KR970052290A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 고집적 반도체 소자의 제조에 적합하도록 한 반도체 소자의 콘택형성 방법에 관한 것이다.
이와 같이 본 발명의 반도체 소자의 제조방법은 반도체 기판은 준비하는 단계 상기 반도체 기판상에 필드영역과 활성영역으로 구분되도록 필드 산화막을 형성하는 단계, 상기 필드 산화막이 형성된 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 양측에 불순물 영역을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 측면에 제1측벽을 형성하는 단계, 상기 제1측벽 측면에 제2측벽을 형성하는 단계, 상기 제2측벽 측면에 제3측벽을 형성하는 단계, 상기 제2측벽만을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것이다.
따라서, 미세한 콘택형성이 가능하며 전체적인 반도체 소자의 크기를 줄일 수 있다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 제1실시예의 반도체 소자의 제조공정 단면도.
제3도는 본 발명 제2실시예의 반도체 소자의 제조공정 단면도 및 레이아웃도.

Claims (3)

  1. 반도체 기판은 준비하는 단계, 상기 반도체 기판상에 필드영역과 활성영역으로 구분되도록 필드 산화막을 형성하는 단계, 상기 필드 산화막이 형성된 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 양측에 불순물 영역을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 측면에 제1측벽을 형성하는 단계, 상기 제1측벽 측면에 제2측벽을 형성하는 단계, 상기 제2측벽 측면에 제3측벽을 형성하는 단계, 상기 제2측벽만을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 제2측벽은 제1, 제3측벽과 식각 선택비를 다르게 함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 반도체 기판을 준비하는 단계, 상기 반도체 기판상에 필드영역과 활성영역으로 구분되도록 필드 산화막을 형성하는 단계, 상기 필드 산화막이 형성된 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 양측에 불순물 영역을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 측면에 제1측벽을 형성하는 단계, 상기 제1측벽 측면에 제2측벽을 형성하는 단계, 상기 제2측벽 측면에 제3측벽을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 및 제1, 제2, 제3측벽을 포함하는 반도체 기판의 전면에 감광막을 도포하고 소정의 콘택 마스크를 사용하여 상기 제2측벽만을 선택적으로 제거하여 복수개의 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950052203A 1995-12-19 1995-12-19 반도체 소자의 제조방법 KR0166824B1 (ko)

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6110790A (en) * 1999-06-04 2000-08-29 Worldwide Semiconductor Manufacturing Corporation Method for making a MOSFET with self-aligned source and drain contacts including forming an oxide liner on the gate, forming nitride spacers on the liner, etching the liner, and forming contacts in the gaps
US6417056B1 (en) * 2001-10-18 2002-07-09 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to form low-overlap-capacitance transistors by forming microtrench at the gate edge

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6057974B2 (ja) * 1978-06-20 1985-12-18 トキコ株式会社 ピストン組付装置
US4736233A (en) * 1984-06-25 1988-04-05 Texas Instruments Incorporated Interconnect and contact system for metal-gate MOS VLSI devices
JPH06100481B2 (ja) * 1985-07-02 1994-12-12 旭化成工業株式会社 ロータリーエンコーダー用ディスクの製造方法
US5063168A (en) * 1986-07-02 1991-11-05 National Semiconductor Corporation Process for making bipolar transistor with polysilicon stringer base contact
JPH0750696B2 (ja) * 1987-12-14 1995-05-31 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
DE69121535T2 (de) * 1990-12-07 1997-01-02 At & T Corp Feldeffekttransistor mit inverser T-förmiger Silizid-Torelektrode
US5312768A (en) * 1993-03-09 1994-05-17 Micron Technology, Inc. Integrated process for fabricating raised, source/drain, short-channel transistors

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