JP2799575B2 - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JP2799575B2 JP2799575B2 JP63246259A JP24625988A JP2799575B2 JP 2799575 B2 JP2799575 B2 JP 2799575B2 JP 63246259 A JP63246259 A JP 63246259A JP 24625988 A JP24625988 A JP 24625988A JP 2799575 B2 JP2799575 B2 JP 2799575B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/201—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ウエハ等の基板とマスク等の原板とを近接
させて基板の一部に原板上のパターンを焼付け、さらに
基板と原板とを相対的に移動させ、両者間の位置合せと
焼付けを繰返す露光方法に関するものである。
させて基板の一部に原板上のパターンを焼付け、さらに
基板と原板とを相対的に移動させ、両者間の位置合せと
焼付けを繰返す露光方法に関するものである。
[従来の技術] 近年、半導体集積回路の進歩、特に高集積化は著し
く、サブミクロンパターンを用いる超LSI開発が活発化
してきた。そして、サブミクロンパターンを実現するた
めに、X線による露光が注目されている。
く、サブミクロンパターンを用いる超LSI開発が活発化
してきた。そして、サブミクロンパターンを実現するた
めに、X線による露光が注目されている。
X線を露光光源として使用する場合には、X線に対す
る適当な縮小レンズがないことからマスクとウエハとを
極めて接近させた状態で対向させ等倍露光する必要があ
る。このため、サブミクロンパターンを等倍でマスク上
に形成しなければならず、さらにウエハの大口径化も考
慮するとウエハ全面を一括露光するマスクを作成するの
は容易でないので、ウエハ面を分割し各分割領域ごとに
マスク−ウエハ間の位置合せと露光を繰返す、いわゆる
ステップアンドリピート方式が採用される傾向にある。
る適当な縮小レンズがないことからマスクとウエハとを
極めて接近させた状態で対向させ等倍露光する必要があ
る。このため、サブミクロンパターンを等倍でマスク上
に形成しなければならず、さらにウエハの大口径化も考
慮するとウエハ全面を一括露光するマスクを作成するの
は容易でないので、ウエハ面を分割し各分割領域ごとに
マスク−ウエハ間の位置合せと露光を繰返す、いわゆる
ステップアンドリピート方式が採用される傾向にある。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、ウエハ平面度(うねりやくさび等)の
現状から見て、マスク−ウエハ間隔を露光時の極めて近
接した位置関係とし、その間隔のまま両者間の位置合せ
および両者間の相対位置の移動を行なうとすれば両者が
接触しマスクパターンを破損する危険がある。
現状から見て、マスク−ウエハ間隔を露光時の極めて近
接した位置関係とし、その間隔のまま両者間の位置合せ
および両者間の相対位置の移動を行なうとすれば両者が
接触しマスクパターンを破損する危険がある。
本発明は、上述の従来形における問題点に鑑み、X線
露光等で原板と基板とを近接させ対向配置して行なう露
光方法において、原板と基板との位置合せや相対位置の
移動を行なう際の両者間の接触をなくすことを目的とす
る。
露光等で原板と基板とを近接させ対向配置して行なう露
光方法において、原板と基板との位置合せや相対位置の
移動を行なう際の両者間の接触をなくすことを目的とす
る。
[課題を解決するための手段および作用] 上記の目的を達成するため、本発明に係る露光方法
は、マスク等の原板とウエハ等の基板との間の位置合せ
のうち、ギャップ(Z方向)と面傾き(Wx,Wy)を取る
両者間間隔を露光ギャップよりも離した位置に設定し、
原板と基板とが接触する危険をさけた状態で両者間の平
行出しを行ない、平行出し後に露光ギャップまで近づけ
ても(対向している範囲では)接触しないようにしたも
のである。さらに、この平行出しギャップを原板と基板
とを相対位置移動しても接触しない位置にすることによ
り、ショット間移動時の接触防止をも達成したものであ
る。
は、マスク等の原板とウエハ等の基板との間の位置合せ
のうち、ギャップ(Z方向)と面傾き(Wx,Wy)を取る
両者間間隔を露光ギャップよりも離した位置に設定し、
原板と基板とが接触する危険をさけた状態で両者間の平
行出しを行ない、平行出し後に露光ギャップまで近づけ
ても(対向している範囲では)接触しないようにしたも
のである。さらに、この平行出しギャップを原板と基板
とを相対位置移動しても接触しない位置にすることによ
り、ショット間移動時の接触防止をも達成したものであ
る。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係る露光方法を適用し
た露光装置における主要部の構成図を示す。同図(a)
は側面からみた断面図であり、同図(b)はマスクや検
出光学系の部分の上面図である。
た露光装置における主要部の構成図を示す。同図(a)
は側面からみた断面図であり、同図(b)はマスクや検
出光学系の部分の上面図である。
まず、同図(a)および(b)において、1はウエ
ハ、2はウエハ1を保持するためのウエハチャックであ
る。ウエハチャック2は、不図示の溝によりウエハ1の
裏面を真空吸着している。なお、チャッキング方法は真
空吸着に限定されるものではなく、いわゆる静電吸着も
実用可能である。3は複数個のウエハチャック保持素子
である。各ウエハチャック保持素子3は、薄板状の導電
体を積重したものであり、これに電圧をかけたときに発
生する導電体の上下方向の変化により高さを調節するよ
うに形成されている。各ウエハチャック保持素子3の高
さを変えることにより、ウエハチャック2ひいてはウエ
ハチャック2の上にチャッキングされているウエハ1の
Z方向および傾き(Wx,Wy)を調節することができる。
本実施例の装置ではウエハチャック保持素子3を3個設
け、任意の傾きを実現できるようにしてある。
ハ、2はウエハ1を保持するためのウエハチャックであ
る。ウエハチャック2は、不図示の溝によりウエハ1の
裏面を真空吸着している。なお、チャッキング方法は真
空吸着に限定されるものではなく、いわゆる静電吸着も
実用可能である。3は複数個のウエハチャック保持素子
である。各ウエハチャック保持素子3は、薄板状の導電
体を積重したものであり、これに電圧をかけたときに発
生する導電体の上下方向の変化により高さを調節するよ
うに形成されている。各ウエハチャック保持素子3の高
さを変えることにより、ウエハチャック2ひいてはウエ
ハチャック2の上にチャッキングされているウエハ1の
Z方向および傾き(Wx,Wy)を調節することができる。
本実施例の装置ではウエハチャック保持素子3を3個設
け、任意の傾きを実現できるようにしてある。
4はθステージで矢印Aの方向に回転可能であり、X
軸ステージ5の上に保持されている。X軸ステージ5は
矢印Bの方向(紙面の左右方向)に移動可能でY軸ステ
ージ6の上に保持されている。さらに、Y軸ステージ6
は矢印Cの方向(紙面に垂直な方向)に移動可能であ
り、ベース7の上に保持されている。9はマスクチャッ
クであり、下端面にマスク8を励磁吸着している。この
吸着も励磁吸着に限定されるものでなく、例えば真空吸
着でもよい。10はマスクステージであり、上記マスクチ
ャック9を固定しフレーム11に保持されている。
軸ステージ5の上に保持されている。X軸ステージ5は
矢印Bの方向(紙面の左右方向)に移動可能でY軸ステ
ージ6の上に保持されている。さらに、Y軸ステージ6
は矢印Cの方向(紙面に垂直な方向)に移動可能であ
り、ベース7の上に保持されている。9はマスクチャッ
クであり、下端面にマスク8を励磁吸着している。この
吸着も励磁吸着に限定されるものでなく、例えば真空吸
着でもよい。10はマスクステージであり、上記マスクチ
ャック9を固定しフレーム11に保持されている。
12は複数個の検出光学系であり、マスク−ウエハ間の
ギャップ(間隔)計測およびマスク−ウエハ間のアライ
メントずれ計測を行なう。本実施例では第1図(b)の
上面図に示すように、検出光学系12を4個設置してい
る。そして、この4点のギャップ計測よりその4点を通
るような近似平面を算出し、平行出し平面からのZ,Wx,W
yずれを求め、また4点のアライメントずれ計測より今
露光しようとするウエハ上の1ショットとマスクとのX,
Y,θずれを求める。
ギャップ(間隔)計測およびマスク−ウエハ間のアライ
メントずれ計測を行なう。本実施例では第1図(b)の
上面図に示すように、検出光学系12を4個設置してい
る。そして、この4点のギャップ計測よりその4点を通
るような近似平面を算出し、平行出し平面からのZ,Wx,W
yずれを求め、また4点のアライメントずれ計測より今
露光しようとするウエハ上の1ショットとマスクとのX,
Y,θずれを求める。
なお、4点すべてが計測できない場合(例えばショッ
トレイアウトより一隅がウエハからはずれている場合や
計測エラー等)にも、残りの情報でZ,Wx,WyおよびX,Y,
θを算出することとしている。さらに、本実施例では各
検出光学系11は1ケ所でのギャップ計測とアライメント
ずれ計測を一つのユニットとしているが、これは本質的
でなく別々にしても差し支えない。
トレイアウトより一隅がウエハからはずれている場合や
計測エラー等)にも、残りの情報でZ,Wx,WyおよびX,Y,
θを算出することとしている。さらに、本実施例では各
検出光学系11は1ケ所でのギャップ計測とアライメント
ずれ計測を一つのユニットとしているが、これは本質的
でなく別々にしても差し支えない。
15は検出光学系12の検出光を示している。検出光15は
傾めに投光しているため、露光時に検出光学系12が露光
光を遮えぎることはない。したがって、露光時に検出光
学系12を退避させる必要はない。
傾めに投光しているため、露光時に検出光学系12が露光
光を遮えぎることはない。したがって、露光時に検出光
学系12を退避させる必要はない。
16は露光光であり、これによりマスク8上に形成され
た素子パターン14を、前レイヤーまでに転写されている
ウエハ1上のパターン13の上に焼付ける。17は渦電流セ
ンサで、θステージ4上に設置されており、ウエハチャ
ック2の下面位置を相対的に計測する。
た素子パターン14を、前レイヤーまでに転写されている
ウエハ1上のパターン13の上に焼付ける。17は渦電流セ
ンサで、θステージ4上に設置されており、ウエハチャ
ック2の下面位置を相対的に計測する。
第2図は、第1図の露光装置においてマスク−ウエハ
間の平行出しからウエハをアライメントギャップへと位
置付けるまでのシーケンスを示す概略図である。同図に
おいて、第1図と同一の付番は同一の部材を示す。同図
(a)〜(c)を用いて本実施例の装置における平行出
し方法を説明する。
間の平行出しからウエハをアライメントギャップへと位
置付けるまでのシーケンスを示す概略図である。同図に
おいて、第1図と同一の付番は同一の部材を示す。同図
(a)〜(c)を用いて本実施例の装置における平行出
し方法を説明する。
同図において、一点鎖線201はウエハ−マスク間の平
行出しを行なう位置を示し、この位置201とマスク8と
の間隔を平行出しギャップと呼ぶ。この平行出しギャッ
プ201は、ウエハチャック2に吸着されているウエハ1
が一定の厚さでなくくさび状であったりまたはうねりを
持っていたとしても、それが予め設定された許容範囲で
あれば、ウエハ1のどの部分がマスク8と対向する位置
にきてもマスク8とウエハ1とが接触する危険がないよ
うなギャップである。ここでは平行出しギャップ201を
マスクの下面から70μmに設定している。二点鎖線202
はウエハ−マスク間のX−Y平面上のアライメントを行
なう位置を示し、この位置202とマスク8との間隔をア
ライメントギャップと呼ぶ。なお、本実施例において
は、このアライメントギャップ202を露光ギャップ(露
光時のウエハ−マスク間の間隔)と一致させている。し
たがって、アライメント終了後、ステージを動かさずに
露光に入ることができる。このアライメントギャップ20
2は各レイヤ毎のパターン状態や露光条件により可変で
きるようになっており、ここではマスクの下面から50〜
10μmに設定している。
行出しを行なう位置を示し、この位置201とマスク8と
の間隔を平行出しギャップと呼ぶ。この平行出しギャッ
プ201は、ウエハチャック2に吸着されているウエハ1
が一定の厚さでなくくさび状であったりまたはうねりを
持っていたとしても、それが予め設定された許容範囲で
あれば、ウエハ1のどの部分がマスク8と対向する位置
にきてもマスク8とウエハ1とが接触する危険がないよ
うなギャップである。ここでは平行出しギャップ201を
マスクの下面から70μmに設定している。二点鎖線202
はウエハ−マスク間のX−Y平面上のアライメントを行
なう位置を示し、この位置202とマスク8との間隔をア
ライメントギャップと呼ぶ。なお、本実施例において
は、このアライメントギャップ202を露光ギャップ(露
光時のウエハ−マスク間の間隔)と一致させている。し
たがって、アライメント終了後、ステージを動かさずに
露光に入ることができる。このアライメントギャップ20
2は各レイヤ毎のパターン状態や露光条件により可変で
きるようになっており、ここではマスクの下面から50〜
10μmに設定している。
第2図(a)は、くさび成分を持ったウエハ1がウエ
ハチャック2にチャッキングされた状態を示す。ウエハ
チャック保持素子3は平行出し状態とする。平行出し状
態とは、標準ウエハ(くさびもうねりもない設計厚のウ
エハ)をチャッキングしたときにウエハ表面が平行出し
ギャップ201に一致するように、すべてのウエハチャッ
ク保持素子3の高さが調整されている状態を言う。この
状態で、検出光学系12により各計測点のマスク−ウエハ
間距離を計り、ウエハ1の表面、特に現在露光しようと
しているショットが形成する平面を算出し、さらに平行
出し平面からのずれZ,Wx,Wyを求める。
ハチャック2にチャッキングされた状態を示す。ウエハ
チャック保持素子3は平行出し状態とする。平行出し状
態とは、標準ウエハ(くさびもうねりもない設計厚のウ
エハ)をチャッキングしたときにウエハ表面が平行出し
ギャップ201に一致するように、すべてのウエハチャッ
ク保持素子3の高さが調整されている状態を言う。この
状態で、検出光学系12により各計測点のマスク−ウエハ
間距離を計り、ウエハ1の表面、特に現在露光しようと
しているショットが形成する平面を算出し、さらに平行
出し平面からのずれZ,Wx,Wyを求める。
第2図(b)は、ずれZ,Wx,Wyを補正するため各ウエ
ハチャック保持素子3の駆動量を求めその量に従い補正
駆動をした状態である。補正駆動後には再度検出光学系
12でマスク−ウエハ間の距離を計り、平行出し平面から
の残ずれ量を求める。残ずれ量が予め設定されている許
容範囲内であれば次の処理に進み、もし許容範囲外なら
補正駆動を再び繰返しさらに残ずれ量のチェックをす
る。
ハチャック保持素子3の駆動量を求めその量に従い補正
駆動をした状態である。補正駆動後には再度検出光学系
12でマスク−ウエハ間の距離を計り、平行出し平面から
の残ずれ量を求める。残ずれ量が予め設定されている許
容範囲内であれば次の処理に進み、もし許容範囲外なら
補正駆動を再び繰返しさらに残ずれ量のチェックをす
る。
第2図(c)は、平行出しギャップ201の位置にある
ウエハ1の所定ショット13がその平面の傾きを保ちつ
つ、アライメントギャップ202に位置付けられるような
各ウエハチャック保持素子3を調節した状態である。こ
の移動量は平行出しギャップとアライメントギャップと
の差(位置201と202との間隔)として固定量で与えられ
る。移動量の確認は、ウエハステージ4上に設けられた
渦電流センサ17によりウエハチャック2の下面位置を計
測することによって行なう。
ウエハ1の所定ショット13がその平面の傾きを保ちつ
つ、アライメントギャップ202に位置付けられるような
各ウエハチャック保持素子3を調節した状態である。こ
の移動量は平行出しギャップとアライメントギャップと
の差(位置201と202との間隔)として固定量で与えられ
る。移動量の確認は、ウエハステージ4上に設けられた
渦電流センサ17によりウエハチャック2の下面位置を計
測することによって行なう。
以上説明したように、本実施例の装置では、表面状態
が未確認であるウエハ1の所定ショット13において、マ
スク8と接触することのない位置(平行出しギャップ20
1の位置)で両者間の平行出しを行ない、さらにその平
行を保ちつつ両者間のX−Y平面上アライメントを行な
う位置(アライメントギャップ202の位置)までウエハ
1を近付けてアライメントおよび露光を行なうこととし
ている。
が未確認であるウエハ1の所定ショット13において、マ
スク8と接触することのない位置(平行出しギャップ20
1の位置)で両者間の平行出しを行ない、さらにその平
行を保ちつつ両者間のX−Y平面上アライメントを行な
う位置(アライメントギャップ202の位置)までウエハ
1を近付けてアライメントおよび露光を行なうこととし
ている。
次に、第3図のフローチャートを参照して、本実施例
に係る露光装置の1ウエハ分の露光シーケンスを説明す
る。
に係る露光装置の1ウエハ分の露光シーケンスを説明す
る。
前提として、ウエハ1上の最初の露光ショットがマス
ク8と対向するよう、X,Yステージ5,6を駆動し、各ウエ
ハチャック保持素子3を平行出し状態(第2図(a)の
状態)にしてあるものとする。
ク8と対向するよう、X,Yステージ5,6を駆動し、各ウエ
ハチャック保持素子3を平行出し状態(第2図(a)の
状態)にしてあるものとする。
まず、ステップ301で検出光学系12により各計測点で
のマスク−ウエハ間距離を計る。ステップ302では、前
ステップで計測したデータに基づいて、現在露光しよう
としているウエハ1上のショットの平面を算出し、平行
出し平面からのずれ量Z,Wx,Wyを求める。このとき、4
点のデータから求める場合には最小二乗法を用いて4点
を近似的に通る平面を算出し、3点データの場合は一意
に平面を算出する。このずれ量をステップ303で予め設
定されている許容量と比較し、許容範囲外ならステップ
304に進み、ずれを補正するように各ウエハチャック保
持素子3を調整し、ステップ301へ戻り再び計測を繰返
す。
のマスク−ウエハ間距離を計る。ステップ302では、前
ステップで計測したデータに基づいて、現在露光しよう
としているウエハ1上のショットの平面を算出し、平行
出し平面からのずれ量Z,Wx,Wyを求める。このとき、4
点のデータから求める場合には最小二乗法を用いて4点
を近似的に通る平面を算出し、3点データの場合は一意
に平面を算出する。このずれ量をステップ303で予め設
定されている許容量と比較し、許容範囲外ならステップ
304に進み、ずれを補正するように各ウエハチャック保
持素子3を調整し、ステップ301へ戻り再び計測を繰返
す。
一方、ステップ303で許容範囲内と判定されたなら、
ステップ305に進み各ウエハチャック保持素子3に同量
の移動量を与え傾きを保ちながらアライメントギャップ
202の位置までウエハ1をZ方向に移動させる。次に、
ステップ306で検出光学系12により各計測点でのマスク
−ウエハ間アライメントずれを計測し、ステップ307で
この計測値からX,Y平面上でのアライメントずれ量X,Yお
よび回転ずれθを求める。そして平面出しの処理と同様
に、ステップ308でずれ量が許容範囲内であるか否か判
定をし、許容範囲外ならステップ309で補正駆動をし、
ステップ306へ戻り再び計測を繰返す。
ステップ305に進み各ウエハチャック保持素子3に同量
の移動量を与え傾きを保ちながらアライメントギャップ
202の位置までウエハ1をZ方向に移動させる。次に、
ステップ306で検出光学系12により各計測点でのマスク
−ウエハ間アライメントずれを計測し、ステップ307で
この計測値からX,Y平面上でのアライメントずれ量X,Yお
よび回転ずれθを求める。そして平面出しの処理と同様
に、ステップ308でずれ量が許容範囲内であるか否か判
定をし、許容範囲外ならステップ309で補正駆動をし、
ステップ306へ戻り再び計測を繰返す。
ステップ308でアライメントずれ量が許容範囲内であ
れば、ステップ310に進みマスク上のパターンをウエハ
上に焼付ける。本実施例では、アライメントギャップを
露光ギャップに一致させているため、アライメント終了
後はステージの駆動を必要とせず、直ちに露光処理に進
んでいる。現在のショットの露光を終了したならば、ス
テップ311で各ウエハチャック保持素子3を平行出し状
態に戻し、マスク−ウエハ間距離を拡げる。次に、ステ
ップ312でウエハ上に未露光ショットが残っているかチ
ェックし、すべてのショットが露光済であれば、ウエハ
1枚分の露光が完了したものとしこのシーケンスを終了
する。
れば、ステップ310に進みマスク上のパターンをウエハ
上に焼付ける。本実施例では、アライメントギャップを
露光ギャップに一致させているため、アライメント終了
後はステージの駆動を必要とせず、直ちに露光処理に進
んでいる。現在のショットの露光を終了したならば、ス
テップ311で各ウエハチャック保持素子3を平行出し状
態に戻し、マスク−ウエハ間距離を拡げる。次に、ステ
ップ312でウエハ上に未露光ショットが残っているかチ
ェックし、すべてのショットが露光済であれば、ウエハ
1枚分の露光が完了したものとしこのシーケンスを終了
する。
もし、未だ露光すべきショットが残っていれば、ステ
ップ313で次の露光ショットがマスクと対向するように
X,Yステージを駆動し、ステップ301に戻る。そして、同
様にして平行出し、アライメントおよび露光シーケンス
を繰返す。なお、ステップ313において、マスク−ウエ
ハ間の間隔は、両者がX,Y方向に移動しても接触する危
険のない位置であり、さらに移動後直ちに平行出しのギ
ャップ計測が行なえる位置である。
ップ313で次の露光ショットがマスクと対向するように
X,Yステージを駆動し、ステップ301に戻る。そして、同
様にして平行出し、アライメントおよび露光シーケンス
を繰返す。なお、ステップ313において、マスク−ウエ
ハ間の間隔は、両者がX,Y方向に移動しても接触する危
険のない位置であり、さらに移動後直ちに平行出しのギ
ャップ計測が行なえる位置である。
[他の実施例] 第4図は、本発明の他の実施例に係るウエハ1枚分の
露光シーケンスを示すフローチャートである。同図の手
順も第1図に示した露光装置に適用することができる。
露光シーケンスを示すフローチャートである。同図の手
順も第1図に示した露光装置に適用することができる。
第4図のシーケンスが第3図のシーケンスと異なるの
は、1ショットの露光(ステップ310)終了後のマスク
−ウエハ間ギャップを拡げる処理にある。すなわち前記
の実施例では、第3図ステップ311のように、各ウエハ
チャック保持素子3を平行出し状態に戻しており、ウエ
ハ1の傾きも解除していた。一方本実施例では、第4図
ステップ311′のように、傾きは保ちつつ露光ショット
の中心が平行出しギャップの位置となるよう各ウエハチ
ャック保持素子3を同量だけ調整する。ウエハのゆがみ
やくさび分による表面の形状は連続的に変化するものと
予想されるから、平行出しギャップに移動する際に本実
施例のように傾きを保つことにより、次露光ショットが
現露光ショットの隣りあるいは近傍である場合に平行出
しシーケンスの追込み処理が短縮できスループット向上
が期待できる。
は、1ショットの露光(ステップ310)終了後のマスク
−ウエハ間ギャップを拡げる処理にある。すなわち前記
の実施例では、第3図ステップ311のように、各ウエハ
チャック保持素子3を平行出し状態に戻しており、ウエ
ハ1の傾きも解除していた。一方本実施例では、第4図
ステップ311′のように、傾きは保ちつつ露光ショット
の中心が平行出しギャップの位置となるよう各ウエハチ
ャック保持素子3を同量だけ調整する。ウエハのゆがみ
やくさび分による表面の形状は連続的に変化するものと
予想されるから、平行出しギャップに移動する際に本実
施例のように傾きを保つことにより、次露光ショットが
現露光ショットの隣りあるいは近傍である場合に平行出
しシーケンスの追込み処理が短縮できスループット向上
が期待できる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば以下のような効
果がある。
果がある。
1)マスク等の原板とウエハ等の基板との間の平行出し
ギャップを露光ギャップよりも大きく取っているので、
両者間の位置合せ時に接触する危険をさけることができ
る。
ギャップを露光ギャップよりも大きく取っているので、
両者間の位置合せ時に接触する危険をさけることができ
る。
2)上記平行出しギャップを原板と基板との相対位置移
動時にも接触しない間隔にすることにより、相対移動を
高速にしてスループットの向上を計ることができる。ま
た、相対移動後直ちに平行出しシーケンスに入れるため
のスループット向上の効果がある。
動時にも接触しない間隔にすることにより、相対移動を
高速にしてスループットの向上を計ることができる。ま
た、相対移動後直ちに平行出しシーケンスに入れるため
のスループット向上の効果がある。
3)原板と基板との間のX−Y平面アライメントの両者
間間隔を露光ギャップまたは平行出しギャップのいずれ
かと同じ間隔に設定することにより、シーケンスの簡略
が可能となりスループットが向上する。
間間隔を露光ギャップまたは平行出しギャップのいずれ
かと同じ間隔に設定することにより、シーケンスの簡略
が可能となりスループットが向上する。
第1図は、本発明の一実施例に係る露光方法を適用した
露光装置における主要部の構成図、 第2図は、上記実施例のマスク−ウエハ間平行出しのシ
ーケンスを示す概略図、 第3図は、上記実施例に係る露光装置の1ウエハ分の露
光シーケンスを示すフローチャート、 第4図は、本発明の他の実施例に係るウエハ1枚分の露
光シーケンスを示すフローチャートである。 1:ウエハ、 2:ウエハチャック、 3:ウエハチャック保持素子、 4:θステージ、 5:Xステージ、 6:Yステージ、 7:ベース、 8:マスク、 9:マスクチャック、 10:マスクステージ、 11:フレーム、 12:検出光学系、 13:ウエハ上転写済パターン、 14:マスク上素子パターン、 15:検出光、 16:露光光、 17:渦電流センサ。
露光装置における主要部の構成図、 第2図は、上記実施例のマスク−ウエハ間平行出しのシ
ーケンスを示す概略図、 第3図は、上記実施例に係る露光装置の1ウエハ分の露
光シーケンスを示すフローチャート、 第4図は、本発明の他の実施例に係るウエハ1枚分の露
光シーケンスを示すフローチャートである。 1:ウエハ、 2:ウエハチャック、 3:ウエハチャック保持素子、 4:θステージ、 5:Xステージ、 6:Yステージ、 7:ベース、 8:マスク、 9:マスクチャック、 10:マスクステージ、 11:フレーム、 12:検出光学系、 13:ウエハ上転写済パターン、 14:マスク上素子パターン、 15:検出光、 16:露光光、 17:渦電流センサ。
フロントページの続き (72)発明者 鵜澤 俊一 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−254426(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (3)
- 【請求項1】パターンが描かれたマスクとウエハとを近
接させた状態で対向配置し、該マスク上のパターンをウ
エハの複数の領域にステップアンドリピート方式で順次
露光転写する露光方法において、 上記マスクとウエハとの平行出しを行なう際のマスクと
ウエハとの間隔を、露光する際のマスクとウエハとの間
隔よりも大きく取り、マスクとウエハとの平行出しを行
なった後に、マスクとウエハとの間のX−Y平面におけ
るアライメントおよびマスクとウエハとの間隔を露光時
の間隔とする相対的接近をさせて露光を行ない、その
後、ウエハの次の領域にステップ移動することを特徴と
する露光方法。 - 【請求項2】前記マスクとウエハとの間のX−Y平面上
のアライメントを行なう際のマスクとウエハとの間隔
が、前記露光時のマスクとウエハとの間隔または前記平
行出し時のマスクとウエハとの間隔のいずれかと同一で
ある請求項1に記載の露光方法。 - 【請求項3】前記ステップ移動させる際のマスクとウエ
ハとの間隔が、前記平行出し時のマスクとウエハとの間
隔と同一である請求項1または2に記載の露光方法。
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JPS6184018A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-04-28 | Hitachi Ltd | X線露光装置 |
US4623608A (en) * | 1985-03-14 | 1986-11-18 | Rca Corporation | Method and apparatus for coating a selected area of the surface of an object |
JPH0622192B2 (ja) * | 1985-04-25 | 1994-03-23 | キヤノン株式会社 | 表示パネル製造方法 |
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DE3623891A1 (de) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Siemens Ag | Anordnung zur genauen gegenseitigen ausrichtung einer maske und einer halbleiterscheibe in einem lithographiegeraet und verfahren zu ihrem betrieb |
EP0263349A1 (de) * | 1986-10-06 | 1988-04-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Stosswellenquelle |
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US4870668A (en) * | 1987-12-30 | 1989-09-26 | Hampshire Instruments, Inc. | Gap sensing/adjustment apparatus and method for a lithography machine |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63246259A patent/JP2799575B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-09-28 EP EP89309915A patent/EP0361934B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-28 DE DE68928860T patent/DE68928860T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-12-03 US US08/161,099 patent/US5443932A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
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EP0361934A3 (en) | 1991-07-03 |
DE68928860D1 (de) | 1999-01-07 |
EP0361934B1 (en) | 1998-11-25 |
US5443932A (en) | 1995-08-22 |
DE68928860T2 (de) | 1999-05-12 |
EP0361934A2 (en) | 1990-04-04 |
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