JPS6156868B2 - - Google Patents
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- JPS6156868B2 JPS6156868B2 JP10830180A JP10830180A JPS6156868B2 JP S6156868 B2 JPS6156868 B2 JP S6156868B2 JP 10830180 A JP10830180 A JP 10830180A JP 10830180 A JP10830180 A JP 10830180A JP S6156868 B2 JPS6156868 B2 JP S6156868B2
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- Japan
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- wafer
- mask
- proximity
- foil
- lower mask
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプロキシミテイ方式両面露光装置に関
するものである。
するものである。
ホトリソグラフイは、必要な図形を露光用マス
クに画き、このマスクを介して被露光物の表面に
ある感光膜に光を照射することにより光反応さ
せ、必要な図形を被露光物表面に形成する技術で
ある。
クに画き、このマスクを介して被露光物の表面に
ある感光膜に光を照射することにより光反応さ
せ、必要な図形を被露光物表面に形成する技術で
ある。
この技術の重要な評価項目にアライメントの合
せ精度、図形の解像度がある。これらを向上して
ゆく為には色々の改良がなされてきた。
せ精度、図形の解像度がある。これらを向上して
ゆく為には色々の改良がなされてきた。
即ち、マスクと被露光物（半導体工業ではシリ
コンウエハが大半をしめるので、以下ウエハと呼
ぶ）の位置関係は、合せ精度と解像度に直接影響
を与える。
コンウエハが大半をしめるので、以下ウエハと呼
ぶ）の位置関係は、合せ精度と解像度に直接影響
を与える。
初期のマスクアライナは、マスクとウエハの間
隔が零である密着方式がとられていた。この密着
式、解像度に対しては、光線の回折現象が最小と
なり、又光線のウエハに対しての直角度が悪い場
合にも良い結果を与える。しかし、マスクがウエ
ハ面に直接密着するので、マスクの表面に損傷や
異物の付着があり、マスク寿命の著しい低下をも
たらしたり、ウエハ面にピンホールが発生してウ
エハ中にある電気回路を短絡させたり、切断させ
たりする欠点がある。
隔が零である密着方式がとられていた。この密着
式、解像度に対しては、光線の回折現象が最小と
なり、又光線のウエハに対しての直角度が悪い場
合にも良い結果を与える。しかし、マスクがウエ
ハ面に直接密着するので、マスクの表面に損傷や
異物の付着があり、マスク寿命の著しい低下をも
たらしたり、ウエハ面にピンホールが発生してウ
エハ中にある電気回路を短絡させたり、切断させ
たりする欠点がある。
この欠点を改良する為にマスクとウエハを接触
させないで露光させる方式が考えられた。それが
プロキシミテイ法とプロジエクシヨン法である。
プロキシミテイ法は、マスクとウエハの間隔を数
μｍ〜数10μｍに保つておき、非接触で露光を行
なう方法である。プロジエクシヨン法は、マスク
とウエハの間に光学レンズを組合せて設置し、光
源から出てマスク上に焦点を結んだ光を再びウエ
ハ上に焦点を結ばせ、非接触で露光を行なう方法
である。
させないで露光させる方式が考えられた。それが
プロキシミテイ法とプロジエクシヨン法である。
プロキシミテイ法は、マスクとウエハの間隔を数
μｍ〜数10μｍに保つておき、非接触で露光を行
なう方法である。プロジエクシヨン法は、マスク
とウエハの間に光学レンズを組合せて設置し、光
源から出てマスク上に焦点を結んだ光を再びウエ
ハ上に焦点を結ばせ、非接触で露光を行なう方法
である。
本発明は、プロキシミテイ法に関する機構を提
供するものであるので、プロキシミテイ法の説明
を第１、第２図によつて行なう。
供するものであるので、プロキシミテイ法の説明
を第１、第２図によつて行なう。
第１図に於いてウエハ１はウエハチヤツク６に
対して真空で固定されている。マスク２はマスク
吸着チヤツク１０により真空でマスクホルダ３に
固定されている。更にそのマスクホルダ３がマス
クホルダ吸着板４に対して真空で固定されてい
る。ウエハ１とマスク２の距離Ｄ１はボールベア
リング５により保持されている。この状態でアラ
イメントされる。この時穴１２には外から中へ窒
素を出し、穴１４は真空でひかれるが本説明には
無関係なので省略する。
対して真空で固定されている。マスク２はマスク
吸着チヤツク１０により真空でマスクホルダ３に
固定されている。更にそのマスクホルダ３がマス
クホルダ吸着板４に対して真空で固定されてい
る。ウエハ１とマスク２の距離Ｄ１はボールベア
リング５により保持されている。この状態でアラ
イメントされる。この時穴１２には外から中へ窒
素を出し、穴１４は真空でひかれるが本説明には
無関係なので省略する。
尚、７はＡプレート、８はマスクホルダ吸着チ
ヤツク、１１はＢプレート、１３，１５は穴、１
６はパツキングである。
ヤツク、１１はＢプレート、１３，１５は穴、１
６はパツキングである。
第２図はプロキシミテイ露光の状態を示す。マ
スクホルダ吸着チヤツク８の真空を窒素でリーク
すればマスクホルダ３はマスクホルダ吸着板４か
ら離れてＡプレート７、Ｂプレート１１に接触し
ウエハ１とマスク２の距離はＤ２に保持される。
このＤ２は解像度に関連しマスクの図形寸法によ
り決つてくる。
スクホルダ吸着チヤツク８の真空を窒素でリーク
すればマスクホルダ３はマスクホルダ吸着板４か
ら離れてＡプレート７、Ｂプレート１１に接触し
ウエハ１とマスク２の距離はＤ２に保持される。
このＤ２は解像度に関連しマスクの図形寸法によ
り決つてくる。
ウエハ１の一面のみをアライメントおよび露光
する場合には、上記の説明の如く、完全にマスク
２とウエハ１とを非接触状態に保つ事が可能とな
り、一連の操作中にウエハ１とマスク２の相対位
置が移動することはない。
する場合には、上記の説明の如く、完全にマスク
２とウエハ１とを非接触状態に保つ事が可能とな
り、一連の操作中にウエハ１とマスク２の相対位
置が移動することはない。
しかし、ウエハ１の両面を両側にあるマスクで
アライメントする場合が最近の半導体デバイスの
中にはある。第３図に、そのデバイスの基本的な
断面図の一例を示す。これはゲートターンオフサ
イリスでタｐベース２８内に配置されるｎエミツ
タ２５およびこれに対向する反対側主面のｐエミ
ツタ２７内に配置されるｎ短絡部２６を作る時
に、上側台せマーク２１，２２に上側のマスクの
合せマークを、また下側の合せマーク２３，２４
に下側マスクの合せマークをアライメントする必
要がある。
アライメントする場合が最近の半導体デバイスの
中にはある。第３図に、そのデバイスの基本的な
断面図の一例を示す。これはゲートターンオフサ
イリスでタｐベース２８内に配置されるｎエミツ
タ２５およびこれに対向する反対側主面のｐエミ
ツタ２７内に配置されるｎ短絡部２６を作る時
に、上側台せマーク２１，２２に上側のマスクの
合せマークを、また下側の合せマーク２３，２４
に下側マスクの合せマークをアライメントする必
要がある。
この両面アライメント方式にも、密着方式とプ
ロキシミテイ方式が可能であるが、前述した様
に、マスクの汚損、ピンホールによる欠陥の発生
を考えると、プロキシミテイ方式をとるのが望ま
しい。
ロキシミテイ方式が可能であるが、前述した様
に、マスクの汚損、ピンホールによる欠陥の発生
を考えると、プロキシミテイ方式をとるのが望ま
しい。
この両面プロキシミテイ方式の露光の要点とな
る部分を第４図に示す。
る部分を第４図に示す。
下側マスク３４は、下側マスクホルダ３２に、
下側マスク固定穴３８で固定されている。プロキ
シミテイホイル３６（数10μｍのステンレス薄膜
か、他の金属でもよい）が、ホイル枠３５に接着
剤で固定されている。ここで、ホイル３６は、ほ
ぼ下側マスク３４と同じ程度の厚さでできてい
る。尚、３１は上側マスクホルダ、３３は上側マ
スクである。
下側マスク固定穴３８で固定されている。プロキ
シミテイホイル３６（数10μｍのステンレス薄膜
か、他の金属でもよい）が、ホイル枠３５に接着
剤で固定されている。ここで、ホイル３６は、ほ
ぼ下側マスク３４と同じ程度の厚さでできてい
る。尚、３１は上側マスクホルダ、３３は上側マ
スクである。
このホイル３６は、下側マスク３４の図形に関
係のない部分に接触する様に位置されており、こ
のホイル３６の上に、ウエハ１が、下側マスク３
４に対してアライメントされた後、ある時間静置
されている。従つて、ウエハ１は、第４図に示す
ようにウエハ１の周辺においてホイル３６上に接
触載置される形をとる。このように両面アライメ
ント露光を行なうために、ウエハ１を静置する操
作に於いて、ウエハ１が微動するという欠点が生
じる。
係のない部分に接触する様に位置されており、こ
のホイル３６の上に、ウエハ１が、下側マスク３
４に対してアライメントされた後、ある時間静置
されている。従つて、ウエハ１は、第４図に示す
ようにウエハ１の周辺においてホイル３６上に接
触載置される形をとる。このように両面アライメ
ント露光を行なうために、ウエハ１を静置する操
作に於いて、ウエハ１が微動するという欠点が生
じる。
更に、前記操作を詳細に順を追つて説明する。
第５図は、ウエハ１が、ウエハ搬送アーム４１に
ウエハチヤツク穴４２により、真空で固定され
て、上側マスク３３と下側マスク３４の間に搬送
されてきて、ウエハ１と下側マスクがアライメン
トを完了した状態を示す。またこの状態の前に
は、上側マスク３３と下側マスク３４はあらかじ
めアライメントされている。
第５図は、ウエハ１が、ウエハ搬送アーム４１に
ウエハチヤツク穴４２により、真空で固定され
て、上側マスク３３と下側マスク３４の間に搬送
されてきて、ウエハ１と下側マスクがアライメン
トを完了した状態を示す。またこの状態の前に
は、上側マスク３３と下側マスク３４はあらかじ
めアライメントされている。
次に、このウエハ１を、ウエハ搬送アーム４１
に吸着させたまま、下側マスク３４に向つて垂直
に降下させてプロキシミテイホイル３６上に接触
させる。この様子を第６図に示す。この時ウエハ
１と下側マスク３４はプロキシミテイホイル３６
の厚さ分だけ、接触部分以外は離れている。
に吸着させたまま、下側マスク３４に向つて垂直
に降下させてプロキシミテイホイル３６上に接触
させる。この様子を第６図に示す。この時ウエハ
１と下側マスク３４はプロキシミテイホイル３６
の厚さ分だけ、接触部分以外は離れている。
次に、ウエハ１を動かさないで、ウエハチヤツ
ク穴４２の真空を破つて搬送アーム４１を上昇さ
せてゆかねばならない。搬送アーム４１が上昇し
た状態を第７図に示す。この後、搬送アーム４１
を別の位置に移動させ、上側マスク３３を下側マ
スク３４に向つて垂直に降下させ、上側マスク３
３とウエハ１との間にプロキシミテイ間隔をあけ
て、両面露光を行なう。
ク穴４２の真空を破つて搬送アーム４１を上昇さ
せてゆかねばならない。搬送アーム４１が上昇し
た状態を第７図に示す。この後、搬送アーム４１
を別の位置に移動させ、上側マスク３３を下側マ
スク３４に向つて垂直に降下させ、上側マスク３
３とウエハ１との間にプロキシミテイ間隔をあけ
て、両面露光を行なう。
以上のように、プロキシミテイホイルを使用し
て両面アライメント露光をする場合に、第６図に
示す様に、ウエハを搬送アームごと、降下させて
ホイルに接触させ、ウエハチヤツク穴の真空を破
る時に、ウエハ１が微動する可能性があるという
欠点がある。
て両面アライメント露光をする場合に、第６図に
示す様に、ウエハを搬送アームごと、降下させて
ホイルに接触させ、ウエハチヤツク穴の真空を破
る時に、ウエハ１が微動する可能性があるという
欠点がある。
本発明は、上記の様な欠点のないプロキシミテ
イ方式両面露光装置を提供するにある。
イ方式両面露光装置を提供するにある。
第６図に示す状態でのウエハ１の微動の原因
は、先ず、ウエハ１が降下してプロキシミテイホ
イル３６に接触する時、接触時間がなす平面とウ
エハ１の平面の平行度が悪い時には、ウエハ１に
横方向の力がかかり、プロキシミテイホイル枠が
固定されていないので移動してしまうためであ
る。
は、先ず、ウエハ１が降下してプロキシミテイホ
イル３６に接触する時、接触時間がなす平面とウ
エハ１の平面の平行度が悪い時には、ウエハ１に
横方向の力がかかり、プロキシミテイホイル枠が
固定されていないので移動してしまうためであ
る。
次に真空を破つて、ウエハ１をそのまま静置し
ておく場合、実際にはウエハ全面に亘つて均一に
真空が破られる事はなく、横方向の力が生じてウ
エハが横すべりを起こす。これはプロキシミテイ
ホイル枠３５が固定されていない場合に起る。い
ずれの場合も、ウエハ１をホイル３６の相対位置
はほとんど変らず、ホイル枠３５が、下側マスク
ホルダ３２と横すべりを起して、結果として、ウ
エハ１が下側マスク３４に対して微動した形とな
つている。これは、ウエハ１とホイル３６の間の
摩擦係数が大きくウエハ１をホイル３６上に降下
させても、その間では横すべりしないのに対し、
ホイル枠３５と下側マスクホルダ３２との間の摩
擦係数は小さく、ここで横すべりを起すものであ
ることが本発明者らの検討で確認された。実験に
よれば、76mmφ、250μｍ厚で、そりが10μｍの
ウエハについて、プロキシミテイホイルの厚さを
20μｍとした処、横すべりは５〜30μｍであつ
た。
ておく場合、実際にはウエハ全面に亘つて均一に
真空が破られる事はなく、横方向の力が生じてウ
エハが横すべりを起こす。これはプロキシミテイ
ホイル枠３５が固定されていない場合に起る。い
ずれの場合も、ウエハ１をホイル３６の相対位置
はほとんど変らず、ホイル枠３５が、下側マスク
ホルダ３２と横すべりを起して、結果として、ウ
エハ１が下側マスク３４に対して微動した形とな
つている。これは、ウエハ１とホイル３６の間の
摩擦係数が大きくウエハ１をホイル３６上に降下
させても、その間では横すべりしないのに対し、
ホイル枠３５と下側マスクホルダ３２との間の摩
擦係数は小さく、ここで横すべりを起すものであ
ることが本発明者らの検討で確認された。実験に
よれば、76mmφ、250μｍ厚で、そりが10μｍの
ウエハについて、プロキシミテイホイルの厚さを
20μｍとした処、横すべりは５〜30μｍであつ
た。
従つて、本発明の特徴とするところは、このプ
ロキシミテイホイルを固定したことにある。
ロキシミテイホイルを固定したことにある。
本発明の一実施例を第８図に示す。この実施例
は、プロキシミテイホイル枠３５を、下側マスク
３４が固定されるのと同一面上で、真空チヤツク
５１（または接着剤）により固定する構造であ
る。
は、プロキシミテイホイル枠３５を、下側マスク
３４が固定されるのと同一面上で、真空チヤツク
５１（または接着剤）により固定する構造であ
る。
第９図は本発明の他の実施例であり、プロキシ
ミテイホイルを固定する枠を別個に設けないで、
下側マスクホルダ５２と枠とを一体構造にして、
その上の表面にプロキシミテイホイル３６を接着
剤か、真空で固定する様に構造としたものであ
る。
ミテイホイルを固定する枠を別個に設けないで、
下側マスクホルダ５２と枠とを一体構造にして、
その上の表面にプロキシミテイホイル３６を接着
剤か、真空で固定する様に構造としたものであ
る。
第１０図は、本発明の更に他の実施例で、下側
マスク３４に直接プロキシミテイの間隔を得る為
のホイル５３を接着剤で固定したものである。な
お、ホイル５３は、真空によつてマスク３４に固
定してもよい。
マスク３４に直接プロキシミテイの間隔を得る為
のホイル５３を接着剤で固定したものである。な
お、ホイル５３は、真空によつてマスク３４に固
定してもよい。
上述した３つの実施例について、プロキシミテ
イホイルを固定して、実際に両面アライメントお
よび露光を行なつた結果、76mmφ、250μｍ厚
さ、そりが10μｍのシリコンウエハでは、プロキ
シミテイホイル厚さ20μｍのとき、ウエハとマス
クとの合せ精度は、５μｍ以下となり、固定しな
い時よりも横すべりは著しく改良された。
イホイルを固定して、実際に両面アライメントお
よび露光を行なつた結果、76mmφ、250μｍ厚
さ、そりが10μｍのシリコンウエハでは、プロキ
シミテイホイル厚さ20μｍのとき、ウエハとマス
クとの合せ精度は、５μｍ以下となり、固定しな
い時よりも横すべりは著しく改良された。
なお、プロキシミテイの間隔は実用上は回折、
散乱のため解像度を考慮に入れると、上限が制限
される。大体150μｍが限度である。
散乱のため解像度を考慮に入れると、上限が制限
される。大体150μｍが限度である。
第１図、第２図は従来の片面のみのアライメン
トを行なうプロキシミテイ方式露光装置の使用状
態での断面図、第３図は両面のアライメントを必
要とする半導体素子の一例を示す断面図、第４図
は従来法によつて行なつた両面アライメント後の
ウエハとプロキシミテイホイルおよびその枠の位
置関係を示した断面図、第５〜７図は両面アライ
メントを行なう時の手順を説明するための断面
図、第８〜１０図はそれぞれ本発明の実施例の断
面図である。 １……ウエハ、３１……上側マスクホルダ、３
２，５２……下側マスクホルダ、３３……上側マ
スク、３４……下側マスク、３５……プロキシミ
テイホイル枠、３６，５３……プロキシミテイホ
イル、５１……プロキシミテイホイル枠固定用真
空チヤツク。
トを行なうプロキシミテイ方式露光装置の使用状
態での断面図、第３図は両面のアライメントを必
要とする半導体素子の一例を示す断面図、第４図
は従来法によつて行なつた両面アライメント後の
ウエハとプロキシミテイホイルおよびその枠の位
置関係を示した断面図、第５〜７図は両面アライ
メントを行なう時の手順を説明するための断面
図、第８〜１０図はそれぞれ本発明の実施例の断
面図である。 １……ウエハ、３１……上側マスクホルダ、３
２，５２……下側マスクホルダ、３３……上側マ
スク、３４……下側マスク、３５……プロキシミ
テイホイル枠、３６，５３……プロキシミテイホ
イル、５１……プロキシミテイホイル枠固定用真
空チヤツク。
Claims (1)
- １ 下側マスクホルダに保持された下側マスク、
上記下側マスクの図形に関係のない部分で下側マ
スクに接触し、直接あるいは上記下側マスクホル
ダを介して上記下側マスクに固定され、被露光物
を被露光物の周辺で接触載置するプロキシミテイ
ホイル、上記被露光物を上記プロキシミテイホイ
ルの所定位置に搬送降下させ、その後別の位置に
移動される上記被露光物の搬送アーム、および、
上側マスクホルダに保持され上記被露光物上に被
露光物と所定の間隔を保つて配置される上側マス
クを有し、前記両マスクに画かれた図形を上記被
露光物の画面に露光するプロキシミテイ方式両面
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10830180A JPS5734333A (en) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | Proximity system double face exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10830180A JPS5734333A (en) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | Proximity system double face exposure device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5734333A JPS5734333A (en) | 1982-02-24 |
| JPS6156868B2 true JPS6156868B2 (ja) | 1986-12-04 |
Family
ID=14481213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10830180A Granted JPS5734333A (en) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | Proximity system double face exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5734333A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4784922A (en) * | 1985-10-11 | 1988-11-15 | Mitsubishi Steel Mfg. Co., Ltd. | Corrosion-resistant clad steel and method for producing the same |
| JP2642547B2 (ja) * | 1991-10-16 | 1997-08-20 | 新日本製鐵株式会社 | 延性に優れた高強度ビードワイヤの製造方法 |
| JP2652099B2 (ja) * | 1991-10-24 | 1997-09-10 | 新日本製鐵株式会社 | 高強度ビードワイヤの製造方法 |
| CA2135255C (en) * | 1994-05-26 | 2000-05-16 | William E. Heitmann | Cold deformable, high strength, hot rolled bar and method for producing same |
| JP3409277B2 (ja) * | 1998-05-13 | 2003-05-26 | 株式会社神戸製鋼所 | 非調質ばね用圧延線状鋼または棒状鋼 |
| KR100651819B1 (ko) * | 1999-07-16 | 2006-11-30 | 삼성테크윈 주식회사 | 노광장치 |
| US7255220B2 (en) | 2002-12-20 | 2007-08-14 | Honda Motor Co., Ltd. | Conveyance system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5555528A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-23 | Hitachi Ltd | Mask aligner |
-
1980
- 1980-08-08 JP JP10830180A patent/JPS5734333A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5555528A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-23 | Hitachi Ltd | Mask aligner |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5734333A (en) | 1982-02-24 |
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