JPS6184021A - マスクアライナ - Google Patents
マスクアライナInfo
- Publication number
- JPS6184021A JPS6184021A JP59206012A JP20601284A JPS6184021A JP S6184021 A JPS6184021 A JP S6184021A JP 59206012 A JP59206012 A JP 59206012A JP 20601284 A JP20601284 A JP 20601284A JP S6184021 A JPS6184021 A JP S6184021A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- holder
- chuck
- distance
- mask
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体集積回路の製造工程で、ウェハとマスク
とを合せる際に用いるマスクアライナに関するもので、
特にウェハを載置するウェハチャックの改良に関する。
とを合せる際に用いるマスクアライナに関するもので、
特にウェハを載置するウェハチャックの改良に関する。
（発明の技術的背景）
マスクアライナではマスク合せ作業を１１！Ｉｆｆよく
行なうために、ウェハ面とフォトマスク面との距離を常
に一定に保つようにしている。
行なうために、ウェハ面とフォトマスク面との距離を常
に一定に保つようにしている。
第２図は従来のマスクアライナのアライメント機構部の
概略構造を示す図である。フォトマスク１はマスクホル
ダ２に吸着、その他適当な方法で保持されている。ウェ
ハ４はウェハチャック５に載置されフォトマスク１と所
定の距離だけ離れた位置に置かれている。ウェハホルダ
３はマスクホルダ２から所定の距離だけ離れて設置され
、マスク合せを行なう際にはこのウェハホルダ３にウェ
ハ４のウェハ面を直接接触させて、フォトマスク１とウ
ェハ４との間の距離１」を決めていた。
概略構造を示す図である。フォトマスク１はマスクホル
ダ２に吸着、その他適当な方法で保持されている。ウェ
ハ４はウェハチャック５に載置されフォトマスク１と所
定の距離だけ離れた位置に置かれている。ウェハホルダ
３はマスクホルダ２から所定の距離だけ離れて設置され
、マスク合せを行なう際にはこのウェハホルダ３にウェ
ハ４のウェハ面を直接接触させて、フォトマスク１とウ
ェハ４との間の距離１」を決めていた。
ウェハチャック５は可動式になっており、図中に矢印で
示す上下方向に勅がさせることができるため、距離Ｈを
決める際にはウェハチャック５上にウェハ４を載置した
状態で、ウェハ４の表面がウェハホルダ３に接触するま
で上昇させて接触した状態でウェハチャック５の動作を
停止すればよい。〔背景技術の問題点〕 通常マスク合せを行なう際には、ウェハ４の表面はフォ
トレジストが塗布された状態になっている。従って第２
図に示すような機構において、距離Ｈを決める際にこの
レジストが塗布されたウェハ４がウェハホルダに接触す
ると、この機械的接触によってレジストの一部がはがれ
、これがウェハ４とウェハホルダ３との間に残存するこ
とがある。
示す上下方向に勅がさせることができるため、距離Ｈを
決める際にはウェハチャック５上にウェハ４を載置した
状態で、ウェハ４の表面がウェハホルダ３に接触するま
で上昇させて接触した状態でウェハチャック５の動作を
停止すればよい。〔背景技術の問題点〕 通常マスク合せを行なう際には、ウェハ４の表面はフォ
トレジストが塗布された状態になっている。従って第２
図に示すような機構において、距離Ｈを決める際にこの
レジストが塗布されたウェハ４がウェハホルダに接触す
ると、この機械的接触によってレジストの一部がはがれ
、これがウェハ４とウェハホルダ３との間に残存するこ
とがある。
第３図はレジストくず６が存在する場合の状態を示した
アライメント機構部の概略図である。レジストくず６が
ウェハ４とウェハホルダ３との間に付着すると、通常点
線で示すようにウェハ面が設定されなけ机ばならないに
もかかわらず、レジストくず６の分だけウェハ面が傾い
てしまい、この結果ウェハ面とフォトマスク面との距離
ＨがＨからＨ−に変化してしまう。
アライメント機構部の概略図である。レジストくず６が
ウェハ４とウェハホルダ３との間に付着すると、通常点
線で示すようにウェハ面が設定されなけ机ばならないに
もかかわらず、レジストくず６の分だけウェハ面が傾い
てしまい、この結果ウェハ面とフォトマスク面との距離
ＨがＨからＨ−に変化してしまう。
このような状態でマスク合せ後の露光を行なうと融像不
良等を発生しやすくなる。
良等を発生しやすくなる。
またウェハホルダ３に付着したレジストは次ににマスク
合せおこなうべきウェハチャックに載置された場合も、
同様な悪影響を与えてパターン解像不良等を発生させて
しまう。
合せおこなうべきウェハチャックに載置された場合も、
同様な悪影響を与えてパターン解像不良等を発生させて
しまう。
本発明は上述した欠点を除去するためになされたもので
、ウェハ面とフォトマスク面との距離が変動することな
く、したがってパターンの解像不良が生ずることのない
マスクアライナを提供することを目的とする。
、ウェハ面とフォトマスク面との距離が変動することな
く、したがってパターンの解像不良が生ずることのない
マスクアライナを提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため本発明は、ウェハチャックの
ウェハ載置面上にウェハを載置して収納する凹部を設け
、ウェハチャックがウェハホルダに近接した際にもウェ
ハが前記ウェハホルダに接触しないようにしたマスクア
ライナを提供することを目的とする。
ウェハ載置面上にウェハを載置して収納する凹部を設け
、ウェハチャックがウェハホルダに近接した際にもウェ
ハが前記ウェハホルダに接触しないようにしたマスクア
ライナを提供することを目的とする。
第１図は本発明の一実施例に係るマスクアライナのアラ
イメント機構部の概略構成図である。なお、第２図およ
び第３図と同一部分には同一符号を付してその説明は省
略する。
イメント機構部の概略構成図である。なお、第２図およ
び第３図と同一部分には同一符号を付してその説明は省
略する。
この発明によるマスクアライナではウェハチャック５の
ウェハ載置面に、ウェハ４を載置した状態で収納する凹
部７を設けである。そしてウェハホルダ３を可動にして
ウェハチャック５に接触させ、この状態でウェハ４とフ
ォトマスク１との間の距離を測定する。距！！！Ｈの測
定に当ってはフォトマスク１の上方に設けたレーザ測定
装置８からレーザ光をフォトマスク１を通過させてウェ
ハ４の表面に投与し、この反射光を測定することにより
行なう。
ウェハ載置面に、ウェハ４を載置した状態で収納する凹
部７を設けである。そしてウェハホルダ３を可動にして
ウェハチャック５に接触させ、この状態でウェハ４とフ
ォトマスク１との間の距離を測定する。距！！！Ｈの測
定に当ってはフォトマスク１の上方に設けたレーザ測定
装置８からレーザ光をフォトマスク１を通過させてウェ
ハ４の表面に投与し、この反射光を測定することにより
行なう。
このように本発明によるマスクアライナでは、ウェハ４
の表面がウェハホルダ３に直接接触することはない。す
なわち凹部７の深さをウェハ４の厚さより深めにしてお
けばこれが実現できる。従って、従来のマスクアライナ
のようにウェハ４の表面に塗布されたフォトレジストが
はがれてウェハホルダに付着することがない。また仮に
付着したとしても、ウェハ４とウェハホルダ３との間に
はわずかな間隙が残されているため、これによってフォ
トマスク１とウェハ４との間の距離ト１が変動すること
はないので、マスク合せにともなう距！１１ｔ Ｈの変
動に起因するパターンのＷ？像不良が発生することはな
い。
の表面がウェハホルダ３に直接接触することはない。す
なわち凹部７の深さをウェハ４の厚さより深めにしてお
けばこれが実現できる。従って、従来のマスクアライナ
のようにウェハ４の表面に塗布されたフォトレジストが
はがれてウェハホルダに付着することがない。また仮に
付着したとしても、ウェハ４とウェハホルダ３との間に
はわずかな間隙が残されているため、これによってフォ
トマスク１とウェハ４との間の距離ト１が変動すること
はないので、マスク合せにともなう距！１１ｔ Ｈの変
動に起因するパターンのＷ？像不良が発生することはな
い。
なお、第１図に示す実施例ではウェハホルダ３を可動式
にしてウェハホルダ３とウニハチＶツク５とを接触させ
るようにしているが、従来のようにウェハホルダ３を固
定しウェハチャック５を移シ」させるようにしても良い
。
にしてウェハホルダ３とウニハチＶツク５とを接触させ
るようにしているが、従来のようにウェハホルダ３を固
定しウェハチャック５を移シ」させるようにしても良い
。
（発明の効果）
上記の如く本発明では、ウェハ面が直接ウェハホルダに
接触しないにうにウェハチャックのウェハｔｌ！Ｓｔｉ
面に凹部を設けた構造としたため、従来のようにレジス
トくず等の影響により、ウェハとフォトマスクとの間の
距離が変動することがない。
接触しないにうにウェハチャックのウェハｔｌ！Ｓｔｉ
面に凹部を設けた構造としたため、従来のようにレジス
トくず等の影響により、ウェハとフォトマスクとの間の
距離が変動することがない。
従ってパターン解像度が劣化することがないだけでなく
、ウェハ面のぎずやレジストくず等のゴミの発生をも減
少させることができるという利点がある。
、ウェハ面のぎずやレジストくず等のゴミの発生をも減
少させることができるという利点がある。
第１図は本発明の一実施例に係るマスクアライメントＩ
幾構部の概略構成図、第２図および第３図は従来装置の
一例に係るマスクアライメント久構部の説明図である。 １・・・フォトマスク、２・・・マスクホルダ、３・・
・ウェハホルダ、４・・・ウェハ、５・・・ウェハチャ
ック、６・・・レジストくず、７・・・凹部、８・・・
レーザ測定装置。 出願人代理人 猪 股 漬 込 １ 図 死 ２ 図
幾構部の概略構成図、第２図および第３図は従来装置の
一例に係るマスクアライメント久構部の説明図である。 １・・・フォトマスク、２・・・マスクホルダ、３・・
・ウェハホルダ、４・・・ウェハ、５・・・ウェハチャ
ック、６・・・レジストくず、７・・・凹部、８・・・
レーザ測定装置。 出願人代理人 猪 股 漬 込 １ 図 死 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハを載置したウェハチャックをウェハホルダに
近接させ、ウェハ面とフォトマスク面との距離を定める
マスクアライナにおいて、前記ウェハチャックのウェハ
載置面上に前記ウェハを載置して収納する凹部を設け、
前記ウェハチャックが前記ウェハホルダに近接した際に
も前記ウェハが前記ウェハホルダに接触しないようにし
たことを特徴とするマスクアライナ。 ２、前記ウェハホルダを可動としたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のマスクアライナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206012A JPS6184021A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | マスクアライナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206012A JPS6184021A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | マスクアライナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184021A true JPS6184021A (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=16516443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59206012A Pending JPS6184021A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | マスクアライナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184021A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190179229A1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-06-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
-
1984
- 1984-10-01 JP JP59206012A patent/JPS6184021A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190179229A1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-06-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
| US11086228B2 (en) * | 2017-12-11 | 2021-08-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
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