KR970008479A - 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법이 개시된다.
본 발명은 질화막 패턴을 마스포로한 1차 산화공정을 소자에서 허용가능한 버즈 비크의 크기가 될때까지 실시한 후, 질화막 패턴을 식각마스코로한 건식식각공정으로 1차 산화공정으로 형성된 제1산화막을 식각하여 홈을 형성하고, 홈 측벽에 HTO막 스페이서를 형성한 후, 다시 질화막 패턴을 마스크로한 2차 산화공정을 실시하고, 2차 산화공정으로 형성된 제2산화막을 포함한 실리콘 기판상에 SOG막을 형성한 후, 식각 공정을 통해 실리콘 기판의 표면과 평탄화를 이룬 소자 분리막을 형성한다.
따라서, 본 발명은 버즈 비크의 길이를 효과적으로 제어하는 동시에 체적비를 증가시킬 수 있으며, 체적비의 증가에 따라 평탄화도 개선할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 1G도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법에 있어서, 실리콘 기판상에 형성된 필드 영역이 개방된 질화막 패턴을 마스크로한 1차산화공정을 실시하여 제1산화막을 형성하는 단계와, 상기 질화막 패턴을 식각 마스크로한 건식식각공정으로 상기 제1산화막의 노출된 부분을 식각하여 홈을 형성하는 단계와, 상기 홈의 측벽에 HTO막 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 질화막 패턴을 마스크로한 2차산화공정을 실시하여 제2산화막을 형성하는 단계와, 상기 질화막 패턴 제거한 후, 상기 제2산화막을 포함한 상기 실리콘 기판상에 SOG막을 형성하는 단계와, 상기 제2산화막과 상기 SOG막의 식각비가 1:1인 식각제를 사용하여 상기 실리콘 기판의 표면이 노출될 때까지 식각하므로, 이로인하여 상기 실리콘 기판의 표면에 평탄화를 이룬 소자 분리막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950020976A KR970008479A (ko) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950020976A KR970008479A (ko) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970008479A true KR970008479A (ko) | 1997-02-24 |
Family
ID=66526927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950020976A KR970008479A (ko) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970008479A (ko) |
-
1995
- 1995-07-18 KR KR1019950020976A patent/KR970008479A/ko not_active Application Discontinuation
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