JPH01241119A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH01241119A JPH01241119A JP63067366A JP6736688A JPH01241119A JP H01241119 A JPH01241119 A JP H01241119A JP 63067366 A JP63067366 A JP 63067366A JP 6736688 A JP6736688 A JP 6736688A JP H01241119 A JPH01241119 A JP H01241119A
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- JP
- Japan
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
角取上の不定形基板の露光に関する。
フラつ＠）以上の定形基板のみしか露光出来なかった。
上記従来技術は２インチ（オリフラつ＠）基板以上のも
のしか露光出来なかった。
のしか露光出来なかった。
本発明の目的は１６１１Ｉ１１角以上の不定形基板を露
光出来るようにすることにある。
光出来るようにすることにある。
上記目的は不定形基板を露光する場合に試料のプリアラ
イメント機構を設けることにより達成できる。
イメント機構を設けることにより達成できる。
試料のプリアライメントは試料をチャック台についてい
るＬ字ガイドに突き当てる。チャックの下にあるサブチ
ャックは３点ピンに突き当てサブチャックの下にあるベ
ースに吸着固定する。−層焼きのときはチャックをサブ
チャックに固定する。
るＬ字ガイドに突き当てる。チャックの下にあるサブチ
ャックは３点ピンに突き当てサブチャックの下にあるベ
ースに吸着固定する。−層焼きのときはチャックをサブ
チャックに固定する。
ペースとサブチャックの真空を閉じ、露光装置に吸着セ
ットして露光を行なう。二層焼きの時はプリアライメン
トに附属している光学顕微鏡のヘアラインを試料にきざ
まれたプリアライメントマークに合わせる。露光装置に
吸着セットしアライメントを行なった後に露光操作を行
なう。
ットして露光を行なう。二層焼きの時はプリアライメン
トに附属している光学顕微鏡のヘアラインを試料にきざ
まれたプリアライメントマークに合わせる。露光装置に
吸着セットしアライメントを行なった後に露光操作を行
なう。
リアライメント機構を露光機の外に設置した場合。
基板を手動合わせし、その後露光機内にある３点ビンに
試料をセットした治具を手動でおしつけ真空に引いた後
に自動合わせすることにより１６ｍ角以上の不定形試料
が露光出来る。
試料をセットした治具を手動でおしつけ真空に引いた後
に自動合わせすることにより１６ｍ角以上の不定形試料
が露光出来る。
以下、本発明の一実施例を第１図によシ説明する。ｎ型
ＧａＡＳ基板上にＭＯ−ＣＶＤ法によりｎ−Ｑ ａ Ａ
Ｓバッファ層からｎ”−ＧａＡＳ電流狭搾層までの多
層構造を形成した。次にＰＳＧ膜を形成し、第１図に示
すように試料１の粗セットはウェハチャック２上にのせ
ウェハガイド３に押し付ける。各サイズのつ、エバに応
じてウェハガイドは又換する。サブチャック４は３点ビ
ン５，６．７に押し付はペース８に真空吸着し固定する
。ウェハチャック２をストッパ９に押しあてツマミ１０
でチャックが動かぬ程度に軽くロックする。試料の平行
出しは第２図の光学顕微鏡対物レンズ１１を使用する。
ＧａＡＳ基板上にＭＯ−ＣＶＤ法によりｎ−Ｑ ａ Ａ
Ｓバッファ層からｎ”−ＧａＡＳ電流狭搾層までの多
層構造を形成した。次にＰＳＧ膜を形成し、第１図に示
すように試料１の粗セットはウェハチャック２上にのせ
ウェハガイド３に押し付ける。各サイズのつ、エバに応
じてウェハガイドは又換する。サブチャック４は３点ビ
ン５，６．７に押し付はペース８に真空吸着し固定する
。ウェハチャック２をストッパ９に押しあてツマミ１０
でチャックが動かぬ程度に軽くロックする。試料の平行
出しは第２図の光学顕微鏡対物レンズ１１を使用する。
第３図のヘアライン１８を基準線として、試料のへき開
面を第２図のツマミ１２で回転補正し、マイクロメータ
１３でＸ軸方向、マイクロメータ１４でＹ軸方向の補正
を行なう。１５間のＹ軸方向の平行出しはツマミ１５で
行なう。−層目の露光はこの１１チヤツク２とすブテヤ
ツク４全真空吸着し、ツマミ１０とベース８の真空吸着
をはずす。チャックとサブチャックを一縮小投影露光装
置についている３点ビンにサブチャック４を押しあて真
空吸着した後に露光を行なう。
面を第２図のツマミ１２で回転補正し、マイクロメータ
１３でＸ軸方向、マイクロメータ１４でＹ軸方向の補正
を行なう。１５間のＹ軸方向の平行出しはツマミ１５で
行なう。−層目の露光はこの１１チヤツク２とすブテヤ
ツク４全真空吸着し、ツマミ１０とベース８の真空吸着
をはずす。チャックとサブチャックを一縮小投影露光装
置についている３点ビンにサブチャック４を押しあて真
空吸着した後に露光を行なう。
二層目以後の重ね合わせ操作は、第３図のヘアライン１
８と６μｍ線巾にエツチングされた試料の＋粗金わせマ
ーク１６．１７を合わせる。この場合も一層目と同様に
第２図に示すツマミ１２（Δθ）。
８と６μｍ線巾にエツチングされた試料の＋粗金わせマ
ーク１６．１７を合わせる。この場合も一層目と同様に
第２図に示すツマミ１２（Δθ）。
マイクロメーター３（ΔＸ）、マイクロメーター４（Δ
Ｙ）、 １５＃ＩＩＩのＹ方向の平行出しはツマミ１
５で行なう。この場合は試料とチャック間はずらさない
で、チャックとサブチャックの間ですらし合わせを行な
う。＋の粗合わせマークは５ｒｒＩｘ間隔でエツチング
されておシ、３ケ所の粗合わせを行なう。粗合わせが終
了した試料は、−層目と縮小投影露光装置についている
３点ビンにサブチャックを押しあて真空吸着した後に装
置内で本アライメントを行ない露光をする。上記方法に
より１６ｍｇ角以上の不定形試料の重ね合わせが容易に
行なえ、良好な半導体レーザが作製出来る。製品に必要
なマスク枚数だけ合わせ操作が出来る。
Ｙ）、 １５＃ＩＩＩのＹ方向の平行出しはツマミ１
５で行なう。この場合は試料とチャック間はずらさない
で、チャックとサブチャックの間ですらし合わせを行な
う。＋の粗合わせマークは５ｒｒＩｘ間隔でエツチング
されておシ、３ケ所の粗合わせを行なう。粗合わせが終
了した試料は、−層目と縮小投影露光装置についている
３点ビンにサブチャックを押しあて真空吸着した後に装
置内で本アライメントを行ない露光をする。上記方法に
より１６ｍｇ角以上の不定形試料の重ね合わせが容易に
行なえ、良好な半導体レーザが作製出来る。製品に必要
なマスク枚数だけ合わせ操作が出来る。
以上の実施例はＧａＡｓ基板を用いたが３ｉ基板あるい
はＩｎＰ基板等でも同様な効果があった。
はＩｎＰ基板等でも同様な効果があった。
百縮小投影露光にも適用し同様な効果があった。
本発明によれば半導体レーザ等に使用する角形元出来重
ね合わせ精度も従来のものより良い。
ね合わせ精度も従来のものより良い。
第１図は機外プリセット機構の上面図、第２図は顕微鏡
を含んだ全体側面図、第３図は試料上の＋粗金わせマー
クと対物レンズに刻１れているヘアラインを示す上面図
である。 １・・・試料、２・・・ウェハチャック、４・・・サブ
チャック、１１・・・光学顕微鏡、１２・・・Δθツマ
ミ、１３・・・ΔＸマイクロメータ、１４・・・ΔＹマ
イクロメータ、１５・・・Ｙ軸平行出しツマミ、１６．
１７・・・粗合わせマーク、１８・・・ヘアライン。 第 ｔａ 鴇 ２ｉ￥ｌ 第 ３ 口 ／７ 来ｆｉ令わてマーク ／３ ヘ７ライン
を含んだ全体側面図、第３図は試料上の＋粗金わせマー
クと対物レンズに刻１れているヘアラインを示す上面図
である。 １・・・試料、２・・・ウェハチャック、４・・・サブ
チャック、１１・・・光学顕微鏡、１２・・・Δθツマ
ミ、１３・・・ΔＸマイクロメータ、１４・・・ΔＹマ
イクロメータ、１５・・・Ｙ軸平行出しツマミ、１６．
１７・・・粗合わせマーク、１８・・・ヘアライン。 第 ｔａ 鴇 ２ｉ￥ｌ 第 ３ 口 ／７ 来ｆｉ令わてマーク ／３ ヘ７ライン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、不定形基板プリセット機構を有することを特徴とす
る露光装置。 ２、上記不定形基板はＳｉ、ＧａＡｓあるいはＩｎＰの
１６ｍｍ角以上１２７ｍｍ角以内の寸法を有する前記第
１項記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067366A JPH01241119A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067366A JPH01241119A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241119A true JPH01241119A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13342942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63067366A Pending JPH01241119A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01241119A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005212021A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Seiko Instruments Inc | 研磨方法、研磨治具、セット治具、セット装置、および研磨システム |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63067366A patent/JPH01241119A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005212021A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Seiko Instruments Inc | 研磨方法、研磨治具、セット治具、セット装置、および研磨システム |
| JP4614264B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2011-01-19 | セイコーインスツル株式会社 | 研磨方法および研磨システム |
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