JP2799575B2 - 露光方法 - Google Patents
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/201—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ウエハ等の基板とマスク等の原板とを近接
させて基板の一部に原板上のパターンを焼付け、さらに
基板と原板とを相対的に移動させ、両者間の位置合せと
焼付けを繰返す露光方法に関するものである。
させて基板の一部に原板上のパターンを焼付け、さらに
基板と原板とを相対的に移動させ、両者間の位置合せと
焼付けを繰返す露光方法に関するものである。
［従来の技術］ 近年、半導体集積回路の進歩、特に高集積化は著し
く、サブミクロンパターンを用いる超LSI開発が活発化
してきた。そして、サブミクロンパターンを実現するた
めに、Ｘ線による露光が注目されている。
く、サブミクロンパターンを用いる超LSI開発が活発化
してきた。そして、サブミクロンパターンを実現するた
めに、Ｘ線による露光が注目されている。
Ｘ線を露光光源として使用する場合には、Ｘ線に対す
る適当な縮小レンズがないことからマスクとウエハとを
極めて接近させた状態で対向させ等倍露光する必要があ
る。このため、サブミクロンパターンを等倍でマスク上
に形成しなければならず、さらにウエハの大口径化も考
慮するとウエハ全面を一括露光するマスクを作成するの
は容易でないので、ウエハ面を分割し各分割領域ごとに
マスク−ウエハ間の位置合せと露光を繰返す、いわゆる
ステップアンドリピート方式が採用される傾向にある。
る適当な縮小レンズがないことからマスクとウエハとを
極めて接近させた状態で対向させ等倍露光する必要があ
る。このため、サブミクロンパターンを等倍でマスク上
に形成しなければならず、さらにウエハの大口径化も考
慮するとウエハ全面を一括露光するマスクを作成するの
は容易でないので、ウエハ面を分割し各分割領域ごとに
マスク−ウエハ間の位置合せと露光を繰返す、いわゆる
ステップアンドリピート方式が採用される傾向にある。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、ウエハ平面度（うねりやくさび等）の
現状から見て、マスク−ウエハ間隔を露光時の極めて近
接した位置関係とし、その間隔のまま両者間の位置合せ
および両者間の相対位置の移動を行なうとすれば両者が
接触しマスクパターンを破損する危険がある。
現状から見て、マスク−ウエハ間隔を露光時の極めて近
接した位置関係とし、その間隔のまま両者間の位置合せ
および両者間の相対位置の移動を行なうとすれば両者が
接触しマスクパターンを破損する危険がある。
本発明は、上述の従来形における問題点に鑑み、Ｘ線
露光等で原板と基板とを近接させ対向配置して行なう露
光方法において、原板と基板との位置合せや相対位置の
移動を行なう際の両者間の接触をなくすことを目的とす
る。
露光等で原板と基板とを近接させ対向配置して行なう露
光方法において、原板と基板との位置合せや相対位置の
移動を行なう際の両者間の接触をなくすことを目的とす
る。
［課題を解決するための手段および作用］ 上記の目的を達成するため、本発明に係る露光方法
は、マスク等の原板とウエハ等の基板との間の位置合せ
のうち、ギャップ（Ｚ方向）と面傾き（Wx,Wy）を取る
両者間間隔を露光ギャップよりも離した位置に設定し、
原板と基板とが接触する危険をさけた状態で両者間の平
行出しを行ない、平行出し後に露光ギャップまで近づけ
ても（対向している範囲では）接触しないようにしたも
のである。さらに、この平行出しギャップを原板と基板
とを相対位置移動しても接触しない位置にすることによ
り、ショット間移動時の接触防止をも達成したものであ
る。
は、マスク等の原板とウエハ等の基板との間の位置合せ
のうち、ギャップ（Ｚ方向）と面傾き（Wx,Wy）を取る
両者間間隔を露光ギャップよりも離した位置に設定し、
原板と基板とが接触する危険をさけた状態で両者間の平
行出しを行ない、平行出し後に露光ギャップまで近づけ
ても（対向している範囲では）接触しないようにしたも
のである。さらに、この平行出しギャップを原板と基板
とを相対位置移動しても接触しない位置にすることによ
り、ショット間移動時の接触防止をも達成したものであ
る。
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光方法を適用し
た露光装置における主要部の構成図を示す。同図（ａ）
は側面からみた断面図であり、同図（ｂ）はマスクや検
出光学系の部分の上面図である。
た露光装置における主要部の構成図を示す。同図（ａ）
は側面からみた断面図であり、同図（ｂ）はマスクや検
出光学系の部分の上面図である。
まず、同図（ａ）および（ｂ）において、１はウエ
ハ、２はウエハ１を保持するためのウエハチャックであ
る。ウエハチャック２は、不図示の溝によりウエハ１の
裏面を真空吸着している。なお、チャッキング方法は真
空吸着に限定されるものではなく、いわゆる静電吸着も
実用可能である。３は複数個のウエハチャック保持素子
である。各ウエハチャック保持素子３は、薄板状の導電
体を積重したものであり、これに電圧をかけたときに発
生する導電体の上下方向の変化により高さを調節するよ
うに形成されている。各ウエハチャック保持素子３の高
さを変えることにより、ウエハチャック２ひいてはウエ
ハチャック２の上にチャッキングされているウエハ１の
Ｚ方向および傾き（Wx,Wy）を調節することができる。
本実施例の装置ではウエハチャック保持素子３を３個設
け、任意の傾きを実現できるようにしてある。
ハ、２はウエハ１を保持するためのウエハチャックであ
る。ウエハチャック２は、不図示の溝によりウエハ１の
裏面を真空吸着している。なお、チャッキング方法は真
空吸着に限定されるものではなく、いわゆる静電吸着も
実用可能である。３は複数個のウエハチャック保持素子
である。各ウエハチャック保持素子３は、薄板状の導電
体を積重したものであり、これに電圧をかけたときに発
生する導電体の上下方向の変化により高さを調節するよ
うに形成されている。各ウエハチャック保持素子３の高
さを変えることにより、ウエハチャック２ひいてはウエ
ハチャック２の上にチャッキングされているウエハ１の
Ｚ方向および傾き（Wx,Wy）を調節することができる。
本実施例の装置ではウエハチャック保持素子３を３個設
け、任意の傾きを実現できるようにしてある。
４はθステージで矢印Ａの方向に回転可能であり、Ｘ
軸ステージ５の上に保持されている。Ｘ軸ステージ５は
矢印Ｂの方向（紙面の左右方向）に移動可能でＹ軸ステ
ージ６の上に保持されている。さらに、Ｙ軸ステージ６
は矢印Ｃの方向（紙面に垂直な方向）に移動可能であ
り、ベース７の上に保持されている。９はマスクチャッ
クであり、下端面にマスク８を励磁吸着している。この
吸着も励磁吸着に限定されるものでなく、例えば真空吸
着でもよい。10はマスクステージであり、上記マスクチ
ャック９を固定しフレーム11に保持されている。
軸ステージ５の上に保持されている。Ｘ軸ステージ５は
矢印Ｂの方向（紙面の左右方向）に移動可能でＹ軸ステ
ージ６の上に保持されている。さらに、Ｙ軸ステージ６
は矢印Ｃの方向（紙面に垂直な方向）に移動可能であ
り、ベース７の上に保持されている。９はマスクチャッ
クであり、下端面にマスク８を励磁吸着している。この
吸着も励磁吸着に限定されるものでなく、例えば真空吸
着でもよい。10はマスクステージであり、上記マスクチ
ャック９を固定しフレーム11に保持されている。
12は複数個の検出光学系であり、マスク−ウエハ間の
ギャップ（間隔）計測およびマスク−ウエハ間のアライ
メントずれ計測を行なう。本実施例では第１図（ｂ）の
上面図に示すように、検出光学系12を４個設置してい
る。そして、この４点のギャップ計測よりその４点を通
るような近似平面を算出し、平行出し平面からのZ,Wx,W
yずれを求め、また４点のアライメントずれ計測より今
露光しようとするウエハ上の１ショットとマスクとのX,
Y,θずれを求める。
ギャップ（間隔）計測およびマスク−ウエハ間のアライ
メントずれ計測を行なう。本実施例では第１図（ｂ）の
上面図に示すように、検出光学系12を４個設置してい
る。そして、この４点のギャップ計測よりその４点を通
るような近似平面を算出し、平行出し平面からのZ,Wx,W
yずれを求め、また４点のアライメントずれ計測より今
露光しようとするウエハ上の１ショットとマスクとのX,
Y,θずれを求める。
なお、４点すべてが計測できない場合（例えばショッ
トレイアウトより一隅がウエハからはずれている場合や
計測エラー等）にも、残りの情報でZ,Wx,WyおよびX,Y,
θを算出することとしている。さらに、本実施例では各
検出光学系11は１ケ所でのギャップ計測とアライメント
ずれ計測を一つのユニットとしているが、これは本質的
でなく別々にしても差し支えない。
トレイアウトより一隅がウエハからはずれている場合や
計測エラー等）にも、残りの情報でZ,Wx,WyおよびX,Y,
θを算出することとしている。さらに、本実施例では各
検出光学系11は１ケ所でのギャップ計測とアライメント
ずれ計測を一つのユニットとしているが、これは本質的
でなく別々にしても差し支えない。
15は検出光学系12の検出光を示している。検出光15は
傾めに投光しているため、露光時に検出光学系12が露光
光を遮えぎることはない。したがって、露光時に検出光
学系12を退避させる必要はない。
傾めに投光しているため、露光時に検出光学系12が露光
光を遮えぎることはない。したがって、露光時に検出光
学系12を退避させる必要はない。
16は露光光であり、これによりマスク８上に形成され
た素子パターン14を、前レイヤーまでに転写されている
ウエハ１上のパターン13の上に焼付ける。17は渦電流セ
ンサで、θステージ４上に設置されており、ウエハチャ
ック２の下面位置を相対的に計測する。
た素子パターン14を、前レイヤーまでに転写されている
ウエハ１上のパターン13の上に焼付ける。17は渦電流セ
ンサで、θステージ４上に設置されており、ウエハチャ
ック２の下面位置を相対的に計測する。
第２図は、第１図の露光装置においてマスク−ウエハ
間の平行出しからウエハをアライメントギャップへと位
置付けるまでのシーケンスを示す概略図である。同図に
おいて、第１図と同一の付番は同一の部材を示す。同図
（ａ）〜（ｃ）を用いて本実施例の装置における平行出
し方法を説明する。
間の平行出しからウエハをアライメントギャップへと位
置付けるまでのシーケンスを示す概略図である。同図に
おいて、第１図と同一の付番は同一の部材を示す。同図
（ａ）〜（ｃ）を用いて本実施例の装置における平行出
し方法を説明する。
同図において、一点鎖線201はウエハ−マスク間の平
行出しを行なう位置を示し、この位置201とマスク８と
の間隔を平行出しギャップと呼ぶ。この平行出しギャッ
プ201は、ウエハチャック２に吸着されているウエハ１
が一定の厚さでなくくさび状であったりまたはうねりを
持っていたとしても、それが予め設定された許容範囲で
あれば、ウエハ１のどの部分がマスク８と対向する位置
にきてもマスク８とウエハ１とが接触する危険がないよ
うなギャップである。ここでは平行出しギャップ201を
マスクの下面から70μｍに設定している。二点鎖線202
はウエハ−マスク間のＸ−Ｙ平面上のアライメントを行
なう位置を示し、この位置202とマスク８との間隔をア
ライメントギャップと呼ぶ。なお、本実施例において
は、このアライメントギャップ202を露光ギャップ（露
光時のウエハ−マスク間の間隔）と一致させている。し
たがって、アライメント終了後、ステージを動かさずに
露光に入ることができる。このアライメントギャップ20
2は各レイヤ毎のパターン状態や露光条件により可変で
きるようになっており、ここではマスクの下面から50〜
10μｍに設定している。
行出しを行なう位置を示し、この位置201とマスク８と
の間隔を平行出しギャップと呼ぶ。この平行出しギャッ
プ201は、ウエハチャック２に吸着されているウエハ１
が一定の厚さでなくくさび状であったりまたはうねりを
持っていたとしても、それが予め設定された許容範囲で
あれば、ウエハ１のどの部分がマスク８と対向する位置
にきてもマスク８とウエハ１とが接触する危険がないよ
うなギャップである。ここでは平行出しギャップ201を
マスクの下面から70μｍに設定している。二点鎖線202
はウエハ−マスク間のＸ−Ｙ平面上のアライメントを行
なう位置を示し、この位置202とマスク８との間隔をア
ライメントギャップと呼ぶ。なお、本実施例において
は、このアライメントギャップ202を露光ギャップ（露
光時のウエハ−マスク間の間隔）と一致させている。し
たがって、アライメント終了後、ステージを動かさずに
露光に入ることができる。このアライメントギャップ20
2は各レイヤ毎のパターン状態や露光条件により可変で
きるようになっており、ここではマスクの下面から50〜
10μｍに設定している。
第２図（ａ）は、くさび成分を持ったウエハ１がウエ
ハチャック２にチャッキングされた状態を示す。ウエハ
チャック保持素子３は平行出し状態とする。平行出し状
態とは、標準ウエハ（くさびもうねりもない設計厚のウ
エハ）をチャッキングしたときにウエハ表面が平行出し
ギャップ201に一致するように、すべてのウエハチャッ
ク保持素子３の高さが調整されている状態を言う。この
状態で、検出光学系12により各計測点のマスク−ウエハ
間距離を計り、ウエハ１の表面、特に現在露光しようと
しているショットが形成する平面を算出し、さらに平行
出し平面からのずれZ,Wx,Wyを求める。
ハチャック２にチャッキングされた状態を示す。ウエハ
チャック保持素子３は平行出し状態とする。平行出し状
態とは、標準ウエハ（くさびもうねりもない設計厚のウ
エハ）をチャッキングしたときにウエハ表面が平行出し
ギャップ201に一致するように、すべてのウエハチャッ
ク保持素子３の高さが調整されている状態を言う。この
状態で、検出光学系12により各計測点のマスク−ウエハ
間距離を計り、ウエハ１の表面、特に現在露光しようと
しているショットが形成する平面を算出し、さらに平行
出し平面からのずれZ,Wx,Wyを求める。
第２図（ｂ）は、ずれZ,Wx,Wyを補正するため各ウエ
ハチャック保持素子３の駆動量を求めその量に従い補正
駆動をした状態である。補正駆動後には再度検出光学系
12でマスク−ウエハ間の距離を計り、平行出し平面から
の残ずれ量を求める。残ずれ量が予め設定されている許
容範囲内であれば次の処理に進み、もし許容範囲外なら
補正駆動を再び繰返しさらに残ずれ量のチェックをす
る。
ハチャック保持素子３の駆動量を求めその量に従い補正
駆動をした状態である。補正駆動後には再度検出光学系
12でマスク−ウエハ間の距離を計り、平行出し平面から
の残ずれ量を求める。残ずれ量が予め設定されている許
容範囲内であれば次の処理に進み、もし許容範囲外なら
補正駆動を再び繰返しさらに残ずれ量のチェックをす
る。
第２図（ｃ）は、平行出しギャップ201の位置にある
ウエハ１の所定ショット13がその平面の傾きを保ちつ
つ、アライメントギャップ202に位置付けられるような
各ウエハチャック保持素子３を調節した状態である。こ
の移動量は平行出しギャップとアライメントギャップと
の差（位置201と202との間隔）として固定量で与えられ
る。移動量の確認は、ウエハステージ４上に設けられた
渦電流センサ17によりウエハチャック２の下面位置を計
測することによって行なう。
ウエハ１の所定ショット13がその平面の傾きを保ちつ
つ、アライメントギャップ202に位置付けられるような
各ウエハチャック保持素子３を調節した状態である。こ
の移動量は平行出しギャップとアライメントギャップと
の差（位置201と202との間隔）として固定量で与えられ
る。移動量の確認は、ウエハステージ４上に設けられた
渦電流センサ17によりウエハチャック２の下面位置を計
測することによって行なう。
以上説明したように、本実施例の装置では、表面状態
が未確認であるウエハ１の所定ショット13において、マ
スク８と接触することのない位置（平行出しギャップ20
1の位置）で両者間の平行出しを行ない、さらにその平
行を保ちつつ両者間のＸ−Ｙ平面上アライメントを行な
う位置（アライメントギャップ202の位置）までウエハ
１を近付けてアライメントおよび露光を行なうこととし
ている。
が未確認であるウエハ１の所定ショット13において、マ
スク８と接触することのない位置（平行出しギャップ20
1の位置）で両者間の平行出しを行ない、さらにその平
行を保ちつつ両者間のＸ−Ｙ平面上アライメントを行な
う位置（アライメントギャップ202の位置）までウエハ
１を近付けてアライメントおよび露光を行なうこととし
ている。
次に、第３図のフローチャートを参照して、本実施例
に係る露光装置の１ウエハ分の露光シーケンスを説明す
る。
に係る露光装置の１ウエハ分の露光シーケンスを説明す
る。
前提として、ウエハ１上の最初の露光ショットがマス
ク８と対向するよう、X,Yステージ5,6を駆動し、各ウエ
ハチャック保持素子３を平行出し状態（第２図（ａ）の
状態）にしてあるものとする。
ク８と対向するよう、X,Yステージ5,6を駆動し、各ウエ
ハチャック保持素子３を平行出し状態（第２図（ａ）の
状態）にしてあるものとする。
まず、ステップ301で検出光学系12により各計測点で
のマスク−ウエハ間距離を計る。ステップ302では、前
ステップで計測したデータに基づいて、現在露光しよう
としているウエハ１上のショットの平面を算出し、平行
出し平面からのずれ量Z,Wx,Wyを求める。このとき、４
点のデータから求める場合には最小二乗法を用いて４点
を近似的に通る平面を算出し、３点データの場合は一意
に平面を算出する。このずれ量をステップ303で予め設
定されている許容量と比較し、許容範囲外ならステップ
304に進み、ずれを補正するように各ウエハチャック保
持素子３を調整し、ステップ301へ戻り再び計測を繰返
す。
のマスク−ウエハ間距離を計る。ステップ302では、前
ステップで計測したデータに基づいて、現在露光しよう
としているウエハ１上のショットの平面を算出し、平行
出し平面からのずれ量Z,Wx,Wyを求める。このとき、４
点のデータから求める場合には最小二乗法を用いて４点
を近似的に通る平面を算出し、３点データの場合は一意
に平面を算出する。このずれ量をステップ303で予め設
定されている許容量と比較し、許容範囲外ならステップ
304に進み、ずれを補正するように各ウエハチャック保
持素子３を調整し、ステップ301へ戻り再び計測を繰返
す。
一方、ステップ303で許容範囲内と判定されたなら、
ステップ305に進み各ウエハチャック保持素子３に同量
の移動量を与え傾きを保ちながらアライメントギャップ
202の位置までウエハ１をＺ方向に移動させる。次に、
ステップ306で検出光学系12により各計測点でのマスク
−ウエハ間アライメントずれを計測し、ステップ307で
この計測値からX,Y平面上でのアライメントずれ量X,Yお
よび回転ずれθを求める。そして平面出しの処理と同様
に、ステップ308でずれ量が許容範囲内であるか否か判
定をし、許容範囲外ならステップ309で補正駆動をし、
ステップ306へ戻り再び計測を繰返す。
ステップ305に進み各ウエハチャック保持素子３に同量
の移動量を与え傾きを保ちながらアライメントギャップ
202の位置までウエハ１をＺ方向に移動させる。次に、
ステップ306で検出光学系12により各計測点でのマスク
−ウエハ間アライメントずれを計測し、ステップ307で
この計測値からX,Y平面上でのアライメントずれ量X,Yお
よび回転ずれθを求める。そして平面出しの処理と同様
に、ステップ308でずれ量が許容範囲内であるか否か判
定をし、許容範囲外ならステップ309で補正駆動をし、
ステップ306へ戻り再び計測を繰返す。
ステップ308でアライメントずれ量が許容範囲内であ
れば、ステップ310に進みマスク上のパターンをウエハ
上に焼付ける。本実施例では、アライメントギャップを
露光ギャップに一致させているため、アライメント終了
後はステージの駆動を必要とせず、直ちに露光処理に進
んでいる。現在のショットの露光を終了したならば、ス
テップ311で各ウエハチャック保持素子３を平行出し状
態に戻し、マスク−ウエハ間距離を拡げる。次に、ステ
ップ312でウエハ上に未露光ショットが残っているかチ
ェックし、すべてのショットが露光済であれば、ウエハ
１枚分の露光が完了したものとしこのシーケンスを終了
する。
れば、ステップ310に進みマスク上のパターンをウエハ
上に焼付ける。本実施例では、アライメントギャップを
露光ギャップに一致させているため、アライメント終了
後はステージの駆動を必要とせず、直ちに露光処理に進
んでいる。現在のショットの露光を終了したならば、ス
テップ311で各ウエハチャック保持素子３を平行出し状
態に戻し、マスク−ウエハ間距離を拡げる。次に、ステ
ップ312でウエハ上に未露光ショットが残っているかチ
ェックし、すべてのショットが露光済であれば、ウエハ
１枚分の露光が完了したものとしこのシーケンスを終了
する。
もし、未だ露光すべきショットが残っていれば、ステ
ップ313で次の露光ショットがマスクと対向するように
X,Yステージを駆動し、ステップ301に戻る。そして、同
様にして平行出し、アライメントおよび露光シーケンス
を繰返す。なお、ステップ313において、マスク−ウエ
ハ間の間隔は、両者がX,Y方向に移動しても接触する危
険のない位置であり、さらに移動後直ちに平行出しのギ
ャップ計測が行なえる位置である。
ップ313で次の露光ショットがマスクと対向するように
X,Yステージを駆動し、ステップ301に戻る。そして、同
様にして平行出し、アライメントおよび露光シーケンス
を繰返す。なお、ステップ313において、マスク−ウエ
ハ間の間隔は、両者がX,Y方向に移動しても接触する危
険のない位置であり、さらに移動後直ちに平行出しのギ
ャップ計測が行なえる位置である。
［他の実施例］ 第４図は、本発明の他の実施例に係るウエハ１枚分の
露光シーケンスを示すフローチャートである。同図の手
順も第１図に示した露光装置に適用することができる。
露光シーケンスを示すフローチャートである。同図の手
順も第１図に示した露光装置に適用することができる。
第４図のシーケンスが第３図のシーケンスと異なるの
は、１ショットの露光（ステップ310）終了後のマスク
−ウエハ間ギャップを拡げる処理にある。すなわち前記
の実施例では、第３図ステップ311のように、各ウエハ
チャック保持素子３を平行出し状態に戻しており、ウエ
ハ１の傾きも解除していた。一方本実施例では、第４図
ステップ311′のように、傾きは保ちつつ露光ショット
の中心が平行出しギャップの位置となるよう各ウエハチ
ャック保持素子３を同量だけ調整する。ウエハのゆがみ
やくさび分による表面の形状は連続的に変化するものと
予想されるから、平行出しギャップに移動する際に本実
施例のように傾きを保つことにより、次露光ショットが
現露光ショットの隣りあるいは近傍である場合に平行出
しシーケンスの追込み処理が短縮できスループット向上
が期待できる。
は、１ショットの露光（ステップ310）終了後のマスク
−ウエハ間ギャップを拡げる処理にある。すなわち前記
の実施例では、第３図ステップ311のように、各ウエハ
チャック保持素子３を平行出し状態に戻しており、ウエ
ハ１の傾きも解除していた。一方本実施例では、第４図
ステップ311′のように、傾きは保ちつつ露光ショット
の中心が平行出しギャップの位置となるよう各ウエハチ
ャック保持素子３を同量だけ調整する。ウエハのゆがみ
やくさび分による表面の形状は連続的に変化するものと
予想されるから、平行出しギャップに移動する際に本実
施例のように傾きを保つことにより、次露光ショットが
現露光ショットの隣りあるいは近傍である場合に平行出
しシーケンスの追込み処理が短縮できスループット向上
が期待できる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば以下のような効
果がある。
果がある。
１）マスク等の原板とウエハ等の基板との間の平行出し
ギャップを露光ギャップよりも大きく取っているので、
両者間の位置合せ時に接触する危険をさけることができ
る。
ギャップを露光ギャップよりも大きく取っているので、
両者間の位置合せ時に接触する危険をさけることができ
る。
２）上記平行出しギャップを原板と基板との相対位置移
動時にも接触しない間隔にすることにより、相対移動を
高速にしてスループットの向上を計ることができる。ま
た、相対移動後直ちに平行出しシーケンスに入れるため
のスループット向上の効果がある。
動時にも接触しない間隔にすることにより、相対移動を
高速にしてスループットの向上を計ることができる。ま
た、相対移動後直ちに平行出しシーケンスに入れるため
のスループット向上の効果がある。
３）原板と基板との間のＸ−Ｙ平面アライメントの両者
間間隔を露光ギャップまたは平行出しギャップのいずれ
かと同じ間隔に設定することにより、シーケンスの簡略
が可能となりスループットが向上する。
間間隔を露光ギャップまたは平行出しギャップのいずれ
かと同じ間隔に設定することにより、シーケンスの簡略
が可能となりスループットが向上する。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光方法を適用した
露光装置における主要部の構成図、 第２図は、上記実施例のマスク−ウエハ間平行出しのシ
ーケンスを示す概略図、 第３図は、上記実施例に係る露光装置の１ウエハ分の露
光シーケンスを示すフローチャート、 第４図は、本発明の他の実施例に係るウエハ１枚分の露
光シーケンスを示すフローチャートである。 1:ウエハ、 2:ウエハチャック、 3:ウエハチャック保持素子、 4:θステージ、 5:Xステージ、 6:Yステージ、 7:ベース、 8:マスク、 9:マスクチャック、 10:マスクステージ、 11:フレーム、 12:検出光学系、 13:ウエハ上転写済パターン、 14:マスク上素子パターン、 15:検出光、 16:露光光、 17:渦電流センサ。
露光装置における主要部の構成図、 第２図は、上記実施例のマスク−ウエハ間平行出しのシ
ーケンスを示す概略図、 第３図は、上記実施例に係る露光装置の１ウエハ分の露
光シーケンスを示すフローチャート、 第４図は、本発明の他の実施例に係るウエハ１枚分の露
光シーケンスを示すフローチャートである。 1:ウエハ、 2:ウエハチャック、 3:ウエハチャック保持素子、 4:θステージ、 5:Xステージ、 6:Yステージ、 7:ベース、 8:マスク、 9:マスクチャック、 10:マスクステージ、 11:フレーム、 12:検出光学系、 13:ウエハ上転写済パターン、 14:マスク上素子パターン、 15:検出光、 16:露光光、 17:渦電流センサ。
フロントページの続き (72)発明者 鵜澤 俊一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−254426（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (3)
- 【請求項１】パターンが描かれたマスクとウエハとを近
接させた状態で対向配置し、該マスク上のパターンをウ
エハの複数の領域にステップアンドリピート方式で順次
露光転写する露光方法において、 上記マスクとウエハとの平行出しを行なう際のマスクと
ウエハとの間隔を、露光する際のマスクとウエハとの間
隔よりも大きく取り、マスクとウエハとの平行出しを行
なった後に、マスクとウエハとの間のＸ−Ｙ平面におけ
るアライメントおよびマスクとウエハとの間隔を露光時
の間隔とする相対的接近をさせて露光を行ない、その
後、ウエハの次の領域にステップ移動することを特徴と
する露光方法。 - 【請求項２】前記マスクとウエハとの間のＸ−Ｙ平面上
のアライメントを行なう際のマスクとウエハとの間隔
が、前記露光時のマスクとウエハとの間隔または前記平
行出し時のマスクとウエハとの間隔のいずれかと同一で
ある請求項１に記載の露光方法。 - 【請求項３】前記ステップ移動させる際のマスクとウエ
ハとの間隔が、前記平行出し時のマスクとウエハとの間
隔と同一である請求項１または２に記載の露光方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63246259A JP2799575B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 露光方法 |
| DE68928860T DE68928860T2 (de) | 1988-09-30 | 1989-09-28 | Belichtungsverfahren |
| EP89309915A EP0361934B1 (en) | 1988-09-30 | 1989-09-28 | Exposure method |
| US08/161,099 US5443932A (en) | 1988-09-30 | 1993-12-03 | Exposure method |
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| JPS58128735A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-08-01 | Hitachi Ltd | Ｘ線アライナ |
| JPS6184018A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-04-28 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置 |
| US4623608A (en) * | 1985-03-14 | 1986-11-18 | Rca Corporation | Method and apparatus for coating a selected area of the surface of an object |
| JPH0622192B2 (ja) * | 1985-04-25 | 1994-03-23 | キヤノン株式会社 | 表示パネル製造方法 |
| US4676630A (en) * | 1985-04-25 | 1987-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US4748477A (en) * | 1985-04-30 | 1988-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US4669868A (en) * | 1986-04-18 | 1987-06-02 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Step and repeat exposure apparatus and method |
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| DE3623891A1 (de) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Siemens Ag | Anordnung zur genauen gegenseitigen ausrichtung einer maske und einer halbleiterscheibe in einem lithographiegeraet und verfahren zu ihrem betrieb |
| EP0263349A1 (de) * | 1986-10-06 | 1988-04-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Stosswellenquelle |
| US4891526A (en) * | 1986-12-29 | 1990-01-02 | Hughes Aircraft Company | X-Y-θ-Z positioning stage |
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-
1988
- 1988-09-30 JP JP63246259A patent/JP2799575B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-09-28 EP EP89309915A patent/EP0361934B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-28 DE DE68928860T patent/DE68928860T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-12-03 US US08/161,099 patent/US5443932A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5443932A (en) | 1995-08-22 |
| EP0361934B1 (en) | 1998-11-25 |
| EP0361934A3 (en) | 1991-07-03 |
| EP0361934A2 (en) | 1990-04-04 |
| JPH0294515A (ja) | 1990-04-05 |
| DE68928860D1 (de) | 1999-01-07 |
| DE68928860T2 (de) | 1999-05-12 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |