JPH0294515A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH0294515A JPH0294515A JP63246259A JP24625988A JPH0294515A JP H0294515 A JPH0294515 A JP H0294515A JP 63246259 A JP63246259 A JP 63246259A JP 24625988 A JP24625988 A JP 24625988A JP H0294515 A JPH0294515 A JP H0294515A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 76
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/201—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ウェハ等の基板とマスク等の原板とを近接さ
せて基板の一部に原板上のパターンを焼付け、さらに基
板と原板とを相対的に移動させ、両者間の位置合せと焼
付けを繰返す露光方法に関するものである。
せて基板の一部に原板上のパターンを焼付け、さらに基
板と原板とを相対的に移動させ、両者間の位置合せと焼
付けを繰返す露光方法に関するものである。
［従来の技術］
近年、半導体集積回路の進歩、特に高集積化は著しく、
サブミクロンパターンを用いる超ＬＳＩ開発が活発化し
てきた。そして、サブミクロンパターンを実現するため
に、Ｘ線による露光が注目されている。
サブミクロンパターンを用いる超ＬＳＩ開発が活発化し
てきた。そして、サブミクロンパターンを実現するため
に、Ｘ線による露光が注目されている。
Ｘ線を露光光源として使用する場合には、Ｘ線に対する
適当な縮小レンズがないことからマスクとウェハとを極
めて接近させた状態で対向させ等倍露光する必要がある
。このため、サブミクロンパターンを等倍でマスク上に
形成しなければならず、さらにウニへの大口径化も考慮
するとウェハ全面を一括露光するマスクを作成するのは
容易でないので、ウェハ面を分割し各分割領域ごとにマ
スターウェハ間の位置合せと露光を繰返す、いわゆるス
テップアンドリピート方式が採用される傾向にある。
適当な縮小レンズがないことからマスクとウェハとを極
めて接近させた状態で対向させ等倍露光する必要がある
。このため、サブミクロンパターンを等倍でマスク上に
形成しなければならず、さらにウニへの大口径化も考慮
するとウェハ全面を一括露光するマスクを作成するのは
容易でないので、ウェハ面を分割し各分割領域ごとにマ
スターウェハ間の位置合せと露光を繰返す、いわゆるス
テップアンドリピート方式が採用される傾向にある。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、ウェハ平面度（うねりやくさび等）の現
状から見て、マスターウェハ間隔を露光時の極めて近接
した位置関係とし、その間隔のまま両者間の位置合せお
よび両者間の相対位置の移動を行なうとすれば両者が接
触しマスクパターンを破損する危険がある。
状から見て、マスターウェハ間隔を露光時の極めて近接
した位置関係とし、その間隔のまま両者間の位置合せお
よび両者間の相対位置の移動を行なうとすれば両者が接
触しマスクパターンを破損する危険がある。
本発明は、上述の従来形における問題点に鑑み、Ｘ線露
光等で原板と基板とを近接させ対向配置して行なう露光
方法において、原板と基板との位置合せや相対位置の移
動を行なう際の両者間の接触をなくすことを目的とする
。
光等で原板と基板とを近接させ対向配置して行なう露光
方法において、原板と基板との位置合せや相対位置の移
動を行なう際の両者間の接触をなくすことを目的とする
。
［課題を解決するための手段および作用］上記の目的を
達成するため、本発明に係る露光方法は、マスク等の原
板とウェハ等の基板との間の位置合せのうち、ギャップ
（Ｚ方向）と面傾き（ｗｘ、Ｗ、）を取る両者間間隔を
露光ギャップよりも離した位置に設定し、原板と基板と
が接触する危険をさけた状態で両者間の平行出しを行な
い、平行出し後に露光ギャップまで近づけても（対向し
ている範囲では）接触しないようにしたものである。さ
らに、この平行出しギャップを原板と基板とを相対位置
移動しても接触しない位置にすることにより、ショット
間移動時の接触防止をも達成したものである。
達成するため、本発明に係る露光方法は、マスク等の原
板とウェハ等の基板との間の位置合せのうち、ギャップ
（Ｚ方向）と面傾き（ｗｘ、Ｗ、）を取る両者間間隔を
露光ギャップよりも離した位置に設定し、原板と基板と
が接触する危険をさけた状態で両者間の平行出しを行な
い、平行出し後に露光ギャップまで近づけても（対向し
ている範囲では）接触しないようにしたものである。さ
らに、この平行出しギャップを原板と基板とを相対位置
移動しても接触しない位置にすることにより、ショット
間移動時の接触防止をも達成したものである。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光方法を適用した
露光装置における主要部の構成図を示す。同図（ａ）は
側面からみた断面図であり、同図（ｂ）はマスクや検出
光学系の部分の上面図である。
露光装置における主要部の構成図を示す。同図（ａ）は
側面からみた断面図であり、同図（ｂ）はマスクや検出
光学系の部分の上面図である。
まず、同図（ａ）および（ｂ）において、１はウェハ、
２はウェハ１を保持するためのウェハチャックである。
２はウェハ１を保持するためのウェハチャックである。
ウェハチャック２は、不図示の溝によりウェハ１の裏面
を真空吸着している。なお、チャッキング方法は真空吸
着に限定されるものではなく、いわゆる静電吸着も実用
可能である。３は複数個のウェハチャック保持素子であ
る。各ウェハチャック保持素子３は、薄板状の導電体を
積重したものであり、これに電圧をかけたときに発生す
る導電体の上下方向の変化により高さを調節するように
形成されている。各ウェハチャック保持素子３の高さを
変えることにより、ウェハチャック２ひいてはウェハチ
ャック２の上にチャッキングされているウェハ１のＺ方
向および傾き（Ｗ、、Ｗ、）を調節することができる。
を真空吸着している。なお、チャッキング方法は真空吸
着に限定されるものではなく、いわゆる静電吸着も実用
可能である。３は複数個のウェハチャック保持素子であ
る。各ウェハチャック保持素子３は、薄板状の導電体を
積重したものであり、これに電圧をかけたときに発生す
る導電体の上下方向の変化により高さを調節するように
形成されている。各ウェハチャック保持素子３の高さを
変えることにより、ウェハチャック２ひいてはウェハチ
ャック２の上にチャッキングされているウェハ１のＺ方
向および傾き（Ｗ、、Ｗ、）を調節することができる。
本実施例の装置ではウェハチャック保持素子３を３個設
け、任意の傾きを実現できるようにしである。
け、任意の傾きを実現できるようにしである。
４はθステージで矢印Ａの方向に回転可能であり、Ｘ軸
ステージ５の上に保持されている。Ｘ軸ステージ５は矢
印Ｂの方向（紙面の左右方向）に移動可能でＹ軸ステー
ジ６の上に保持されている。さらに、Ｙ軸ステージ６は
矢印Ｃの方向（紙面に垂直な方向）に移動可能であり、
ヘース７の上に保持されている。９はマスクチャックで
あり、下端面にマスク８を励磁吸着している。この吸着
も励６ｎ吸着に限定されるものでなく、例えば真空吸着
でもよい。１０はマスクステージであり、上記マスクチ
ャック９を固定しフレーム１１に保持されている。
ステージ５の上に保持されている。Ｘ軸ステージ５は矢
印Ｂの方向（紙面の左右方向）に移動可能でＹ軸ステー
ジ６の上に保持されている。さらに、Ｙ軸ステージ６は
矢印Ｃの方向（紙面に垂直な方向）に移動可能であり、
ヘース７の上に保持されている。９はマスクチャックで
あり、下端面にマスク８を励磁吸着している。この吸着
も励６ｎ吸着に限定されるものでなく、例えば真空吸着
でもよい。１０はマスクステージであり、上記マスクチ
ャック９を固定しフレーム１１に保持されている。
１２は複数個の検出光学系であり、マスターウェハ間の
ギャップ（間隔）計測およびマスターウェハ間のアライ
メントずれ計測を行なう。本実施例では第１図（ｂ）の
上面図に示すように、検出光学系１２を４個設置してい
る。そして、この４点のギャップ計測よりその４点を通
るような近似平面を算出し、平行出し平面からのＺ、Ｗ
。
ギャップ（間隔）計測およびマスターウェハ間のアライ
メントずれ計測を行なう。本実施例では第１図（ｂ）の
上面図に示すように、検出光学系１２を４個設置してい
る。そして、この４点のギャップ計測よりその４点を通
るような近似平面を算出し、平行出し平面からのＺ、Ｗ
。
Ｗｙずれを求め、また４点のアライメントずれ計測より
今露光しようとするウェハ上の１ショットとマスクとの
Ｘ、Ｙ、θずれを求める。
今露光しようとするウェハ上の１ショットとマスクとの
Ｘ、Ｙ、θずれを求める。
なお、４点すべてが計測できない場合（例えばショット
レイアウトより一隅がウェハからはずれている場合や計
測エラー等）にも、残りの情報でＺ、Ｗ、、Ｗ、および
Ｘ、Ｙ、 θを算出することとしている。さらに、本実
施例では各検出光学系１２は１ケ所でのギャップ計測と
アライメントずれ計測を一つのユニットとしているが、
これは本質的でなく別々にしても差し支えない。
レイアウトより一隅がウェハからはずれている場合や計
測エラー等）にも、残りの情報でＺ、Ｗ、、Ｗ、および
Ｘ、Ｙ、 θを算出することとしている。さらに、本実
施例では各検出光学系１２は１ケ所でのギャップ計測と
アライメントずれ計測を一つのユニットとしているが、
これは本質的でなく別々にしても差し支えない。
１５は検出光学系１２の検出光を示している。
検出光１５は傾めに投光しているため、露光時に検出光
学系１２が露光光を遣えざることはない。
学系１２が露光光を遣えざることはない。
したがって、露光時に検出光学系１２を退避させる必要
はない。
はない。
１６は露光光であり、これによりマスク８上に形成され
た素子パターン１４を、前レイヤーまでに転写されてい
るウェハ１上のパターン１３の上に焼付ける。１７は渦
電流センサで、θステージ４上に設置されており、ウェ
ハチャック２の下面位置を相対的に計測する。
た素子パターン１４を、前レイヤーまでに転写されてい
るウェハ１上のパターン１３の上に焼付ける。１７は渦
電流センサで、θステージ４上に設置されており、ウェ
ハチャック２の下面位置を相対的に計測する。
第２図は、第１図の露光装置においてマスターウニへ間
の平行出しからクエへをアライメントギャップへと位置
付けるまでのシーケンスを示す概略図である。同図にお
いて、第１図と同一の付番は同一の部材を示す。同図（
ａ）〜（Ｃ）を用いて本実施例の装置における平行出し
方法を説明する。
の平行出しからクエへをアライメントギャップへと位置
付けるまでのシーケンスを示す概略図である。同図にお
いて、第１図と同一の付番は同一の部材を示す。同図（
ａ）〜（Ｃ）を用いて本実施例の装置における平行出し
方法を説明する。
同図において、−点鎖線２０１はウェハーマスク間の平
行出しを行なう位置を示し、この位置２０１とマスク８
との間隔を平行出しギャップと呼ぶ。この平行出しギャ
ップ２０１は、ウェハチャック２に吸着されているウェ
ハ１が一定の厚さでなくくさび状であったりまたはうね
りを持っていたとしても、それが予め設定された許容範
囲であれば、ウェハ１のどの部分がマスク８と対向する
位置にきてもマスク８とウェハ１とが接触する危険がな
いようなギャップである。ここでは平行出しギャップ２
０１をマスクの下面から７０μｍに設定している。二点
鎖線２０２はウェハーマスク間のＸ−Ｙ平面上のアライ
メントを行なう位置を示し、この位置２０２とマスク８
との間隔をアライメントギャップと呼ぶ。なお、本実施
例においては、このアライメントギャップ２０２を露光
ギャップ（露光時のウェハーマスク間の間隔）と一致さ
せている。したがって、アライメント終了後、ステージ
を動かさずに露光に入ることができる。このアライメン
トギャップ２０２は各レイヤ毎のパターン状態や露光条
件により可変できるようになっており、ここではマスク
の下面から５０〜１０μｍに設定している。
行出しを行なう位置を示し、この位置２０１とマスク８
との間隔を平行出しギャップと呼ぶ。この平行出しギャ
ップ２０１は、ウェハチャック２に吸着されているウェ
ハ１が一定の厚さでなくくさび状であったりまたはうね
りを持っていたとしても、それが予め設定された許容範
囲であれば、ウェハ１のどの部分がマスク８と対向する
位置にきてもマスク８とウェハ１とが接触する危険がな
いようなギャップである。ここでは平行出しギャップ２
０１をマスクの下面から７０μｍに設定している。二点
鎖線２０２はウェハーマスク間のＸ−Ｙ平面上のアライ
メントを行なう位置を示し、この位置２０２とマスク８
との間隔をアライメントギャップと呼ぶ。なお、本実施
例においては、このアライメントギャップ２０２を露光
ギャップ（露光時のウェハーマスク間の間隔）と一致さ
せている。したがって、アライメント終了後、ステージ
を動かさずに露光に入ることができる。このアライメン
トギャップ２０２は各レイヤ毎のパターン状態や露光条
件により可変できるようになっており、ここではマスク
の下面から５０〜１０μｍに設定している。
第２図（ａ）は、くさび成分を持ったウェハ１がウェハ
チャック２にチャフキングされた状態を示す。ウェハチ
ャック保持素子３は平行出し状態とする。平行出し状態
とは、標準ウェハ（くさびもうねりもない設計厚のウェ
ハ）をチャッキングしたときにウニ八表面が平行出しギ
ャップ２０１に一致するように、すべてのウェハチャッ
ク保持素子３の高さが調整されている状態を言う。この
状態で、検出光学系１２により各計測点のマスク−ウェ
ハ間距離を計り、ウェハ１の表面、特に現在露光しよう
としているショットが形成する平面を算出し、さらに平
行出し平面からのずれＺ。
チャック２にチャフキングされた状態を示す。ウェハチ
ャック保持素子３は平行出し状態とする。平行出し状態
とは、標準ウェハ（くさびもうねりもない設計厚のウェ
ハ）をチャッキングしたときにウニ八表面が平行出しギ
ャップ２０１に一致するように、すべてのウェハチャッ
ク保持素子３の高さが調整されている状態を言う。この
状態で、検出光学系１２により各計測点のマスク−ウェ
ハ間距離を計り、ウェハ１の表面、特に現在露光しよう
としているショットが形成する平面を算出し、さらに平
行出し平面からのずれＺ。
Ｗ、、Ｗ、を求める。
第２図（ｂ）は、ずれＺ、Ｗつ、Ｗｙを補正するため各
ウェハチャック保持素子３の駆動量を求めその量に従い
補正駆動をした状態である。補正駆動後には再度検出光
学系１２でマスク−ウェハ間の距離を計り、平行出し平
面からの残ずれ量を求める。残ずれ量が予め設定されて
いる許容範囲内であれば次の処理に進み、もし許容範囲
外なら補正駆動を再び繰返しさらに残ずれ量のチエツク
をする。
ウェハチャック保持素子３の駆動量を求めその量に従い
補正駆動をした状態である。補正駆動後には再度検出光
学系１２でマスク−ウェハ間の距離を計り、平行出し平
面からの残ずれ量を求める。残ずれ量が予め設定されて
いる許容範囲内であれば次の処理に進み、もし許容範囲
外なら補正駆動を再び繰返しさらに残ずれ量のチエツク
をする。
第２図（Ｃ）は、平行出しギャップ２０１の位置にある
ウェハ１の所定ショット１３がその平面の傾きを保ちつ
つ、アライメントギャップ２０２に位置付けられるよう
各ウェハチャック保持素子３を調節した状態である。こ
の移ｗＪ量は平行出しギャップとアライメントギャップ
との差（位置２０１と２０２との間隔）として固定量で
与えられる。移動量の確認は、ウェハステージ４上に設
けられた渦電流センサ１７によりウェハチャック２の下
面位置を計測することによって行なう。
ウェハ１の所定ショット１３がその平面の傾きを保ちつ
つ、アライメントギャップ２０２に位置付けられるよう
各ウェハチャック保持素子３を調節した状態である。こ
の移ｗＪ量は平行出しギャップとアライメントギャップ
との差（位置２０１と２０２との間隔）として固定量で
与えられる。移動量の確認は、ウェハステージ４上に設
けられた渦電流センサ１７によりウェハチャック２の下
面位置を計測することによって行なう。
以上説明したように、本実施例の装置では、表面状態が
未確認であるウェハ１の所定ショット１３において、マ
スク８と接触することのない位置（平行出しギャップ２
０１の位置）で両者間の平行出しを行ない、さらにその
平行を保ちつつ両者間のＸ−Ｙ平面上アライメントを行
なう位置（アライメントギャップ２０２の位置）までウ
ェハ１を近付けてアライメントおよび露光を行なうこと
としている。
未確認であるウェハ１の所定ショット１３において、マ
スク８と接触することのない位置（平行出しギャップ２
０１の位置）で両者間の平行出しを行ない、さらにその
平行を保ちつつ両者間のＸ−Ｙ平面上アライメントを行
なう位置（アライメントギャップ２０２の位置）までウ
ェハ１を近付けてアライメントおよび露光を行なうこと
としている。
次に、第３図のフローチャートを参照して、本実施例に
係る露光装置の１ク工八分の露光シーケンスを説明する
。
係る露光装置の１ク工八分の露光シーケンスを説明する
。
前提として、ウェハ１上の最初の露光ショットがマスク
８と対向するよう、Ｘ、Ｙステージ５゜６を駆動し、各
ウェハチャック保持素子３を平行出し状態（第２図（ａ
）の状態）にしであるものとする。
８と対向するよう、Ｘ、Ｙステージ５゜６を駆動し、各
ウェハチャック保持素子３を平行出し状態（第２図（ａ
）の状態）にしであるものとする。
まず、ステップ３０１で検出光学系１２により各計測点
でのマスターウェハ間距離を計る。ステップ３０２では
、前ステップで計測したデータに基づいて、現在露光し
ようとしているウェハ１上のショットの平面を算出し、
平行出し平面からのずれ量Ｚ、Ｗ、、Ｗ、を求める。こ
のとき、４点のデータから求める場合には最小二乗法を
用いて４点を近似的に通る平面を算出し、３点データの
場合は一意に平面を算出する。このずれ量をステップ３
０３で予め設定されている許容量と比較し、許容範囲外
ならステップ３０４に進み、ずれを補正するように各ウ
ェハチャック保持素子３を調整し、ステップ３０１へ戻
り再び計測を繰返す。
でのマスターウェハ間距離を計る。ステップ３０２では
、前ステップで計測したデータに基づいて、現在露光し
ようとしているウェハ１上のショットの平面を算出し、
平行出し平面からのずれ量Ｚ、Ｗ、、Ｗ、を求める。こ
のとき、４点のデータから求める場合には最小二乗法を
用いて４点を近似的に通る平面を算出し、３点データの
場合は一意に平面を算出する。このずれ量をステップ３
０３で予め設定されている許容量と比較し、許容範囲外
ならステップ３０４に進み、ずれを補正するように各ウ
ェハチャック保持素子３を調整し、ステップ３０１へ戻
り再び計測を繰返す。
一方、ステップ３０３で許容範囲内と判定されたなら、
ステップ３０５に進み各ウェハチャック保持素子３に同
量の穆勤量を与え傾きを保ちながらアライメントギャッ
プ２０２の位置までウェハ１をＺ方向に移動させる。次
に、ステップ３０６で検出光学系１２により各計測点で
のマスタークエへ間アライメントずれを計測し、ステッ
プ３０７でこの計測値からＸ、Ｙ平面上でのアライメン
トずれ量Ｘ、Ｙおよび回転ずれθを求める。そして平面
出しの処理と同様に、ステップ３０８でずれ量が許容範
囲内であるか否か判定をし、許容範囲外ならステップ３
０９で補正駆動をし、ステップ３０６へ戻り再び計測を
繰返す。
ステップ３０５に進み各ウェハチャック保持素子３に同
量の穆勤量を与え傾きを保ちながらアライメントギャッ
プ２０２の位置までウェハ１をＺ方向に移動させる。次
に、ステップ３０６で検出光学系１２により各計測点で
のマスタークエへ間アライメントずれを計測し、ステッ
プ３０７でこの計測値からＸ、Ｙ平面上でのアライメン
トずれ量Ｘ、Ｙおよび回転ずれθを求める。そして平面
出しの処理と同様に、ステップ３０８でずれ量が許容範
囲内であるか否か判定をし、許容範囲外ならステップ３
０９で補正駆動をし、ステップ３０６へ戻り再び計測を
繰返す。
ステップ３０８でアライメントずれ量が許容範囲内であ
れば、ステップ３１０に進みマスク上のパターンをウェ
ハ上に焼付ける。本実施例では、アライメントギャップ
を露光ギャップに一致させているため、アライメント終
了後はステージの駆動を必要とせず、直ちに露光処理に
進んでいる。
れば、ステップ３１０に進みマスク上のパターンをウェ
ハ上に焼付ける。本実施例では、アライメントギャップ
を露光ギャップに一致させているため、アライメント終
了後はステージの駆動を必要とせず、直ちに露光処理に
進んでいる。
現在のショットの露光を終了したならば、ステップ３１
１で各ウェハチャック保持素子３を平行出し状態に戻し
、マスターウェハ間距離を拡げる。
１で各ウェハチャック保持素子３を平行出し状態に戻し
、マスターウェハ間距離を拡げる。
次に、ステップ３１２でウェハ上に未露光ショットが残
っているかチエツクし、すべてのショットが露光済であ
れば、ウェハ１枚分の露光が完了したものとしこのシー
ケンスを終了する。
っているかチエツクし、すべてのショットが露光済であ
れば、ウェハ１枚分の露光が完了したものとしこのシー
ケンスを終了する。
もし、未だ露光すべきショットが残っていれば、ステッ
プ３１３で次の露光ショットがマスクと対向するように
Ｘ、Ｙステージを駆動し、ステップ３０１に戻る。そし
て、同様にして平行出し、アライメントおよび露光シー
ケンスを繰返す。なお、ステップ３１３において、マス
ク−ウニへ間の間隔は、両者がＸ、Ｙ方向に移動しても
接触する危険のない位置であり、さらに移動後直ちに平
行出しのギャップ計測が行なえる位置である。
プ３１３で次の露光ショットがマスクと対向するように
Ｘ、Ｙステージを駆動し、ステップ３０１に戻る。そし
て、同様にして平行出し、アライメントおよび露光シー
ケンスを繰返す。なお、ステップ３１３において、マス
ク−ウニへ間の間隔は、両者がＸ、Ｙ方向に移動しても
接触する危険のない位置であり、さらに移動後直ちに平
行出しのギャップ計測が行なえる位置である。
［他の実施例］
第４図は、本発明の他の実施例に係るウェハ１枚分の露
光シーケンスを示すフローチャートである。同図の手順
も第１図に示した露光装置に適用することができる。
光シーケンスを示すフローチャートである。同図の手順
も第１図に示した露光装置に適用することができる。
第４図のシーケンスが第３図のシーケンスと異なるのは
、１シヨツトの露光（ステップ３１０）終了後のマスタ
ーウニへ間ギャップを拡げる処理にある。すなわち前記
の実施例では、第３図ステップ３１１のように、各ウェ
ハチャック保持素子３を平行出し状態に戻しており、ウ
ェハ１の傾きも解除していた。−力木実施例では、第４
図ステップ３１１′のように、傾きは保ちつつ露光ショ
ットの中心が平行出しギャップの位置となるよう各ウェ
ハチャック保持素子３を同量だけ調整する。ウニへのゆ
がみやくさび分による表面の形状は連続的に変化するも
のと予想されるから、平行出しギャップに８勅する際に
本実施例のように傾ぎを保つことにより、次露光ショッ
トが現露光ショットの隣りあるいは近傍である場合に平
行出しシーケンスの追込み処理が短縮できスループ・ン
ト向上が期待できる。
、１シヨツトの露光（ステップ３１０）終了後のマスタ
ーウニへ間ギャップを拡げる処理にある。すなわち前記
の実施例では、第３図ステップ３１１のように、各ウェ
ハチャック保持素子３を平行出し状態に戻しており、ウ
ェハ１の傾きも解除していた。−力木実施例では、第４
図ステップ３１１′のように、傾きは保ちつつ露光ショ
ットの中心が平行出しギャップの位置となるよう各ウェ
ハチャック保持素子３を同量だけ調整する。ウニへのゆ
がみやくさび分による表面の形状は連続的に変化するも
のと予想されるから、平行出しギャップに８勅する際に
本実施例のように傾ぎを保つことにより、次露光ショッ
トが現露光ショットの隣りあるいは近傍である場合に平
行出しシーケンスの追込み処理が短縮できスループ・ン
ト向上が期待できる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば以下のような効果
がある。
がある。
１）マスク等の原板とウェハ等の基板との間の平行出し
ギャップを露光ギャップよりも大きく取っているので、
両者間の位置合せ時に接触する危険をさけることができ
る。
ギャップを露光ギャップよりも大きく取っているので、
両者間の位置合せ時に接触する危険をさけることができ
る。
２）上記平行出しギャップを原板と基板との相対位置穆
動時にも接触しない間順にすることにより、相対移動を
高速にしてスルーブツトの向上を計ることができる。ま
た、相対移動後直ちに平行出しシーケンスに入れるため
のスルーブツト向上の効果がある。
動時にも接触しない間順にすることにより、相対移動を
高速にしてスルーブツトの向上を計ることができる。ま
た、相対移動後直ちに平行出しシーケンスに入れるため
のスルーブツト向上の効果がある。
３）原板と基板との間のＸ−Ｙ平面アライメントの両者
間間隔を露光ギャップまたは平行出しギャップのいずれ
かと同じ間隔に設定することにより、シーケンスの簡略
が可能となりスルーブツトが向上する。
間間隔を露光ギャップまたは平行出しギャップのいずれ
かと同じ間隔に設定することにより、シーケンスの簡略
が可能となりスルーブツトが向上する。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光方法を通用した
露光装置における主要部の構成図、第２図は、上記実施
例のマスク−ウェハ開平行出しのシーケンスを示す概略
図、 第３図は、上記実施例に係る露光装置の１ウェハ分の露
光シーケンスを示すフローチャート、第４図は、本発明
の他の実施例に係るウェハ１枚分の露光シーケンスを示
すフローチャートである。 １ ： ２ ： ３ ： ４ ： ５ ： ６ ＝ ７ ＝ ８ ： ９ ： ウ エハ ウェハチャック、 ウェハチャック保持素子、 θステージ、 Ｘステージ、 Ｙステージ、 ベース、 マスク、 マスクチャック、 ：マスクステージ、 ：フレーム、 ：検出光学系、 ：ウエハ上転写済パターン、 ：マスク上素子パターン、 ：検出光、 ：露光光、 ：渦電流センサ。 第１図 ｏ 。 〜 囚
露光装置における主要部の構成図、第２図は、上記実施
例のマスク−ウェハ開平行出しのシーケンスを示す概略
図、 第３図は、上記実施例に係る露光装置の１ウェハ分の露
光シーケンスを示すフローチャート、第４図は、本発明
の他の実施例に係るウェハ１枚分の露光シーケンスを示
すフローチャートである。 １ ： ２ ： ３ ： ４ ： ５ ： ６ ＝ ７ ＝ ８ ： ９ ： ウ エハ ウェハチャック、 ウェハチャック保持素子、 θステージ、 Ｘステージ、 Ｙステージ、 ベース、 マスク、 マスクチャック、 ：マスクステージ、 ：フレーム、 ：検出光学系、 ：ウエハ上転写済パターン、 ：マスク上素子パターン、 ：検出光、 ：露光光、 ：渦電流センサ。 第１図 ｏ 。 〜 囚
Claims (3)
- （１）焼付けるべきパターンが描かれた原板と基板とを
近接させた状態で対向配置し、該原板上のパターンを基
板の一部に焼付ける分割露光方法において、 上記原板と基板との平行出しを行なう際の原板と基板と
の間隔を、露光する際の原板と基板との間隔よりも大き
く取り、原板と基板との平行出しを行なった後に、原板
と基板との間のＸ−Ｙ平面上のアライメントおよび原板
と基板との間隔を露光時の間隔とする相対的接近を行な
って、露光することを特徴とする露光方法。 - （２）前記原板と基板との間のＸ−Ｙ平面上のアライメ
ントを行なう際の原板と基板との間隔が、前記露光時の
原板と基板との間隔または前記平行出し時の原板と基板
との間隔のいずれかと同一である請求項１に記載の露光
方法。 - （３）前記平行出し時の原板と基板との間隔が、その位
置で原板と基板とを相対的に平面方向移動しても原板と
基板とが接触することのない間隔である請求項１または
２に記載の露光方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63246259A JP2799575B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 露光方法 |
| DE68928860T DE68928860T2 (de) | 1988-09-30 | 1989-09-28 | Belichtungsverfahren |
| EP89309915A EP0361934B1 (en) | 1988-09-30 | 1989-09-28 | Exposure method |
| US08/161,099 US5443932A (en) | 1988-09-30 | 1993-12-03 | Exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63246259A JP2799575B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294515A true JPH0294515A (ja) | 1990-04-05 |
| JP2799575B2 JP2799575B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=17145862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63246259A Expired - Fee Related JP2799575B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 露光方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5443932A (ja) |
| EP (1) | EP0361934B1 (ja) |
| JP (1) | JP2799575B2 (ja) |
| DE (1) | DE68928860T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007512694A (ja) * | 2003-11-28 | 2007-05-17 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | マスク位置調節装置における直接的アライメント |
| JP2010250239A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6122036A (en) * | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| CN1120683A (zh) * | 1994-03-15 | 1996-04-17 | 松下电器产业株式会社 | 曝光方法及其装置 |
| JP2994968B2 (ja) * | 1994-10-06 | 1999-12-27 | ウシオ電機株式会社 | マスクとワークの位置合わせ方法および装置 |
| US5552891A (en) * | 1994-10-31 | 1996-09-03 | International Business Machines Corporation | Automated mask alignment for UV projection expose system |
| JPH08191043A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Nikon Corp | アライメント方法及び該方法で使用される露光装置 |
| JP3634068B2 (ja) | 1995-07-13 | 2005-03-30 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
| US6618120B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-09-09 | Nikon Corporation | Devices and methods for compensating for tilting of a leveling table in a microlithography apparatus |
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| EP2752870A1 (en) * | 2013-01-04 | 2014-07-09 | Süss Microtec Lithography GmbH | Chuck, in particular for use in a mask aligner |
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| JPS5717132A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-28 | Fujitsu Ltd | Formation of microscopic pattern using lithography and device thereof |
| JPS58128735A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-08-01 | Hitachi Ltd | Ｘ線アライナ |
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-
1988
- 1988-09-30 JP JP63246259A patent/JP2799575B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-09-28 EP EP89309915A patent/EP0361934B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-28 DE DE68928860T patent/DE68928860T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-12-03 US US08/161,099 patent/US5443932A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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| JPS62254426A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Hitachi Ltd | 平行出し装置 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68928860D1 (de) | 1999-01-07 |
| DE68928860T2 (de) | 1999-05-12 |
| EP0361934A2 (en) | 1990-04-04 |
| JP2799575B2 (ja) | 1998-09-17 |
| US5443932A (en) | 1995-08-22 |
| EP0361934A3 (en) | 1991-07-03 |
| EP0361934B1 (en) | 1998-11-25 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |