)의 적층 두께보다 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 하부 자성층(33)의 경사면의 경사가(θ')은 상기 제2절연층(34)의 경사면의 경사각(θ₂)보다 완만한 각도로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제2절연층(34)을 이은 빔 밀링 공정에 의하여 제거시키는 것을 특징으로 하는 박막자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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